JPS58100427A - 荷電粒子ビ−ム投射方法 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム投射方法Info
- Publication number
- JPS58100427A JPS58100427A JP56198963A JP19896381A JPS58100427A JP S58100427 A JPS58100427 A JP S58100427A JP 56198963 A JP56198963 A JP 56198963A JP 19896381 A JP19896381 A JP 19896381A JP S58100427 A JPS58100427 A JP S58100427A
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- JP
- Japan
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- hole
- projection
- cha
- area
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本薙明はＩ、ＪｉｌＩ素子や超ＬＡＫ素子裏作に最適な
荷１ａ子１’−ム１５［方法Ｋ ＩＩ ｔ ６ 。
荷１ａ子１’−ム１５［方法Ｋ ＩＩ ｔ ６ 。
近時、Ｌ８Ｉ嵩子や超Ｌ８１１Ａ子等の製作方法として
電子ビーム露光方法が有望視されている０４＃に、電子
ビームの投射路に、岡えば二枚の７ ｐ４チャ板と、該
二枚の１／くチャ板間に配置された集束レンズと偏向器
とから成るビームｌ１ｌｌｒ＋ｉｉ成形手段を設け、電
子銃から射出され上位７ ｅ４チャ板の孔を通過したビ
ームを＃ｉ記偏向器憂ζより適宜に偏向させて、下位１
−ずチャ板の孔から所定の５ｔｉｉｓ状及び大きさを有
するビームを得、該ビームを試料上に集束させると同時
−ζ、該ビームで該試料上を可能なので、歳も実用性が
高いと見られているＯさて、ビーム中の荷電粒子相互間
の反発力により生ずるビームのエッヂ部のボケ、いわゆ
る空間電荷効果によるビームのボケの１１度はビーム電
流１こ大略比丙して大きくなる◎即ら、＃ｔｔＩＬｖ！
１度が同じならば、大きい＃面積のビーム機ビーム鑞流
が大きくなるので、空関鴫荷効米ｉζよるエッチ部のボ
ケ具合が大きい。そこで、従来の面績可＊ａｔ喝子ビー
ム露光方法ではターデッド上で最大ＴＩＲ面債を有する
ビームに対しエッチ部のボケ具合が許容出来るようなビ
ーム電流を設定し、その時のビーム１１１１ＬｆＨ＊を
一定した伏線で１ＩＦｒ面積を可変（縮小）し、露光を
行なっている。所で、ビームを試料上に投射してＩ４タ
ーンを＃Ａ−する場合、投射Ｓ分暑こ所定の麓のビーム
が投射されなければならない。
電子ビーム露光方法が有望視されている０４＃に、電子
ビームの投射路に、岡えば二枚の７ ｐ４チャ板と、該
二枚の１／くチャ板間に配置された集束レンズと偏向器
とから成るビームｌ１ｌｌｒ＋ｉｉ成形手段を設け、電
子銃から射出され上位７ ｅ４チャ板の孔を通過したビ
ームを＃ｉ記偏向器憂ζより適宜に偏向させて、下位１
−ずチャ板の孔から所定の５ｔｉｉｓ状及び大きさを有
するビームを得、該ビームを試料上に集束させると同時
−ζ、該ビームで該試料上を可能なので、歳も実用性が
高いと見られているＯさて、ビーム中の荷電粒子相互間
の反発力により生ずるビームのエッヂ部のボケ、いわゆ
