JPS5810818A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS5810818A JPS5810818A JP11021981A JP11021981A JPS5810818A JP S5810818 A JPS5810818 A JP S5810818A JP 11021981 A JP11021981 A JP 11021981A JP 11021981 A JP11021981 A JP 11021981A JP S5810818 A JPS5810818 A JP S5810818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- exhaust duct
- gas
- exhaust
- reduced pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、減圧容器内に１種または数種類の原料ガスを
連続的に導入し、このガスを高周波等でプラズマ分解さ
せて加熱した基板の表面に導きこの手板表面に非晶質薄
膜を生成するようにしたプラズマ０ＶＤ装置に関するも
のである。
連続的に導入し、このガスを高周波等でプラズマ分解さ
せて加熱した基板の表面に導きこの手板表面に非晶質薄
膜を生成するようにしたプラズマ０ＶＤ装置に関するも
のである。
従来、この種のプラズマＣＶＤ装置は、例えば、第１図
に示すように、一端部に原料ガス導入口ａ１他端部４こ
排気ガス導出口すをそれぞれ有してなる減圧容器Ｃ内に
、対をなす高周波電極ｄ、ｅ等を配設してこれら両電極
ｄ、ｅ間にプラズマ放電場ｆを形成し、このプラズマ放
電場ｆよりも排気ガス導出口す寄りに基板ｇを配設し、
この基板ｇの裏側に基板加熱用のヒータｈを設けたもの
が一般的である。
に示すように、一端部に原料ガス導入口ａ１他端部４こ
排気ガス導出口すをそれぞれ有してなる減圧容器Ｃ内に
、対をなす高周波電極ｄ、ｅ等を配設してこれら両電極
ｄ、ｅ間にプラズマ放電場ｆを形成し、このプラズマ放
電場ｆよりも排気ガス導出口す寄りに基板ｇを配設し、
この基板ｇの裏側に基板加熱用のヒータｈを設けたもの
が一般的である。
ところが、単にこれだけのものでは、プラズマ放電場ｆ
でプラズマ分解させた反応ガスが基板ｇの裏側にもまわ
り込んで該基板ｇよりも高温度になっているヒータｈに
付着する。そのため、ヒータｈの熱効率が次第に低下し
て基板表面の薄膜生成に悪影響を及ぼすという不都合が
ある。またこのようなものでは、プラズマ分解させた反
応ガスの多くが基板ｇの表面に達しないまま減圧容器Ｃ
外へ排出されることになるので、原料ガスの消費量が不
当に増大するとともに排出される有毒ガスの処理量が多
くなるという不都合がある。
でプラズマ分解させた反応ガスが基板ｇの裏側にもまわ
り込んで該基板ｇよりも高温度になっているヒータｈに
付着する。そのため、ヒータｈの熱効率が次第に低下し
て基板表面の薄膜生成に悪影響を及ぼすという不都合が
ある。またこのようなものでは、プラズマ分解させた反
応ガスの多くが基板ｇの表面に達しないまま減圧容器Ｃ
外へ排出されることになるので、原料ガスの消費量が不
当に増大するとともに排出される有毒ガスの処理量が多
くなるという不都合がある。
本発明は、このような事情に着目してなされたもので、
排気ガス導出口に連通する排気ダクトを設け、この排気
ダクトのガス吸込口を前記基板の周縁部近傍に開口させ
ることによって前述した不都合を解消する仁とができる
よう、にしたプラズマＣＶＤ装置を提供するものでめる
〇 以下、本発明の一実施例を第２図〜第４図を参照して説
明する。
排気ガス導出口に連通する排気ダクトを設け、この排気
ダクトのガス吸込口を前記基板の周縁部近傍に開口させ
ることによって前述した不都合を解消する仁とができる
よう、にしたプラズマＣＶＤ装置を提供するものでめる
〇 以下、本発明の一実施例を第２図〜第４図を参照して説
明する。
一端部に原料ガス導入口１を有し他端部に排気ガス導出
口２．２を有してなる減圧容器３内の中央部に図示しな
い高周波電源装置に接続された対をなす高周波電極４．
５を対向配置し、これら両電極４．５間にプラズマ放電
場６を形成している。また、この減圧容器３内の前記プ
ラズマ放電場６を介して前記原料ガス導入口ｌに対峙す
る位置に基板７．７を配設し、この基板Ｌ７の裏側にヒ
ータ８を設けている。そして、前記原料ガス導入口ｌに
ガス導入管９を接続し、このガス導入管９を通して前記
減圧容器８内に１種類または数種類の原料ガスを連続的
に導入するようにしている。また、前記排気ガス導出口
２．２に真空ポンプ１１等に連通するガス排出管１２を
接続し、このガス排出管１２を通して減圧容器８内の不
用ガスを逐次外部へ排出するよう１こしている。
口２．２を有してなる減圧容器３内の中央部に図示しな
い高周波電源装置に接続された対をなす高周波電極４．
５を対向配置し、これら両電極４．５間にプラズマ放電
場６を形成している。また、この減圧容器３内の前記プ
ラズマ放電場６を介して前記原料ガス導入口ｌに対峙す
る位置に基板７．７を配設し、この基板Ｌ７の裏側にヒ
ータ８を設けている。そして、前記原料ガス導入口ｌに
