JPH0136245B2 - - Google Patents
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- JPH0136245B2 JPH0136245B2 JP56110219A JP11021981A JPH0136245B2 JP H0136245 B2 JPH0136245 B2 JP H0136245B2 JP 56110219 A JP56110219 A JP 56110219A JP 11021981 A JP11021981 A JP 11021981A JP H0136245 B2 JPH0136245 B2 JP H0136245B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- exhaust duct
- gas
- opening
- exhaust
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、減圧容器内に１種または数種類の原
料ガスを連続的に導入し、このガスを高周波等で
プラズマ分解させて加熱した基板の表面に導き、
この基板表面に非晶質薄膜を生成するようにした
プラズマCVD装置に関するものである。
料ガスを連続的に導入し、このガスを高周波等で
プラズマ分解させて加熱した基板の表面に導き、
この基板表面に非晶質薄膜を生成するようにした
プラズマCVD装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、この種のプラズマCVD装置は、例えば、
第１図に示すように、一端部に原料ガス導入口
ａ、他端部に排気ガス導入口ｂをそれぞれ有して
なる減圧容器ｃ内に、対をなす高周波電極ｄ，ｅ
等を配設してこれら両電極ｄ，ｅ間にプラズマ放
電場ｆを形成し、このプラズマ放電場ｆよりも排
気ガス導出口ｂ寄りに基板ｇを配設し、この基板
ｇの裏側に基板加熱用のヒータｈを設けたものが
一般的である。
第１図に示すように、一端部に原料ガス導入口
ａ、他端部に排気ガス導入口ｂをそれぞれ有して
なる減圧容器ｃ内に、対をなす高周波電極ｄ，ｅ
等を配設してこれら両電極ｄ，ｅ間にプラズマ放
電場ｆを形成し、このプラズマ放電場ｆよりも排
気ガス導出口ｂ寄りに基板ｇを配設し、この基板
ｇの裏側に基板加熱用のヒータｈを設けたものが
一般的である。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、単にこれだけのものでは、プラズマ
放電場ｆでプラズマ分解させた反応ガスが基板ｇ
の裏側にもまわり込んで該基板ｇよりも高温度に
なつているヒータｈに付着する。そのため、ヒー
タｈの熱効率が次第に低下して基板表面の薄膜生
成に悪影響を及ぼすという不都合がある。また、
このようなものでは、プラズマ分解させた反応ガ
スの多くが基板ｇの表面に達しないまま減圧容器
ｃ外へ排出されることになるので、原料ガスの消
費量が不当に増大するとともに排出される有毒ガ
スの処理量が多くなるという不都合がある。
放電場ｆでプラズマ分解させた反応ガスが基板ｇ
の裏側にもまわり込んで該基板ｇよりも高温度に
なつているヒータｈに付着する。そのため、ヒー
タｈの熱効率が次第に低下して基板表面の薄膜生
成に悪影響を及ぼすという不都合がある。また、
このようなものでは、プラズマ分解させた反応ガ
スの多くが基板ｇの表面に達しないまま減圧容器
ｃ外へ排出されることになるので、原料ガスの消
費量が不当に増大するとともに排出される有毒ガ
スの処理量が多くなるという不都合がある。
本発明は、以上のような課題を解決することを
目的としている。
目的としている。
［課題を解決するための手段］
本発明は、このような目的を達成するために、
次のような手段を講じたものである。
次のような手段を講じたものである。
すなわち、本発明に係るプラズマCVD装置は、
前述したような基本構成をなす装置において、前
記プラズマ放電場に対面する中央部に貫通孔を有
した前面壁と、この前面壁の開口部に中央部を接
近させた背面壁とを具備してなる中空体状の排気
ダクトを設け、この排気ダクト内を前記排気ガス
導出口に連通させるとともに、前記背面壁の中央
部に基板ホルダを前記開口部に臨ませて設けてお
き、その開口部の開口縁と背面壁との間に環状に
形成される排気ダクトのガス吸込口を、前記基板
ホルダに保持させた基板の周囲近傍部に位置させ
ていることを特徴とする。
前述したような基本構成をなす装置において、前
記プラズマ放電場に対面する中央部に貫通孔を有