る空間電荷効果によるビームのボケの１１度はビーム電
流１こ大略比丙して大きくなる◎即ら、＃ｔｔＩＬｖ！
１度が同じならば、大きい＃面積のビーム機ビーム鑞流
が大きくなるので、空関鴫荷効米ｉζよるエッチ部のボ
ケ具合が大きい。そこで、従来の面績可＊ａｔ喝子ビー
ム露光方法ではターデッド上で最大ＴＩＲ面債を有する
ビームに対しエッチ部のボケ具合が許容出来るようなビ
ーム電流を設定し、その時のビーム１１１１ＬｆＨ＊を
一定した伏線で１ＩＦｒ面積を可変（縮小）し、露光を
行なっている。所で、ビームを試料上に投射してＩ４タ
ーンを＃Ａ−する場合、投射Ｓ分暑こ所定の麓のビーム
が投射されなければならない。
従って、碗記−積可変ａｉ鑞子ビーム露光方法−ζより
作成されたビームでは、その１ｌｆｌｆｉ横に拘わらず
電ｔＩＬｆ！ｉ直が一定なので、所定の量のビームを投
射する為には、空関鴫荷効釆の影曖が殆んど黒い小＃面
積のビームを投射するｍ會で６１回の投射は最大＃面積
の場合と同一時間が必要となる。一方試料上へのＩイタ
ーンの描画においては、ビームのＩＲ面を最大にして投
射する場合６Ｃ比べ、それよりはるか１ζ小さい＃−の
ビームを投射する場合が着しく多（、又、ｌチップ中に
何６万回（以Ｊ−）の投射−歇があることを考えると、
ＩｉＪ記従米従来積可−＆臘域子ビーム露光方法による
全描画時間は多大１．ｃものとなってしまう０ 本願発明は斯（のｇ＋赤点ｔＣ鎚みてσされたもので、
＃電粒子ビームの投射路に配置した二つの１パチヤ板間
でビームを偏向させ、該各１／寸チャ板１ζよりビーム
をＳ分的に遮蔽して所定の断面形状及び大きさをＭする
ビームをターデッドとに投射する７ｊ法において、前記
上方１１寸チャ板の近傍に、該１−寸チャ板の孔の面積
より小さい＃面積を有し且つターデッド上でのエッヂ部
のボケ具合が許容出来るｌｉ度のビーム電流を有する断
面を持つビームを結像させることを４１値とす−る＃鴫
粒子ビーム投射方法を提供するものである。
作成されたビームでは、その１ｌｆｌｆｉ横に拘わらず
電ｔＩＬｆ！ｉ直が一定なので、所定の量のビームを投
射する為には、空関鴫荷効釆の影曖が殆んど黒い小＃面
積のビームを投射するｍ會で６１回の投射は最大＃面積
の場合と同一時間が必要となる。一方試料上へのＩイタ
ーンの描画においては、ビームのＩＲ面を最大にして投
射する場合６Ｃ比べ、それよりはるか１ζ小さい＃−の
ビームを投射する場合が着しく多（、又、ｌチップ中に
何６万回（以Ｊ−）の投射−歇があることを考えると、
ＩｉＪ記従米従来積可−＆臘域子ビーム露光方法による
全描画時間は多大１．ｃものとなってしまう０ 本願発明は斯（のｇ＋赤点ｔＣ鎚みてσされたもので、
＃電粒子ビームの投射路に配置した二つの１パチヤ板間
でビームを偏向させ、該各１／寸チャ板１ζよりビーム
をＳ分的に遮蔽して所定の断面形状及び大きさをＭする
ビームをターデッドとに投射する７ｊ法において、前記
上方１１寸チャ板の近傍に、該１−寸チャ板の孔の面積
より小さい＃面積を有し且つターデッド上でのエッヂ部
のボケ具合が許容出来るｌｉ度のビーム電流を有する断
面を持つビームを結像させることを４１値とす−る＃鴫
粒子ビーム投射方法を提供するものである。
本発＠４ｉｓ実際に試料上に投射されるビームの１ＩＲ
ｄｉ積が前記函積可変臘電子ビーム露光方法で作成され
る最大ｒｔ面積より小さい場合が多いことから、該最大
＃Ｆ面積の数分の１乃至１０分の１の所置積を有し且つ
