JPS581068A - 金属化合物皮膜の形成法 - Google Patents
金属化合物皮膜の形成法Info
- Publication number
- JPS581068A JPS581068A JP9835481A JP9835481A JPS581068A JP S581068 A JPS581068 A JP S581068A JP 9835481 A JP9835481 A JP 9835481A JP 9835481 A JP9835481 A JP 9835481A JP S581068 A JPS581068 A JP S581068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- metal halide
- mixed gas
- hydrogen
- halide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発喝は、金属化合物ｌＬ膜の形成法に係り、詳しくは
、絢−で美麗で経時的に安定な光沢を有ししかも耐擦傷
性に優れ、装飾用などに好適な金属窒化物皮膜の形成法
（関する〇 従来、腕時計の装飾用金側等として窒化チタン（ＴＩＮ
）の皮膜をｃｖｎ法により形成する試みがなされてい
る。このように、ＴＩＮの皮膜は研磨すると金属光沢を
有し、しかもその色調が所謂金色であるため装飾用に適
することが知られている。しかし、ＣＶＤ法により形成
した丁ｌＮ皮膜は、表面状態が粗雑であるため、前記の
よう化研磨しなければ装飾用としては使用−一である上
に、ＴＩＮ等の金属窒化物は一赦に非常＜ａ＜て研磨は
大変であツタ０ソノ他、ＣＶＤ法は、９００〜１４００
℃というかなり高温での処理が必要なため、エネルギー
ロスが大きい上に被処理体の材料や形状が制約６れると
いう不利な点や、ガス導入口側から排出口側へ濃度勾配
ができ、製品の品質にもばらつきが生じ墨いという欠点
もある。また、研磨の必要性やエネルギーロスのため製
品コストが高くなるという不都金もあった。
、絢−で美麗で経時的に安定な光沢を有ししかも耐擦傷
性に優れ、装飾用などに好適な金属窒化物皮膜の形成法
（関する〇 従来、腕時計の装飾用金側等として窒化チタン（ＴＩＮ
）の皮膜をｃｖｎ法により形成する試みがなされてい
る。このように、ＴＩＮの皮膜は研磨すると金属光沢を
有し、しかもその色調が所謂金色であるため装飾用に適
することが知られている。しかし、ＣＶＤ法により形成
した丁ｌＮ皮膜は、表面状態が粗雑であるため、前記の
よう化研磨しなければ装飾用としては使用−一である上
に、ＴＩＮ等の金属窒化物は一赦に非常＜ａ＜て研磨は
大変であツタ０ソノ他、ＣＶＤ法は、９００〜１４００
℃というかなり高温での処理が必要なため、エネルギー
ロスが大きい上に被処理体の材料や形状が制約６れると
いう不利な点や、ガス導入口側から排出口側へ濃度勾配
ができ、製品の品質にもばらつきが生じ墨いという欠点
もある。また、研磨の必要性やエネルギーロスのため製
品コストが高くなるという不都金もあった。
また、イオンブレーティング法により、装飾用金属窒化
物皮膜を形成する試みもなされているが、皮膜の均質性
、大量処理性の点で劣り、工業的レベルの実施には不適
幽である。
物皮膜を形成する試みもなされているが、皮膜の均質性
、大量処理性の点で劣り、工業的レベルの実施には不適
幽である。
これらに対し、チタン、ジルコニウム、ハフニウム等の
ハロゲン化物（例えばＴ Ｉ ＣＬ、など）と水嵩と窒
素からなる混合ガス雰囲気内に被処理基体を一極として
設置し、諌基体の周囲化直流グロー放電を形成すること
により、基体表面〈金属電化−皮膜を形成する方法はＣ
ＶＤ法はど高温を必要とせず、エネルギー効率が高く、
大量処ｍ＠に優れていることがわかっている０この方法
では、反応用のガス分子がグロー放電により活性化され
、水素が金属ハロゲン化物を還元し還元された金属は窒
素と反応して金属窒化物として基体表面に堆積すること
により皮膜を形成する。金属ハロゲン化物中のハロゲン
はハロゲン化水素として除去されることになる。
