JPS58106733A - イオン銃 - Google Patents
イオン銃Info
- Publication number
- JPS58106733A JPS58106733A JP56203724A JP20372481A JPS58106733A JP S58106733 A JPS58106733 A JP S58106733A JP 56203724 A JP56203724 A JP 56203724A JP 20372481 A JP20372481 A JP 20372481A JP S58106733 A JPS58106733 A JP S58106733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion gun
- groove
- insulator block
- electrode
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオンマイクロアナライザーなどのイオンビ
ーム応用機器に有用なイオン銃に関する。
ーム応用機器に有用なイオン銃に関する。
高輝度の細いイオンビームを放射するイオン銃として、
高電界中でガスや液体金属をイオン化する方式のイオン
銃が知られている。これは、第１図に示すように対向電
極２に対して正の高電圧を印加した針状チップ１にガス
や液体金属を供給し、針状チップ表面付近の高電界の作
用でこれをイオン化するものである。針状チップ１と対
向電極２０間には数ｋＶ以上の高電圧が印加されるので
針状チップの保持電極３は電気的絶縁性を持つ絶縁体ブ
ロック４に固定されている。この絶縁体ブロックは電気
絶縁性の良い石英、アルミナ、ステアダイト、ガラスな
どの材料が使用されている。近年この型のイオン銃の高
性能化のために針状チップ１と対向電極２０間に印加す
る電圧が上昇する傾向にある。さらにガスをイオン化す
る場合には針状チップ付近に有効にガスを供給する必要
があり簡便なガス供給方法が望まれている。
高電界中でガスや液体金属をイオン化する方式のイオン
銃が知られている。これは、第１図に示すように対向電
極２に対して正の高電圧を印加した針状チップ１にガス
や液体金属を供給し、針状チップ表面付近の高電界の作
用でこれをイオン化するものである。針状チップ１と対
向電極２０間には数ｋＶ以上の高電圧が印加されるので
針状チップの保持電極３は電気的絶縁性を持つ絶縁体ブ
ロック４に固定されている。この絶縁体ブロックは電気
絶縁性の良い石英、アルミナ、ステアダイト、ガラスな
どの材料が使用されている。近年この型のイオン銃の高
性能化のために針状チップ１と対向電極２０間に印加す
る電圧が上昇する傾向にある。さらにガスをイオン化す
る場合には針状チップ付近に有効にガスを供給する必要
があり簡便なガス供給方法が望まれている。
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、針状
チップと対向電極間の絶縁耐圧が大巻くしかもコンパク
トな形状のイオン銃を提供することにある。さらにはガ
スをイオン化する方式のイオン銃ではガス供給の簡便化
を計るものである。
チップと対向電極間の絶縁耐圧が大巻くしかもコンパク
トな形状のイオン銃を提供することにある。さらにはガ
スをイオン化する方式のイオン銃ではガス供給の簡便化
を計るものである。
以下１本発明の詳細な説明する。
針状チップと対向電極、もしくは針状チップとその周囲
の部品との耐１圧は、針状チップと対向電極あるいは周
囲部品との空間距離、針状チップを備えた電極から周囲
部品へ至る絶縁体ブロック上の縁面距離のいずれか低い
方によって決まる。
の部品との耐１圧は、針状チップと対向電極あるいは周
囲部品との空間距離、針状チップを備えた電極から周囲
部品へ至る絶縁体ブロック上の縁面距離のいずれか低い
方によって決まる。
不発＃１４らの実験によると、通常のイオン銃において
は後者によって耐電圧が決定されるのが大部分であるこ
とがわかった。これは、イオン銃の動作にともなって針
状チップから蒸発した金属、あるいはイオン衝撃によっ
て発生した不純物が絶縁体ブロック表面に付着して縁面
方向の絶縁耐圧が低下するのが王な原因である。これを
防ぐには絶縁体ブロックの外径を十分大きくすることが
可動であるが、この場合イオン銃の寸法が大きくなり過