試料上でエッヂ部のボケ具合が許容出来る４Ｉ！度のビ
ームｗＬ流を有する断面、（従って１流缶直が数倍乃至
１０倍の断面）を（するビームを基準とした０そして、
前記上方７ｐ４チヤのうら、Ｆ）ｆｊＴＩ＜チャで３１
１赦されないで試料面身こ到達する電子が通過する一分
を、該基準ビームで走査して＆ｌ＆ｌうＣと憂ζより、
従来の面積可変巌露光方法で一寂に１１元されるのと！
同面積を露光ｒるよう番こした０このｅｔｃすれば露光
面の形状が如何なるものでも、そのＩｆｆ積が蛾大旙元
面積より小さければ、ｌ−の投射時間が露光面ＪＩに大
略比列して減小し、電子ビーム露光における全描画時間
は大Ｓにｍ−される〇 第１ｍは本願発明の一夷繍例としで示した一鑵積可変！
！ＩＩＩｆＩＬ子ビームｌｉ！元装置である。１中１は
電子銃、２Ｍは岡えば面積８の正方形の孔２Ｈを有する
第１１−４チヤ板、ＡＭは＃第１７Ｚ寸チャ板と同様な
孔６Ｈを持つ；５２１−寸チヤ板、４．５は各々鍍紀二
つの１パチヤ板の間嘉ζ配置された集束レンズと偏向器
で、該偏向器はコンピュータの如き制御装置６のビーム
断−寸法指令信号基こ従って前記第１１１くチャ板の孔
からのビームを適宜偏向ｒる０７は前記＠２１１寸チャ
板の孔６Ｈを通過したビームを試料８上に投影する投影
レンズ、９は該ビームを試料とで走査させる為の位置指
定用偏向器で、該偏向器は前記制御装置６の位置指定信
号ＩＣ基づいて作動する０１Ｇは前記１ｇ１７１ずチャ
板２Ｍの孔２Ｈより小さい孔、例えば孔ｉの１の大きさ
の正方形状の孔ｔｏＨを有ｒる補助アー寸チャ板で、鍍
配鑞子統１と前記第１７ ｐ＜チャ板２Ｍとの間の適宜
な位置、飼えば前記＃Ｅ１７ベチヤ板２Ｍ上に比べ９倍
のビーム電流密度が得られる位置に配置する。Ｉｔは集
束レンズで、値紀制御装置６の指令を受けた励磁電源１
２Ｉどよりコントロールされ、前記補助７Ｉｆチヤ板の
孔１０）１からのビームを＃ｉ記第１’７／ｆチャ４に
２Ｍ近鏝にフォーカスさせる。１６は高速偏向器で、ｆ
ｉｌ紀制御装置６の指令着こよりコントロールされ、前
記補助１−寸チャ板の孔ｔｕｔ−ｔからのビームを＃記
ＩＩ ｌ ｒ ｐ＜チャ板土で適宜方向に適宜距離移動
させる。尚、前記高速偏向器は実際にはＸ、Ｙ方向に設
けられている。
ｄｉ積が前記函積可変臘電子ビーム露光方法で作成され
る最大ｒｔ面積より小さい場合が多いことから、該最大
＃Ｆ面積の数分の１乃至１０分の１の所置積を有し且つ
試料上でエッヂ部のボケ具合が許容出来る４Ｉ！度のビ
ームｗＬ流を有する断面、（従って１流缶直が数倍乃至
１０倍の断面）を（するビームを基準とした０そして、
前記上方７ｐ４チヤのうら、Ｆ）ｆｊＴＩ＜チャで３１
１赦されないで試料面身こ到達する電子が通過する一分
を、該基準ビームで走査して＆ｌ＆ｌうＣと憂ζより、
従来の面積可変巌露光方法で一寂に１１元されるのと！
同面積を露光ｒるよう番こした０このｅｔｃすれば露光
面の形状が如何なるものでも、そのＩｆｆ積が蛾大旙元
面積より小さければ、ｌ−の投射時間が露光面ＪＩに大
略比列して減小し、電子ビーム露光における全描画時間
は大Ｓにｍ−される〇 第１ｍは本願発明の一夷繍例としで示した一鑵積可変！
！ＩＩＩｆＩＬ子ビームｌｉ！元装置である。１中１は
電子銃、２Ｍは岡えば面積８の正方形の孔２Ｈを有する
第１１−４チヤ板、ＡＭは＃第１７Ｚ寸チャ板と同様な
孔６Ｈを持つ；５２１−寸チヤ板、４．５は各々鍍紀二
つの１パチヤ板の間嘉ζ配置された集束レンズと偏向器