ハロゲン化物（例えばＴ Ｉ ＣＬ、など）と水嵩と窒
素からなる混合ガス雰囲気内に被処理基体を一極として
設置し、諌基体の周囲化直流グロー放電を形成すること
により、基体表面〈金属電化−皮膜を形成する方法はＣ
ＶＤ法はど高温を必要とせず、エネルギー効率が高く、
大量処ｍ＠に優れていることがわかっている０この方法
では、反応用のガス分子がグロー放電により活性化され
、水素が金属ハロゲン化物を還元し還元された金属は窒
素と反応して金属窒化物として基体表面に堆積すること
により皮膜を形成する。金属ハロゲン化物中のハロゲン
はハロゲン化水素として除去されることになる。
ところが、水素が反応ガス中に比較的多量に含まれてい
る場合には還元がすみやか化進行してハロゲンはハロゲ
ン化水素として除去されるが、水嵩が少ない場合化は形
成された金属窒化物皮膜にハロゲンが残留する傾向がか
なりある・残留ハロゲンは形成した＊＊に光沢むらやく
もりあるいは斑点模様を皮ｌＩ形成時にあるいは経時的
ｌこ生じさせる原因になる。このような光沢むらなどは
、装飾用としては重大な欠陥であり、とても実用化は困
難である・勿論、常に水素を多量化すればハロゲンの残
留をかなり避けることはできるが、得られる金属窒化物
皮膜の色調は使用する混合ガスの組成を変えること番こ
より調節することができるため、目的とする色調によっ
ては水素量を少なくせざるを得ない。
る場合には還元がすみやか化進行してハロゲンはハロゲ
ン化水素として除去されるが、水嵩が少ない場合化は形
成された金属窒化物皮膜にハロゲンが残留する傾向がか
なりある・残留ハロゲンは形成した＊＊に光沢むらやく
もりあるいは斑点模様を皮ｌＩ形成時にあるいは経時的
ｌこ生じさせる原因になる。このような光沢むらなどは
、装飾用としては重大な欠陥であり、とても実用化は困
難である・勿論、常に水素を多量化すればハロゲンの残
留をかなり避けることはできるが、得られる金属窒化物
皮膜の色調は使用する混合ガスの組成を変えること番こ
より調節することができるため、目的とする色調によっ
ては水素量を少なくせざるを得ない。
上述したような、残留ハロゲンの悪影替は窒化物皮膜を
形成する場合ばかりでなく、炭化物、炭窒化物あるいは
酸化−皮膜を形成する場合にもあり、外観上の難点に加
え、機能上の問題も懸念されている。
形成する場合ばかりでなく、炭化物、炭窒化物あるいは
酸化−皮膜を形成する場合にもあり、外観上の難点に加
え、機能上の問題も懸念されている。
そこで本発明の目的は、グロー放電を利用する金属化合
物皮膜形成法の改良に係り、光沢むら、くもり、斑点模
様などが生じない、経時的にも安定で光沢を有する金属
化合物皮膜形成法を提供することにある。
物皮膜形成法の改良に係り、光沢むら、くもり、斑点模
様などが生じない、経時的にも安定で光沢を有する金属
化合物皮膜形成法を提供することにある。
本発明は、金属ハロゲン化物と、水素と、前記金属ハロ
ゲン化物と反応して金属化合物皮膜を形成し得る化合物
からなる混合ガス雰囲気内に被処理基体を一極として設
置し、諌基体の周囲＆ｃ１１流グロー放電空間を形成す
ることに劣り基体表面に金属化合物ＩＩＬｊｉＩを形成
し；次いで前記基体を水素雰囲気内に設置し、諌基体の
周囲に下記条件でグロー款電空関を形成して錫層するこ
とを特徴とする装飾用金属窒化物皮膜の形成法： 水素ガス圧・・・０．５〜５テ・ｒｒ 。
ゲン化物と反応して金属化合物皮膜を形成し得る化合物
からなる混合ガス雰囲気内に被処理基体を一極として設
置し、諌基体の周囲＆ｃ１１流グロー放電空間を形成す
ることに劣り基体表面に金属化合物ＩＩＬｊｉＩを形成
し；次いで前記基体を水素雰囲気内に設置し、諌基体の
周囲に下記条件でグロー款電空関を形成して錫層するこ
とを特徴とする装飾用金属窒化物皮膜の形成法： 水素ガス圧・・・０．５〜５テ・ｒｒ 。
印加電圧・・・４００Ｖ〜４ＫＶの直流電圧。
被処理基体の温度・・・０〜５００℃。
被処理基体に流れる電流の電５１賓縦
・・・０．１５〜１０１−０
使用する金属きしては、チタン、ジルコニウム、タンタ