ぎるという問題が生ずる。実用上はイオン銃は小さい程
望ましい。
は後者によって耐電圧が決定されるのが大部分であるこ
とがわかった。これは、イオン銃の動作にともなって針
状チップから蒸発した金属、あるいはイオン衝撃によっ
て発生した不純物が絶縁体ブロック表面に付着して縁面
方向の絶縁耐圧が低下するのが王な原因である。これを
防ぐには絶縁体ブロックの外径を十分大きくすることが
可動であるが、この場合イオン銃の寸法が大きくなり過
ぎるという問題が生ずる。実用上はイオン銃は小さい程
望ましい。
本発明のイオン銃は、絶縁体ブロックに電極を囲んで少
なくとも１つの溝を設けたことを特徴とする。後に図面
を用いて行なう説明から明らかなように、２つの電極を
同時に１の溝で囲むときは、少なくとも１つの溝があれ
ばよい。しかし、２つの電極のそれぞれ１つの溝で囲む
ときは、合せて２つの溝が必要である。
なくとも１つの溝を設けたことを特徴とする。後に図面
を用いて行なう説明から明らかなように、２つの電極を
同時に１の溝で囲むときは、少なくとも１つの溝があれ
ばよい。しかし、２つの電極のそれぞれ１つの溝で囲む
ときは、合せて２つの溝が必要である。
溝の幅Ｗ及び深さｔは、絶縁体ブロックの外径ｔ−Ｄ、
厚さをＴとするとき、 Ｄ１５０くＷくＤ／３ Ｔ１５０くｔくＴ／２ の範囲であることが好ましく、ΦとくにＴ／２０＜、ｔ
くＴ／２ の範囲であることがより好ましい。
厚さをＴとするとき、 Ｄ１５０くＷくＤ／３ Ｔ１５０くｔくＴ／２ の範囲であることが好ましく、ΦとくにＴ／２０＜、ｔ
くＴ／２ の範囲であることがより好ましい。
第２図囚に本発明のイオン銃の一実施例の断面図ｔ５ま
た第２図囚のＡ−Ａ断面を第２図の）に示す。第２図に
おいては、絶縁ブロックの上、下の両面に溝８を設けた
例を示したが上部の溝は必らずしも設ける必要はない、
下部の電極３を囲む溝があれば十分であるが、上部にも
設けた方がより効果が大きい。上記のように上部にも溝
を設けるときは、下部の溝と上部の溝の深さが、共にＴ
／２であれば絶縁ブロックが切断されてしまう。
た第２図囚のＡ−Ａ断面を第２図の）に示す。第２図に
おいては、絶縁ブロックの上、下の両面に溝８を設けた
例を示したが上部の溝は必らずしも設ける必要はない、
下部の電極３を囲む溝があれば十分であるが、上部にも
設けた方がより効果が大きい。上記のように上部にも溝
を設けるときは、下部の溝と上部の溝の深さが、共にＴ
／２であれば絶縁ブロックが切断されてしまう。
それ故、絶縁ブロックの厚さＴの約１／１ｏは、残す必
要がある。すなわち下部の溝の深さｔ、上部の溝の深さ
をｔ／とすれば、／、＋ｔ’く９／ＩＯＴであることが
必要である。
要がある。すなわち下部の溝の深さｔ、上部の溝の深さ
をｔ／とすれば、／、＋ｔ’く９／ＩＯＴであることが
必要である。
上記Ｗ及びｔの長さがＷ）Ｄ／４若しくはｔ＞Ｔ／２で
は溝が大きくなりすぎて絶縁体ブロックの強度が低下し
応力が集申すム角部にクラックが発生したりする。Ｗ＜
Ｄ１５０では一般的に工作上の困難が生じる。ｚ＜’ｒ
／２ｏでは耐電圧を有効に向上できなくなる。上記範囲
の溝８を電極３′ｆｔ囲む形で１ヶ以上設けることによ
り耐電圧は大１娼に向上する。溝を設けたことによる耐
電圧の向上は、電極３から溝を通った絶縁体ブロックの
対向電極までの縁面距離に比例して増大した。
は溝が大きくなりすぎて絶縁体ブロックの強度が低下し
応力が集申すム角部にクラックが発生したりする。Ｗ＜
Ｄ１５０では一般的に工作上の困難が生じる。ｚ＜’ｒ
／２ｏでは耐電圧を有効に向上できなくなる。上記範囲
の溝８を電極３′ｆｔ囲む形で１ヶ以上設けることによ
り耐電圧は大１娼に向上する。溝を設けたことによる耐
電圧の向上は、電極３から溝を通った絶縁体ブロックの
対向電極までの縁面距離に比例して増大した。
したがって、印加電圧の大小に応じて溝の深さや溝の数
を１当に選ぶことによって、目的の耐電圧を維持するこ
とがで粘る。
を１当に選ぶことによって、目的の耐電圧を維持するこ
とがで粘る。
第３図は溝を設けた絶縁体ブロックの他の実施例を示し
たものであり、イオン銃の側片目的、加工費用等に応じ
て任意に選ぶことができる。第３図（Ａ）、（Ｑ及び［
Ｆ］は、それぞれその断面図を、また■、０及び［Ｆ］
は、囚、０及び■のＡ−Ａ断面図をそれぞれ示す。
たものであり、イオン銃の側片目的、加工費用等に応じ