で、該偏向器はコンピュータの如き制御装置６のビーム
断−寸法指令信号基こ従って前記第１１１くチャ板の孔
からのビームを適宜偏向ｒる０７は前記＠２１１寸チャ
板の孔６Ｈを通過したビームを試料８上に投影する投影
レンズ、９は該ビームを試料とで走査させる為の位置指
定用偏向器で、該偏向器は前記制御装置６の位置指定信
号ＩＣ基づいて作動する０１Ｇは前記１ｇ１７１ずチャ
板２Ｍの孔２Ｈより小さい孔、例えば孔ｉの１の大きさ
の正方形状の孔ｔｏＨを有ｒる補助アー寸チャ板で、鍍
配鑞子統１と前記第１７ ｐ＜チャ板２Ｍとの間の適宜
な位置、飼えば前記＃Ｅ１７ベチヤ板２Ｍ上に比べ９倍
のビーム電流密度が得られる位置に配置する。Ｉｔは集
束レンズで、値紀制御装置６の指令を受けた励磁電源１
２Ｉどよりコントロールされ、前記補助７Ｉｆチヤ板の
孔１０）１からのビームを＃ｉ記第１’７／ｆチャ４に
２Ｍ近鏝にフォーカスさせる。１６は高速偏向器で、ｆ
ｉｌ紀制御装置６の指令着こよりコントロールされ、前
記補助１−寸チャ板の孔ｔｕｔ−ｔからのビームを＃記
ＩＩ ｌ ｒ ｐ＜チャ板土で適宜方向に適宜距離移動
させる。尚、前記高速偏向器は実際にはＸ、Ｙ方向に設
けられている。
さて、編１７ Ａチャ［２Ｍ近傍１こは、該７４チｌ
ヤ板の孔の面積のｉの新函横を有し、従来に比べ９渣の
ビームｔｍｓ度を有する断面のビームが結像される◎こ
の一１高連偏向４１６により該補助１−くチャ傘は８ｇ
１７／ｆチヤ板の孔２Ｈの内地６ζ位置される（ ｌｉ
Ｅ ３ ｄＱ （ｍｓ） ｖ （ｂｔ）参１１Ｍ ）
ｏ又この時、制−装置６から偏向＠ｂに断面寸法指令信
号が入って来る訳であるが、例えば第２図ｉｌｌやｌ１
ｌ）に示す如き断面のビームを投射したい３ｌ会、ＩＩ
ｉ紀第１１−寸チャ板の孔２Ｈを通過したビームを偏向
器５により適宜−向し、Ｍ２アＩくチャ板の孔６Ｈの角
地（値起角地と対向する角地）１こ結像させる（第３１
１１１１（亀ｓ） ＊ （ｂｚ）参照）。モして鎖孔６
Ｈを通過したビームをレンズ７及び偏向器９Ｉこより試
料上の所定位置へ投射ｒる０又、！［１ｔａ＋に示す如
き断面のビームを投射したい場合、ｔＩｉ記第１７／寸
チャ板の孔２Ｈの角地：こレンズ１１の作用番こより少
しフォーカスをずらして補助１−寸チヤ像を結像させ、
同時−ζ、ｓ５図（ａｌ）に示す様に高速偏向器１３゜
により１ステップｘ、８肉にビームを振る。そうすれば
、等１的に＠ｔＩ紀第３銭（ｍｓ）ｌこ示した如き第１
アＩ４チヤ通過ビームの２倍の＃ｌｒ＃積を有するビー
ムがＪＩＬＴ”チャの孔２Ｈを通過Ｃる。該ビームは制
御装置の指令を受けている偏向ａ５により適宜偏向され
、第２７ｔ４チヤ板の孔６Ｈの対向内地６ζ結像される
ｌＩ５図（１３）参照）Ｏ尚、鍍紀補助１−１チャの像
を嬉１１＃寸チ、ヤ板１でフォーカスをずらして績１し
たのは、補助１１寸チャ像を鳥遮に損って咳處を繋ぐ時
、その繋ぎをよ（する為で、このフォーカスをずらした
こと瞥ζより嫌がボケた分は、第１７ ｐ＜チャ板の孔
２Ｈの角地と第２１１寸チャ板の孔６Ｈの角地によって
遮蔽されるＯそして、前述と同様に、ｗ＆２ア−（チャ
板の孔６Ｈを通過したビームは試料上に投射されるＯ又
、第４図（−に示す即き断面のビームを投射したい場合
は、−起と同様、Ｉｓ５図（ｂｔ ）、ｌζ示す嫌に補
助ＩＩ４チャ像芯デクプｇ１７’チャの孔２１（ｋで＾
速、ζ振り、等−的にＩ１１妃第３図（ａｚ） １こ示
した如ＩＩ第１１−ｆチャ通過ビームの６倍の＃ｌｒ−