ガス導入管９を接続し、このガス導入管９を通して前記
減圧容器８内に１種類または数種類の原料ガスを連続的
に導入するようにしている。また、前記排気ガス導出口
２．２に真空ポンプ１１等に連通するガス排出管１２を
接続し、このガス排出管１２を通して減圧容器８内の不
用ガスを逐次外部へ排出するよう１こしている。
また、前記減圧容器８内に前記排気ガス導出口２に連通
する排気ダクト１８を設けている。排気ダクト１８は、
平板状の前面壁ｔＳａと中央部に口字形のの凹溝部を有
した背面壁ｔａｂとを周壁１８ｅにより連結してなる中
空体状のもので、前記背面壁１８ｂの両側縁部には該排
気ダクト１８を前記排気ガス導出口２．２に連通させる
ための口金１８ｄ、１８ｄ曾設けている。口金１８ｄ、
１８ｄは鍔付円筒状のもので前記背面壁１８ｂに設けた
筒状開口部１ｓｅ、ｔｉｅの外周にスライド自在に嵌合
されている。なお、１４は前記口金１８ｄ、１８ｄを排
気ガス導出口２．２の開口端面に密着させるとともに前
記前面壁１８ｍの縁部を該排気ダクト１８を支持する減
圧容器８の係止鍔１５に密着させるためのスプリングで
ある。またこの排気ダクト１８の背面１ｉ１８ｂの中央
部には基板ホルダ１６が貫着されており、この基板ホル
ダ１６の段付保持孔ＩＱｍ、１６＆内に前記基板７．７
を着脱可能に嵌着するとともに該基板ホルダ１６の背面
に前記基板７，７を固定するための蓋板１７を被着して
いる。また、この排気ダクト１８のｆＩｆＪ面１１１８
ｍの前記基板ホルダ１６に対応する部位に貫通、孔１８
ｆを穿設し、この貫通孔１８ｆの開口縁と前記背面壁１
８ｂとの間に環状のガス吸込口１８ｇを形成している。
する排気ダクト１８を設けている。排気ダクト１８は、
平板状の前面壁ｔＳａと中央部に口字形のの凹溝部を有
した背面壁ｔａｂとを周壁１８ｅにより連結してなる中
空体状のもので、前記背面壁１８ｂの両側縁部には該排
気ダクト１８を前記排気ガス導出口２．２に連通させる
ための口金１８ｄ、１８ｄ曾設けている。口金１８ｄ、
１８ｄは鍔付円筒状のもので前記背面壁１８ｂに設けた
筒状開口部１ｓｅ、ｔｉｅの外周にスライド自在に嵌合
されている。なお、１４は前記口金１８ｄ、１８ｄを排
気ガス導出口２．２の開口端面に密着させるとともに前
記前面壁１８ｍの縁部を該排気ダクト１８を支持する減
圧容器８の係止鍔１５に密着させるためのスプリングで
ある。またこの排気ダクト１８の背面１ｉ１８ｂの中央
部には基板ホルダ１６が貫着されており、この基板ホル
ダ１６の段付保持孔ＩＱｍ、１６＆内に前記基板７．７
を着脱可能に嵌着するとともに該基板ホルダ１６の背面
に前記基板７，７を固定するための蓋板１７を被着して
いる。また、この排気ダクト１８のｆＩｆＪ面１１１８
ｍの前記基板ホルダ１６に対応する部位に貫通、孔１８
ｆを穿設し、この貫通孔１８ｆの開口縁と前記背面壁１
８ｂとの間に環状のガス吸込口１８ｇを形成している。
しかして、仁のガス吸込口１８ｇは、前記基板７．７の
周囲近傍部に開口することとな；ている。
周囲近傍部に開口することとな；ている。
このような構成のものであれば、原料ガス導入口ｌから
減圧容器８内に導入した原料ガスをプラズマ放電場６を
通過させる際にプラズマ分解させてヒータ８により加熱
した基板７．７の表面に導くことができるので、該基板
７の表面に良質な薄膜を生成させることができる。そし
て、不用となったガスは排気ガス導出口２．２から減圧
容器８外へ逐次排出することができる。しかも、本発明
に係る装置７は、前記減圧容器８内に前記排気ガス導出
口２に連通する排気ダクト１３を設け、この排気ダク目
３のガス吸込口１８ｇを前記基板７．′７の周囲近傍部
に開口させているので、プラズマ放電場６を通過したす
べてのガスが基板７．７の表面部へ集められ、しかる後
、すべてのガスが該排気ダクト１８を通して減圧容器８
外へ排出されることになる。そのため、反応ガスが基板
７．７の裏側にまわり込んでヒータ８に付着するという
不都合を防止することができる。また、プラズマ分解さ
せた反応ガスの多（が基板７．７の表面に達しないまま
減圧容器８外へ排出されるという不都合もないので原料
ガスを節約することができるとともに排出される有毒ガ
スの処理量を少なくすることができるという利点がある
。
減圧容器８内に導入した原料ガスをプラズマ放電場６を
通過させる際にプラズマ分解させてヒータ８により加熱
した基板７．７の表面に導くことができるので、該基板
７の表面に良質な薄膜を生成させることができる。そし
て、不用となったガスは排気ガス導出口２．２から減圧
容器８外へ逐次排出することができる。しかも、本発明
に係る装置７は、前記減圧容器８内に前記排気ガス導出
口２に連通する排気ダクト１３を設け、この排気ダク目
３のガス吸込口１８ｇを前記基板７．′７の周囲近傍部
に開口させているので、プラズマ放電場６を通過したす
べてのガスが基板７．７の表面部へ集められ、しかる後
、すべてのガスが該排気ダクト１８を通して減圧容器８
外へ排出されることになる。そのため、反応ガスが基板
７．７の裏側にまわり込んでヒータ８に付着するという
不都合を防止することができる。また、プラズマ分解さ
せた反応ガスの多（が基板７．７の表面に達しないまま
減圧容器８外へ排出されるという不都合もないので原料