ル、ハフニウムがあげられ、その他案用に供し得る１ｍ
皺の＊１の化合物皮膜を形成し得る金属なら使用できる
。これらのハロゲン化物としては例えば四塩化チタン、
１ｌＳｊ塩化ジルコニウム、四塩化ハフニウム、五塩化
タンタルなどがあげられる。
ル、ハフニウムがあげられ、その他案用に供し得る１ｍ
皺の＊１の化合物皮膜を形成し得る金属なら使用できる
。これらのハロゲン化物としては例えば四塩化チタン、
１ｌＳｊ塩化ジルコニウム、四塩化ハフニウム、五塩化
タンタルなどがあげられる。
前記金鋼ハロゲン化物と反応して金属化合物皮−を形成
する物質としては、′ｉ７１累もしくはアンモニア（窒
化物皮ＩＩ）、炭化水嵩（炭化物ａｌｌ）：窒素もしく
はアンモニアと、炭化水Ｓ（嶽窒化物皮膜）Ｓ１１票、
二酸化責嵩勢の酸素含有物質（主として酸化物皮膜）な
どがあげられる・前記において嵐化水嵩の具体例として
は、メタン、エタン、エチレン、アセチレンなど広く用
いることができるＯ なお、窒化物、炭窒化物、炭化物からなる皮膜を形成す
る場合のハロゲン化物としては、チタン、ジルコニウム
、タンタル、ハフニウム、クロム、ニオブ、タングステ
ン、パサジウム、ケイ素、及びホウ素から選ばれた金属
のハロゲン化物が適する◎また・酸化物皮膜を形成する
場合のハロゲン化物としては、ケイ素、チタン、ジルコ
ニウム、アルミニウム、クロム、反ズ、インジウム、お
よびアンチモンから選ばれた金属のハロゲン化物があげ
られる。
する物質としては、′ｉ７１累もしくはアンモニア（窒
化物皮ＩＩ）、炭化水嵩（炭化物ａｌｌ）：窒素もしく
はアンモニアと、炭化水Ｓ（嶽窒化物皮膜）Ｓ１１票、
二酸化責嵩勢の酸素含有物質（主として酸化物皮膜）な
どがあげられる・前記において嵐化水嵩の具体例として
は、メタン、エタン、エチレン、アセチレンなど広く用
いることができるＯ なお、窒化物、炭窒化物、炭化物からなる皮膜を形成す
る場合のハロゲン化物としては、チタン、ジルコニウム
、タンタル、ハフニウム、クロム、ニオブ、タングステ
ン、パサジウム、ケイ素、及びホウ素から選ばれた金属
のハロゲン化物が適する◎また・酸化物皮膜を形成する
場合のハロゲン化物としては、ケイ素、チタン、ジルコ
ニウム、アルミニウム、クロム、反ズ、インジウム、お
よびアンチモンから選ばれた金属のハロゲン化物があげ
られる。
第２工楊である、水素雰囲気中でのグロー放電による後
処理工程に本発明の生な脣微かある・この処理によって
、会員窒化物皮膜にたとえ塩素などのハロゲンがＩＩＩ
Ｉしてぃたとしても水嵩により還元されハロゲン化水素
として除去される。このとき、生成したイオンによるス
パッタリング作用も起り、皮膜表面の洗浄化も進行し、
経時的に安定な美しい光沢の皮膜を得ることができる。
処理工程に本発明の生な脣微かある・この処理によって
、会員窒化物皮膜にたとえ塩素などのハロゲンがＩＩＩ
Ｉしてぃたとしても水嵩により還元されハロゲン化水素
として除去される。このとき、生成したイオンによるス
パッタリング作用も起り、皮膜表面の洗浄化も進行し、
経時的に安定な美しい光沢の皮膜を得ることができる。
なお、１体を加熱して処理すると、より大きな効果が得
られる。処理時間は、大体１０〜３０分で十分である０
丈た、グロー放電を行う際には、被処理基体を陰極とし
て直流により行った方がより均一な処理が達成される。
られる。処理時間は、大体１０〜３０分で十分である０
丈た、グロー放電を行う際には、被処理基体を陰極とし
て直流により行った方がより均一な処理が達成される。
図面は、本発明の方法を実施するための装置を模式的に
示した図で、今、窒化物形成用に調整されている。
示した図で、今、窒化物形成用に調整されている。
この処理装置は、反応容器１と、＃反応容器のガス供給
口２〈配′＃３を介して原料ガスを供給するガス供給系
４と、反応容Ｉ１１の排気口５に接続された排気系６（
図示略）とから構成されている。
口２〈配′＃３を介して原料ガスを供給するガス供給系
４と、反応容Ｉ１１の排気口５に接続された排気系６（
図示略）とから構成されている。