積を有ｒるビームを第１７ ｚ４チャの孔２Ｈを通過さ
せ、史＃Ｃ該ビームを偏向ａ５φとより適宜偏向させ、
第２１パチヤ板の孔６Ｈの対向内地にＷＩ像させる（嬉
５ｅｔＡ（ｂｔ）参ｊ１ ） ｏそしてＩＩｉ紀と同１
１１％該ｇ２７ペチヤの孔６Ｈを通過したビームをレン
ズ７及び偏向器９ Ｅより試料１の所定位置へ投射する
Ｏ
ビームｔｍｓ度を有する断面のビームが結像される◎こ
の一１高連偏向４１６により該補助１−くチャ傘は８ｇ
１７／ｆチヤ板の孔２Ｈの内地６ζ位置される（ ｌｉ
Ｅ ３ ｄＱ （ｍｓ） ｖ （ｂｔ）参１１Ｍ ）
ｏ又この時、制−装置６から偏向＠ｂに断面寸法指令信
号が入って来る訳であるが、例えば第２図ｉｌｌやｌ１
ｌ）に示す如き断面のビームを投射したい３ｌ会、ＩＩ
ｉ紀第１１−寸チャ板の孔２Ｈを通過したビームを偏向
器５により適宜−向し、Ｍ２アＩくチャ板の孔６Ｈの角
地（値起角地と対向する角地）１こ結像させる（第３１
１１１１（亀ｓ） ＊ （ｂｚ）参照）。モして鎖孔６
Ｈを通過したビームをレンズ７及び偏向器９Ｉこより試
料上の所定位置へ投射ｒる０又、！［１ｔａ＋に示す如
き断面のビームを投射したい場合、ｔＩｉ記第１７／寸
チャ板の孔２Ｈの角地：こレンズ１１の作用番こより少
しフォーカスをずらして補助１−寸チヤ像を結像させ、
同時−ζ、ｓ５図（ａｌ）に示す様に高速偏向器１３゜
により１ステップｘ、８肉にビームを振る。そうすれば
、等１的に＠ｔＩ紀第３銭（ｍｓ）ｌこ示した如き第１
アＩ４チヤ通過ビームの２倍の＃ｌｒ＃積を有するビー
ムがＪＩＬＴ”チャの孔２Ｈを通過Ｃる。該ビームは制
御装置の指令を受けている偏向ａ５により適宜偏向され
、第２７ｔ４チヤ板の孔６Ｈの対向内地６ζ結像される
ｌＩ５図（１３）参照）Ｏ尚、鍍紀補助１−１チャの像
を嬉１１＃寸チ、ヤ板１でフォーカスをずらして績１し
たのは、補助１１寸チャ像を鳥遮に損って咳處を繋ぐ時
、その繋ぎをよ（する為で、このフォーカスをずらした
こと瞥ζより嫌がボケた分は、第１７ ｐ＜チャ板の孔
２Ｈの角地と第２１１寸チャ板の孔６Ｈの角地によって
遮蔽されるＯそして、前述と同様に、ｗ＆２ア−（チャ
板の孔６Ｈを通過したビームは試料上に投射されるＯ又
、第４図（−に示す即き断面のビームを投射したい場合
は、−起と同様、Ｉｓ５図（ｂｔ ）、ｌζ示す嫌に補
助ＩＩ４チャ像芯デクプｇ１７’チャの孔２１（ｋで＾
速、ζ振り、等−的にＩ１１妃第３図（ａｚ） １こ示
した如ＩＩ第１１−ｆチャ通過ビームの６倍の＃ｌｒ−
積を有ｒるビームを第１７ ｚ４チャの孔２Ｈを通過さ
せ、史＃Ｃ該ビームを偏向ａ５φとより適宜偏向させ、
第２１パチヤ板の孔６Ｈの対向内地にＷＩ像させる（嬉
５ｅｔＡ（ｂｔ）参ｊ１ ） ｏそしてＩＩｉ紀と同１
１１％該ｇ２７ペチヤの孔６Ｈを通過したビームをレン
ズ７及び偏向器９ Ｅより試料１の所定位置へ投射する
Ｏ
第１１ｇ１は本発明の一実癩同として示した面積可変臘
電子ビーム繕光装置、＠２ｆｌＪＰＪ至第５図はそ０作
用の貌明を暢達する為の図である０１：ＩＣ＋銃、２Ｍ
：第１アＩ４チヤ板、２Ｈ：第１１１くチャ板の孔、６
Ｍ：第２１１くチャ板、６Ｈ：第２１／くチャ板の孔、
＆：＃を科、１０：補助アー櫂チャ板、１ｔｌＨ：補助
アーイチャの孔、１１：集束レンズ、１２：励ｄｉ鑞流
、１６：高速偏向６゜峙許出−人 日本電子株式会社
電子ビーム繕光装置、＠２ｆｌＪＰＪ至第５図はそ０作
用の貌明を暢達する為の図である０１：ＩＣ＋銃、２Ｍ