ガスを節約することができるとともに排出される有毒ガ
スの処理量を少なくすることができるという利点がある
。
なお、排気ダクトの構成は前記のものに限られないのは
勿論であり、例えば、第５図、第６図に示すようなもの
であってもよい。すなわち、第５図に示す排気ダクトｌ
ｖは、前記実施例と同様。
勿論であり、例えば、第５図、第６図に示すようなもの
であってもよい。すなわち、第５図に示す排気ダクトｌ
ｖは、前記実施例と同様。
な基本構成に車輪２１とラック２２とを付加したもので
ある。しかして、このようなものであれば、前記ラック
２２に駆動用ピニオンを噛合させることによって該排気
ダクト１３・を減圧容器に対して自動搬出入させること
が可能である。したがって、該排気ダク） １Ｂ’を基
板等とともに複数の減圧容器内へ順次に移動させて前記
基板の表面に数種類の薄膜を積層させるような場合に便
利である。また、第６図に示す排気ダクト１８’は、減
圧容器８″の端！１８′ａと該減圧容Ｉ１８・内に設け
た仕切壁２８との間に形成されたものである。この場合
、基板？’、７’を保持する基板ホルダ１６″は減圧容
器８″の端Ｉ！８″ａに貫着されており、前記排気ダク
ト１８’のガス吸込口１８′ｇは前記端！１Ｂ・亀と前
記仕切１１２８との間に形成される。しかして、このよ
うなものであれば、排気ダクト１Ｂ’が減圧容器８＃に
一体に形成されることになるので、該排気ダクト１８′
だけを取外すというわけにはいかないが、部品点数が少
ないため構成が簡単になるという利点を有している。
ある。しかして、このようなものであれば、前記ラック
２２に駆動用ピニオンを噛合させることによって該排気
ダクト１３・を減圧容器に対して自動搬出入させること
が可能である。したがって、該排気ダク） １Ｂ’を基
板等とともに複数の減圧容器内へ順次に移動させて前記
基板の表面に数種類の薄膜を積層させるような場合に便
利である。また、第６図に示す排気ダクト１８’は、減
圧容器８″の端！１８′ａと該減圧容Ｉ１８・内に設け
た仕切壁２８との間に形成されたものである。この場合
、基板？’、７’を保持する基板ホルダ１６″は減圧容
器８″の端Ｉ！８″ａに貫着されており、前記排気ダク
ト１８’のガス吸込口１８′ｇは前記端！１Ｂ・亀と前
記仕切１１２８との間に形成される。しかして、このよ
うなものであれば、排気ダクト１Ｂ’が減圧容器８＃に
一体に形成されることになるので、該排気ダクト１８′
だけを取外すというわけにはいかないが、部品点数が少
ないため構成が簡単になるという利点を有している。
第１図は、従来例をボす概略断面図、第２図は本発明の
一実施例を示す概略断面図、第８図、第４図は同実施例
における排気ダクトを示す斜視図、第５図は本発明の他
の実施例を示す斜視図、第６図は本発明のさらに他の実
施例を示す概略断面図である。 ｌ・・・原料ガス導入口 ２・・・排気ガス導出口８
．８’ −・・減圧容器 ６・・・プラズマ放電場？
、７’ −・基板 １８．１Ｂ’、１Ｂ’・・・排
気ダクト１８ｇ−・・ガス吸込口 代理人 弁理士 赤 澤 −博
一実施例を示す概略断面図、第８図、第４図は同実施例
における排気ダクトを示す斜視図、第５図は本発明の他
の実施例を示す斜視図、第６図は本発明のさらに他の実
施例を示す概略断面図である。 ｌ・・・原料ガス導入口 ２・・・排気ガス導出口８
．８’ −・・減圧容器 ６・・・プラズマ放電場？
、７’ −・基板 １８．１Ｂ’、１Ｂ’・・・排
気ダクト１８ｇ−・・ガス吸込口 代理人 弁理士 赤 澤 −博
Claims (1)
- 原料ガス導入口と排気ガス導出口とを有してなる減圧容
器内にプラズマ放電場を設け、表面に薄膜を生成させる
べき基板を該減圧容１１円の前記プラズマ放電場を介し
て前記原料ガス導入口に対峙する位置に配設してなるプ
ラズマＣＶＤ装置において、前記排気ガス導出口に連通
ずる排気ダクトを設け、この排気ダクトのガス吸込口を
前記基板の周囲近傍部に開口させたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021981A JPS5810818A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021981A JPS5810818A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810818A true JPS5810818A (ja) | 1983-01-21 |
| JPH0136245B2 JPH0136245B2 (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=14530091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11021981A Granted JPS5810818A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810818A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132320A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長反応管 |
