JPS58100433A - ウエハ洗浄方法 - Google Patents
ウエハ洗浄方法Info
- Publication number
- JPS58100433A JPS58100433A JP56198908A JP19890881A JPS58100433A JP S58100433 A JPS58100433 A JP S58100433A JP 56198908 A JP56198908 A JP 56198908A JP 19890881 A JP19890881 A JP 19890881A JP S58100433 A JPS58100433 A JP S58100433A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- wafer
- conduit
- processed
- ozone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H10P70/15—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１３発明の技術分野
本発明は半導体装置１を製造工程中のシリコンウェハの
洗浄方法に関す。
洗浄方法に関す。
（２）技術の背景
半導体の表面は原子状、・イ、オン状及び分子状の汚染
物に対して非常に敏感であるので、半導体素子軟菌の汚
染を最小にすることにより半導体装置の特性の安定性、
再現性及び信頼性が着しく改善される。仁のため半導体
装を製造工程、物にウェハ製造工程において、汚染物の
付着の防止とウェハの洗浄に多大の努力が払われている
ことは周知のとおりである。
物に対して非常に敏感であるので、半導体素子軟菌の汚
染を最小にすることにより半導体装置の特性の安定性、
再現性及び信頼性が着しく改善される。仁のため半導体
装を製造工程、物にウェハ製造工程において、汚染物の
付着の防止とウェハの洗浄に多大の努力が払われている
ことは周知のとおりである。
（３）従来技術と問題点
従来半導体装置のウェハ製造工程の最初に該シリコンウ
ェハの洗浄処理が実施される０この洗浄処理は、例えば
まずアンモニア−退散化水素−水系の洗浄処理液を用い
て温［７５乃至８５℃橙度において約１０分間２回の骸
ウェハの浸漬を行い、次いで塩酸−過酸化水素−水系の
洗浄処理液中イヤ層温度７５乃至８５℃程度において約
１０分間の浸漬を行う方法によっている０ この第二の塩酸−過酸化水素−水系の洗浄処理液は、通
常塩酸Ｈα約３７−水溶液；過酸化水累Ｈ宏０鵞約３０
チ水溶液；水Ｈ，０＝１：１：４乃至ｌ：２：８根度の
混合液であシ、直＆７５乃至８５℃程度に保たれたこの
洗浄処理液中に被処理ウェハをｌＯ分間程度浸漬するこ
とによって、重金属郷の主として無機汚染物質を除去す
るとともに、シリコン表面に酸化膜を形成してウエノ１
表面に親水性を与えるものであるが１、特にシリコン酸
化農Ｏ形成に、ｕ、ｏｔの分解によって生ずる発生期の
酸素が不可欠とされている。
ェハの洗浄処理が実施される０この洗浄処理は、例えば
まずアンモニア−退散化水素−水系の洗浄処理液を用い
て温［７５乃至８５℃橙度において約１０分間２回の骸
ウェハの浸漬を行い、次いで塩酸−過酸化水素−水系の
洗浄処理液中イヤ層温度７５乃至８５℃程度において約
１０分間の浸漬を行う方法によっている０ この第二の塩酸−過酸化水素−水系の洗浄処理液は、通
常塩酸Ｈα約３７−水溶液；過酸化水累Ｈ宏０鵞約３０
チ水溶液；水Ｈ，０＝１：１：４乃至ｌ：２：８根度の
混合液であシ、直＆７５乃至８５℃程度に保たれたこの
洗浄処理液中に被処理ウェハをｌＯ分間程度浸漬するこ
とによって、重金属郷の主として無機汚染物質を除去す
るとともに、シリコン表面に酸化膜を形成してウエノ１
表面に親水性を与えるものであるが１、特にシリコン酸
化農Ｏ形成に、ｕ、ｏｔの分解によって生ずる発生期の
酸素が不可欠とされている。
しかしながら本洗浄処理温度が８０℃前後であるために
、ａｔｏｍは本洗浄処理液中において息遣に分解して、
前記効果が減少する。このため前記洗浄処理液の混合は
使用直前に所要量づつ実施しかつ、１０分間程度の洗浄
後はこの処理液を廃棄している。なお、混合以前のＨ１
０！水溶液の貯蔵にりいても、温度、時間及び光線の迩
