JPS58103796A - 発熱素子 - Google Patents
発熱素子Info
- Publication number
- JPS58103796A JPS58103796A JP56204332A JP20433281A JPS58103796A JP S58103796 A JPS58103796 A JP S58103796A JP 56204332 A JP56204332 A JP 56204332A JP 20433281 A JP20433281 A JP 20433281A JP S58103796 A JPS58103796 A JP S58103796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- base material
- heating
- ceramic base
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Instantaneous Water Boilers, Portable Hot-Water Supply Apparatuses, And Control Of Portable Hot-Water Supply Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は給湯用、暖房用などに用いられる温水加熱装置
に使用すると好適な発熱素子に関するものである。
に使用すると好適な発熱素子に関するものである。
従来の発熱素子を使用した温水加熱装置は第６図および
第６図に示すように、一端を冷水路と接続する流入口２
１とした円筒状の面発熱体２２と、この円筒状の面発熱
体２２の外周との間に加熱流路２３を形成する外ケース
２４とにより構成されている。前記外ケース２４には、
面発熱体２２の流入口２１側に位置して流出路２５を設
けている。
第６図に示すように、一端を冷水路と接続する流入口２
１とした円筒状の面発熱体２２と、この円筒状の面発熱
体２２の外周との間に加熱流路２３を形成する外ケース
２４とにより構成されている。前記外ケース２４には、
面発熱体２２の流入口２１側に位置して流出路２５を設
けている。
また前記円筒状の面発熱体２２は円筒状のセラミック材
からなる基材Ａ２６と、基板Ｂ２７とで線状のヒータパ
ターンよりなる発熱抵抗体２８を挾持して構成している
。そして前記基材Ａ２６は、成形時の歪みを極力小さく
するとともに、円筒状の面発熱体２２の機械的強度を保
持するために、所定の厚みｔｌを必要とし、また基材Ｂ
２７は基材Ａ２６の外周にローリングするため、その作
業が良好に行なえるように、基材Ａ２６の厚みｔｌに比
べ、非常に小さな厚みｔ２ で構成されている。
からなる基材Ａ２６と、基板Ｂ２７とで線状のヒータパ
ターンよりなる発熱抵抗体２８を挾持して構成している
。そして前記基材Ａ２６は、成形時の歪みを極力小さく
するとともに、円筒状の面発熱体２２の機械的強度を保
持するために、所定の厚みｔｌを必要とし、また基材Ｂ
２７は基材Ａ２６の外周にローリングするため、その作
業が良好に行なえるように、基材Ａ２６の厚みｔｌに比
べ、非常に小さな厚みｔ２ で構成されている。
上記従来の構成において、流入口２１から流入した冷水
は、円筒状の面発熱体２２の内管路２２′で加熱てれな
がら左端開放部に達し、その後、加熱流路２３に流入し
、さらに加熱され、流出路２５より温水となって流出す
る。
は、円筒状の面発熱体２２の内管路２２′で加熱てれな
がら左端開放部に達し、その後、加熱流路２３に流入し
、さらに加熱され、流出路２５より温水となって流出す
る。
上記加熱工程において、円筒状の面発熱体２２の表面温
度は、セラミック基材Ａ２６ 、Ｂ２７の厚みｔｌ 、
ｔ２ と前記円筒状の面発熱体２２の表面における水
への熱伝達率との関係により決まる。
度は、セラミック基材Ａ２６ 、Ｂ２７の厚みｔｌ 、
ｔ２ と前記円筒状の面発熱体２２の表面における水
への熱伝達率との関係により決まる。
上記従来例においては、円筒状の面発熱体２２における
内管路２２′の流速は、加熱流路２３の流速に比べて速
いため、円筒状の面発熱体２２の内周面の水への熱伝達
率は外周面の熱伝達率より大きくなる。一方、円筒状の