て任意に選ぶことができる。第３図（Ａ）、（Ｑ及び［
Ｆ］は、それぞれその断面図を、また■、０及び［Ｆ］
は、囚、０及び■のＡ−Ａ断面図をそれぞれ示す。
第３図■は、溝ラミ極軸に垂直に設けたものであり、こ
の場合も、耐電圧の向上には、囚、 （Ｃ１同様に有効
である。この場合、当然溝の深さｔは、電極が露出しな
い範囲に止める必要が６９、また溝の暢Ｗは、絶縁体ブ
ロックの外径りと厚さＴとを読みかえた前述と同じ範囲
、すなわちＴ１５０くＷくＴ／３ の範囲に定めることが必要である。
の場合も、耐電圧の向上には、囚、 （Ｃ１同様に有効
である。この場合、当然溝の深さｔは、電極が露出しな
い範囲に止める必要が６９、また溝の暢Ｗは、絶縁体ブ
ロックの外径りと厚さＴとを読みかえた前述と同じ範囲
、すなわちＴ１５０くＷくＴ／３ の範囲に定めることが必要である。
しかし、溝を電極軸に対して喬直に堀るため絶縁体ブロ
ックの外径が第３図（２）、０に比べて大きくなるとい
う間趙点もある。コンパクトな外径の小さいイオン銃を
製造する点では第３図（５）、０のように＃Ｉを電極軸
と実質的に平行に掘る方が望ましい。
ックの外径が第３図（２）、０に比べて大きくなるとい
う間趙点もある。コンパクトな外径の小さいイオン銃を
製造する点では第３図（５）、０のように＃Ｉを電極軸
と実質的に平行に掘る方が望ましい。
第４図は、ガスをイオン化する方式のイオン銃の主要部
を示したもので、ここでは耐電圧向上のための溝８に加
えてガス供給用の孔９が絶縁体ブロックに設けられてい
る。ガスをイオン化する方式のイオン銃においてイオン
化効率を上げるためには針状チップ１と供給ガスをほぼ
同じ温度に冷却することが必要である。′第４図に示す
イオン銃は、この目的の丸めに望ましい構成であり、ガ
スは絶縁体ブロックを貞いて設けられた孔９ｔ−通過す
る過程で絶縁体ブロックとほぼ同じ温度になる。
を示したもので、ここでは耐電圧向上のための溝８に加
えてガス供給用の孔９が絶縁体ブロックに設けられてい
る。ガスをイオン化する方式のイオン銃においてイオン
化効率を上げるためには針状チップ１と供給ガスをほぼ
同じ温度に冷却することが必要である。′第４図に示す
イオン銃は、この目的の丸めに望ましい構成であり、ガ
スは絶縁体ブロックを貞いて設けられた孔９ｔ−通過す
る過程で絶縁体ブロックとほぼ同じ温度になる。
針状チップは絶縁体ブロックに固定されているため、は
ぼＣれと同温度にあり、第４図に示すイオン銃の場合ガ
スのイオン化が効率的に行なわれる。
ぼＣれと同温度にあり、第４図に示すイオン銃の場合ガ
スのイオン化が効率的に行なわれる。
さらに絶縁体ブロックを通してガスを供給する方式を採
用することによってイオン銃の形が単純化できる４−の
で、イオン銃製造のコストが低減化することも可能とな
る。図において１１は、冷却器のヘッドである。
用することによってイオン銃の形が単純化できる４−の
で、イオン銃製造のコストが低減化することも可能とな
る。図において１１は、冷却器のヘッドである。
なお、本発明は、第４図の形状に限定されるものではな
く、ガス供給は、第１図の従来のような方法をとっても
さしつかえない。
く、ガス供給は、第１図の従来のような方法をとっても
さしつかえない。
以下、実施例について述べる。
実施例１
絶縁体ブロック材料に焼結体アルＺすを用いて、第２図
に示した構造のイオン銃を作製した。Ｗから成る針状チ
ップを液体Ｇａでぬらし、Ｇａイオン銃として用いた。
に示した構造のイオン銃を作製した。Ｗから成る針状チ
ップを液体Ｇａでぬらし、Ｇａイオン銃として用いた。
絶縁体ブロックの外径Ｄ１厚さＴ１溝のｄ ｗ 、溝の
深さ１１、Ｄ＝＝１２ａａ。
深さ１１、Ｄ＝＝１２ａａ。
Ｔ＝２０闘、Ｗ＝２ｍ％ ｔ＝Ｓ―とした。
１０−”Ｔｏｌｌの真空中で、針状チップと対向電極間
の耐電圧を測定したところ１５ｋＶ以上おることがわか
った。さらに、イオン銃ｔ−１００時間以上動作させて
も１５ｋＶ以上の耐電圧特性が保たれた。これに対し、
溝を設けない同じ寸法の絶縁体ブロックを設けないイオ
ン銃では５０〜９０時間で耐電圧特性が劣化し、１０〜
１５ｋＶでリーク電流が流れ始めた。＃上膜けた絶縁体
ブロックを使用することにより、耐電圧特性が向上する
ことがわかった。
の耐電圧を測定したところ１５ｋＶ以上おることがわか
った。さらに、イオン銃ｔ−１００時間以上動作させて
