JPS58106964U - 外部共振器型半導体レ−ザ - Google Patents

外部共振器型半導体レ−ザ

Info

Publication number
JPS58106964U
JPS58106964U JP307982U JP307982U JPS58106964U JP S58106964 U JPS58106964 U JP S58106964U JP 307982 U JP307982 U JP 307982U JP 307982 U JP307982 U JP 307982U JP S58106964 U JPS58106964 U JP S58106964U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
type semiconductor
external cavity
cavity type
external
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP307982U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0225241Y2 (ja
Inventor
岸田　俊二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP307982U priority Critical patent/JPS58106964U/ja
Publication of JPS58106964U publication Critical patent/JPS58106964U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0225241Y2 publication Critical patent/JPH0225241Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
−第、１図ｔよ直線偏光保存ファイバの断面薗で、１は
、コア、２はフラツドを示し、！−’Ｖは偏享の主゛軸
方向を示す。第２図は本考案の実施例の構成図で、″１
０は半導体レーザ素子、１１は半導体レ．ーザ素子の活
性層、１２は光結合用レンズ、−１３は、直線偏光保存
ファイ．バ、１４．１５は直線偏光保存ファイバの端面
，Ｘは半導体レーザからの出射光の偏米方向、ＹはＸの
方向とは直交する方向を示す。・

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電流琲入型半導体レーザ青子と波長選択素子と光帰遼素
    子と．−を含む外部共振器型狭帯域化半導体レー枦にお
    いて、電流．注入型半導体レーザー子と光結合用レンズ
    と所用波畢番４お砂？るビー．ト長の弊数倍の長さの直
    線偏光葆存ラアイレくとを有誓る゛外部共塀一を備え、
    前記直線偏光保有ファイバの端面上ｉと前記光結合用レ
    ン女で集光された前記電流注入型半導体レーザ素子から
    の出射光の偏光方向と前記直線偏米保存ファイバの偏光
    主軸の方轡と′が異なφ方向をなすよう二に前記直線偏
    光保存ファイバを配置したことを特徴とする外部恭振器
    型半導体レーザ。′
JP307982U 1982-01-13 1982-01-13 外部共振器型半導体レ−ザ Granted JPS58106964U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP307982U JPS58106964U (ja) 1982-01-13 1982-01-13 外部共振器型半導体レ−ザ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP307982U JPS58106964U (ja) 1982-01-13 1982-01-13 外部共振器型半導体レ−ザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58106964U true JPS58106964U (ja) 1983-07-21
JPH0225241Y2 JPH0225241Y2 (ja) 1990-07-11

Family

ID=30016029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP307982U Granted JPS58106964U (ja) 1982-01-13 1982-01-13 外部共振器型半導体レ−ザ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58106964U (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0225241Y2 (ja) 1990-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58106964U (ja) 外部共振器型半導体レ−ザ
JPS5984511U (ja) 半導体レ−ザと光フアイバの結合構造
JPS6098802U (ja) 偏波面保在光フアイバ用モジユ−ル
JPS59161522U (ja) レ−ザ光源装置
JPS5872865U (ja) 半導体レ−ザ結合装置
JPS591015U (ja) 光導波器
JPS6282761U (ja)
JPS59153516U (ja) 偏波面多重光カプラ
JPS59153520U (ja) 光結合器
JPH0210510U (ja)
JPS6041901U (ja) レ−ザビ−ム均一化光学素子
JPS6084908U (ja) 光コネクタ
JPS619864U (ja) レ−ザダイオ−ドモジユ−ル
JPH0158969U (ja)
JPS5917405U (ja) 簡易光アイソレ−タ
JPS5930101U (ja) 光スイツチ
JPS59185729U (ja) 光学ピツクアツプ
JPS58188604U (ja) 単一偏波光フアイバ
JPS58116261U (ja) 半導体レ−ザ光送信装置
JPS59184113U (ja) レンズカツプラ−
JPH01297632A (ja) 青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置
JPS60141162U (ja) ピツグテ−ル付半導体レ−ザ装置
JPS5960618U (ja) スタ−カプラ
JPS5931067U (ja) 偏波面保存光フアイバ形磁界センサ
JPS6113802U (ja) 光回路