：第１アＩ４チヤ板、２Ｈ：第１１１くチャ板の孔、６
Ｍ：第２１１くチャ板、６Ｈ：第２１／くチャ板の孔、
＆：＃を科、１０：補助アー櫂チャ板、１ｔｌＨ：補助
アーイチャの孔、１１：集束レンズ、１２：励ｄｉ鑞流
、１６：高速偏向６゜峙許出−人 日本電子株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ ＃電粒子ビームの投射路に配置した二つのＩＩ寸チ
ャ板間でビームを偏向させ、該各１パチャ４［によりビ
ームを部分的に遮蔽して所定の断面形状及び大きさを有
するビームをターデッド上に投射するか法６ζおいて、
前記と８１１寸チャ板の近傍に、該７ Ｉｆチャ板の孔
の面積より小さいＩＩＲ−積を有し且つターデッド上で
のエッヂ部のボケ具きが許容出来る４！！度のビーム電
流を有する＃面を持つビームを結像させたことを４１徴
とする＃電子ビーム露光方法０ ２Ｌ 前記１−寸チヤ板の近ｆＩＩに、断面積が該１
−寸チャ板の孔の１積の数分の１乃至１０分の１である
＃−を有するビームを結謔させ／Ｓ：―起譬許請求の＠
ｓｔ＋ｃ記−の＃ＪＩＫ粒子ビーム投射方法Ｏａ 鍵起
γ／イチャ板の近傍に結像させたビームを該ＩＩずチャ
板上で偏向＃励させる前記特許請求０１１１１１に紀−
の荷電粒子ビーム投射方法口
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198963A JPS58100427A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 荷電粒子ビ−ム投射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198963A JPS58100427A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 荷電粒子ビ−ム投射方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100427A true JPS58100427A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16399835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198963A Pending JPS58100427A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 荷電粒子ビ−ム投射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100427A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5587433A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP56198963A patent/JPS58100427A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5587433A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
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