も１５ｋＶ以上の耐電圧特性が保たれた。これに対し、
溝を設けない同じ寸法の絶縁体ブロックを設けないイオ
ン銃では５０〜９０時間で耐電圧特性が劣化し、１０〜
１５ｋＶでリーク電流が流れ始めた。＃上膜けた絶縁体
ブロックを使用することにより、耐電圧特性が向上する
ことがわかった。
実施例２
ステアダイ）ヲ用いて第３図（Ａ）ＶＣ示した構造の絶
縁体ブロックを作製しこれを用いてイオン銃を作製した
。絶縁体ブロックの外径Ｄ５厚さＴ１溝の幅Ｗ％ ｍｌ
の深さ１１、Ｄ＝ ２０ｗｎ、 Ｔ＝ ３０ｔｘｘ。
縁体ブロックを作製しこれを用いてイオン銃を作製した
。絶縁体ブロックの外径Ｄ５厚さＴ１溝の幅Ｗ％ ｍｌ
の深さ１１、Ｄ＝ ２０ｗｎ、 Ｔ＝ ３０ｔｘｘ。
Ｗ＝ １．５１０１ｔ Ｌ＝ １０ｗｎとした。この場
合も実施例１とほぼ同様の効果が認められた。
合も実施例１とほぼ同様の効果が認められた。
実施例３
ガラスを用いて第３図（Ｑに示した構造の絶縁体ブロッ
クを作製−これを用いたイオン銃ヲ製造した。絶縁体ブ
ロックの外径り、厚さＴをＤ＝１０ｍｍ、Ｔ＝２０ｓｇ
Ｉとした。溝の寸法は幅Ｗ＝１１ｇ。
クを作製−これを用いたイオン銃ヲ製造した。絶縁体ブ
ロックの外径り、厚さＴをＤ＝１０ｍｍ、Ｔ＝２０ｓｇ
Ｉとした。溝の寸法は幅Ｗ＝１１ｇ。
深さは針状チップの電極側で１ ＝ ５ ｍｍ、反対側
でｔ＝１３ｗｍとした。イオン耽を１００時間以上動作
させても、１０ｋＶ以上の耐電圧を保つことができた。
でｔ＝１３ｗｍとした。イオン耽を１００時間以上動作
させても、１０ｋＶ以上の耐電圧を保つことができた。
実施例４
絶縁体ブロック材料にサファイアを用いて、第４図に示
した構造のイオン銃を作製した。絶縁体ブロック４の外
径Ｄ：３０１１１％厚さＴ＝４０ｍ。
した構造のイオン銃を作製した。絶縁体ブロック４の外
径Ｄ：３０１１１％厚さＴ＝４０ｍ。
とし−針状チップを取付けた側に設けた溝の寸法を内側
の溝の幅ｗ＝２■、深さｔ＝１０ｗｍｓ外側の溝の幅Ｗ
＝４ｓａｇ、深さｔ＝ １８ Ｅｌｌ、これらと反対側
に設けた溝の幅Ｗ＝２ｒｘｘ、深さ１９ｍとした。
の溝の幅ｗ＝２■、深さｔ＝１０ｗｍｓ外側の溝の幅Ｗ
＝４ｓａｇ、深さｔ＝ １８ Ｅｌｌ、これらと反対側
に設けた溝の幅Ｗ＝２ｒｘｘ、深さ１９ｍとした。
さらにガス供給用の直径１簡の孔９を絶縁体ブロックを
貫いて設けた。針状チップ１として＜１１１＞方位を持
つ工ｒチップ會用いて、ガス供給管１０を通して、Ｈ＊
＊ Ｈｅ ＠ Ｎ ｅ ＠ Ａ ｒ ＋ Ｘ ｅ Ｉ
Ｋ ｒ ｇＮ、などのガスを針状チップ先端部へ導入
し、上記ガスのイオンを発生させた。、イオン化効率を
上げるためにイオン銃全体は冷却器のヘッド１１に取９
つけられており、４〜２００にの範囲の最適温度に設定
できるように構成した。針状チップｌと対向電極２６関
の耐電圧は３０ｋＶ以上であった。上記のいずれのガス
を用いてもいずれも１００時間以上にわたって３０ｋＶ
以上の耐電圧特性を得ることができ、イオン銃として安
定に動作した。
貫いて設けた。針状チップ１として＜１１１＞方位を持
つ工ｒチップ會用いて、ガス供給管１０を通して、Ｈ＊
＊ Ｈｅ ＠ Ｎ ｅ ＠ Ａ ｒ ＋ Ｘ ｅ Ｉ
Ｋ ｒ ｇＮ、などのガスを針状チップ先端部へ導入
し、上記ガスのイオンを発生させた。、イオン化効率を
上げるためにイオン銃全体は冷却器のヘッド１１に取９
つけられており、４〜２００にの範囲の最適温度に設定
できるように構成した。針状チップｌと対向電極２６関
の耐電圧は３０ｋＶ以上であった。上記のいずれのガス
を用いてもいずれも１００時間以上にわたって３０ｋＶ
以上の耐電圧特性を得ることができ、イオン銃として安
定に動作した。
第１図は高電界中でガスをイオン化する方式のイオン銃
を示す断面図、第２図囚及び■は本発明のイオン銃の一
例を示す断面図、第３図囚、■。 （Ｑ、（［）、［Ｆ］及び［Ｆ］は本発明によるイオン
銃の絶縁体ブロックの形状の他の実施例を示す断面図、
第４図は、本発明によるガスイオン発生用のイオン銃の
構成を示す図である。 ■・・・針状チップ、２・・・対向電極、３・・・針状
チップの保持電極、４・・・絶縁体ブロック、５・・・
リークパルプ、６・・・ガスボンベ、７川イオンビーム
用レンズ、８・・・溝、９・・・ガス供給用の孔、１０
・・・ガス併重 １ 図
を示す断面図、第２図囚及び■は本発明のイオン銃の一
例を示す断面図、第３図囚、■。 （Ｑ、（［）、［Ｆ］及び［Ｆ］は本発明によるイオン
銃の絶縁体ブロックの形状の他の実施例を示す断面図、
第４図は、本発明によるガスイオン発生用のイオン銃の
構成を示す図である。 ■・・・針状チップ、２・・・対向電極、３・・・針状
チップの保持電極、４・・・絶縁体ブロック、５・・・
リークパルプ、６・・・ガスボンベ、７川イオンビーム
用レンズ、８・・・溝、９・・・ガス供給用の孔、１０
・・・ガス併重 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 イオン発生用の針状チップを備えた電極と、該電
極を保持しかつ外部に対して電気的絶縁性を持つ絶縁体
ブロックを具備するイオン銃において、上記絶縁体ブロ
ックに上記電極を囲む少なくとも１つ以上の溝を設けて
なることｔ−特徴とするイオン銃。 ２ 上記溝は、上記絶縁体ブロック中の電極軸と！１ｌ
ｊ−的に平行に設けられ、上記絶縁体ブロックの外径ｔ
−Ｄ、厚さ’ｋＴとするとき、上記溝の幅Ｗ及び深さｔ
がそれぞれ Ｄ１５０くＷくＤ／３ Ｔ１５０＜、ｔ＜、Ｔ／２ の範囲の値である特許請求の範囲第１項記載のイオン銃
。 λ 上記溝の深さｔが Ｔ ／ ２０ ＜ｔ＜Ｔ／ ２ の範囲の値である特許請求の範囲第２項記載のイオン銃
。 ４、上記溝は、上記絶縁体ブロック中の電極軸に画直に
設けられている特許請求の範囲第１項記載のイオン銃。 ５、上記溝の深さは、上記電極軸が露出しない範Ｈの深
さであシ、上記溝の幅Ｗは、上記絶縁体ブロックの厚さ
’ｔ−Ｔとするとき Ｔ１５０くＷ＜Ｔ／３ の範囲であるｗＷ！ＩＦｎ求の範囲第１項記載のイオン
銃。 ６、上記溝は、上記絶縁体ブロックの上部及び下部にそ
れぞれ少なくとも１つ以上設けられている特許請求の範
囲第１項記載のイオン銃。 ７、上記溝は、上記絶縁体ブロック中の電極軸と実質的
に平行に設けられ、上記絶縁体ブロックの外径ｔＤ、厚
さ′ｔＴとするとき、上記上部の溝の幅Ｗ′及び深さｔ
′並びに下部の溝の幅Ｗ及び深さｔがそれぞれ Ｄ１５０＜Ｗ’ ＜Ｄ／３ Ｔ１５０＜、ｔ’ ＜Ｔ／２ Ｄ１５０くＷくＤ／３ Ｔ１５０く／、くＴ／２ の範囲の唾であり、かつｔ＋ｔ’の値がＬ＋１’ り９
／ １０ Ｔ の範囲の値である特許請求の範囲第６項記載のイオン銃
。 ８、 上記溝の深さｔ′及びｔが Ｔ／２０りｔ’ ＜、Ｔ／２ Ｔ／２０くｔ＜、Ｔ／２ の範囲の値である特許請求の範囲第７項記載のイオン銃
。 ９、上記溝に、上記絶縁体ブロック中の電極軸に垂直に
、かつ上記絶縁体ブロックの上部及び下部にそれぞれ少
なくと４１つ以上設けられている特許請求の範囲第１項
記載のイオン銃。 １０、上記溝は、上記電極の１つにつき少なくとも１つ
設けられてｉる特ｆＦｔｐ＋求の範囲第１項記載のイオ
ン銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203724A JPS58106733A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | イオン銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203724A JPS58106733A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | イオン銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106733A true JPS58106733A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16478794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203724A Pending JPS58106733A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | イオン銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106733A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140663U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | ||