した前面壁と、この前面壁の開口部に中央部を接
近させた背面壁とを具備してなる中空体状の排気
ダクトを設け、この排気ダクト内を前記排気ガス
導出口に連通させるとともに、前記背面壁の中央
部に基板ホルダを前記開口部に臨ませて設けてお
き、その開口部の開口縁と背面壁との間に環状に
形成される排気ダクトのガス吸込口を、前記基板
ホルダに保持させた基板の周囲近傍部に位置させ
ていることを特徴とする。
［作 用］
この装置では、前記壁に設けた開口部の開口縁
と、それに接近させた背面壁との間に環状のガス
吸込口が形成されている。そして、基板ホルダ
は、その開口部に臨ませて前記背面壁に設けてあ
るので、この基板ホルダに保持させた基板の周囲
近傍部に前記排気ダクトのガス吸込口が位置する
ことになる。しかも、この排気ダクト内を排気ガ
ス導出口に連通させてあるので、減圧容器内のガ
スは、すべて前記ガス吸込口から排気ダクト内に
導入され、排気ガス導出口を通して減圧容器外に
排気される。
と、それに接近させた背面壁との間に環状のガス
吸込口が形成されている。そして、基板ホルダ
は、その開口部に臨ませて前記背面壁に設けてあ
るので、この基板ホルダに保持させた基板の周囲
近傍部に前記排気ダクトのガス吸込口が位置する
ことになる。しかも、この排気ダクト内を排気ガ
ス導出口に連通させてあるので、減圧容器内のガ
スは、すべて前記ガス吸込口から排気ダクト内に
導入され、排気ガス導出口を通して減圧容器外に
排気される。
しかして、このようなものであれば、プラズマ
放電場を通過したすべてのガスが、基板の表面部
に集められ、この基板の表面に沿つて周囲に案内
されて排気ダクトのガス吸込口に導かれる。その
ため、反応ガスが基板の裏側にまわり込んだり、
基板の表面に達しないまま排気ガス導出口に導か
れるのを効果的に防ぐことができる。
放電場を通過したすべてのガスが、基板の表面部
に集められ、この基板の表面に沿つて周囲に案内
されて排気ダクトのガス吸込口に導かれる。その
ため、反応ガスが基板の裏側にまわり込んだり、
基板の表面に達しないまま排気ガス導出口に導か
れるのを効果的に防ぐことができる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を第２図〜第４図を参
照して説明する。
照して説明する。
一端部に原料ガス導入口１を有し他端部に排気
ガス導出口２，２を有してなる減圧容器３内の中
央部に図示しない高周波電源装置に接続された対
をなす高周波電極４，５を対向配置し、これら両
電極４，５間にプラズマ放電場６を形成してい
る。また、この減圧容器３内の前記プラズマ放電
場６を介して前記原料ガス導入口１に対峙する位
置に基板７，７を配設し、この基板７，７の裏側
にヒータ８を設けている。そして、前記原料ガス
導入口１にガス導入管９を接続し、このガス導入
管９を通して前記減圧容器３内に１種類または数
種類の原料ガスを連続的に導入するようにしてい
る。また、前記排気ガス導出口２，２に真空ポン
プ１１等に連通するガス排出管１２を接続し、こ
のガス排出管１２を通して減圧容器３内の不用ガ
スを逐次外部へ排出するようにしている。
ガス導出口２，２を有してなる減圧容器３内の中
央部に図示しない高周波電源装置に接続された対
をなす高周波電極４，５を対向配置し、これら両
電極４，５間にプラズマ放電場６を形成してい
る。また、この減圧容器３内の前記プラズマ放電
場６を介して前記原料ガス導入口１に対峙する位
置に基板７，７を配設し、この基板７，７の裏側
にヒータ８を設けている。そして、前記原料ガス
導入口１にガス導入管９を接続し、このガス導入
管９を通して前記減圧容器３内に１種類または数
種類の原料ガスを連続的に導入するようにしてい
る。また、前記排気ガス導出口２，２に真空ポン
プ１１等に連通するガス排出管１２を接続し、こ
のガス排出管１２を通して減圧容器３内の不用ガ
スを逐次外部へ排出するようにしている。
また、前記減圧容器３内に前記排気ガス導出口
２に連通する排気ダクト１３を設けている。排気
ダクト１３は、平板状の前面壁１３ａと、中央部
をこの前面壁１３ａに接近させた背面壁１３ｂと
を周壁１３ｃにより連結してなる中空体状のもの
で、前記背面壁１３ｂの両側縁部には該排気ダク
ト１３を前記排気ガス導出口２，２に連通させる
ための口金１３ｄ，１３ｄを設けている。口金１
３ｄ，１３ｄは鍔付円筒状のもので前記背面壁１
３ｂに設けた筒状開口部１３ｅ，１３ｅの外周に
スライド自在に嵌合されている。なお、１４は前
記口金１３ｄ，１３ｄを排気ガス導出口２，２の
開口端面に密着させるとともに前記前面壁１３ａ