蔽勢の注意が必要とされる。もし、これらの注意が不充
分である場合Ｋｔｉ識化作用が不足して、汚染物質によ
る特性、信頼度の低下を招き、又、親水性が不充分とな
って後の工１において水洗効果が悪くな）、ウェハ乾燥
の際シ建が発生しやすくなる。
、ａｔｏｍは本洗浄処理液中において息遣に分解して、
前記効果が減少する。このため前記洗浄処理液の混合は
使用直前に所要量づつ実施しかつ、１０分間程度の洗浄
後はこの処理液を廃棄している。なお、混合以前のＨ１
０！水溶液の貯蔵にりいても、温度、時間及び光線の迩
蔽勢の注意が必要とされる。もし、これらの注意が不充
分である場合Ｋｔｉ識化作用が不足して、汚染物質によ
る特性、信頼度の低下を招き、又、親水性が不充分とな
って後の工１において水洗効果が悪くな）、ウェハ乾燥
の際シ建が発生しやすくなる。
（４）発明の目的
本発明は、表面に汚染物質が付着している被処理シリコ
ンウェハを、酸化作用′ｆｔ有する塩酸系処理液中に浸
漬することにより、該汚染物質を除去するとともＫＳ骸
ウつハ’ＩＲＷＪＫシリコン酸化展を形成して親水性を
与える洗浄方法において、時間的に変化しない酸化作用
を有する洗浄方法を提供することを目的とする０ （５） 発明の構成 本発明の前記目的は、被処理クエ／鴬をオゾンを含む気
体によシバブリングさせた塩酸中に浸漬し、該汚染物質
を該ウェハから除去すゐとともに、該ウニ八表面にシリ
コン酸化物管形成することにより達成される。
ンウェハを、酸化作用′ｆｔ有する塩酸系処理液中に浸
漬することにより、該汚染物質を除去するとともＫＳ骸
ウつハ’ＩＲＷＪＫシリコン酸化展を形成して親水性を
与える洗浄方法において、時間的に変化しない酸化作用
を有する洗浄方法を提供することを目的とする０ （５） 発明の構成 本発明の前記目的は、被処理クエ／鴬をオゾンを含む気
体によシバブリングさせた塩酸中に浸漬し、該汚染物質
を該ウェハから除去すゐとともに、該ウニ八表面にシリ
コン酸化物管形成することにより達成される。
（６） 発明の実施例
以下本発明を実施例によ〕、図面を参照して具体的に説
明する０ 本冥施例に使用した洗浄装ａｔ図に示す。洗浄槽１は石
英ガラス製で、底面約１００ｍＸ １２０５ｍ高さ約１
５０１１１の容積を有し、容積約１５００１１ノの洗浄
感１１ｉ［２が収容される０洗浄槽１の置部ＫＦｉオゾ
ン（Ｏｓ）會含む酸素（９ｇ）ｔ−気泡として全底面に
均勢に放出する小孔全配設し九扁平な導管３が設けられ
、導管３は導管４によりオゾン発生ｇｈ５に接続される
＠前記の扁平な導管３上に石英ガラス製ホルダー’６に
よシ支持された被処理ウェハ７が會かれる。前記オゾン
発生器ＳＦｉ高周波電磁界。
明する０ 本冥施例に使用した洗浄装ａｔ図に示す。洗浄槽１は石
英ガラス製で、底面約１００ｍＸ １２０５ｍ高さ約１
５０１１１の容積を有し、容積約１５００１１ノの洗浄
感１１ｉ［２が収容される０洗浄槽１の置部ＫＦｉオゾ
ン（Ｏｓ）會含む酸素（９ｇ）ｔ−気泡として全底面に
均勢に放出する小孔全配設し九扁平な導管３が設けられ
、導管３は導管４によりオゾン発生ｇｈ５に接続される
＠前記の扁平な導管３上に石英ガラス製ホルダー’６に
よシ支持された被処理ウェハ７が會かれる。前記オゾン
発生器ＳＦｉ高周波電磁界。
紫外馨、Ｘ＊照射等を反応手段とする通常用いられてい
る装Ｗを用いることが可能であシ、これに酸素（０りが
供給されてオゾン（Ｏｓ）が０鵞に混合された状態で前
記小孔を配設した扁平な導管３に導かれる。
る装Ｗを用いることが可能であシ、これに酸素（０りが
供給されてオゾン（Ｏｓ）が０鵞に混合された状態で前
記小孔を配設した扁平な導管３に導かれる。
本９４施例の洗浄処理液２はＨｃｌ約３７％水溶液：水
＝１＝４の稀釈箪であり、約１５００ ｔｐｔｌを洗浄
槽１に収容して温＆を約８０℃とした。この洗浄感１１
１１［２中Ｋ Ｏｓ 約４１１Ｇ ｔ７ｔｂｆｌｉ１ｇ
ｋ ２００ ｍｌ ７分供給して、（１００）面ｔ４
つＰ！抵抗率７乃至９Ω１のシリコンウェハを、前記ア
ンモニア−過酸化水素−水系の洗浄処理を標準とする条
件に従って実施した後に、１０分間浸漬して洗浄した。
＝１＝４の稀釈箪であり、約１５００ ｔｐｔｌを洗浄
槽１に収容して温＆を約８０℃とした。この洗浄感１１
１１［２中Ｋ Ｏｓ 約４１１Ｇ ｔ７ｔｂｆｌｉ１ｇ