| JPS60106335U (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | 株式会社島津製作所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US5007374A (en) * | 1988-03-22 | 1991-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for forming thin films in quantity |
| WO1997018694A1 (fr) * | 1995-11-13 | 1997-05-22 | Ist Instant Surface Technology S.A. | Reacteur a jet de plasma |
-
1981
- 1981-07-14 JP JP11021981A patent/JPS5810818A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132320A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長反応管 |
| JPS60106335U (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | 株式会社島津製作所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US5007374A (en) * | 1988-03-22 | 1991-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for forming thin films in quantity |
| WO1997018694A1 (fr) * | 1995-11-13 | 1997-05-22 | Ist Instant Surface Technology S.A. | Reacteur a jet de plasma |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136245B2 (ja) | 1989-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4509456A (en) | Apparatus for guiding gas for LP CVD processes in a tube reactor | |
| JPH01503703A (ja) | Ｍｏｃｖｄ装置用石英ガラス反応管 | |
| GB2226049A (en) | Plasma chemical vapour deposition of thin films | |
| TW200820317A (en) | Solid source container with inlet plenum | |
| JP2001507757A (ja) | フラッシュ気化器 | |
| JP2009055001A (ja) | 垂直反応器におけるバッチ処理のための方法および装置 | |
| JPS62221405A (ja) | 小容量実験用フィルタ | |
| JPH02163377A (ja) | 仕込・取出室 | |
| EP1046728A3 (en) | Process chamber with inner support | |
| JP6510552B2 (ja) | ２つの互いに反対向きの主面上に各基板を搭載する基板キャリア | |
| JPS6122027B2 (ja) | ||
| JPH0136245B2 (ja) | ||
| TWI683027B (zh) | 沉積奈米碳管之裝置 | |
| JPS6335776A (ja) | 気相化学蒸着装置 | |
| JP2005511895A5 (ja) | ||
| CN114743454A (zh) | 一种简易型原子层沉积设备的沉积方法 | |
| CN213232472U (zh) | 一种真空镀膜用升华炉 | |
| JP2647997B2 (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| JPS631388B2 (ja) | ||
| JPS62134925A (ja) | 蒸着装置 | |
| CN118685762A (zh) | 一种具有冷却结构的分气机构及其薄膜沉积设备 | |
| JPH02161720A (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| JPH07286274A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPS60253212A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6126780A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |