JPH1197609A - 酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金及びその製造方法 - Google Patents
酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金及びその製造方法Info
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- JPH1197609A JPH1197609A JP9291482A JP29148297A JPH1197609A JP H1197609 A JPH1197609 A JP H1197609A JP 9291482 A JP9291482 A JP 9291482A JP 29148297 A JP29148297 A JP 29148297A JP H1197609 A JPH1197609 A JP H1197609A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイレクトボンディング性やはんだ付け性等
の特性に悪影響を及ぼすことなく、酸化膜密着性に優れ
たリードフレーム用の銅合金とその製造方法を提案す
る。 【解決手段】 重量％において、Ｐ：０．００１〜０．
２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及び不
可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比率が
Ｃｏ／Ｐ＝１．５〜１０であることを特徴とする酸化膜
密着性に優れたリードフレーム用銅合金。
の特性に悪影響を及ぼすことなく、酸化膜密着性に優れ
たリードフレーム用の銅合金とその製造方法を提案す
る。 【解決手段】 重量％において、Ｐ：０．００１〜０．
２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及び不
可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比率が
Ｃｏ／Ｐ＝１．５〜１０であることを特徴とする酸化膜
密着性に優れたリードフレーム用銅合金。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体機器のリー
ドフレームに用いられる酸化膜密着性の良好な銅合金と
その製造方法に関するものである。
ドフレームに用いられる酸化膜密着性の良好な銅合金と
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体機器のリードフレームとし
ては、４２合金（Ｆｅ−４２Ｎｉ）が使用されて来てお
り、現在では半導体回路の小型化や高密度化に伴い、熱
伝導度の優れた銅系材料が用いられるようになった。
ては、４２合金（Ｆｅ−４２Ｎｉ）が使用されて来てお
り、現在では半導体回路の小型化や高密度化に伴い、熱
伝導度の優れた銅系材料が用いられるようになった。
【０００３】一般に、半導体機器のリードフレームに
は、以下のような特性が要求されている。 （１）熱・電気伝導性に優れていること。リードフレー
ムの働きとしてはチップの劣化を防ぐため、チップの生
ずる熱を放散することが挙げられる。熱放散の効率を上
げ、リード部の発熱を小さくするため、熱伝導性、電気
伝導性の良いことが要求される。
は、以下のような特性が要求されている。 （１）熱・電気伝導性に優れていること。リードフレー
ムの働きとしてはチップの劣化を防ぐため、チップの生
ずる熱を放散することが挙げられる。熱放散の効率を上
げ、リード部の発熱を小さくするため、熱伝導性、電気
伝導性の良いことが要求される。
【０００４】（２）強度が高いこと。リードフレームは
製造工程、あるいは製造後にチップを支えるため、十分
な強度が要求される。
製造工程、あるいは製造後にチップを支えるため、十分
な強度が要求される。
【０００５】（３）耐熱性が良好であること。リードフ
レームは製造工程中に種々の加熱を受ける。従って、熱
的負荷による強度劣化を起こさないよう耐熱性が必要に
なる。
レームは製造工程中に種々の加熱を受ける。従って、熱
的負荷による強度劣化を起こさないよう耐熱性が必要に
なる。
【０００６】（４）成形加工性が良好であること。リー
ドフレームは、ほとんどの場合プレス成形加工を行うこ
とが多い。そのため、成形加工性が良好であることが要
求される。
ドフレームは、ほとんどの場合プレス成形加工を行うこ
とが多い。そのため、成形加工性が良好であることが要
求される。
【０００７】（５）めっき性及びはんだ付け性が良好で
あること。リードフレームはＡｇめっきやはんだめっき
等のめっきやはんだ付けが施される場合が多い。このた
め、良好なめっき性やはんだ付け性、またそれらの耐候
性が必要となってくる。
あること。リードフレームはＡｇめっきやはんだめっき
等のめっきやはんだ付けが施される場合が多い。このた
め、良好なめっき性やはんだ付け性、またそれらの耐候
性が必要となってくる。
【０００８】上記のような特性のほか、最近注目されて
いる特性として、素材−酸化膜の密着性が挙げられる。
リードフレームは製造工程において、ダイボンディン
グ、ワイヤボンディング、樹脂封止等の際に３００〜４
００℃の高温で加熱処理を行うが、これらの熱処理時
に、素材表面に生成した酸化膜−素材間の密着性は、酸
化膜−樹脂間の密着性に比べて劣ることが多い。
いる特性として、素材−酸化膜の密着性が挙げられる。
リードフレームは製造工程において、ダイボンディン
グ、ワイヤボンディング、樹脂封止等の際に３００〜４
００℃の高温で加熱処理を行うが、これらの熱処理時
に、素材表面に生成した酸化膜−素材間の密着性は、酸
化膜−樹脂間の密着性に比べて劣ることが多い。
【０００９】通常、リードフレームは加熱処理後の酸化
膜が成長した状態で樹脂封止されるため、酸化膜−素材
間の密着性に劣る場合、そのままリードフレーム−樹脂
間の密着性の劣化につながり、隙間からの水分の進入に
よりチップとリードフレームをつないでいる配線が腐食
し、耐湿性の不良を引き起こす。また、他にも工程汚染
やワイヤボンディング不良、パッケージクラック等の原
因となる。
膜が成長した状態で樹脂封止されるため、酸化膜−素材
間の密着性に劣る場合、そのままリードフレーム−樹脂
間の密着性の劣化につながり、隙間からの水分の進入に
