JPS6220227A - イオン源 - Google Patents

イオン源

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Publication number
JPS6220227A
JPS6220227A JP60158241A JP15824185A JPS6220227A JP S6220227 A JPS6220227 A JP S6220227A JP 60158241 A JP60158241 A JP 60158241A JP 15824185 A JP15824185 A JP 15824185A JP S6220227 A JPS6220227 A JP S6220227A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion source
shape
present
ion
shielding plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP60158241A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Hashimoto
勲 橋本
Yuzo Oka
岡 勇蔵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60158241A priority Critical patent/JPS6220227A/ja
Publication of JPS6220227A publication Critical patent/JPS6220227A/ja
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はイオン注入機やイオンビーム加工機に係り、特
に、処理対象物の形状、大きさが変る場合に好適なイオ
ン源に関する。
〔発明の背景〕
ワイ・アンド−他4名“ア ニュー マシンフォー フ
ィルム フォーメーション バイ イオン アンド ペ
ーパー デポジション”ニュークリア インストラメン
ト アンド メソズ イン フィジックス リサーチ 
ビー6(1985)111−115Y、andoh他4
名”a New Machine f。
r Film For+mation by Ion 
and Vapo+++rDesposition” 
Nuclear Tnstrua+*ent and 
Methodsin Phsicg Re5earch
 B6(1985) 111−115に記載のイオン注
入による金属の表面改質や、薄膜作成装置は、イオン源
の電極の大きさいっばいのビームを試料に当っている。
しかし、装置が大形化し、イオン源が大きくなって来た
時に、処理対象が細長いものや、小形のものでは、処理
対象に当らないビームは、エネルギを損するばかりでな
く、不必要な所を加熱したり、それによる不純ガスの発
注など、試料形状の変化には論及されていなかった。
トカソード間のインピーダンスより高く、コンデンサに
は電流が流れない。従って、オンゲート電流の転流によ
り急峻な立上りのゲート電流を供給する効果は得られな
い。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、急峻な立上りのオンゲート電流をスイ
ッチング素子に供給する駆動回路を提供することにある
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、スイッチング素子の制御端子にオンゲ
ート電流を転流させる機能をもつ並列口″:′−を設け
たことにある。すなわち、本発明では駆動回路に並列な
形で、転流機能をもつ回路をスイッチング素子の制御端
子にインダクタンスを無視できる程度の配線長で接続し
、ターンオン開始直後には配線インダクタンスの影響を
受けるオンゲート電流をこの並列回路に流すようにした
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を第1図により説明する。
第1図は、スイッチング素子1にG T Oを用いれば
、大形のイオン源でも、エネルギ損、不要部の加熱、ガ
スの発生なく、効率および処理性能の良い各種試料形状
に対応可能なイオンの注入及び加工ができる。
第3図は本発明のしゃへい板を複数の板7で構成し、各
々の板をピン8を軸に回転させることにより、しやへい
板の孔形状を連続的に変えられるようにしたものである
また、第4図は本発明の他の実施例である。第3図のよ
うなしやへい板9を10のベローを通しイオン源外部か
ら、しやへい板の孔形状を変えられるようにしたもので
ある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、試料形状に応じイオンビームの形状を
制御できるので、不要箇所の加熱、不低ガスの発生を妨
げるため、経済的で性能のよい処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のイオン源構造の断面図、第
2図は、第1図に用いられているしやへい板の平面図、
第3図は本発明のしゃへい板の平面図、第4図は本発明
のイオン源の断面図である。 1・・・プラズマ室、2,3.4・・・多孔電極、5・
・フィラメント、6・・・しやへい板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、プラズマ室と、そのプラズマからイオンを引出すた
    めの多数の孔をあけた複数の電極を設けたイオン源にお
    いて、 前記電極の前記プラズマ室側に、引出しビームの形状を
    変えるため、必要ビーム形状の孔のあけた遮へい板を取
    付けたことを特徴とするイオン源。 2、特許請求の範囲第1項において、前記遮へい板が移
    動することにより前記孔の形状を変えられるように構成
    したことを特徴とするイオン源。 3、特許請求の範囲第2項において、 前記遮へい板の前記孔の形状を変えるための操作が外部
    より可能なように構成したことを特徴とするイオン源。
JP60158241A 1985-07-19 1985-07-19 イオン源 Pending JPS6220227A (ja)

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JP60158241A JPS6220227A (ja) 1985-07-19 1985-07-19 イオン源

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JPS6220227A true JPS6220227A (ja) 1987-01-28

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JP (1) JPS6220227A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63139753U (ja) * 1987-03-06 1988-09-14
JP2011065968A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Ulvac Japan Ltd イオンビーム照射装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63139753U (ja) * 1987-03-06 1988-09-14
JP2011065968A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Ulvac Japan Ltd イオンビーム照射装置

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