面発熱体２２の内周面側基材Ａ２６の厚みｔｌは外周面
側基材Ｂ２７の厚みｔ２ に比べて大きい。従って、
発熱抵抗体２８から円筒状の面発熱体２２の内周面への
伝熱抵抗は外周面への伝熱抵抗工９大きい。その結果、
円筒状の面発熱体２２の内周面は、水への熱伝達率が大
きいのに対し、発熱抵抗体２８からの伝熱抵抗が大きい
ため、その表面温度は第７図のＴａｉで示すように低下
する。また円筒状の面発熱体２２の外周面は、水への熱
伝達率が小さいのに対し、発熱抵抗体２８からの伝熱抵
抗が小さいため、その表面温度は第７図のＴａＯで示す
ように、高くなる。
内管路２２′の流速は、加熱流路２３の流速に比べて速
いため、円筒状の面発熱体２２の内周面の水への熱伝達
率は外周面の熱伝達率より大きくなる。一方、円筒状の
面発熱体２２の内周面側基材Ａ２６の厚みｔｌは外周面
側基材Ｂ２７の厚みｔ２ に比べて大きい。従って、
発熱抵抗体２８から円筒状の面発熱体２２の内周面への
伝熱抵抗は外周面への伝熱抵抗工９大きい。その結果、
円筒状の面発熱体２２の内周面は、水への熱伝達率が大
きいのに対し、発熱抵抗体２８からの伝熱抵抗が大きい
ため、その表面温度は第７図のＴａｉで示すように低下
する。また円筒状の面発熱体２２の外周面は、水への熱
伝達率が小さいのに対し、発熱抵抗体２８からの伝熱抵
抗が小さいため、その表面温度は第７図のＴａＯで示す
ように、高くなる。
以上のように従来の発熱菓子を用いた温水加熱装置にお
いては、円筒状の面発熱体２２の内周面、外周面上での
表面温度差が非常に大きいため、熱交換状態にアンバラ
ンスを生じ、その結果１発熱体の全表面が熱交換に対し
有効に生がざｎず、熱交換効率が低下する。
いては、円筒状の面発熱体２２の内周面、外周面上での
表面温度差が非常に大きいため、熱交換状態にアンバラ
ンスを生じ、その結果１発熱体の全表面が熱交換に対し
有効に生がざｎず、熱交換効率が低下する。
また前記面発熱体２２の外周面は高温になり、局部的な
核沸騰を起こし、スケールの主成分である重炭酸カルシ
ウム、重炭酸マグネシウムの飽和溶解度を示す温度以上
となり、スケールが面発熱体２２の表面に析出する。第
８図は重炭酸カルシウムのＰＫと温度と溶解度の関係を
示したものである。そしてこのスケールは円筒状の面発
熱体２２の表面で徐々に厚みを増し、発熱抵抗体２８か
ら面発熱体２２の表面への熱伝達を悪化させ、熱交換効
率を下げるとともに、発熱抵抗体２８の温度を異常に高
めてしまうため、発熱抵抗体２８を断線δせてしまう。
核沸騰を起こし、スケールの主成分である重炭酸カルシ
ウム、重炭酸マグネシウムの飽和溶解度を示す温度以上
となり、スケールが面発熱体２２の表面に析出する。第
８図は重炭酸カルシウムのＰＫと温度と溶解度の関係を
示したものである。そしてこのスケールは円筒状の面発
熱体２２の表面で徐々に厚みを増し、発熱抵抗体２８か
ら面発熱体２２の表面への熱伝達を悪化させ、熱交換効
率を下げるとともに、発熱抵抗体２８の温度を異常に高
めてしまうため、発熱抵抗体２８を断線δせてしまう。
ざらに従来の発熱素子においては、円筒状の面発熱体２
２の外周面の表面温度を低くするために、表面積を増大
させる。すなわち面発熱体２２の外径Ｄ２ を増大さ
せる手段を施すことにより、スケールの付着や、発熱抵
抗体２８の異常高温による断線を防止するようにしてい
たが、これにおいては発熱素子自体が非常に大きくなる
という欠点を有するものであった。
２の外周面の表面温度を低くするために、表面積を増大
させる。すなわち面発熱体２２の外径Ｄ２ を増大さ
せる手段を施すことにより、スケールの付着や、発熱抵
抗体２８の異常高温による断線を防止するようにしてい
たが、これにおいては発熱素子自体が非常に大きくなる
という欠点を有するものであった。
本発明は、上記従来の欠点に鑑み、厚みの異なる２つの
セラミック基材の間に発熱抵抗体を挾持して構成すると
ともに、前記２つのセラミック基材は、厚みの薄い側を
熱伝導率の小さい材料で構成し、かつ厚みの厚い側を熱
伝４率の大きい材料で構成することにより、発熱抵抗体
から２つのセラミック基材への熱伝達量が変わるように
して、発熱菓子の両側面の表面平均１温度が略等しくな
るようにしたもので、これにより、発熱菓子の表面平均
温度をスケール生成温度以下に容易に保持することがで
きるようにするとともに、発熱素子のコンパクト化がは
かｎるようにしたものである。
セラミック基材の間に発熱抵抗体を挾持して構成すると
ともに、前記２つのセラミック基材は、厚みの薄い側を
熱伝導率の小さい材料で構成し、かつ厚みの厚い側を熱
伝４率の大きい材料で構成することにより、発熱抵抗体
から２つのセラミック基材への熱伝達量が変わるように
して、発熱菓子の両側面の表面平均１温度が略等しくな
るようにしたもので、これにより、発熱菓子の表面平均
温度をスケール生成温度以下に容易に保持することがで
きるようにするとともに、発熱素子のコンパクト化がは
かｎるようにしたものである。
以下、本発明の一実施例について、第１図〜第４図にも
とづいて説明する。第１図、第２図において、１は円筒
状に構成された発熱素子で、この発熱菓子１はセラミッ
ク基材Ａ２とセラミック基材Ｂ３とで線状のヒータパタ
ーンよりなる発熱抵抗体４を挾持することによ多構成し
ている。″また前記発熱素子１は内管路５を有するとと
もに、一端には、冷水供給管への接続ねじ６ｆ：取付け
た流体流入ロアを内管路５と連通するように設けている
。８は外ケースで、この外ケース８は発熱素子１の外周
との間に加熱流路９を形成し、かつ前記発熱素子１の内
管路６の他端（ｉｌｌを閉塞し、ざらに前記流体流入ロ
ア側に位置して流体流出口１ｏを設けている〇 次に上記実施例におけるセラミック基材Ａ２とセラミッ
ク基材Ｂ３の熱伝導率の最適化について述べる。セラミ
ック基材Ａ２とセラミック基材Ｂ３の厚みｔＡ、ｔＢは
材料費あるいは熱容量の面から当然薄い方が良いが、セ
ラミック基材Ａ２の厚みｔＡについては、成形時の歪み
を極力小さく押さえ、かつ発熱素子１の機械的強度を保
持するために所定の厚みを必要とし、またセラミック基
材Ｂ３の厚みｔＢ については、電気絶縁性を作っため
にある一定の厚みが要求８ｎるが、セラミック基材Ａ２
の外周に０ １Ｊングするため、その作業が良好に行な
えるように、セラミック基材ム２の厚みｔＡＶＣ比べ非
常に小さな厚みとしている。
とづいて説明する。第１図、第２図において、１は円筒
状に構成された発熱素子で、この発熱菓子１はセラミッ
ク基材Ａ２とセラミック基材Ｂ３とで線状のヒータパタ
ーンよりなる発熱抵抗体４を挾持することによ多構成し
ている。″また前記発熱素子１は内管路５を有するとと
もに、一端には、冷水供給管への接続ねじ６ｆ：取付け
た流体流入ロアを内管路５と連通するように設けている
。８は外ケースで、この外ケース８は発熱素子１の外周
との間に加熱流路９を形成し、かつ前記発熱素子１の内
管路６の他端（ｉｌｌを閉塞し、ざらに前記流体流入ロ
ア側に位置して流体流出口１ｏを設けている〇 次に上記実施例におけるセラミック基材Ａ２とセラミッ
ク基材Ｂ３の熱伝導率の最適化について述べる。セラミ
ック基材Ａ２とセラミック基材Ｂ３の厚みｔＡ、ｔＢは
材料費あるいは熱容量の面から当然薄い方が良いが、セ
ラミック基材Ａ２の厚みｔＡについては、成形時の歪み
を極力小さく押さえ、かつ発熱素子１の機械的強度を保
持するために所定の厚みを必要とし、またセラミック基
材Ｂ３の厚みｔＢ については、電気絶縁性を作っため
にある一定の厚みが要求８ｎるが、セラミック基材Ａ２
の外周に０ １Ｊングするため、その作業が良好に行な
えるように、セラミック基材ム２の厚みｔＡＶＣ比べ非
常に小さな厚みとしている。
以上述へたような条件を満たす厚みｔＡ、ｔＢを有する
発熱素子１において、セラミック基材Ａ２およびセラミ
ック基材Ｂ３の各々の熱伝導率λ□。
発熱素子１において、セラミック基材Ａ２およびセラミ
ック基材Ｂ３の各々の熱伝導率λ□。
Ａ８による熱伝導条件の変化を示すと、第３図のように
なる。この第３図において、発熱素子１の外周側１１０
表面表面温度ＴＳＯ，発熱素子１の内周側１２０表面表
面温１ｉＴＢ１の最高値は、熱伝導率比（λＡ／λＢ）
が変化することにより、Ｐ１１Ｐ２→Ｐ３ のように
変化し、そして両者が交わる２２点、すなわち ’ｌ’Ｂ□＝’、ｌ’３１ ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・（１）となる点において、同一発熱
量に対して表面平均温度は最小となるため、スケール生
成温度Ｔｓｐ以下に制御することができるとともに、両
者の熱交換効率のアンバランスもなくなるものである。
なる。この第３図において、発熱素子１の外周側１１０
表面表面温度ＴＳＯ，発熱素子１の内周側１２０表面表
面温１ｉＴＢ１の最高値は、熱伝導率比（λＡ／λＢ）
が変化することにより、Ｐ１１Ｐ２→Ｐ３ のように
変化し、そして両者が交わる２２点、すなわち ’ｌ’Ｂ□＝’、ｌ’３１ ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・（１）となる点において、同一発熱
量に対して表面平均温度は最小となるため、スケール生
成温度Ｔｓｐ以下に制御することができるとともに、両
者の熱交換効率のアンバランスもなくなるものである。
また、第４図は発熱素子１の表面平均温度をスケール生
成温度以下に保持する場合に必要な発熱素子１の外径Ｄ
１と、各セラミック基材Ａ２．Ｂ３Ω熱伝導率比（λＢ
／λＢ）との関係を示したもので、値は、（λＡ／λＢ
）が最適熱伝導率比（λＡＡ３Ｂ。
成温度以下に保持する場合に必要な発熱素子１の外径Ｄ
１と、各セラミック基材Ａ２．Ｂ３Ω熱伝導率比（λＢ
／λＢ）との関係を示したもので、値は、（λＡ／λＢ
）が最適熱伝導率比（λＡＡ３Ｂ。
に等しくなった時であり、これは前述した（λＡ／Ａ”
Ｂ）の最適条件と一致するものである。
Ｂ）の最適条件と一致するものである。
したがって、上記（１）式を満足する発熱素子１は、同
−発熱量に対して、最も小型で省資源となる発熱素子１
を構成することができる。
−発熱量に対して、最も小型で省資源となる発熱素子１
を構成することができる。
なお、第３図および第４図に示した関係は、発熱素子１
と、内管路５および加熱流路９を流れる流体との熱伝導
率１発熱抵抗体４の発熱量等を入力して、数値計算を行
なうことにより得らｎる。
と、内管路５および加熱流路９を流れる流体との熱伝導
率１発熱抵抗体４の発熱量等を入力して、数値計算を行
なうことにより得らｎる。
また前記セラミック基材Ａ２の厚みｔＡ とセラミック
基材Ｂ３の厚みｔＢは、前述したようにそれぞｎ異なら
せていて、ｔＡ＞ｔＢの関係にしているため、円筒状の
発熱素子１の内側と外側の表面平均温度を略等しくする
ためには、セラミック基材Ａ２の熱伝導率λ□と、セラ
ミック基材Ｂ３の熱伝導率λ８はλえ〉Ａ８の関係にす
る必要があり、したがって本発明の一実施例においては
、厚みの厚いセラミック基材Ａ２を熱伝導率の大きいア
ルミナ系セラミック材料で構成し、かつ厚みの薄いセラ
ミック基材Ｂ３を熱伝導率の小姑いステアタイト系セラ
ミック材料で構成したものである。このような構成とす
ることにより、発熱素子１の外径′Ｄ１ を大きくす
ることなく、前述した最適伝熱条件（１）式を満足させ
ることができる。
基材Ｂ３の厚みｔＢは、前述したようにそれぞｎ異なら
せていて、ｔＡ＞ｔＢの関係にしているため、円筒状の
発熱素子１の内側と外側の表面平均温度を略等しくする
ためには、セラミック基材Ａ２の熱伝導率λ□と、セラ
ミック基材Ｂ３の熱伝導率λ８はλえ〉Ａ８の関係にす
る必要があり、したがって本発明の一実施例においては
、厚みの厚いセラミック基材Ａ２を熱伝導率の大きいア
ルミナ系セラミック材料で構成し、かつ厚みの薄いセラ
ミック基材Ｂ３を熱伝導率の小姑いステアタイト系セラ
ミック材料で構成したものである。このような構成とす
ることにより、発熱素子１の外径′Ｄ１ を大きくす
ることなく、前述した最適伝熱条件（１）式を満足させ
ることができる。
以」二のように本発明によれは、厚みの異なる２つのセ
ラミック基材の間に発熱抵抗体を挟持して構成するとと
もに、前記２つのセラミック基材は、厚みの薄い側を熱
伝導率の小さい材料で構成し、かつ厚みの厚い側を熱伝
導率の大きい材料で構成しているため、発熱抵抗体から
２つのセラミック基材への熱伝達量は変化することにな
り、その結果、厚みの厚い側の表面平均温度と厚みの薄
い側の表面平均温度を略等しくすることができるため、
発熱素子の表面平均温度をスケール生成温度以下に容易
に保持することができ、かつ発熱素子の表面積を増太嘔
せて表面温度を下げるために発熱素子の外径を大きくす
るという必要もないため、コンパクトな発熱素子を提供
することができるもの０ である。
ラミック基材の間に発熱抵抗体を挟持して構成するとと