の縁部を該排気ダクト１３を支持する減圧容器３
の係止鍔１５に密着させるためのスプリングであ
る。またこの排気ダクト１３の背面壁１３ｂの中
央部には基板ホルダ１６が貫着されており、この
基板ホルダ１６の段付保持孔１６ａ，１６ａ内に
前記基板７，７を着脱可能に嵌着するとともに該
基板ホルダ１６の背面に前記基板７，７を固定す
るための蓋板１７を被着している。また、この排
気ダクト１３の前面壁１３ａの前記基板ホルダ１
６に対応する部位に貫通孔１３ｆを穿設し、この
貫通孔１３ｆの開口縁と前記背面壁１３ｂとの間
に環状のガス吸込口１３ｇを形成している。しか
して、このガス吸込口１３ｇは、前記基板７，７
の周囲近傍部に開口することとなつている。
２に連通する排気ダクト１３を設けている。排気
ダクト１３は、平板状の前面壁１３ａと、中央部
をこの前面壁１３ａに接近させた背面壁１３ｂと
を周壁１３ｃにより連結してなる中空体状のもの
で、前記背面壁１３ｂの両側縁部には該排気ダク
ト１３を前記排気ガス導出口２，２に連通させる
ための口金１３ｄ，１３ｄを設けている。口金１
３ｄ，１３ｄは鍔付円筒状のもので前記背面壁１
３ｂに設けた筒状開口部１３ｅ，１３ｅの外周に
スライド自在に嵌合されている。なお、１４は前
記口金１３ｄ，１３ｄを排気ガス導出口２，２の
開口端面に密着させるとともに前記前面壁１３ａ
の縁部を該排気ダクト１３を支持する減圧容器３
の係止鍔１５に密着させるためのスプリングであ
る。またこの排気ダクト１３の背面壁１３ｂの中
央部には基板ホルダ１６が貫着されており、この
基板ホルダ１６の段付保持孔１６ａ，１６ａ内に
前記基板７，７を着脱可能に嵌着するとともに該
基板ホルダ１６の背面に前記基板７，７を固定す
るための蓋板１７を被着している。また、この排
気ダクト１３の前面壁１３ａの前記基板ホルダ１
６に対応する部位に貫通孔１３ｆを穿設し、この
貫通孔１３ｆの開口縁と前記背面壁１３ｂとの間
に環状のガス吸込口１３ｇを形成している。しか
して、このガス吸込口１３ｇは、前記基板７，７
の周囲近傍部に開口することとなつている。
このような構成のものであれば、原料ガス導入
口１から減圧容器３内に導入した原料ガスをプラ
ズマ放電場６を通過させる際にプラズマ分解させ
てヒータ８により加熱した基板７，７の表面に導
くことができるので、該基板７の表面に良質な薄
膜を生成させることができる。そして、不用とな
つたガスは排気ガス導出口２，２から減圧容器３
外へ逐次排出することができる。しかも、本発明
に係る装置では、前記減圧容器３内に前記排気ガ
ス導出口２に連通する排気ダクト１３を設け、こ
の排気ダクト１３のガス吸込口１３ｇを前記基板
７，７の周囲近傍部に開口させているので、プラ
ズマ放電場６を通過したすべてのガスが基板７，
７の表面部へ集められ、しかる後、すべてのガス
が排気ダクト１３を通して減圧容器３外へ排出さ
れることになる。そのため、反応ガスが基板７，
７の裏側にまわり込んでヒータ８に付着するとい
う不都合を防止することができる。また、プラズ
マ分解させた反応ガスの多くが基板７，７の表面
に達しないまま減圧容器３外へ排出されるという
不都合もないので原料ガスを節約することができ
るとともに排出される有毒ガスの処理量を少なく
することができるという利点がある。
口１から減圧容器３内に導入した原料ガスをプラ
ズマ放電場６を通過させる際にプラズマ分解させ
てヒータ８により加熱した基板７，７の表面に導
くことができるので、該基板７の表面に良質な薄
膜を生成させることができる。そして、不用とな
つたガスは排気ガス導出口２，２から減圧容器３
外へ逐次排出することができる。しかも、本発明
に係る装置では、前記減圧容器３内に前記排気ガ
ス導出口２に連通する排気ダクト１３を設け、こ
の排気ダクト１３のガス吸込口１３ｇを前記基板
７，７の周囲近傍部に開口させているので、プラ
ズマ放電場６を通過したすべてのガスが基板７，
７の表面部へ集められ、しかる後、すべてのガス
が排気ダクト１３を通して減圧容器３外へ排出さ
れることになる。そのため、反応ガスが基板７，
７の裏側にまわり込んでヒータ８に付着するとい
う不都合を防止することができる。また、プラズ
マ分解させた反応ガスの多くが基板７，７の表面
に達しないまま減圧容器３外へ排出されるという
不都合もないので原料ガスを節約することができ
るとともに排出される有毒ガスの処理量を少なく
することができるという利点がある。
なお、排気ダクトの構成は前記のものに限られ
ないのは勿論であり、例えば、第５図、第６図に
示すようなものであつてもよい。すなわち、第５
