JPS58100467A - 光センサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は紫外から赤外の広範な波長領域にわたる動作が
可能な改良された光センサおよびその製造方法にかかり
、特に高感度で応答速度が速く、均一な特性を有し、し
かも高精度、高信頼性を実現しやすい縮小形光センサを
提供しようとするものである。本発明のセンサはレーザ
パワーあるいは物体の表面温度などの絶対値の較正を行
うこともできるという特徴も有している。

光センサのなかでも改良すべき問題点の多いのが赤外線
セ／すであるので、以下では赤外線センサを中心に本発
明のセンサと従来のセンサとの比較を行う。

赤外線センサはその動作原理から熱検出器と光量子検出
器とに大別される。

本発明の光センサは前者の熱検出器に関゛する。

熱検出器をさらに動作原理によって分類すると、気体膨
張を利用するもの（ゴーレイセル）、抵抗変化を利用す
るもの（ボロメータ、サーミスタなど）、電圧誘起を利
用するもの（焦電素子、熱電対など）にわけられる。

本発明の光センサは抵抗変化、電圧誘起を利用するもの
に関する。

以下に図面を用い本発明を説明する。

第１図は本発明の光センサの第１実施例を示す。

図（Ａ）は同光センサの要部の上面図、図（Ｂ）は図（
ム）の１−１’における断面図、図（Ｃ）は同光センサ
の他の要部の下面図である。図に示すように、たとえば
Ｐ　形シリコン薄層１がｎ形のシリコン基板２′。

２′間に架橋されている。薄層１には電極３’、　　３
’が形成されている。４はたとえばムＵまたはＢ１超微
粒子で形成された光吸収膜である。６は５ｉ０２膜であ
る。

ここで第１図を参考にして、従来から数多くの提案が行
なわれている熱検出器に関して、光量子検出器とも対比
させながら本発明による光センサの利害得失を述べる。

（１）光量子検出器の検出感度は非常に大きいが、熱検
出器の感度はあまり高くない。本発明の光センサはミク
ロン程度以下の薄層１をたとえば基板ｌ、２′間に架橋
させた構造にして熱容量を小さくすることにより感度Ω
向上を図っている。

に））光量子検出器の感度の波長依存性は大きいが、熱
検出器のそれは小さい。本発明の光センサは薄層１上の
数百〜数千へ程度の薄い５ｉ０２膜を介して、数十〜数
千人のムＵ超微粒子、　　Ｂｉ超微粒子などで構成され
た光吸収膜を設置することにより、紫外から赤外の広範
囲にわたって波長依存性を小さくすると同時に、光吸収
率の向上も図っている。

（３）光１子検出器の応答速度は、マイクロ秒程度と極
めて速いのに対しで、熱検出器ではミリ秒〜分の程度と
遅い。本発明の光センサでは基板２′と２′および薄層
１とを、シリコンＩＣプロセスを使って縮小形化するこ
とにより、熱容量を極端に小さくすることにより応答速
度を１桁以上改善することを図っている。

（４）光量子検出器は液体窒素あるいは液体ヘリウムで
冷却する必要があるのに対して熱検出器は室温で動作す
る。

（５）熱検出器のうちで、熱電対、とくに薄膜熱電対を
利用する場合には、その熱電能がたとえばＢｉ、Ｓｂの
場合には膜厚が１μｍ以上ではバルク値と変わらないが
、５００人ではバルク値の半分以下になってしまう。本
発明の光センサでは、薄層１は単結晶のバルクを薄くす
ることによって形成されるものであるから、膜厚の矢小
によってはその性能は左右されない。

（６）薄膜熱電対を利用する場合のもう一つの問題点は
薄膜の表面が酸化されることと、薄膜熱電対を形成する
材料間で拡散がおこることにょる性能の経時的変化が発
生しやすいことである。

本発明の光センサはシリコンのバルクそのものの薄層１
を用いているので上記のような問題は発生しない。

（７）熱電対を利用する場合には冷接点を設けることが
必須要件であるが、本発明の光センサの場合には不要で
ある。

（８）抵抗変化を利用するものは、抵抗体内部で発生す
る雑音が熱雑音以上にならないことが必要であり、その
ために結晶性の向上が緊急の課題である。これに対して
本発明の光センサの場合には単結晶そのものから薄層１
を形成するので熱雑音を極限まで小さくすることが期待
できる。