よりチップとリードフレームをつないでいる配線が腐食
し、耐湿性の不良を引き起こす。また、他にも工程汚染
やワイヤボンディング不良、パッケージクラック等の原
因となる。
【００１０】ここ数年、半導体の形状については、小型
化や多ピン化、面付実装タイプの増加が進み、部品全体
の大きさに対し、チップ自体の大きさやリードフレーム
−樹脂間の密着している面積の割合が大きくなってきて
いる。それと共に、素材−酸化膜間の密着性は、半導体
機器の信頼性に関わる特性としてその重要度を増してい
る。また、製造工程においては、高速化のためにはんだ
付けやボンディング等の加熱処理温度が上昇してきてお
り、リードフレームには耐熱特性と共に、高温での酸化
膜密着特性が求められるようになって来ている。具体的
には、３５０℃以上、好ましくは３８０℃以上の加熱に
よっても酸化膜が密着していることが要求されて来てい
るのである。
化や多ピン化、面付実装タイプの増加が進み、部品全体
の大きさに対し、チップ自体の大きさやリードフレーム
−樹脂間の密着している面積の割合が大きくなってきて
いる。それと共に、素材−酸化膜間の密着性は、半導体
機器の信頼性に関わる特性としてその重要度を増してい
る。また、製造工程においては、高速化のためにはんだ
付けやボンディング等の加熱処理温度が上昇してきてお
り、リードフレームには耐熱特性と共に、高温での酸化
膜密着特性が求められるようになって来ている。具体的
には、３５０℃以上、好ましくは３８０℃以上の加熱に
よっても酸化膜が密着していることが要求されて来てい
るのである。
【００１１】ところで、銅系材料は、コストや加工性、
電気・熱伝導性において４２合金より優れた特性を有し
ているものの、加熱処理の際に素材表面の酸化膜が生成
しやすく、また剥離しやすい。
電気・熱伝導性において４２合金より優れた特性を有し
ているものの、加熱処理の際に素材表面の酸化膜が生成
しやすく、また剥離しやすい。
【００１２】銅系材料の中で最も酸化膜密着性に優れて
いるのは無酸素銅であるが、耐熱性や引張強度等のリー
ドフレームに必要な特性を満足するものではない。一
方、耐熱性や引張強さを改善するために、Ｐを添加した
燐脱酸銅については、マトリックス中に固溶したＰによ
り酸化膜密着性は大きく低下することが分った。
いるのは無酸素銅であるが、耐熱性や引張強度等のリー
ドフレームに必要な特性を満足するものではない。一
方、耐熱性や引張強さを改善するために、Ｐを添加した
燐脱酸銅については、マトリックス中に固溶したＰによ
り酸化膜密着性は大きく低下することが分った。
【００１３】また、機械的特性向上のため、他の添加元
素を加えたＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系等をは
じめとした銅合金についても、酸化膜密着性については
良好とはいえないことが分かった。このため、リードフ
レーム用として充分な強度や耐熱性等の特性を持ちなが
ら、素材−酸化膜間の密着性の良好な銅合金が要求され
て来ている。
素を加えたＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系等をは
じめとした銅合金についても、酸化膜密着性については
良好とはいえないことが分かった。このため、リードフ
レーム用として充分な強度や耐熱性等の特性を持ちなが
ら、素材−酸化膜間の密着性の良好な銅合金が要求され
て来ている。
【００１４】このような現状に対し、さまざまな方法で
酸化膜の密着性を改善しようという試みがなされて来
た。例えば、特許２５６４６３３号では、素材表面に銅
めっきを施し、その後に冷間圧延、熱処理を行うこと
で、無酸素銅・タフピッチ銅と同等の酸化膜密着性を得
る製造方法が開示されている。しかし、この場合には、
めっき、冷間圧延、熱処理といった工程を余分に行うこ
とになり、製造コストは通常の銅合金に比較して増加し
てしまう。
酸化膜の密着性を改善しようという試みがなされて来
た。例えば、特許２５６４６３３号では、素材表面に銅
めっきを施し、その後に冷間圧延、熱処理を行うこと
で、無酸素銅・タフピッチ銅と同等の酸化膜密着性を得
る製造方法が開示されている。しかし、この場合には、
めっき、冷間圧延、熱処理といった工程を余分に行うこ
とになり、製造コストは通常の銅合金に比較して増加し
てしまう。
【００１５】また、特開平２−１７３２４８号公報で
は、中間熱処理後あるいは最終圧延後の表面を研磨し、
熱処理による添加元素の濃縮層を取り去ることにより、
密着性を改善する方法が開示されている。しかしなが
ら、この方法による充分な濃縮層を除去するための研磨
工程では、表面粗さが粗くなってしまうこと、研磨時の
摩擦熱によって材料表面の酸化膜の厚さが通常より厚く
なることから、ダイレクトボンディングやはんだ付け等
の特性に対して悪影響を及ぼすことが分かっている。ま
た、これらの先願には、酸化膜の厚さは規定されておら
ず、高温熱処理後の酸化膜の密着性が劣っている。
は、中間熱処理後あるいは最終圧延後の表面を研磨し、
熱処理による添加元素の濃縮層を取り去ることにより、
密着性を改善する方法が開示されている。しかしなが
ら、この方法による充分な濃縮層を除去するための研磨
工程では、表面粗さが粗くなってしまうこと、研磨時の
摩擦熱によって材料表面の酸化膜の厚さが通常より厚く
なることから、ダイレクトボンディングやはんだ付け等
の特性に対して悪影響を及ぼすことが分かっている。ま
た、これらの先願には、酸化膜の厚さは規定されておら
ず、高温熱処理後の酸化膜の密着性が劣っている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、ダ
イレクトボンディング性やはんだ付け性等の特性に悪影
響を及ぼすことなく、酸化膜密着性に優れたリードフレ
ーム用銅合金とその製造方法を提案するものである。
な従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、ダ
イレクトボンディング性やはんだ付け性等の特性に悪影
響を及ぼすことなく、酸化膜密着性に優れたリードフレ
ーム用銅合金とその製造方法を提案するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、酸化膜密
着性に及ぼす種々の材料因子について鋭意検討を行った
ところ、材料表層の添加元素の分布、および常温で生成
している酸化膜の厚さを制御することが重要であること
を見い出した。