もに、前記２つのセラミック基材は、厚みの薄い側を熱
伝導率の小さい材料で構成し、かつ厚みの厚い側を熱伝
導率の大きい材料で構成しているため、発熱抵抗体から
２つのセラミック基材への熱伝達量は変化することにな
り、その結果、厚みの厚い側の表面平均温度と厚みの薄
い側の表面平均温度を略等しくすることができるため、
発熱素子の表面平均温度をスケール生成温度以下に容易
に保持することができ、かつ発熱素子の表面積を増太嘔
せて表面温度を下げるために発熱素子の外径を大きくす
るという必要もないため、コンパクトな発熱素子を提供
することができるもの０ である。
第１図は本発明の一実施例を示す発熱素子を採用した温
水力ｐ熱装置の一部破断側面図、第２図は第１図のＡ
−Ａ’ 線断面図、第３図は発熱素子の表面温度と熱伝
導率比の関係を示す特性図、第４図は同発熱素子の外径
と熱伝導率比の関係を示す特性図、第５図は従来の発熱
素子を採用した温水加熱装置の一部破断側面図、第６図
は第５図のＢ−Ｂ’線断面図、第７図は従来の円筒状面
発熱体の表面温腿を示す展開グラフ、第８図は重炭酸力
ルンウムのＰＨと温度と溶解度との関係を示すグラフで
ある。 １・・・・・・発熱素子、２・・・・・・セラミック基
材Ａ、３・・・・・・セラミック基材Ｂ、４・・・・・
・発熱抵抗体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 第４図 第５図 ２．５ １６図
水力ｐ熱装置の一部破断側面図、第２図は第１図のＡ
−Ａ’ 線断面図、第３図は発熱素子の表面温度と熱伝
導率比の関係を示す特性図、第４図は同発熱素子の外径
と熱伝導率比の関係を示す特性図、第５図は従来の発熱
素子を採用した温水加熱装置の一部破断側面図、第６図
は第５図のＢ−Ｂ’線断面図、第７図は従来の円筒状面
発熱体の表面温腿を示す展開グラフ、第８図は重炭酸力
ルンウムのＰＨと温度と溶解度との関係を示すグラフで
ある。 １・・・・・・発熱素子、２・・・・・・セラミック基
材Ａ、３・・・・・・セラミック基材Ｂ、４・・・・・
・発熱抵抗体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 第４図 第５図 ２．５ １６図
Claims (1)
- 厚みの異なる２つのセラミック基材の間に発熱抵抗体を
挾持して構成するとともに、前記２つのセラミック基材
は、厚みの薄い側を熱伝導率の小さい材料で構成し、か
つ厚みの厚い側を熱伝導率の大きい材料で構成した発熱
素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204332A JPS58103796A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 発熱素子 |
| US06/455,244 US4563571A (en) | 1981-12-16 | 1982-12-10 | Electric water heating device with decreased mineral scale deposition |
| CA000417730A CA1205841A (en) | 1981-12-16 | 1982-12-15 | Water heating device |
| EP82306725A EP0082025B1 (en) | 1981-12-16 | 1982-12-16 | Water heating device |
| DE8282306725T DE3271699D1 (en) | 1981-12-16 | 1982-12-16 | Water heating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204332A JPS58103796A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 発熱素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103796A true JPS58103796A (ja) | 1983-06-20 |
Family
