JPS58179765A - 温水加熱装置 - Google Patents
温水加熱装置Info
- Publication number
- JPS58179765A JPS58179765A JP57063725A JP6372582A JPS58179765A JP S58179765 A JPS58179765 A JP S58179765A JP 57063725 A JP57063725 A JP 57063725A JP 6372582 A JP6372582 A JP 6372582A JP S58179765 A JPS58179765 A JP S58179765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- thickness
- base material
- ceramic base
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/40—Heating elements having the shape of rods or tubes
- H05B3/42—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible
- H05B3/44—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible heating conductor arranged within rods or tubes of insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/021—Heaters specially adapted for heating liquids
Landscapes
- Instantaneous Water Boilers, Portable Hot-Water Supply Apparatuses, And Control Of Portable Hot-Water Supply Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は給湯用、暖房用などに用いられる温水加熱装置
に関するものである。
に関するものである。
従来の温水加熱装置は第６図および第７図に示すように
、一端を冷水路と接続する流入口２１とした円筒状の面
発熱体２２と、この円筒状の面発熱体２２の外周との間
に加熱流路２３を形成する外ケース２４とにより構成さ
れている。前記外ケース２４には、面発熱体２２の流入
口２１側に位置して流出路２６を設けている。また前記
円筒状２了とで線状のヒータパターンよりなる発熱抵抗
体２８を挾持して構成している。そして前記基材Ａ２６
は、成形時の歪みを極力小さく押さえ、かつ円筒状の面
発熱体２２の機械的強度を保持するだめに、所定の厚み
ｔｌ を必要とし、また基材Ｂ２７は基材Ａ２６の外周
にローリングするため、その作業が良好に行なえるよう
に、基材Ａ２６の厚みｔｌに比べ、非常に小さな厚みｔ
２で構成されている。
、一端を冷水路と接続する流入口２１とした円筒状の面
発熱体２２と、この円筒状の面発熱体２２の外周との間
に加熱流路２３を形成する外ケース２４とにより構成さ
れている。前記外ケース２４には、面発熱体２２の流入
口２１側に位置して流出路２６を設けている。また前記
円筒状２了とで線状のヒータパターンよりなる発熱抵抗
体２８を挾持して構成している。そして前記基材Ａ２６
は、成形時の歪みを極力小さく押さえ、かつ円筒状の面
発熱体２２の機械的強度を保持するだめに、所定の厚み
ｔｌ を必要とし、また基材Ｂ２７は基材Ａ２６の外周
にローリングするため、その作業が良好に行なえるよう
に、基材Ａ２６の厚みｔｌに比べ、非常に小さな厚みｔ
２で構成されている。
上記従来の構成において、流入口２１から流入した冷水
は、円筒状の面発熱体２２の内管路２２′で加熱されな
がら左端開放部に達し、その後、加熱流路２３に流入し
、さらに加熱され、流出路２６より温水となって流出す
る。
は、円筒状の面発熱体２２の内管路２２′で加熱されな
がら左端開放部に達し、その後、加熱流路２３に流入し
、さらに加熱され、流出路２６より温水となって流出す
る。