着性に及ぼす種々の材料因子について鋭意検討を行った
ところ、材料表層の添加元素の分布、および常温で生成
している酸化膜の厚さを制御することが重要であること
を見い出した。
【００１８】銅合金の添加元素としてよく用いられるＰ
は、脱酸効果や他の元素と化合して析出することによる
特性向上の効果を持つ重要な元素であり、実際に銅合金
を製造していく上で非常に有用である。しかしながら、
Ｐは少量の添加でも酸化膜密着性に悪影響を及ぼすこ
と、Ｐ以外の添加元素についても程度の違いはあるもの
の酸化膜密着性を劣化させることが分った。
は、脱酸効果や他の元素と化合して析出することによる
特性向上の効果を持つ重要な元素であり、実際に銅合金
を製造していく上で非常に有用である。しかしながら、
Ｐは少量の添加でも酸化膜密着性に悪影響を及ぼすこ
と、Ｐ以外の添加元素についても程度の違いはあるもの
の酸化膜密着性を劣化させることが分った。
【００１９】即ち、Ｐ等の添加元素が固溶した合金は、
高温においては、素材表層の酸化膜にＰが偏析してしま
い、このことが高温で生成した酸化膜の密着性を低下さ
せていることが分った。
高温においては、素材表層の酸化膜にＰが偏析してしま
い、このことが高温で生成した酸化膜の密着性を低下さ
せていることが分った。
【００２０】そこで、本発明者は銅マトリックス中に固
溶しているＰをはじめとする添加元素を低減すること、
即ちマトリックスを無酸素銅の状態に近くすることで酸
化膜密着性を改善することを試みた。
溶しているＰをはじめとする添加元素を低減すること、
即ちマトリックスを無酸素銅の状態に近くすることで酸
化膜密着性を改善することを試みた。
【００２１】そこで、各種合金系について調査した結
果、本発明の添加元素であるＣｏがＦｅ、Ｎｉ等のＰと
析出物を形成する元素のうち、最もＰのマトリックス中
への固溶を防ぐ効果が大きいこと、また析出しきれずに
固溶している微量のＰについても、酸化膜−金属界面付
近のＣｏがＰの酸化膜中への拡散を阻害し、酸化膜中へ
の偏析を防ぐ効果をもっていることが分った。
果、本発明の添加元素であるＣｏがＦｅ、Ｎｉ等のＰと
析出物を形成する元素のうち、最もＰのマトリックス中
への固溶を防ぐ効果が大きいこと、また析出しきれずに
固溶している微量のＰについても、酸化膜−金属界面付
近のＣｏがＰの酸化膜中への拡散を阻害し、酸化膜中へ
の偏析を防ぐ効果をもっていることが分った。
【００２２】銅マトリックス中にＣｏ−Ｐの化合物を析
出させ、機械的特性を向上させた合金としては、例えば
特開平３−１８０４３７号公報等がある。しかし、これ
らの特許では、酸化膜厚さを規定していないため、高温
における酸化膜の密着性については不充分であった。
出させ、機械的特性を向上させた合金としては、例えば
特開平３−１８０４３７号公報等がある。しかし、これ
らの特許では、酸化膜厚さを規定していないため、高温
における酸化膜の密着性については不充分であった。
【００２３】また、リードフレーム用材料において酸化
膜の厚さを規定した合金に関する技術として、例えば特
開昭６０−２２５４５５号公報等が開示されている。し
かし、これらの技術はダイレクトボンディング性の向上
という観点から規定されているものであり、加熱後に生
成する酸化膜の密着性に関しては何ら記載されていな
い。
膜の厚さを規定した合金に関する技術として、例えば特
開昭６０−２２５４５５号公報等が開示されている。し
かし、これらの技術はダイレクトボンディング性の向上
という観点から規定されているものであり、加熱後に生
成する酸化膜の密着性に関しては何ら記載されていな
い。
【００２４】従って、ＣｏとＰの添加量、Ｃｏ／Ｐ比、
常温にて生成している酸化膜厚さの範囲を適正なものに
制御することにより、リードフレーム用として必要な機
械的特性や耐熱特性をもちながら、無酸素銅と同等の酸
化膜密着性の良好な銅合金を得ることが可能となった。
常温にて生成している酸化膜厚さの範囲を適正なものに
制御することにより、リードフレーム用として必要な機
械的特性や耐熱特性をもちながら、無酸素銅と同等の酸
化膜密着性の良好な銅合金を得ることが可能となった。
【００２５】即ち、本発明は、次のリードフレーム用銅
合金とその製造方法である。１）重量％において、Ｐ：
０．００１〜０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０
％、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの
重量百分率の比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であること
を特徴とする酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅
合金。
合金とその製造方法である。１）重量％において、Ｐ：
０．００１〜０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０
％、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの
重量百分率の比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であること
を特徴とする酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅
合金。
【００２６】２）重量％において、Ｐ：０．００１〜
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及
び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比
率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚さ
が１０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化膜密着性に
優れたリードフレーム用銅合金。
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及
び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比
率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚さ
が１０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化膜密着性に
優れたリードフレーム用銅合金。
【００２７】３）重量％において、Ｐ：０．００１〜
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及
び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比
率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚さ
が１０ｎｍ以下で、かつ酸化膜剥離率が１０％以上にな
る加熱温度が３８０℃以上であることを特徴とする酸化
膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金。
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及
び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比
率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚さ
が１０ｎｍ以下で、かつ酸化膜剥離率が１０％以上にな
る加熱温度が３８０℃以上であることを特徴とする酸化
膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金。
【００２８】４）重量％において、Ｐ：０．００１〜
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又は
２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃｕ
及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の
比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であることを特徴とする
酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金。
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又は
２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃｕ
及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の
比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であることを特徴とする
酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金。
【００２９】５）重量％において、Ｐ：０．００１〜
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又は
２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃｕ
及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の
比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚
さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化膜密着性
に優れたリードフレーム用銅合金。
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又は
２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃｕ
及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の
比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚
さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化膜密着性
に優れたリードフレーム用銅合金。
【００３０】６）重量％において、Ｐ：０．００１〜
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又は
２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃｕ
及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の
比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚
さが１０ｎｍ以下で、かつ酸化膜剥離率が１０％以上に
なる加熱温度が３８０℃以上であることを特徴とする酸
化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金。
０．２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又は
２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃｕ
及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の
比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚
さが１０ｎｍ以下で、かつ酸化膜剥離率が１０％以上に
なる加熱温度が３８０℃以上であることを特徴とする酸
化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金。
【００３１】７）上記１）〜６）において、酸化膜厚さ
を制御するために最終板厚での熱処理後に化学的及び／
又は機械的方法で酸化膜を除去し、酸化膜厚さを１０ｎ
ｍ以下にすることを特徴とする酸化膜密着性に優れたリ
ードフレーム用銅合金の製造方法。
を制御するために最終板厚での熱処理後に化学的及び／
又は機械的方法で酸化膜を除去し、酸化膜厚さを１０ｎ
ｍ以下にすることを特徴とする酸化膜密着性に優れたリ
ードフレーム用銅合金の製造方法。
【００３２】８）上記７）において、前記化学的処理方
法が酸による洗浄であり、前記機械的処理方法がバフや
ブラシ等による表面研磨である酸化膜密着性に優れたリ
ードフレーム用銅合金の製造方法。
法が酸による洗浄であり、前記機械的処理方法がバフや
ブラシ等による表面研磨である酸化膜密着性に優れたリ
ードフレーム用銅合金の製造方法。
【００３３】
【作用】以下に、本発明の内容を具体的に説明する。ま
ず、本発明に係わる銅合金の添加元素の選択と、その含
有量の範囲の限定理由について述べる。
ず、本発明に係わる銅合金の添加元素の選択と、その含
有量の範囲の限定理由について述べる。
【００３４】（１）Ｐ Ｐは溶湯の脱酸剤として使用するほか、他の元素と化合
して析出物をつくることで電気・熱伝導性を低下させる
ことなく強度や耐熱性等を向上させる元素である。しか
し、Ｐ含有量が０．００１重量％未満では強度や耐熱
性，弾性の向上が不充分であり、また他の添加元素と化
合物を形成して分散析出する効果も充分に引き出せな
い。また、０．２５重量％を越えるとＣｏ共存下でも酸
化膜密着性が劣化し、電気伝導性やはんだ耐候性等が低
下する。従って、Ｐの含有量は０．００１〜０．２５重
量％とする。さらに好ましくは、０．００１〜０．１５
重量％である。
して析出物をつくることで電気・熱伝導性を低下させる
ことなく強度や耐熱性等を向上させる元素である。しか
し、Ｐ含有量が０．００１重量％未満では強度や耐熱
性，弾性の向上が不充分であり、また他の添加元素と化
合物を形成して分散析出する効果も充分に引き出せな
い。また、０．２５重量％を越えるとＣｏ共存下でも酸
化膜密着性が劣化し、電気伝導性やはんだ耐候性等が低
下する。従って、Ｐの含有量は０．００１〜０．２５重
量％とする。さらに好ましくは、０．００１〜０．１５
重量％である。
【００３５】（２）Ｃｏ ＣｏはＰとＣｏ−Ｐ系化合物を形成して分散析出される
ことにより、マトリックス中に固溶するＰの量を減少さ
せ、酸化膜密着性や耐熱性、電気伝導性、機械的特性を
向上させる。また、析出しきれずにマトリックス中に固
溶している微量のＰについても、酸化膜−金属界面付近
のＣｏがＰの酸化膜中への拡散を阻害し、酸化膜中への
偏析を防ぐことで、酸化膜密着性を向上させる効果を持
つ。これらの効果を発揮させるためには、０．０１重量
％以上の含有が必要であるが、０．５０重量％を越えて
含有すると電気伝導性の低下が顕著になり、Ｃｏ自体が
酸化膜密着性に悪影響を及ぼすようになる上、更には経
済的にも不利になる。従って、これらの含有量の総量は
０．０１〜０．５０重量％の範囲とする。さらに好まし
くは、０．２５〜０．４５重量％である。
ことにより、マトリックス中に固溶するＰの量を減少さ
せ、酸化膜密着性や耐熱性、電気伝導性、機械的特性を
向上させる。また、析出しきれずにマトリックス中に固
溶している微量のＰについても、酸化膜−金属界面付近
のＣｏがＰの酸化膜中への拡散を阻害し、酸化膜中への
偏析を防ぐことで、酸化膜密着性を向上させる効果を持
つ。これらの効果を発揮させるためには、０．０１重量
％以上の含有が必要であるが、０．５０重量％を越えて
含有すると電気伝導性の低下が顕著になり、Ｃｏ自体が
酸化膜密着性に悪影響を及ぼすようになる上、更には経
済的にも不利になる。従って、これらの含有量の総量は
０．０１〜０．５０重量％の範囲とする。さらに好まし
くは、０．２５〜０．４５重量％である。
【００３６】（３）副成分について さらに、副成分としてＦｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、
Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂ
ｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａ
ｕの群から選ばれる１種または２種以上を総量で０．０
０１〜２．０％含有させると、リードフレームに必要な
上記諸特性をより向上させる。即ち、これらの元素の添
加により、本発明に係る銅合金の電気伝導性を低下させ
ることなく、強度や弾性，耐熱性を向上させる。
Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂ
ｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａ
ｕの群から選ばれる１種または２種以上を総量で０．０
０１〜２．０％含有させると、リードフレームに必要な
上記諸特性をより向上させる。即ち、これらの元素の添
加により、本発明に係る銅合金の電気伝導性を低下させ
ることなく、強度や弾性，耐熱性を向上させる。
【００３７】（４）Ｃｏ／Ｐ比について Ｃｏ／Ｐ比が１．５以下の場合、ＣｏによるＰの偏析を
抑制する効果が期待できず、この結果、酸化膜密着性は
大きく低下する。また、Ｃｏ／Ｐ比が１０以上の場合は
Ｃｏが銅マトリックス中に固溶するため、電気伝導性が
著しく低下する。従って、Ｃｏ／Ｐ比の範囲は１．５〜
１０、好ましくは３〜５の範囲とする。
抑制する効果が期待できず、この結果、酸化膜密着性は
大きく低下する。また、Ｃｏ／Ｐ比が１０以上の場合は
Ｃｏが銅マトリックス中に固溶するため、電気伝導性が
著しく低下する。従って、Ｃｏ／Ｐ比の範囲は１．５〜
１０、好ましくは３〜５の範囲とする。
【００３８】また、酸化膜密着性の観点からは、これら
の元素を含む銅マトリックスは固溶元素が少ない状態、
即ち無酸素銅に近い状態であることが求められる。そこ
で、導電率は７０％ＩＡＣＳ以上、さらに好ましくは７
５％ＩＡＣＳ以上とする。
の元素を含む銅マトリックスは固溶元素が少ない状態、
即ち無酸素銅に近い状態であることが求められる。そこ
で、導電率は７０％ＩＡＣＳ以上、さらに好ましくは７
５％ＩＡＣＳ以上とする。
【００３９】次に、酸化膜について述べる。銅合金は通
常の保管雰囲気下では８〜１０ｎｍの酸化膜が生成して
いる。この酸化膜は、常温であっても周囲の環境の変
化、特に湿度の影響を受けやすく、容易に１０ｎｍを越
えて成長する。この場合、加熱後の酸化膜密着性は大き
く低下する。従って、酸化膜厚さは１０ｎｍ以下である
ものとし、好ましくは７ｎｍ以下とする。なお、ここで
は、酸化膜厚さの定義として、定電流電解法による酸化
物の還元電気量をＣｕＯに換算した値を用いた。
常の保管雰囲気下では８〜１０ｎｍの酸化膜が生成して
いる。この酸化膜は、常温であっても周囲の環境の変
化、特に湿度の影響を受けやすく、容易に１０ｎｍを越