図に示す排気ダクト１３′は、前記実施例と同様
な基本構成に車輪２１とラツク２２とを付加した
ものである。しかして、このようなものであれ
ば、前記ラツク２２に駆動用ピニオンを噛合させ
ることによつて該排気ダクト１３′を減圧容器に
対して自動搬出入させることが可能である。した
がつて、該排気ダクト１３′を基板等とともに複
数の減圧容器内へ順次に移動させて前記基板の表
面に数種類の薄膜を積層させるような場合に便利
である。また、第６図に示す排気ダクト１３″は、
減圧容器３″の端壁を兼ねる背面壁３a″と該減圧
容器３″内に設けた仕切壁状の前面壁２３との間
に形成されたものである。この場合、基板７″，
７″を保持する基板ホルダ１６″は背面壁３a″の中
央部に貫着されており、前記排気ダクト１３″の
ガス吸込口１３g″は前記背面壁３a″と前記前面壁
２３との間に形成される。すなわち、この排気ダ
クト１３″は、プラズマ放電場６に対面する中央
部に開口部１３f″を有した前面壁２３と、この前
面壁２３の開口部１３f″に中央部を接近させた背
面壁３a″とを具備してなる中空体状のもので、そ
の内部は排気ガス導出口２に連通させてある。そ
して、前記背面壁３a″の中央部に基板ホルダ１
６″を前記開口部１３f″に臨ませて設けておき、
その開口部１３f″の開口縁と背面壁３a″との間に
環状に形成される排気ダクト１３″のガス吸込口
１３g″を、前記基板ホルダ１６″に保持させた基
板７″の周囲近傍部に位置させている。しかして、
このようなものであれば、排気ダクト１３″が減
圧容器３″に一体に形成されることになるので、
該排気ダクト１３″だけを取外すというわけには
いかないが、部品点数が少ないため構成が簡単に
なるという利点を有している。
ないのは勿論であり、例えば、第５図、第６図に
示すようなものであつてもよい。すなわち、第５
図に示す排気ダクト１３′は、前記実施例と同様
な基本構成に車輪２１とラツク２２とを付加した
ものである。しかして、このようなものであれ
ば、前記ラツク２２に駆動用ピニオンを噛合させ
ることによつて該排気ダクト１３′を減圧容器に
対して自動搬出入させることが可能である。した
がつて、該排気ダクト１３′を基板等とともに複
数の減圧容器内へ順次に移動させて前記基板の表
面に数種類の薄膜を積層させるような場合に便利
である。また、第６図に示す排気ダクト１３″は、
減圧容器３″の端壁を兼ねる背面壁３a″と該減圧
容器３″内に設けた仕切壁状の前面壁２３との間
に形成されたものである。この場合、基板７″，
７″を保持する基板ホルダ１６″は背面壁３a″の中
央部に貫着されており、前記排気ダクト１３″の
ガス吸込口１３g″は前記背面壁３a″と前記前面壁
２３との間に形成される。すなわち、この排気ダ
クト１３″は、プラズマ放電場６に対面する中央
部に開口部１３f″を有した前面壁２３と、この前
面壁２３の開口部１３f″に中央部を接近させた背
面壁３a″とを具備してなる中空体状のもので、そ
の内部は排気ガス導出口２に連通させてある。そ
して、前記背面壁３a″の中央部に基板ホルダ１
６″を前記開口部１３f″に臨ませて設けておき、
その開口部１３f″の開口縁と背面壁３a″との間に
環状に形成される排気ダクト１３″のガス吸込口
１３g″を、前記基板ホルダ１６″に保持させた基
板７″の周囲近傍部に位置させている。しかして、
このようなものであれば、排気ダクト１３″が減
圧容器３″に一体に形成されることになるので、
該排気ダクト１３″だけを取外すというわけには
いかないが、部品点数が少ないため構成が簡単に
なるという利点を有している。
［発明の効果］
本発明は、以上のような構成であるから、プラ
ズマ放電場でプラズマ分解されたガスの全てを基
板配設部分に導くことができ、その基板の表面に
沿つて排気ダクト内に案内することができる。そ
のため、反応ガスが基板の裏側に多量にまわり込
んでヒータに付着したり、プラズマ分解された反
応ガスの多くが基板に到達しないまま減圧容器外
に排出されるのを有効に防止することができる。
そのため、原料ガスの消費量を無理なく削減して
効率のよい製膜作業を行うことができるととも
に、有毒ガスの処理量も効果的に減少させること
ができるという効果が得られる。
ズマ放電場でプラズマ分解されたガスの全てを基
板配設部分に導くことができ、その基板の表面に
沿つて排気ダクト内に案内することができる。そ
のため、反応ガスが基板の裏側に多量にまわり込
んでヒータに付着したり、プラズマ分解された反
応ガスの多くが基板に到達しないまま減圧容器外
に排出されるのを有効に防止することができる。