ID=16488737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204332A Pending JPS58103796A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 発熱素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103796A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441646A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Casio Comput Co Ltd | Undefined line number display system |
| JPS5543751A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Plane heating element |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP56204332A patent/JPS58103796A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441646A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Casio Comput Co Ltd | Undefined line number display system |
| JPS5543751A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Plane heating element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1122982B1 (en) | Heating apparatus | |
| EP0082025A1 (en) | Water heating device | |
| EP1621048B1 (en) | Multi-zone ceramic heating system and method of manufacture thereof | |
| CN103946660A (zh) | 用于钎焊板换热器中的水温传感器 | |
| JPH09123222A (ja) | ホットランナ金型 | |
| JPS58103796A (ja) | 発熱素子 | |
| JPS58184498A (ja) | 熱交換器 | |
| JPS58120039A (ja) | 温水加熱装置 | |
| JPS59120704A (ja) | 超高温耐熱壁体 | |
| WO2004048775A3 (en) | Method and apparatus for determining the thermal performance of actively cooled turbine components | |
| CN101813367B (zh) | 液体加热装置的核心部件 | |
| JPS58179765A (ja) | 温水加熱装置 | |
| US6746231B1 (en) | Thermal equalizing system for injection molding apparatus | |
| JPS58103795A (ja) | 温水加熱装置 | |
| JPS58106785A (ja) | 発熱素子 | |
| JPS58120040A (ja) | 温水加熱装置 | |
| JP2000130966A5 (ja) | ||
| JPS58140550A (ja) | 温水加熱装置 | |
| JPS58106351A (ja) | 温水加熱装置 | |
| JPS6026240A (ja) | 電気瞬間湯沸器 | |
| JP2023172734A5 (ja) | ||
| JPS58178198A (ja) | 熱交換器 | |
| JPS61143652A (ja) | 電気瞬間湯沸器 | |
| CN107339732B (zh) | 一种自力式混水系统 | |
| JPS62297125A (ja) | ホツトプレスの熱板冷却機構 |