（９）焦電形の場合には一般にインピーダンスが高いの
でインピーダンス変換用のＦＥＴを一体化させることが
必要であるが、本発明の光センサの場合には抵抗値を任
意に設計することができるのでＦＩＴは不用である。

本発明は、薄層が基板間によって空間に保持された構造
を有′しかつ前記薄層上に光吸収膜を設けた光センサに
関するものであり、従来に比べて感度、精度、応答性、
均一性、長期安定性にすぐれた光センサを提供しようと
するものであり、本発明の製造方法によれば前記光セン
サを歩留よく縮小形に製造することができる。

第２図、第３図は本発明者がさきに発見した金属超微粒
子光吸収膜の光透過率でと光反射率Ｒの測定結果を示す
。光吸収率人は、 ム＝１−Ｔ−Ｒ で表わされる。第２図、第３図に示した関係は、製造条
件にかかわりなく成立している。このときの製造条件を
下の表に示す。

第２図、第３図から明らかなように、金属超微粒子の付
着量が４００μｇ／ｄ以上になると、ＴおよびＲは付６
着量に依存しなくなってほぼ一定となることがわかる。

したがって、これ以上付着量を多くしても、光吸収率ム
を大きくすることはできない。一方、熱容量は付着量が
多くなるに従って大きくなるので、付着量ができるだけ
少ない方が望ましい。

第１図における光吸収膜４の下部のＳｉＯ２膜５はなく
ても差支えない。ただしそのときには、電極３’、　３
’間で測定される薄層１の抵抗値が、金属超微粒子が存
在しても影響されない程度に十分低抵抗であることが必
要である。

ＳｉＯ２膜は薄層１の機械的強度を強くする効果、すな
わち薄層の幅が狭く、薄いときに有効であるだけでなく
、後述のエツチングに対する保護膜として用いることも
可能である。

形状としては、矩形だけでなく、本発明の光センサの第
２の実施例を第４図に示すように曲折したパターン（点
線）であってもよいのはいうまでもない。

第４図に示すように、ＳｉＯ２膜６を部分的に広くした
部分６′を設け、その上部に光吸収膜４を設けることが
できる。またＳｉＯ２膜６および６′のパターンと薄層
１とのパターンとは必ずしも同一にする必要がない。部
分６′の形状は各種の変形があっても、要は部分６′を
介して逃げる熱量が少なく、光吸収膜４に吸収された光
がほとんど熱に変換されて、その熱の分布が部分６′内
でほとんどないようにするという目的が達成されればよ
い。

第６図は本発明の光センサの第３の実施例を示す。図（
ム）は上面図、図（Ｂ）は図（ム）の１−１’における
断面図である。環状の基板２′とその内側に形成された
基板２との間に薄層１が架橋され、その薄層の上部に光
吸収膜４が形成されている。６はＧｅ。

Ｓｉ　、　ＳｒＦ２　、　ＣａＦ２　、　ＬｉＦ　、　
ＹＩＧ　などで形成される赤外線透過用窓である。７は
スペーサであシ、空間８は例えば真空封止されている。

薄層１の電気抵抗の測定はＰ＋形基板２′と２とをψし
て行なわれる。（電極部分は図示せず。）第６図に示し
た実施例において、窓６がなくても、すなわち真空封止
しなくても光センサとして正常に動作するが、第６図の
実施例の場合に比べて感度がほぼ一桁程度低下する点で
は不利である。

窓６をレンズにしてもよい０ また薄層１と吸収膜４との間にＳｉＯ２膜（図示せず）
を設けてもあるいは薄層１と２′および２′で構成され
る空間を真空封止するかあるいはＮ２ガスなどの不活性
ガスで封止しても本発明の主旨を逸脱しない。

第６図は本発明のセンサの第４の実施例を示す。

図（ム）は上面図、回申）は図（ム）のＩ　−Ｉ’にお
ける断面図である。第１図および第５図の実施例との相
異は薄層１が絶縁物膜６により保持され、しかもその下
部が空洞１３となっていることである。

薄層１は穴１１からシリコン基板２を選択的にエツチン
グする方法により形成される。１２’、　１２’は電極
３′、３″を薄層１に接続するだめのコンタクト窓であ
る。第６図の実施例を第１図の実施例と比べると、演算
処理部、記憶部なども本発明の光センサと一体化する場
合に第６図の実施例のように空洞を形成する構成の方が
有利であるし、スクライビング、ワイヤボンディングな
ども通常のＩＣと同様に行うことができる。薄層１の部
分が、空洞内に形成されるので、測定雰囲気の影響を受
けにくい。

以上の説明においては省略したが、独立した薄層１を２
個設け、１個はセンサとしてではなく、単なる補償用の
素子として用いることもできる。

たとえば周知のブリッジ構成とすることによって雰囲気
温度の変化の影響を補償することができる。

また被測定物体の温度が高い場合あるいはレーザパワー
が大きい場合には薄層１部分の発熱量も大きくなり、空
気への熱拡散量も多くなる。このような場合にも補償素
子は有効に作用する。

また基板２．　２’、　　２’部分はヒートシンクとな
るものであり、この部分の熱容量を適宜設計することに
より薄層１の温度が一定値以上に上昇するのを防止する
こともできる。

周知のごとく、半導体材料の抵抗率あるいはｐｎ接合素
子の端子間特性は一般に比較的大きな温度依存性を示す
。したがって薄層１が抵抗体であるか、あるいはｐｎ接
合素子を含む層であれば、電気抵抗の温度依存性あるい
はｐｎ接合素子の端子間特性を測定することにより前記
薄層の温度を測定することができる。

いま、−例として本発明の光センサを赤外線センサとし
て用いる場合について述べるＯその場合には既知の黒体
放射源から放射される赤外線を光吸収膜４に吸収させ、
そのときの薄層１の電気的特性を測定し、放射温度と薄
層の電気的特性との相関関係をあらかじめ求めておけば
、電気的特性を測定することによシ、被測定物体の温度
を測定することができる。

あるいは、放射温度のかわりにレーザのノくワを測定す
るためにはレーザパワーと薄層の電気抵抗との相関関係
を求めておけばよい。

以上に述べたような各種の相関関係をあらかじめ記憶さ
せ、必要に応じてそれらを読み出して実測結果と比較す
ることにより、高精度に測定することができる。また実
測値そのものではなく、他の値に変換された値や補正さ
れた値を用いて比較してもよいことはいうまでもない。

さて、ここで本発明の他の特徴について説明する。本発
明の光センサによれば、新だに発熱体を設ける必要なし
に、たとえばレーザパワーの絶対値の較正ができること
である。絶対値の較正は通常最も困難な仕事であるが、
本発明の光センサにおいては容易に行うことができる。

たとえば第１図を用いて説明する。電極３’、　　３’
間に一定電力を印加し、同時に３’、　　３’間の電気
的特性を測定する。

さらに詳しく説明すると、たとえば３’、　　３’間に
定電流を流し、端子３’、　　３’間の端子間電圧を測
定する。そうすれば、薄層１で発生する電力が既知の値
になる。同時に端子３’、　　３’間の抵抗値も演算に
よシ求めることができる。このようにして、薄層１の抵
抗値の電力依存性が求まる。このような計測値の校正方
法は、本発明の光センサの構造的バラツキがあっても、
あるいは計測条件の相異があってもそれらには無関係に
、必要に応じて容易に絶対値の較正を行うことができる
ので実用的価値も大きい。

絶対値を較正する他の方法としては、端子３′。

３′間に一定の直流電力を印加し、それに重畳してパル
ス電力を印加して前述のような計測を行うことにより、
瞬間的変化への追ずい性を確認することもできる。

以上に述べた実施例の場合には、たとえば第１図におい
てレーザ光が全領域に照射されても、吸収膜４の吸収率
が他の部分に比べてきわめて大きいので、選択的に吸収
される。したがって、本発明の光センサを線状あるいは
面状に配列させた状態で用い、′それぞれの対応する位
置において検知することもできる。しかしながら以上に
述べたいずれの実施例の場合にも入射光を直接望む位置
に吸収膜４が存在することが不可欠であるが、オプティ
カルファイバを用いて入射光を吸収膜４まで導、くなら
ば直視できない位置の情報を検知することもできる。

つぎに本発明の光センサを得るための製造方法の第１の
実施例について述べる。

薄層１および基板２′、２’を構成する材料としてシリ
コンを用いる場合の例について説明する。

たとえば、エチレンジアミン・ピロカテコールの水溶液
（１７＊ｔエチレンジアミン＋　　８＊を水＋　　３ダ
ピロカテコール）によってボロンを含むシリコンの＜１
００＞方向のエツチング速度は、ボロン濃度が、２×１
０１４ｆｆ−５〜５×１０１７Ｃｒｎ″３（抵抗率：１
ｏ−１〜１ｏ２Ω−α）ノ範囲ｆ　ｉｄ　ホぼ６ｏ　Ｉ
ｉｍ／ｂｒと一定値を示すことが知られている。

（１（）○〉シリコンを１度角度研磨したサンプルを前
記エツチング液で１０分間エツチングしたときのエツチ
ング深さを観測すると、シリコン中で電気的に活性なボ
ロン原子の濃度が、７Ｘ１０１９゛（７）以上になると
急激にエツチング速度が遅−なることが知られている。

この限界濃度以下の場合にはｐ形、ｎ形ともに、はぼ一
定速度のエツチングが行なわれることも知られている。

本発明の製造方法は以上に述べた現象を利用することに
よって効果的に実施できる。第１図を用いて具体的に述
べる。薄層１が７×１０　（７）　以上のボロン濃度を
有していることが必要であって、基板２’、　　２’が
ｎ形であることは必ずしも必要ではない。したがって、
２／、　　２＃が７Ｘ１０　　ｃ７ｎ　以下のボロン濃
度を有するｐ形であってもかまわない。

第１図（Ｃ）に示すように穴１σを有する支持体１０上
にり形薄層１が形成されたｎ形シリコン基板を接着する
。支持体としてはシリコンのエツチング液に対して耐食
性を有し、しかも高抵抗率の材料、たとえばアルミナな
どで構成されていることが好ましい。捷た第１図中）に
は図示していないが、支持体１０と基板との間、たとえ
ば境界部９′。

グの部分に、エツチングを実行する以前に、あらかじめ
阻０２膜などの耐食性の被膜を形成しておいてもよい。

５１０２膜はほとんどエツチングされないので、穴１σ
側からシリコン基板をエツチングしたときに、異方性エ
ツチングにより境界部９’、　　９’の上部のシリコン
基板り、２′が選択的に残される。

接着状態によって境界部９／、　Ｓ＃の部分を規定して
もよいし、基板の幅Ｗが穴４の幅Ｗ′よυも狭くなるよ
うにしてもよいことはいうまでもない。

次に製造方法の第２の実施例について第１図を用いて説
明する。ただしこの場合、第１の実施例の場合とは異な
シ１．２’、　２’はｐ形、１はｎ形である。１０６〜
１１６℃の前記エツチング液゛（７６ｍｌエチレンジア
ミン、２４ゴ水、１２ｇピロカテコール）中で、〈１０
０〉方向のｐ形シリコン基板中に不純物としてリンが拡
散された薄層１に、電極３′あるいは３′を介して正の
電圧を印加し、前記エツチング液中の白金電極に負の電
圧を印加して、すなわち電極間にｏ、ｅ　ｖ程度の電圧
を印加した状態でエツチングすることによりｎ形薄層１
を残して、ｐ影領域のみをエツチングすることができる
。たとえば厚さ１μｍ以下の薄層を精度よく形成するこ
とができる。このときのｐ形のエツチング速度は１．２
６〜１．７６μＭ分であることが知られている。このと
きｎ影領域は６人／分以下しかエツチングされないこと
も知られている。このとき第１図（Ｂ）の境界部９’、
　９’部分にｐ形シリコン基板のエツチングの実行に先
だって、たとえばＳｉＯ２膜（図示せず）を選択的に形
成しておくことに工りミル形基板２／、　２＃を選択的
に残してエツチングを終了することができる。

ところで、第１図（ム）に示すように、ｎ形シリコン薄
層１の幅Ｗ′はｐ形シリコン基板の幅Ｗに比べて狭くな
っている。このような構造を実現するためには、前記の
エツチングを実行する以前に、薄層を形成すべき部分以
外の部分をあらかじめｐ形に変換しておくことが必要で
ある。あるいは、前記のエツチングを実行する以前に、
薄層を形成すべき部分以外の部分をあらかじめ除去して
おくことが必要である。

以上の説明からも明らかなように不純物濃度だけではな
く、エツチングで残されるパターンによっても抵抗値を
適宜設定できる。

たとえば、第１図に示した電極３’、　３’は前記エツ
チングを実行する以前に形成してもよいし、エツチング
終了後形成してもよい。あるいはシリコンをエツチング
する際に塗膜で被覆しておいて、エツチング終了後除去
するようにしてもよい。

たとえば、第１図においては図示されていないが、たと
えばｐ形基板２′あるいは２＃の上部に形成されたｎ形
層部分（図示せず）に通常のＩＣ回路。

あるいは記憶素子などを形成してもよいことはいうまで
もない。

ただし、そのときには轟然ながらＩＣの動作限界温度以
上の温度を検知することは不可能になる。

また、以上に述べた実施例はシリコンについて示してい
るが、油などの他の半導体材料、あるいは誘電体材料を
用いても本発明を実施することができる。

以上の説明からも明らかなように、本発明の光センサは
通常のＬＳＩ製造に用いられている微細加工技術を用い
て製造できるので、超小型であり、寸法精度などの均一
性も非常にすぐれている。

その結果、高精度になるだけでなく、形状２寸法を小さ
くしたことによる熱容量の低下によって、熱応答速度が
大幅に改善された。なかでも感熱部分である薄層１を基
板ｌ、２′によって空中に保持する構造にしたことは応
答速度の改善に大きく寄与している。

すなわち、瞬間的温度の変化も検知できることになった
。放射温度や入射電力などの変化によって発生した変化
の状態をいったん記憶させ、しかるのちあらかじめ記憶
させておいたデータと比較することにより、そのときの
瞬間的変化の状態を検知することもできる。

さて、第１図において光吸収′膜４はガス中蒸発法を用
いて形成された金属超微粒子膜で構成される。金属超微
粒子膜４の製造方法については周知であるが、これを選
択的に特定の位置に形成するために、たとえばメタルマ
スクを用いることができる。第１図（Ａ）を用いて説明
すると、電極３’、　　３’。

絶縁物膜６の部分を被覆するストライプ状のマスクを用
いれば、架橋された薄層１上に選択的に、たとえばＡｕ
超微粒子膜４を形成することができる。

第７図は本発明の光センサの第５の実施例を示すもので
あり第１図と第６図に示した構成を組み合せたもの′に
相当する。薄層１の一端は基板２′と一体であり、ここ
ではコンタクト窓１２′を介して電極３′に接続されて
いる。電極を基板の底面から取り出してもよい。薄層１
は第６図の実施例の場合と同様に絶縁物膜６によって保
持されていて、コンタクト窓１２＃を介して電極２に接
続される。

第１図の実施例において基板２′部分がない場合に相当
する。第１図の実施例の場合に比べて熱容量がきらに低
下する利点がある。第１図に示した支持体との接着部分
ゲがないので製造時における取扱いも容易になるし、支
持体の材料が高抵抗である必要もない。

第８図は本発明の光センサの第６の実施例を示す。図（
ム）は上面図、図中）は図（ム）のＩ−Ｉ’における断
面図である。電極３と電極１４との間でｐｎ接合間に１
０〜１００μム程度以下の微小一定電流を印加し、光吸
収膜４によって発生した熱によるｐｎ接合順方向電圧の
変化を検知するものである。