上記加熱工程において、円筒状の面発熱体２２０表面温
度は、セラミック基材Ａ２６．Ｂ２了の厚み１１．１２
と前記円筒状の面発熱体２２の表面における水への熱伝
達率との関係により決まる。
度は、セラミック基材Ａ２６．Ｂ２了の厚み１１．１２
と前記円筒状の面発熱体２２の表面における水への熱伝
達率との関係により決まる。
上記従来例においては、円筒状の面発熱体２２における
内管路２２′の流速は、加熱流路２３の流速に比べて速
いため、円筒状の面発熱体２２の内周面の水への熱伝達
率は外周面の熱伝達率より犬きくなる。一方、円筒状の
面発熱体２２の内周面側基材Ａ２６の厚みｔｌは外周面
側基材Ｂ２了の厚みｔ２に比べて大きい。従って、発熱
抵抗体２８から円筒状の面発熱体２２の内周面への伝熱
抵抗は外周面への伝熱抵抗より太きい。その結果、円筒
状の面発熱体２２の内周面は、水への熱伝達率が大きい
のに対し、発熱抵抗体２８からの伝熱抵抗が大きいため
、その表面温度は第８図Ｔ８□で示すように低下する。
内管路２２′の流速は、加熱流路２３の流速に比べて速
いため、円筒状の面発熱体２２の内周面の水への熱伝達
率は外周面の熱伝達率より犬きくなる。一方、円筒状の
面発熱体２２の内周面側基材Ａ２６の厚みｔｌは外周面
側基材Ｂ２了の厚みｔ２に比べて大きい。従って、発熱
抵抗体２８から円筒状の面発熱体２２の内周面への伝熱
抵抗は外周面への伝熱抵抗より太きい。その結果、円筒
状の面発熱体２２の内周面は、水への熱伝達率が大きい
のに対し、発熱抵抗体２８からの伝熱抵抗が大きいため
、その表面温度は第８図Ｔ８□で示すように低下する。
また円筒状の面発熱体２２の外周面は、水への熱伝達率
が小さいのに対し、発熱抵抗体２８からの伝熱抵抗が小
さいため、その表面温度は第８図のＴ８゜で示すように
、高くなる。
が小さいのに対し、発熱抵抗体２８からの伝熱抵抗が小
さいため、その表面温度は第８図のＴ８゜で示すように
、高くなる。
以上のように従来の温水加熱装置においては、円筒状の
面発熱体２２の内周面、外周面上での表面温度差が非常
に大きいため、熱交換状態にアンバランスを生じ、その
結果、発熱体の全表面が熱交換に対し有効に生かされず
、熱交換効率が低下する。
面発熱体２２の内周面、外周面上での表面温度差が非常
に大きいため、熱交換状態にアンバランスを生じ、その
結果、発熱体の全表面が熱交換に対し有効に生かされず
、熱交換効率が低下する。
壕だ前記面発熱体２２の外周面は高温になり、局部的づ
核沸騰を起こし、スケールの主成分である重炭酸カルシ
ウム、重炭酸々グネシウムの飽和溶解度を示す温度以上
となり、スケールが面発熱体２２の表面に析出する。第
９図は重炭酸カルシウムのＰＨと温度と溶解度の関係を
示したものである。そしてこのスケールは円筒状の面発
熱体２２の表面で徐々に厚みを増し、円筒状の面発熱体
２２から被加熱流体への熱伝達を悪化させ、熱交換効率
を下げるとともに、発熱抵抗体２８の温度を異常に高め
てしまうため、発熱抵抗体２８を断線させてしまうとい
う欠点を有していた。
核沸騰を起こし、スケールの主成分である重炭酸カルシ
ウム、重炭酸々グネシウムの飽和溶解度を示す温度以上
となり、スケールが面発熱体２２の表面に析出する。第
９図は重炭酸カルシウムのＰＨと温度と溶解度の関係を
示したものである。そしてこのスケールは円筒状の面発
熱体２２の表面で徐々に厚みを増し、円筒状の面発熱体
２２から被加熱流体への熱伝達を悪化させ、熱交換効率
を下げるとともに、発熱抵抗体２８の温度を異常に高め
てしまうため、発熱抵抗体２８を断線させてしまうとい
う欠点を有していた。
また従来の温水加熱装置においては、円筒状の面発熱体
２２の外周面の表面温度を低くするだめに、表面積を増
大させる、すなわち面発熱体２２の外径を増大させる手
段を施すことにより、スケールの付着や発熱抵抗体２８
の異常高温による断線を防止するようにしていたが、こ
れにおいては、上記の条件を満足させるためには、面発
熱体２２自体が非常に大きくなるという欠点を有するも
のであった。
２２の外周面の表面温度を低くするだめに、表面積を増
大させる、すなわち面発熱体２２の外径を増大させる手
段を施すことにより、スケールの付着や発熱抵抗体２８
の異常高温による断線を防止するようにしていたが、こ
れにおいては、上記の条件を満足させるためには、面発
熱体２２自体が非常に大きくなるという欠点を有するも
のであった。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、発熱素子を構成する発
熱抵抗体から２つのセラミック基材への熱伝達量を配分
して前記発熱素子の両側面表面平均温度が略等しくなる
ように、前記２つのセラミック基材のうち、流体流入口
側のセラミック基材の厚さを一定とした場合、流体流出
口側のセラミック基材の厚さを、最適な厚さに設定する
ことにより、効率的に前記発熱素子の両側面表面平均温
度を、温水加熱装置の使用最低流量まだは設定流量にお
いてスケール生成温度以下に制御して上記従来の欠点を
解消したものである。
熱抵抗体から２つのセラミック基材への熱伝達量を配分
して前記発熱素子の両側面表面平均温度が略等しくなる
ように、前記２つのセラミック基材のうち、流体流入口
側のセラミック基材の厚さを一定とした場合、流体流出
口側のセラミック基材の厚さを、最適な厚さに設定する
ことにより、効率的に前記発熱素子の両側面表面平均温
度を、温水加熱装置の使用最低流量まだは設定流量にお
いてスケール生成温度以下に制御して上記従来の欠点を
解消したものである。
以下、本発明の一実施例について、第１図〜第４図にも
とづいて説明する。第１図、第２図において、１は円筒
状に構成された発熱素子で、この発熱素子１は耐熱性を
有するセラミック基材Ａ２とセラミック基材Ｂ３とで線
状のヒータパターンよりなる発熱抵抗体４を最適位置に
挾持することにより構成されている。まだこの発熱素子
１は内管路５を有するとともに、一端には、冷水供給管
への接続ねじ６を取付けた流体流入ロアを内管路６と連
通するように設けている。８は外ケースで、この外ケー
ス８は発熱素子１の外周との間に加熱流路９を形成し、
かつ前記発熱素子１の内管路６の他端側を閉塞し、さら
に前記流体流入ロア側に適位置について述べる。まずセ
ラミック基材Ａ２の厚さｔｌは、発熱素子１の機械的強
度や、焼成時の熱歪などの条件からある一定の厚さ以上
が要求され、一方、熱伝導の面からは薄いほうが良いの
で、この厚さｔｌばある範囲に限定される。したがって
、発熱素子１の両側面表面平均温度をスケール生成温度
以下に保持するだめの発熱抵抗体４の最適位置は、セラ
ミック基材Ｂ３の厚さｔ２を変えて最適厚さｔ２ｃに設
定する必要がある。
とづいて説明する。第１図、第２図において、１は円筒
状に構成された発熱素子で、この発熱素子１は耐熱性を
有するセラミック基材Ａ２とセラミック基材Ｂ３とで線
状のヒータパターンよりなる発熱抵抗体４を最適位置に
挾持することにより構成されている。まだこの発熱素子
１は内管路５を有するとともに、一端には、冷水供給管
への接続ねじ６を取付けた流体流入ロアを内管路６と連
通するように設けている。８は外ケースで、この外ケー
ス８は発熱素子１の外周との間に加熱流路９を形成し、
かつ前記発熱素子１の内管路６の他端側を閉塞し、さら
に前記流体流入ロア側に適位置について述べる。まずセ
ラミック基材Ａ２の厚さｔｌは、発熱素子１の機械的強
度や、焼成時の熱歪などの条件からある一定の厚さ以上
が要求され、一方、熱伝導の面からは薄いほうが良いの
で、この厚さｔｌばある範囲に限定される。したがって
、発熱素子１の両側面表面平均温度をスケール生成温度
以下に保持するだめの発熱抵抗体４の最適位置は、セラ
ミック基材Ｂ３の厚さｔ２を変えて最適厚さｔ２ｃに設
定する必要がある。
第３図はセラミック基材Ａ２． セラミック基材Ｂ３
の熱伝導条件が、セラミック基材Ｂ３の厚さｔ２の変化
により、どのように変化するかを示した説明図である。
の熱伝導条件が、セラミック基材Ｂ３の厚さｔ２の変化
により、どのように変化するかを示した説明図である。
ここでセラミック基材Ａ２は所要の厚さｔ２を有し一定
とする。
とする。
この第３図において、セラミック基材Ｂ３の厚さｔ２と
、発熱素子１の外周側の表面平均温度Ｔ８゜および発熱
素子１の内周側の表面平均温度”ｓｉの最高値は、Ｐ１
→Ｐ２→Ｐ３ のように変化し、２２点すなわち Ｔ８゜−”ｓｉ ・・・・・・・・・（１）となる点
において、同一発熱量に対し発熱素子１の表面平均温度
は最小となるもので、この条件は、スケール付着生成温
度Ｔ８ｐ以下に制御すること、および熱交換効率の面か
ら最適な条件となる。
、発熱素子１の外周側の表面平均温度Ｔ８゜および発熱
素子１の内周側の表面平均温度”ｓｉの最高値は、Ｐ１
→Ｐ２→Ｐ３ のように変化し、２２点すなわち Ｔ８゜−”ｓｉ ・・・・・・・・・（１）となる点
において、同一発熱量に対し発熱素子１の表面平均温度
は最小となるもので、この条件は、スケール付着生成温
度Ｔ８ｐ以下に制御すること、および熱交換効率の面か
ら最適な条件となる。
第４図は発熱素子１の表面平均温度をスケール生成温度
以下に保持する場合に心裏な発熱素子１の外径Ｄ とセ
ラミック基材Ｂ３の厚さｔ２ との関係を示したもので
、所要の条件を満たす発熱素子１の外径Ｄ１ の最小値
は、この第４図からも明らかなように、セラミック基材
Ｂ３の厚さｔ２が最適厚さｔ２ｃに等しく々っだときで
あり、これは第３図に述べたセラミック基材Ｂ３の厚さ
ｔ２の最適条件と一致する。したがって前記（１）式を
満足する発熱素子１は同一発熱量に対して、最も小型で
省資源となるものを作ることができる。そして前記第３
図および第４図に示した関係は、発熱素子１と、内管路
６および加熱流路９を流れる流体との熱伝達率９発熱素
子１の形状５寸法、熱伝達率および発熱抵抗４の発熱量
等を入力して、数値計算を行なうことにより得られる。
以下に保持する場合に心裏な発熱素子１の外径Ｄ とセ
ラミック基材Ｂ３の厚さｔ２ との関係を示したもので
、所要の条件を満たす発熱素子１の外径Ｄ１ の最小値
は、この第４図からも明らかなように、セラミック基材
Ｂ３の厚さｔ２が最適厚さｔ２ｃに等しく々っだときで
あり、これは第３図に述べたセラミック基材Ｂ３の厚さ
ｔ２の最適条件と一致する。したがって前記（１）式を
満足する発熱素子１は同一発熱量に対して、最も小型で
省資源となるものを作ることができる。そして前記第３
図および第４図に示した関係は、発熱素子１と、内管路
６および加熱流路９を流れる流体との熱伝達率９発熱素
子１の形状５寸法、熱伝達率および発熱抵抗４の発熱量
等を入力して、数値計算を行なうことにより得られる。
上記した本発明の一実施例においては、従来例に比較し
て発熱素子１の表面温度の分布が均一になるため、表面
温度の最高値を低減させることカニできるという効果が
ある。また線状のヒータノくターンよりなる発熱抵抗体
４の加熱は多かれ、少なかれ不均一な加熱条件であり、
局部的に発熱素子１の表面温度が高い場所ができること
は避けられない。この温度分布のノくラツキは発熱抵抗
体４から２つのセラミック基材Ａ２とセラミック基材Ｂ
３の表面までの距離に関係し、従来例で示したようにセ
ラミック基材Ｂ３の厚さがかなり薄く構成されている場
合は、表面に局部的に温度の高い所が生ずるが、本発明
の一実施例においては、セラミック基材Ｂ３の厚さが比
較的厚く構成されているため、従来例に比べて均一な加
熱状態が実現できる・ また本発明の一実施例におけるセラミック基材Ａ２とセ
ラミック基材Ｂ３のそれぞれの厚さｔｌ。
て発熱素子１の表面温度の分布が均一になるため、表面
温度の最高値を低減させることカニできるという効果が
ある。また線状のヒータノくターンよりなる発熱抵抗体
４の加熱は多かれ、少なかれ不均一な加熱条件であり、
局部的に発熱素子１の表面温度が高い場所ができること
は避けられない。この温度分布のノくラツキは発熱抵抗
体４から２つのセラミック基材Ａ２とセラミック基材Ｂ
３の表面までの距離に関係し、従来例で示したようにセ
ラミック基材Ｂ３の厚さがかなり薄く構成されている場
合は、表面に局部的に温度の高い所が生ずるが、本発明
の一実施例においては、セラミック基材Ｂ３の厚さが比
較的厚く構成されているため、従来例に比べて均一な加
熱状態が実現できる・ また本発明の一実施例におけるセラミック基材Ａ２とセ
ラミック基材Ｂ３のそれぞれの厚さｔｌ。
ｔ２は上記したような手順で決定されている。したがっ
て本発明の一実施例においては、発熱素子１は、同一発
熱量に対して表面平均温度が最低となる条件をほぼ満足
するため、表面平均温度がスケール生成温度以下に保持
されることになり、その結果、コンパクトで省資源な温
水加熱装置が実現可能となった。
て本発明の一実施例においては、発熱素子１は、同一発
熱量に対して表面平均温度が最低となる条件をほぼ満足
するため、表面平均温度がスケール生成温度以下に保持
されることになり、その結果、コンパクトで省資源な温
水加熱装置が実現可能となった。
第６図は本発明の他の実施例を示したもので、この実施
例は、上記一実施例におけるセラミック基材Ｂ３を、薄
いセラミックテープ材１１で多層に構成したものである
。まだこの実施例は、セラミック基材３の最適な厚さｔ
２ｃが大きくなった場合に、この厚さを持つセラミック
基材Ｂ３をセラミック基材Ａ２に一度に巻いて焼成する
ことが困難である場合、あるいは最適厚さｔ２ｃを微妙
にコントロールする必要がある場合に適用するものであ
り、任意の最適厚さｔ２ｃに対応したセラミック基材Ｂ
３を製造することができる。
例は、上記一実施例におけるセラミック基材Ｂ３を、薄
いセラミックテープ材１１で多層に構成したものである
。まだこの実施例は、セラミック基材３の最適な厚さｔ
２ｃが大きくなった場合に、この厚さを持つセラミック
基材Ｂ３をセラミック基材Ａ２に一度に巻いて焼成する
ことが困難である場合、あるいは最適厚さｔ２ｃを微妙
にコントロールする必要がある場合に適用するものであ
り、任意の最適厚さｔ２ｃに対応したセラミック基材Ｂ
３を製造することができる。
以−Ｌのように本発明の温水加熱装置は、発熱素子を構
成する発熱抵抗体から２つのセラミック基材への熱伝達
量を配分して前記発熱素子の両側面表面平均温度が略等
しくなるように、前記２つのセラミック基材のうち、流
体流入口側のセラミツり基材の厚さを一定とした場合、
流体流出口側のセラミック基材の厚さを、最適な厚さに
設定するようにしているため、発熱素子の両側面表面平
均温度は、流体流入口より供給される使用最低流量また
は設定流量においてスケール生成温度以下に確実に保持
することができ、その結果、信頼性を著しく向−トさせ
ることができ、かつ発熱素子のコンパクト化もはかれる
ものである。
成する発熱抵抗体から２つのセラミック基材への熱伝達
量を配分して前記発熱素子の両側面表面平均温度が略等
しくなるように、前記２つのセラミック基材のうち、流
体流入口側のセラミツり基材の厚さを一定とした場合、
流体流出口側のセラミック基材の厚さを、最適な厚さに
設定するようにしているため、発熱素子の両側面表面平
均温度は、流体流入口より供給される使用最低流量また
は設定流量においてスケール生成温度以下に確実に保持
することができ、その結果、信頼性を著しく向−トさせ
ることができ、かつ発熱素子のコンパクト化もはかれる
ものである。
第１図は本発明の一実施例を示す温水加熱装置の一部破
断側面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図
は同温水加熱装置における発熱素子の表面平均温度Ｔ８
とセラミック基材Ｂの厚さｔ２との関係を示す説明図、
第４図は同発熱素子の外径とセラミック基材Ｂの厚さｔ
２との関係を示す説明図、第５図は本発明の他の実施例
を示す温水加熱装置における発熱素子の要部断面図、第
６図は従来の温水加熱装置の一部破断側面図、第７図は
第６図のＢ−Ｂ’線断面図、第８図は従来の円筒状面発
熱体の表面温度を示す展開グラフ、第９図は重炭酸カル
シウムのＰＨと温度と溶解度との関係を示すグラフであ
る。 １・・・・・・発熱素子、２，３・・・・・・セラミッ
ク基材、４・・・・・・発熱抵抗体、７・・・・・・流
体流入口、１ｏ・・・・流体流出口、１１・・・・・・
セラミックテープ材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠
１ 図 ｎ 第２図 第 ３ 図 第４図 １５図 ３ ε 第７図
断側面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図
は同温水加熱装置における発熱素子の表面平均温度Ｔ８
とセラミック基材Ｂの厚さｔ２との関係を示す説明図、
第４図は同発熱素子の外径とセラミック基材Ｂの厚さｔ
２との関係を示す説明図、第５図は本発明の他の実施例
を示す温水加熱装置における発熱素子の要部断面図、第
６図は従来の温水加熱装置の一部破断側面図、第７図は
第６図のＢ−Ｂ’線断面図、第８図は従来の円筒状面発
熱体の表面温度を示す展開グラフ、第９図は重炭酸カル
シウムのＰＨと温度と溶解度との関係を示すグラフであ