反応容Ｉ１１の内部には、被処理基体７を電気的に導通
した状態で設置し得るような板状陰極８が水平に支持さ
れ、陰極８の一端９は絶縁真空シール１０を介して反応
容４６１の外部へ導出されている。
した状態で設置し得るような板状陰極８が水平に支持さ
れ、陰極８の一端９は絶縁真空シール１０を介して反応
容４６１の外部へ導出されている。
才た、陰極８の上方には、対抗電極（陽極）１１が適宜
Ｏ間隔（この例では１０ ａｓ ）をおいて支持されて
いて、その一端１２も絶縁真空シール１３を介して反応
！！！！１の外部へ導出されている。
Ｏ間隔（この例では１０ ａｓ ）をおいて支持されて
いて、その一端１２も絶縁真空シール１３を介して反応
！！！！１の外部へ導出されている。
各電極は・配線１４により直流電源１５のしかるべき端
子に接続され、陽極側はアース１６により接地されてい
る。板状陰極８の下面にはヒータ１７が設けられ、この
ヒータは絶縁真空シール１８を介してヒータ用電源１９
に接続されている。このヒータの働きにより、陰極８の
上に設置した基体を所望の温度に加熱することができる
。また、反応容Ｉｓ１には展圧方針２０が設けられてい
て、容器内圧力を測定することができる◎更に、反応容
器１にはガラス窓（図示略）が設けられていて、被処理
基体７の温度をパイロスコープにより測定することがで
き、才た放電状態をＩ［察することもできる◎ 原料ガス供給系４は、金属ハロゲン化物２１を収容した
密閉容器２２を有し、水嵩ボンベ２３及び１ｍ素ボンベ
２４のそれぞれから、バルブ２３′及びバルブ２４′に
よって流量が調節され、次いで配管２５内で混合された
Ｈ、−Ｎ、混合ガスが三方バルブ２・を介して！！１Ｉ
ＩＦ５答器２２内へ導入される。
子に接続され、陽極側はアース１６により接地されてい
る。板状陰極８の下面にはヒータ１７が設けられ、この
ヒータは絶縁真空シール１８を介してヒータ用電源１９
に接続されている。このヒータの働きにより、陰極８の
上に設置した基体を所望の温度に加熱することができる
。また、反応容Ｉｓ１には展圧方針２０が設けられてい
て、容器内圧力を測定することができる◎更に、反応容
器１にはガラス窓（図示略）が設けられていて、被処理
基体７の温度をパイロスコープにより測定することがで
き、才た放電状態をＩ［察することもできる◎ 原料ガス供給系４は、金属ハロゲン化物２１を収容した
密閉容器２２を有し、水嵩ボンベ２３及び１ｍ素ボンベ
２４のそれぞれから、バルブ２３′及びバルブ２４′に
よって流量が調節され、次いで配管２５内で混合された
Ｈ、−Ｎ、混合ガスが三方バルブ２・を介して！！１Ｉ
ＩＦ５答器２２内へ導入される。
配管２５の先端２５ｍは金属ハロゲン化物２１の液面下
鵞で及んでいる・密閉容器２２の周囲には温度コン）ｏ
−ラ２７が設けられていて、密閉容器２２内の温度を所
望〇一定１１ど自動的に制御して、所定の金属ハロゲン
化物蒸気圧が得られるようになっている０すなわち、バ
ルブ２３′及び２４′、並びに温度コントローラ２７を
調節することにより、反応容器１に供給する原料ガスの
組成を調整することかで・きる。反応容器１内番こ水嵩
ガスのみを導入する−こは三方バルブ２６を調節し）バ
ルブ２４’、２ｇを閉じて配管２５ｂを介して行うＯ 上記の＊置を用いて本発明を実施した具体例を以下に説
明する。
鵞で及んでいる・密閉容器２２の周囲には温度コン）ｏ
−ラ２７が設けられていて、密閉容器２２内の温度を所
望〇一定１１ど自動的に制御して、所定の金属ハロゲン
化物蒸気圧が得られるようになっている０すなわち、バ
ルブ２３′及び２４′、並びに温度コントローラ２７を
調節することにより、反応容器１に供給する原料ガスの
組成を調整することかで・きる。反応容器１内番こ水嵩
ガスのみを導入する−こは三方バルブ２６を調節し）バ
ルブ２４’、２ｇを閉じて配管２５ｂを介して行うＯ 上記の＊置を用いて本発明を実施した具体例を以下に説
明する。
実施１１１ 窒化チタン皮膜の形成
Ｃｒ ３８％、ｕ３．８％、Ｎ＠部の組成である合金か
らなり、寸法３０×５ である金属板を皺処環用試料と