そのため、原料ガスの消費量を無理なく削減して
効率のよい製膜作業を行うことができるととも
に、有毒ガスの処理量も効果的に減少させること
ができるという効果が得られる。
第１図は、従来例を示す概略断面図、第２図は
本発明の一実施例を示す概略断面図、第３図、第
４図は同実施例における排気ダクトに示す斜視
図、第５図は本発明の他の実施例を示す斜視図、
第６図は本発明のさらに他の実施例を示す概略断
面図である。 １…原料ガス導入口、２…排気ガス導出口、
３，３″…減圧容器、３a″…背面壁、６…プラズ
マ放電場、７，７″…基板、１３，１３′，１３″
…排気ダクト、１３ｆ，１３f″…開口部、１３
ｇ，１３g″…ガス吸込口、１６，１６″…基板ホ
ルダ、２３…前面壁。
本発明の一実施例を示す概略断面図、第３図、第
４図は同実施例における排気ダクトに示す斜視
図、第５図は本発明の他の実施例を示す斜視図、
第６図は本発明のさらに他の実施例を示す概略断
面図である。 １…原料ガス導入口、２…排気ガス導出口、
３，３″…減圧容器、３a″…背面壁、６…プラズ
マ放電場、７，７″…基板、１３，１３′，１３″
…排気ダクト、１３ｆ，１３f″…開口部、１３
ｇ，１３g″…ガス吸込口、１６，１６″…基板ホ
ルダ、２３…前面壁。
Claims (1)
- １ 原料ガス導入口と排気ガス導出口とを有して
なる減圧容器内にプラズマ放電場を設け、表面に
薄膜を生成させるべき基板を該減圧容器内の前記
プラズマ放電場を介して前記原料ガス導入口に対
峙する位置に配設してなるプラズマCVD装置に
おいて、前記プラズマ放電場に対面する中央部に
貫通孔を有した前面壁と、この前面壁の開口部に
中央部を接近させた背面壁とを具備してなる中空
体状の排気ダクトを設け、この排気ダクト内を前
記排気ガス導出口に連通させるとともに、前記背
面壁の中央部に基板ホルダを前記開口部に臨ませ
て設けておき、その開口部の開口縁と背面壁との
間に環状に形成される排気ダクトのガス吸込口
を、前記基板ホルダに保持させた基板の周囲近傍
部に位置させていることを特徴とするプラズマ
CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021981A JPS5810818A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021981A JPS5810818A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810818A JPS5810818A (ja) | 1983-01-21 |
| JPH0136245B2 true JPH0136245B2 (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=14530091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11021981A Granted JPS5810818A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810818A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132320A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長反応管 |
| JPS60106335U (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | 株式会社島津製作所 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH01239919A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| WO1997018694A1 (fr) * | 1995-11-13 | 1997-05-22 | Ist Instant Surface Technology S.A. | Reacteur a jet de plasma |
-
1981
- 1981-07-14 JP JP11021981A patent/JPS5810818A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5810818A (ja) | 1983-01-21 |
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