電極１４を４の下部に設けずに３の下部にのみ設けても
よいことはいうまでもない。

以上に示した実施例以外にも本発明の主旨を損わない範
囲において各種の変形が考えられることはいうまでもな
い。

以上に説明したように、本発明の光センサは高感度、高
精度、高速応答性、高信頼性という特徴を有し、しかも
均一に、縮小形に製造することができるので工業的価値
の大きいものである。さらには光量絶対値の較正が容易
にできるので、標準計器としての機能も併せ有するもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の光センサの第１の実施
例を示すもので、このうち図（Ａ）は前記光センサの要
部の上面図、図（Ｂ）は図（ム）のＩ　−Ｉ’における
断面図、図（Ｃｌは前記光センサの他の要部の下面図で
ある。第２図、第３図は本発明の光センサの作用を説明
するための図で、このうち、第２図は金属超微粒子の付
着量と光透過率との関係を示し、第３図は同じく金属超
微粒子の付着量と光反射率との関係を示す。第４図は本
発明の光センサの第２の実施例を示す上面図、第６図（
ム）、　（Ｂ）は本発明の光センサの第３の実施例を示
すもので、このうち図（ム）は上面図、図（Ｂ）は図（
ム）の１−１’における断面図である。第６図（ム）、
　（Ｂ）は本発明の光センサの第４の実施例を示すもの
で、このうち図（Ａ）は上面図、図中）は図（ム）のＩ
−Ｉ’における断面図である。第７図は本発明の光セン
サの第６の実施例を示す上面図、第８図（Ａ）、　（Ｂ
）は本発明の光センサの第６の実施例を示すもので、こ
のうち図（Ａ）は上面図、図（Ｂ）は図（ム）の１−１
’における断面図である。 １・・・・・・薄層、２．　２’、　２’・・・・・・
基板、３’、　　３’、１４・・・・・・電極、４・・
・・・・光吸収膜、６・・・・・・ＳｉＯ２膜、６・・
・・・・窓、７・・・・・・スペーサ、１ｏ・・・・・
・支持体、１０′。 １１・・・・・・穴、１３・・・・・・空洞。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名Ｉ１
図 第２図 村眉量（４／ν） 第３図 付番量ｔ〜− 祇４図 １２°　　　Ｉ 第６図 第７図 １２’

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）基板により一部が空間に保持された薄層を有し、
   かつ前記薄層上に光吸収膜を有し、さらに、前記光吸収
   膜によって吸収した光を熱に変換し、発生した熱による
   前記薄層の温度の変化を検知する手段を有することを特
   徴とする光センサ。 （２）温度を検知する手段が薄層の電気抵抗の温度によ
   る変化あるいは薄層内に形成されたｐｎ接合素子の端子
   間特性の温度による変化を利用することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の光センサ。 （３）薄層の電気抵抗の温度による変化の状態あるいは
   薄層内に形成されたｐ−ｎ接合素子の端子間特性の温度
   による変化の状態、あるいは前記変化の状態と一定の相
   関を有する変化の状態を記憶手段にいったん記憶させ、
   しかるのち前記変化の状態の実測値と前記記憶素子に記
   憶させた変化の状態の記憶値とを比較することにより温
   度を検知することを特徴とする特許請求の範囲第１項あ
   るいは第２項に記載の光センサ。 （４）薄層と光吸収膜との間＾収脱の電気抵抗に比べて
   高抵抗である膜が形成されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項に記載の光センサ。 （５）光吸収膜が超微粒子で構成されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項あるいは第４項に記載の光
   センサ。 （６）超微粒子が金属超微粒子あるいは表面に薄い酸化
   物被膜を有する金属超微粒子であることを特徴とする特
   許請求の範囲第５項に記載の光センサ。 （７）光吸収膜を形成した部分が一定の熱容量を有する
   ように構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項あるいは第４項に記載の光センサ。 （８）オプティカルファイバで導かれた光が光吸収膜に
   照射される構成になっていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項、第４項あるいは第７項に記載の光センサ
   。 （９）基板が薄層の電気抵抗に比べて高抵抗である支持
   体上に接着されていることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項あるいは第４項に記載の光センサ。 （１０）支持体が開孔を有することを特徴とする特許請
   求の範囲第９項に記載の光センサ。 （１１）薄層を複数個配設したことを特徴とする特許請
   求の範囲第１項あるいは第４項に記載の光センサ。 （１２）薄層と基板とがシリコンで構成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光センサ。 （１３）薄層を構成するシリコンが不純物として７×１
   ０”０１１””以上のボロンを含むことを特徴とする特
   許請求の範囲第１２項に記載の光センサ。 （１４）薄層と基板とがシリコンで構成されているとと
   もに互いに異なる導電形であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項に記載の光センサ。 （１６）薄層が基板中への不純物の熱拡散またはイオン
   注入された層、また顛恭板上へのエピタキシャル成長層
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
   光センサ。 （１ｅ）薄層が形成された基板の一部を選択的にエツチ
   ングすることにより一部が空間に保持された薄層を形成
   し、しかるのちガス中蒸発法により前記薄層上に超微粒
   子で構成された光吸収膜を形成することを特徴とする光
   センサの製造方法。