して用いた。十分に脱脂、洗浄した試料を反応容器１内
の板状陰極８の上に１００個セットした・金属源として
は四塩化チタンを用いた◎はしめ真空ポンプにより反応
容器１内を１０”−”Ｔｏｒｒ以下に排気した後にｊ［
科ガスを導入した。このときのガス混合比はモル比でＴ
ＩＣｔ、： Ｈ，：Ｎ、 −１：１９：６ であった。
らなり、寸法３０×５ である金属板を皺処環用試料と
して用いた。十分に脱脂、洗浄した試料を反応容器１内
の板状陰極８の上に１００個セットした・金属源として
は四塩化チタンを用いた◎はしめ真空ポンプにより反応
容器１内を１０”−”Ｔｏｒｒ以下に排気した後にｊ［
科ガスを導入した。このときのガス混合比はモル比でＴ
ＩＣｔ、： Ｈ，：Ｎ、 −１：１９：６ であった。
ガス圧力は２ Ｔｏｒｒ で電圧５００Ｖ、処理温度５
５０℃で３０分間放電を行ない、冷却後試料を取り出し
た。次に別の同じ試料１００個を同一処理条件で被覆処
理した後、充分残留ガスを排気し、次いでＨ，ガスのみ
を導入し、圧力２Ｔｏｒｒｓ電圧５０９ｖで２０分間放
電を行ない、処理後試料を取り出した。前者１００個の
処理試料のうち３５個が経時変化を起し、くもりや斑点
模様が生じていた。しかし後者１゛００個については不
要の発生は全くなく、美しい光沢を有する金色の皮膜が
形成された。
５０℃で３０分間放電を行ない、冷却後試料を取り出し
た。次に別の同じ試料１００個を同一処理条件で被覆処
理した後、充分残留ガスを排気し、次いでＨ，ガスのみ
を導入し、圧力２Ｔｏｒｒｓ電圧５０９ｖで２０分間放
電を行ない、処理後試料を取り出した。前者１００個の
処理試料のうち３５個が経時変化を起し、くもりや斑点
模様が生じていた。しかし後者１゛００個については不
要の発生は全くなく、美しい光沢を有する金色の皮膜が
形成された。
実施例２ 窒化ジルコニウム皮膜の形成前記実施例１
と同様試料１００個をセット後、排気を行ない原料ガス
を導入した・そのときのガス混合比はＺｒＣｌ２、馬、
Ｎ−各々モル比で１：２０゛：４であった。ガス圧力は
３ Ｔ＠ｒｒ で、電圧６００Ｖ、処理温度６００℃で
３０分間の放電を行なった。炉冷却後、試料を散り出し
た・次に別の同じ試料１００個に同様の条件で放電被覆
処理を実施した後、充分真空ポンプで排気後、水素ガス
のみを導入し、ガス圧力２Ｔｏｒｒ、電圧５ｏｏｖで２
０分間放電を行ない、炉冷却後試料をとり出した。
と同様試料１００個をセット後、排気を行ない原料ガス
を導入した・そのときのガス混合比はＺｒＣｌ２、馬、
Ｎ−各々モル比で１：２０゛：４であった。ガス圧力は
３ Ｔ＠ｒｒ で、電圧６００Ｖ、処理温度６００℃で
３０分間の放電を行なった。炉冷却後、試料を散り出し
た・次に別の同じ試料１００個に同様の条件で放電被覆
処理を実施した後、充分真空ポンプで排気後、水素ガス
のみを導入し、ガス圧力２Ｔｏｒｒ、電圧５ｏｏｖで２
０分間放電を行ない、炉冷却後試料をとり出した。
前者の１００個の試料のうち２１個が経時変化を起し、
試料表面に斑点模様が発生していた。一方水素を用いて
後処理した後者の１００個の試料については不要の発生
は全くなく、員しい光沢面の皮膜が得られた。
試料表面に斑点模様が発生していた。一方水素を用いて
後処理した後者の１００個の試料については不要の発生
は全くなく、員しい光沢面の皮膜が得られた。
実施例３ ｇＭ化ハフニウム皮膜の形成前記実施ｌ
ｌ１１１と同様に試料１００個をセット後排気を竹ない
、Ｊｌｌ科ガスとしてＨｆＣ４ｓ Ｈ＊％Ｎ。
ｌ１１１と同様に試料１００個をセット後排気を竹ない
、Ｊｌｌ科ガスとしてＨｆＣ４ｓ Ｈ＊％Ｎ。
を各々モル比で１：５；１５の割合の混合ガスを導入し
た。ガス圧力は２ Ｔｏｒｒ で電圧５５０Ｖ処理１
１ｇ５８０℃で３０分間放電を行なっただけのものと、
同様の放電被覆処理を実施した後頁にＨ。
た。ガス圧力は２ Ｔｏｒｒ で電圧５５０Ｖ処理１
１ｇ５８０℃で３０分間放電を行なっただけのものと、
同様の放電被覆処理を実施した後頁にＨ。
ガスのみを導入しガス圧力３ｆｏｒｒｓ電圧５００Ｖ、
処ｍｉｉ度５００℃で２０分間放電を行なったものを１