えて成長する。この場合、加熱後の酸化膜密着性は大き
く低下する。従って、酸化膜厚さは１０ｎｍ以下である
ものとし、好ましくは７ｎｍ以下とする。なお、ここで
は、酸化膜厚さの定義として、定電流電解法による酸化
物の還元電気量をＣｕＯに換算した値を用いた。
【００４０】しかし、通常の工程では最終板厚に加工後
に、ひずみ除去や特性改善等の目的で焼鈍を行う。この
とき、素材表面の酸化膜厚さは１０ｎｍを越えてしまう
可能性がある。従って、機械的、化学的に酸化膜を除去
する等の方法で素材表面の酸化膜厚さを制御して、１０
ｎｍ以下にする必要がある。ここで、機械的除去法とし
てはバフ・ブラシ等による表面研磨、化学的除去法とし
ては酸による洗浄等を行うものとする。
に、ひずみ除去や特性改善等の目的で焼鈍を行う。この
とき、素材表面の酸化膜厚さは１０ｎｍを越えてしまう
可能性がある。従って、機械的、化学的に酸化膜を除去
する等の方法で素材表面の酸化膜厚さを制御して、１０
ｎｍ以下にする必要がある。ここで、機械的除去法とし
てはバフ・ブラシ等による表面研磨、化学的除去法とし
ては酸による洗浄等を行うものとする。
【００４１】ここで、機械的除去法によって酸化膜を除
去するに際し、表面粗さが最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）で
１μｍ、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍのいずれ
かを越えると、ダイレクトボンディング性が低下する。
従って、Ｒｍａｘ：１μｍ以下で、かつＲａ：０．１μ
ｍ以下であることが好ましいのである。
去するに際し、表面粗さが最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）で
１μｍ、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍのいずれ
かを越えると、ダイレクトボンディング性が低下する。
従って、Ｒｍａｘ：１μｍ以下で、かつＲａ：０．１μ
ｍ以下であることが好ましいのである。
【００４２】また、この他に酸化膜厚さを制御する方法
としては、焼鈍時の雰囲気の酸素濃度を制御する方法も
有効である。次に、本発明の実施の形態を実施例により
更に具体的に説明する。
としては、焼鈍時の雰囲気の酸素濃度を制御する方法も
有効である。次に、本発明の実施の形態を実施例により
更に具体的に説明する。
【００４３】
実施例 表１に示す組成の合金を高周波溶解炉を用いて溶製し、
８５０℃に加熱した後、厚さ５．０ｍｍまで熱間圧延し
た。次に、表面の面削により４．８ｍｍとし、冷間圧延
と熱処理を繰り返して、板厚０．２５ｍｍの板材を得
た。
８５０℃に加熱した後、厚さ５．０ｍｍまで熱間圧延し
た。次に、表面の面削により４．８ｍｍとし、冷間圧延
と熱処理を繰り返して、板厚０．２５ｍｍの板材を得
た。
【００４４】そこで、上記材料について硬度、引張強
さ、導電率、耐熱温度、酸化膜厚さ、酸化膜密着性を調
査した。なお、硬度、引張強さ、導電率の測定は、それ
ぞれＪＩＳ−Ｚ−２２４４、ＪＩＳ−Ｚ−２２４１およ
びＪＩＳ−Ｈ−０５０５に従って行なった。
さ、導電率、耐熱温度、酸化膜厚さ、酸化膜密着性を調
査した。なお、硬度、引張強さ、導電率の測定は、それ
ぞれＪＩＳ−Ｚ−２２４４、ＪＩＳ−Ｚ−２２４１およ
びＪＩＳ−Ｈ−０５０５に従って行なった。
【００４５】耐熱温度は、試料を３０分間加熱保持した
後、硬度を測定し、加熱後の試料の硬度が初期硬度の８
０％となるときの温度とした。
後、硬度を測定し、加熱後の試料の硬度が初期硬度の８
０％となるときの温度とした。
【００４６】酸化膜厚測定には、電解液：０．１Ｎ−Ｋ
Ｃｌ、電流密度：０．２５ｍＡ／ｃｍ２の条件で定電流
電解を行い、その還元電気量をもって酸化膜厚さに換算
した（カソード還元法）。なお、酸化物は全てＣｕＯで
あるものとして計算した。
Ｃｌ、電流密度：０．２５ｍＡ／ｃｍ２の条件で定電流
電解を行い、その還元電気量をもって酸化膜厚さに換算
した（カソード還元法）。なお、酸化物は全てＣｕＯで
あるものとして計算した。
【００４７】酸化膜密着性については、試料を大気中で
２００〜５００℃で５分間加熱した後に１分間放冷し、
常温まで冷却した。しかる後、表面に１８ｍｍ×２０ｍ
ｍの粘着テープを貼り、剥したテープに付着する酸化膜
の有無を調査した。
２００〜５００℃で５分間加熱した後に１分間放冷し、
常温まで冷却した。しかる後、表面に１８ｍｍ×２０ｍ
ｍの粘着テープを貼り、剥したテープに付着する酸化膜
の有無を調査した。
【００４８】このとき、母材より剥離しテープに付着し
た酸化膜の面積と貼付したテープの面積の比を酸化膜剥
離率とし、酸化膜剥離率が１０％以上となったときの加
熱温度をその合金の酸化膜剥離温度とした。ここで、剥
離率を１０％以上としたのは、１０％を越えるとわずか
な加熱温度の上昇で急激に全体の剥離が進み、ほぼテー
プ全面で酸化膜の剥離を起こしてしまうからである。さ
らに、３６０℃で５分間の加熱後の試料についても酸化
膜剥離率を測定した。これらの試験結果を表１に示す。
た酸化膜の面積と貼付したテープの面積の比を酸化膜剥
離率とし、酸化膜剥離率が１０％以上となったときの加
熱温度をその合金の酸化膜剥離温度とした。ここで、剥
離率を１０％以上としたのは、１０％を越えるとわずか
な加熱温度の上昇で急激に全体の剥離が進み、ほぼテー
プ全面で酸化膜の剥離を起こしてしまうからである。さ
らに、３６０℃で５分間の加熱後の試料についても酸化
膜剥離率を測定した。これらの試験結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】本発明合金１〜８は酸化膜剥離温度が３８
０℃以上であり、しかも３６０℃加熱後の酸化膜剥離率
が１０％以下となっており、高温での酸化膜密着性に優
れていて、高い引張強度と耐熱温度を有しており、リー
ドフレーム用として適した材料である。
０℃以上であり、しかも３６０℃加熱後の酸化膜剥離率
が１０％以下となっており、高温での酸化膜密着性に優
れていて、高い引張強度と耐熱温度を有しており、リー
ドフレーム用として適した材料である。
【００５１】これに対し、現在リードフレーム用として
一般に使用されている合金を比較例９〜１３に示す。比
較例９はいわゆる燐脱酸銅、比較例１０はいわゆる無酸
素銅であり、比鮫例１１、１２、１３はそれぞれＣｕ−