| JP2017204342A (ja) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 松定プレシジョン株式会社 | 絶縁構造、荷電粒子銃及び荷電粒子線応用装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4937700B1 (ja) * | 1970-12-21 | 1974-10-11 |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56203724A patent/JPS58106733A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4937700B1 (ja) * | 1970-12-21 | 1974-10-11 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140663U (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | ||
| JP2017204342A (ja) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 松定プレシジョン株式会社 | 絶縁構造、荷電粒子銃及び荷電粒子線応用装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2749679B2 (ja) | 基板を被覆する方法及び装置 | |
| SU682150A3 (ru) | Ионный двигатель | |
| US2447377A (en) | Device for regulating electrical discharge | |
| US3866074A (en) | Magnetic spark spreader | |
| US6894589B2 (en) | Radio frequency resonator and method for producing the same | |
| US3329849A (en) | Electron gun apparatus with heat sink means for supporting filament and grid | |
| US3476971A (en) | Apparatus for plasma processing | |
| US4930137A (en) | Inorganic triple point screen | |
| CN110957254A (zh) | 一种无烧结的氮化铝的静电卡盘 | |
| JP2647866B2 (ja) | 電子管封止構造 | |
| RU2209483C2 (ru) | Электронно-ионный источник | |
| JP2813377B2 (ja) | カソード電極の製造方法 | |
| JPS60149214A (ja) | 表面弾性波素子の電極 | |
| JPS5797633A (en) | Hybrid integrated circuit | |
| RU2233505C2 (ru) | Газоразрядный источник ионов | |
| JPS55154790A (en) | Silent discharge type gas laser | |
| Miljević | Some characteristics of the hollow‐anode ion source | |
| JPH02174041A (ja) | プラズマ電子イオン放射源のホロー陰極 | |
| JPS57119436A (en) | Impregnated type cathode | |
| JPS58135544A (ja) | 電界電離型イオン源 | |
| JPH05131276A (ja) | プラズマ切断トーチ | |
| JPS6220227A (ja) | イオン源 | |
| CN1017484B (zh) | 具有改进的电弧抑制装置的阴极射线管 | |
| KR19990068198A (ko) | 냉음극소자 | |
| JPS55108787A (en) | Rare gas ion laser tube |