ｋ ２００ ｍｌ ７分供給して、（１００）面ｔ４
つＰ！抵抗率７乃至９Ω１のシリコンウェハを、前記ア
ンモニア−過酸化水素−水系の洗浄処理を標準とする条
件に従って実施した後に、１０分間浸漬して洗浄した。
この洗浄効果をＣＭ Ｂ Ｔ （Ｃａｐａｃ ｉ ｔａ
ｎｃｅ −Ｖｏｌｔｕｇｅ−：Ｂｉａｓ Ｔｅｍｐ＠ｒ
ａｔｕｒｅ ）法によｐ検査した結果を示す＠なお、比
軟試料としては、前記アンモニア−過酸化水素−水系の
洗浄感３Ｉを陶時に実施したウェハを、Ｈｅｊ約３７％
水溶液： Ｈ童Ｏｍ ＩＪ ３０ ％ 水浴ｆｌ：水＝
１：１：４の洗浄処理液を同じく８０℃に加熱し、１０
分間浸漬、洗浄したウニノ・管用いた。
ｎｃｅ −Ｖｏｌｔｕｇｅ−：Ｂｉａｓ Ｔｅｍｐ＠ｒ
ａｔｕｒｅ ）法によｐ検査した結果を示す＠なお、比
軟試料としては、前記アンモニア−過酸化水素−水系の
洗浄感３Ｉを陶時に実施したウェハを、Ｈｅｊ約３７％
水溶液： Ｈ童Ｏｍ ＩＪ ３０ ％ 水浴ｆｌ：水＝
１：１：４の洗浄処理液を同じく８０℃に加熱し、１０
分間浸漬、洗浄したウニノ・管用いた。
双方のウェハを約１１００℃、＊素雰囲気中で酸化し、
厚さ約１００．ａｍの酸化膜を形成後、厚さ約０．８μ
輌のアル建ニウム（Ａり蒸着を行い、ホトリソグラフィ
法により電極パターンを形成してＭＯＳキャパシタとし
た０ＣＶＢＴａＫ従い、温度２５０℃［オイテ、＋１０
ｖ或いｌ；ｊ−１０Ｖｔ夫々１０分間前記ＭＯ８キャパ
シタに印加した。第１表は加ン 熱電圧印加処理前後のフラットバがド亀圧（■ｒｌ）の
値である。
厚さ約１００．ａｍの酸化膜を形成後、厚さ約０．８μ
輌のアル建ニウム（Ａり蒸着を行い、ホトリソグラフィ
法により電極パターンを形成してＭＯＳキャパシタとし
た０ＣＶＢＴａＫ従い、温度２５０℃［オイテ、＋１０
ｖ或いｌ；ｊ−１０Ｖｔ夫々１０分間前記ＭＯ８キャパ
シタに印加した。第１表は加ン 熱電圧印加処理前後のフラットバがド亀圧（■ｒｌ）の
値である。
第１表のＶＦＩの値によシ本発明の方法と従来の方法と
の洗浄効果は同等と判断され、充分な洗浄効果が得られ
る。
の洗浄効果は同等と判断され、充分な洗浄効果が得られ
る。
又、親水性について社、前記洗浄処理後のウニへ會水洗
して目視検査を実施したが、検査の結果ウニ八表面に一
様な水の被膜が形成されておシ、親水性についても充分
な効果が得られることが確窮された。
して目視検査を実施したが、検査の結果ウニ八表面に一
様な水の被膜が形成されておシ、親水性についても充分
な効果が得られることが確窮された。
なお、本実施例の洗浄処理液を一回の処理で廃棄するこ
となく、繰返して数回使用してもその効力が減退せず、
前記と同様の結果が得られた。
となく、繰返して数回使用してもその効力が減退せず、
前記と同様の結果が得られた。
（７）発明の効果
本発ＩＰｌけ以上説明した如（Ｈｆ：ｌを含むシリコン
ウェハの洗浄処理液において必要とする発生期の酸素を
オゾンによシ連続して供給する洗浄方法を提供するもの
であって、半導体装置の製造上充分な効＊Ｖ有し、かつ
、従来方法に比較して、資材および作業の管理が合理化
され、工業上の実施に関し安定した効果を有する。
ウェハの洗浄処理液において必要とする発生期の酸素を
オゾンによシ連続して供給する洗浄方法を提供するもの
であって、半導体装置の製造上充分な効＊Ｖ有し、かつ
、従来方法に比較して、資材および作業の管理が合理化
され、工業上の実施に関し安定した効果を有する。
図は本発明の実施例の模式図である。
図において、１ｉｌｔ、洗浄槽、２は洗浄処理液、３社
小孔を配設した扁平な導管、４は導管、５はオゾン発生
器、６はホルダー、７は被処理ウェハを示す。
小孔を配設した扁平な導管、４は導管、５はオゾン発生
器、６はホルダー、７は被処理ウェハを示す。
Claims (1)
- 表向に汚染物質が付着している被処理ウェハを、オゾン
を含む気体によシバプリングさせた塩酸中に浸漬して、
該涛染物質を該ウェハから除去するとともに１該ウエハ
ｔｊｃｒｋＪＫシリコン酸化物を形成することを特徴と
するウェハ洗浄方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198908A JPS58100433A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | ウエハ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198908A JPS58100433A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | ウエハ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100433A true JPS58100433A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16398938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198908A Pending JPS58100433A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | ウエハ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100433A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629634A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | Mitsubishi Metal Corp | シリコンウエハの搬送方法 |
| JPS62198127A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS6310529A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
| US5000795A (en) * | 1989-06-16 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning method and apparatus |
| US5632847A (en) * | 1994-04-26 | 1997-05-27 | Chlorine Engineers Corp., Ltd. | Film removing method and film removing agent |
| US5814157A (en) * | 1995-05-15 | 1998-09-29 | Nec Corporation | Method for cleaning a semiconductor wafer with an improved cleaning solution |
| EP2048702A3 (en) * | 2007-10-10 | 2009-11-11 | Siltron Inc. | Method for cleaning silicon wafer |
| CN102921666A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-02-13 | 南京华显高科有限公司 | 消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法 |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP56198908A patent/JPS58100433A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629634A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | Mitsubishi Metal Corp | シリコンウエハの搬送方法 |
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| CN102921666A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-02-13 | 南京华显高科有限公司 | 消除电容式触摸屏蚀刻残留溶液的方法 |
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