Ｆｅ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｓｎ−Ｚｎ−Ｐ系の銅合金である。比較例１０を除い
て、酸化膜密着性についてはいずれも３５０℃以下で剥
離を起こしている上、３６０℃加熱後の酸化膜剥離率も
９５％以上と充分な酸化膜密着性を有しているとはいい
難い。また、比較例１０については酸化膜密着性は良好
なものの、機械的特性や耐熱性については劣っており、
リードフレームに要求される特性を満たしているとはい
えない。
一般に使用されている合金を比較例９〜１３に示す。比
較例９はいわゆる燐脱酸銅、比較例１０はいわゆる無酸
素銅であり、比鮫例１１、１２、１３はそれぞれＣｕ−
Ｆｅ−Ｐ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｎｉ−
Ｓｎ−Ｚｎ−Ｐ系の銅合金である。比較例１０を除い
て、酸化膜密着性についてはいずれも３５０℃以下で剥
離を起こしている上、３６０℃加熱後の酸化膜剥離率も
９５％以上と充分な酸化膜密着性を有しているとはいい
難い。また、比較例１０については酸化膜密着性は良好
なものの、機械的特性や耐熱性については劣っており、
リードフレームに要求される特性を満たしているとはい
えない。
【００５２】比較例１４〜１７は本発明合金と同組成で
あるが、酸化膜厚さが本発明合金に比較して厚い試料で
ある。これらについては、酸化膜剥離温度及び３６０℃
加熱後の酸化膜剥離率がともに本発明合金より劣ってい
る。
あるが、酸化膜厚さが本発明合金に比較して厚い試料で
ある。これらについては、酸化膜剥離温度及び３６０℃
加熱後の酸化膜剥離率がともに本発明合金より劣ってい
る。
【００５３】比較例１８はＣｏ／Ｐ比が１．５以下、比
較例１９はＣｏ／Ｐ比が１０以上の試料である。どちら
も酸化膜密着性と導電率の特性が劣っている。即ち、添
加元素として規定量のＰ、Ｃｏを含み、しかも酸化膜厚
さが１０ｎｍ以下である本発明品のみが、従来の無酸素
銅並みの良好な酸化膜密着性と優れた機械的特性を併せ
持つことができる。
較例１９はＣｏ／Ｐ比が１０以上の試料である。どちら
も酸化膜密着性と導電率の特性が劣っている。即ち、添
加元素として規定量のＰ、Ｃｏを含み、しかも酸化膜厚
さが１０ｎｍ以下である本発明品のみが、従来の無酸素
銅並みの良好な酸化膜密着性と優れた機械的特性を併せ
持つことができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明は上述の通り、銅合金において、
添加元素の種類と比率、特にＣｏ／Ｐ比を制御し、更に
酸化膜厚さを制御することによって、これまでなし得な
かったリードフレーム用としての特性向上と酸化膜密着
性の改善を同時に可能としたものであり、高い信頼性が
要求される半導体機器用として極めて実用価値の高いも
のである。
添加元素の種類と比率、特にＣｏ／Ｐ比を制御し、更に
酸化膜厚さを制御することによって、これまでなし得な
かったリードフレーム用としての特性向上と酸化膜密着
性の改善を同時に可能としたものであり、高い信頼性が
要求される半導体機器用として極めて実用価値の高いも
のである。
Claims (8)
- 【請求項１】 重量％において、Ｐ：０．００１〜０．
２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及び不
可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比率が
Ｃｏ／Ｐ＝１．５〜１０であることを特徴とする酸化膜
密着性に優れたリードフレーム用銅合金。 - 【請求項２】 重量％において、Ｐ：０．００１〜０．
２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及び不
可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比率が
Ｃｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚さが１
０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化膜密着性に優れ
たリードフレーム用銅合金。 - 【請求項３】 重量％において、Ｐ：０．００１〜０．
２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、残部Ｃｕ及び不
可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の比率が
Ｃｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚さが１
０ｎｍ以下で、かつ酸化膜剥離率が１０％以上になる加
熱温度が３８０℃以上であることを特徴とする酸化膜密
着性に優れたリードフレーム用銅合金。 - 【請求項４】 重量％において、Ｐ：０．００１〜０．
２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、 Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又
は２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃ
ｕ及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率
の比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であることを特徴とす
る酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金。 - 【請求項５】 重量％において、Ｐ：０．００１〜０．
２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又は
２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃｕ
及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の
比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚
さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化膜密着性