る。 １・・・・・・発熱素子、２，３・・・・・・セラミッ
ク基材、４・・・・・・発熱抵抗体、７・・・・・・流
体流入口、１ｏ・・・・流体流出口、１１・・・・・・
セラミックテープ材。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠
１ 図 ｎ 第２図 第 ３ 図 第４図 １５図 ３ ε 第７図
Claims (2)
- （１）２つのセラミック基材で発熱抵抗体を挾持して構
成した発熱素子と、この発熱素子の両側面に設けられ、
ｉ方は流体流入口と連通し、かつ他方は流体流出口と連
通ずる流通路とを備え、前記流体流入口より供給される
使用最低流量捷たは設定流量において、発熱抵抗体から
２つのセラミック基材への熱伝達量を配分して前記発熱
素子の両側面表面平均温度が略等しくなるように、前記
２つのセラミック基材のうち、流体流入口側のセラミン
ク基材の厚さを一定とした場合、流体流出口側のセラミ
ック基材の厚さを、最適な厚さに設定するようにした温
水加熱装置。 - （２）前記流体流出口側のセラミック基材を、セラミッ
クテープ材を多層巻きすることにより構成した特許請求
の範囲第１項記載の温水加熱装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063725A JPS58179765A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 温水加熱装置 |
| US06/455,244 US4563571A (en) | 1981-12-16 | 1982-12-10 | Electric water heating device with decreased mineral scale deposition |
| CA000417730A CA1205841A (en) | 1981-12-16 | 1982-12-15 | Water heating device |
| DE8282306725T DE3271699D1 (en) | 1981-12-16 | 1982-12-16 | Water heating device |
| EP82306725A EP0082025B1 (en) | 1981-12-16 | 1982-12-16 | Water heating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063725A JPS58179765A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 温水加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179765A true JPS58179765A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13237658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063725A Pending JPS58179765A (ja) | 1981-12-16 | 1982-04-15 | 温水加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179765A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57245A (en) * | 1980-06-02 | 1982-01-05 | Toto Ltd | Toilet bowl with washing apparatus |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063725A patent/JPS58179765A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57245A (en) * | 1980-06-02 | 1982-01-05 | Toto Ltd | Toilet bowl with washing apparatus |
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