製した。光沢むら、くもり、斑点模様などの不ｊＬ尭生
を比軟したところ、各１００個の試料のうち前者の不実
個数は２５個で後者は０個であった。
処ｍｉｉ度５００℃で２０分間放電を行なったものを１
製した。光沢むら、くもり、斑点模様などの不ｊＬ尭生
を比軟したところ、各１００個の試料のうち前者の不実
個数は２５個で後者は０個であった。
以上のように所定の放電被覆処理を実施した後、馬ガス
のみにて後処理を施すことにより装飾用部品として、清
浄かつ良質の金属窒化物皮膜が得られ、不良品発生率が
極力低下され有用なものとなることがわかった。
のみにて後処理を施すことにより装飾用部品として、清
浄かつ良質の金属窒化物皮膜が得られ、不良品発生率が
極力低下され有用なものとなることがわかった。
図面は本発明の方法を実施するための装置を模式的に表
した図である。 ｌ：反応賽−１４；ガス供給皐、７薯賛紙権篇体、８：
［状陰極、１１：＠極・１５：１流電源・１７：ヒータ
、２１：金属ハロゲン化物、２３：水嵩ボンベ、２４：
窒業ボンベ。
した図である。 ｌ：反応賽−１４；ガス供給皐、７薯賛紙権篇体、８：
［状陰極、１１：＠極・１５：１流電源・１７：ヒータ
、２１：金属ハロゲン化物、２３：水嵩ボンベ、２４：
窒業ボンベ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）金属ハロゲン化物と、水嵩と、前記金属ハロゲン
化物と反応して金属化合一皮膜を形成し得る物質からな
る混合ガス寥囲気内に被処理基体を一極として設置し、
骸１体の周囲に直流グロー款電空間を形成することによ
り基体表面化金属化合物皮膜を形成し；次いで前記基体
を水素軍ｓ気内ｊｃ設置し、鼓基体の周囲番こ下記条件
でグロー放電空間を形成して処塩することを籍黴とする
装飾用金属窒化愉皮展の形成法： 水素ガス圧・・・０．５〜５ Ｔ＠ｒｒ 。 印加電圧・・・４００Ｖ心４ ＫＶ の直流電圧。 被処理基体の１１・・０〜５ｏｏｔ 。 被ＩＪ＆履基体に流れる電流の電ｍｅｔ゛−０，１Ｓ
〜１０ ｍＶ−ｅ （２、特許請求の範囲第１項記載の方法であって、混合
ガスが金属ハロゲン化物と、水素と、窒素もしくはアン
モニアからなる方法０ （３） 特許請求の範囲第１項記載の方法であって、
混合ガスが金属ハロゲン化物と、水嵩と、責化水素から
なる方法＠ （４） ４１許晴求の範囲第１項記載の方法であって
、拠金ガスが金属ハロゲン化物と、水嵩と、窒素もしく
はアンモニアと、炭化水嵩からなる方法。 （５） 特許請求の範囲第２項、第３項又は第４項記
載の方法であって、金属ハロゲン化物が、チタン、ジル
コニウム、タンタル、ハフニウム、クロム、ニオブ、タ
ングステン、バナジウム、ケイ素、ホウ累から選ばれた
金属のハロゲン化物である方＃＆。 （６）特許請求の範囲第１項記載の方法であって、混合
ガスが金属ハロゲン化−と、水嵩と、酸素含有物質から
なる方法０ （７１特許請求の範ｉＩｍ第６項記載の方法であって、
ｍａｔ食有物質が酸素または二酸化炭素である方法〇 （８１４１許饋求の範囲第６項記載の方法であって、金
属ハロゲン化物が、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ア
ルミニウム、クロム、スズ、インジウム、又はアンチモ
ンから選ばれた金属のハロゲン化物である方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9835481A JPS581068A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 金属化合物皮膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9835481A JPS581068A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 金属化合物皮膜の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581068A true JPS581068A (ja) | 1983-01-06 |