に優れたリードフレーム用銅合金。 - 【請求項６】 重量％において、Ｐ：０．００１〜０．
２５％、Ｃｏ：０．０１〜０．５０％、更にＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｍ
ｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｃｅ、Ａｕの群から選ばれる１種又は
２種以上を総量で０．０１〜２．０％含有し、残部Ｃｕ
及び不可避的不純物からなり、ＣｏとＰの重量百分率の
比率がＣｏ／Ｐ＝１．５〜１０であり、さらに酸化膜厚
さが１０ｎｍ以下で、かつ酸化膜剥離率が１０％以上に
なる加熱温度が３８０℃以上であることを特徴とする酸
化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金。 - 【請求項７】 請求項１〜６において、酸化膜厚さを制
御するために最終板厚での熱処理後に化学的及び／又は
機械的方法で酸化膜を除去し、酸化膜厚さを１０ｎｍ以
下にすることを特徴とする酸化膜密着性に優れたリード
フレーム用銅合金の製造方法。 - 【請求項８】 前記化学的処理方法が酸による洗浄であ
り、前記機械的処理方法がバフやブラシ等による表面研
磨である請求項７記載の酸化膜密着性に優れたリードフ
レーム用銅合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9291482A JPH1197609A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9291482A JPH1197609A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197609A true JPH1197609A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17769460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9291482A Pending JPH1197609A (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 酸化膜密着性に優れたリードフレーム用銅合金及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197609A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003098641A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Idemitsu Kousan Co., Ltd. | Materiau de cablage et tableau de connexions mettant en oeuvre ce materiau |
| WO2004079026A1 (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-16 | Sambo Copper Alloy Co.,Ltd. | 耐熱性銅合金材 |
| WO2010079708A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 三菱伸銅株式会社 | 高強度高導電銅合金圧延板及びその製造方法 |
| WO2010079707A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 三菱伸銅株式会社 | 高強度高導電銅合金圧延板及びその製造方法 |
| US8664046B2 (en) | 2002-06-07 | 2014-03-04 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method thereof and a semiconductor device |
| US8986471B2 (en) | 2007-12-21 | 2015-03-24 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | High strength and high thermal conductivity copper alloy tube and method for producing the same |
| US9163300B2 (en) | 2008-03-28 | 2015-10-20 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | High strength and high conductivity copper alloy pipe, rod, or wire |
| JP2016167474A (ja) * | 2014-12-05 | 2016-09-15 | 株式会社半導体熱研究所 | 放熱基板と、それを使用した半導体パッケージと半導体モジュール |
| US9512506B2 (en) | 2008-02-26 | 2016-12-06 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | High strength and high conductivity copper alloy rod or wire |
-
1997
- 1997-09-17 JP JP9291482A patent/JPH1197609A/ja active Pending
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| US9512506B2 (en) | 2008-02-26 | 2016-12-06 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | High strength and high conductivity copper alloy rod or wire |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040105 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040206 |