Family
ID=14217546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9835481A Pending JPS581068A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 金属化合物皮膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456864A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Sumitomo Cement Co | High-hardness coating film and its production |
-
1981
- 1981-06-26 JP JP9835481A patent/JPS581068A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456864A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Sumitomo Cement Co | High-hardness coating film and its production |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930011414B1 (ko) | 질화규소막의 형성방법 | |
| CN109355641A (zh) | 一种无机颜料表面改性的方法 | |
| JPH0234166B2 (ja) | ||
| JPS581067A (ja) | 装飾用金属窒化物皮膜の形成法 | |
| JPH0266399A (ja) | 気体充填用容器及びその作製方法 | |
| JPS581068A (ja) | 金属化合物皮膜の形成法 | |
| JPH02250970A (ja) | 酸化タンタル膜の化学気相成長法および化学気相成長装置 | |
| JPH0450386B2 (ja) | ||
| d'Agostino et al. | Protection of Silver‐Based Alloys from Tarnishing by Means of Plasma‐Enhanced Chemical Vapor Deposition | |
| JPS581069A (ja) | 装飾用金属窒化物皮膜形成方法 | |
| DE1621358A1 (de) | Verfahren zur Aufbringung duenner Filme aus dielektrischem Material auf ein Substrat | |
| JPS62116762A (ja) | 外装部品の製造方法 | |
| KR102155554B1 (ko) | 기재의 소수성화 방법 | |
| JP5007438B2 (ja) | ＳｉＮｘＯｙＣｚ膜及びその製造方法 | |
| JP2553059B2 (ja) | 外装部品の製造方法 | |
| JPH0527707B2 (ja) | ||
| KR920006042B1 (ko) | 철, 구리제품의 알루미늄 코오팅방법 | |
| JP5430014B2 (ja) | ＳｉＮｘＣｙＯｚ膜の成膜方法 | |
| JP3743567B2 (ja) | 膜形成方法、及び膜形成装置 | |
| JPS5945907A (ja) | 金属酸化物膜の形成装置および形成方法 | |
| JPS641550B2 (ja) | ||
| CN116463590A (zh) | 一种高耐磨pvd薄膜制备方法 | |
| JPH0442469B2 (ja) | ||
| JPS58117870A (ja) | 皮膜形成装置 | |
| JPS57111212A (en) | Surface coating method of substrate with metallic nitride |