JPS58111118A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS58111118A JPS58111118A JP20943581A JP20943581A JPS58111118A JP S58111118 A JPS58111118 A JP S58111118A JP 20943581 A JP20943581 A JP 20943581A JP 20943581 A JP20943581 A JP 20943581A JP S58111118 A JPS58111118 A JP S58111118A
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- Japan
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- film
- thin film
- magnetic head
- plane
- film magnetic
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高性能薄膜磁気ヘッドに関樗るものである。
従来からの薄膜磁気ヘッドの構成は第１図に示１ように
、基板１の上°にパーマロイ等の第１の強磁性体層２を
蒸着、スパッタリング（以下では特にことわりのない限
りこれらを単にスノ（ツタリングと呼ぶ）等の方法によ
り形成し、これを濯式あるいは乾式のエツチング法によ
り所定の形状に吋る。次いで、電気絶縁層３と電気導体
４ケ形成したのち、所定形状にエツチングし、電気絶縁
層５を介して、第２の強磁性体層６に形成する。これを
所定形状にエツチングすることにより、第１と第２の強
磁性体層間に磁気回路を形成して磁気ヘッドとして使用
してきた。
、基板１の上°にパーマロイ等の第１の強磁性体層２を
蒸着、スパッタリング（以下では特にことわりのない限
りこれらを単にスノ（ツタリングと呼ぶ）等の方法によ
り形成し、これを濯式あるいは乾式のエツチング法によ
り所定の形状に吋る。次いで、電気絶縁層３と電気導体
４ケ形成したのち、所定形状にエツチングし、電気絶縁
層５を介して、第２の強磁性体層６に形成する。これを
所定形状にエツチングすることにより、第１と第２の強
磁性体層間に磁気回路を形成して磁気ヘッドとして使用
してきた。
薄膜磁気ヘッドのコア材としてスパッタリングにより形
成したパーマロイな使用櫨る場合には、その膜面内に一
軸異方性を誘起するために、コイルや永久磁石により磁
界を印加嘴るのが一般的に行われる方法である。この場
合、薄膜磁気ヘッドにおいては磁気回路の磁束の流れる
方向が困難磁化方向になるようにしている。とうするこ
とによって高速スイッチング特性を有する高性能薄膜磁
気ヘッドを得ることができるのは周知のごとくである。
成したパーマロイな使用櫨る場合には、その膜面内に一
軸異方性を誘起するために、コイルや永久磁石により磁
界を印加嘴るのが一般的に行われる方法である。この場
合、薄膜磁気ヘッドにおいては磁気回路の磁束の流れる
方向が困難磁化方向になるようにしている。とうするこ
とによって高速スイッチング特性を有する高性能薄膜磁
気ヘッドを得ることができるのは周知のごとくである。
一方、パーマロイ合金には応力感受性つまり、磁歪と応
力の関連によりパーマロイの磁気特性が左右されるとい
う現象のあることは良く知られている。このため薄膜磁
気ヘッドに使用する磁性薄膜においては、他方この応力
感受性を小さくするための努力がはられれている。例え
ば。
力の関連によりパーマロイの磁気特性が左右されるとい
う現象のあることは良く知られている。このため薄膜磁
気ヘッドに使用する磁性薄膜においては、他方この応力
感受性を小さくするための努力がはられれている。例え
ば。
Ｊ＊Ｐ＊Ｒ＠＊ｋｓｔｉｎ：Ｚｅｒｏ Ｍｇｎａｔｏ
ｓｔｒｉｃｔ１ｏｎＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｎ
ｉ −ｒｅ Ｆｉｌｍｓ；Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙ４
５５＊１４４９（１９６７） に報告されている磁気
弾性定数の組成依存性などはその一例といってよい。こ
の例にあるように従来は応力感受性の小さい、換言憚れ
ば磁歪定数の小さな組成を選択して薄膜磁気ヘッド用の
磁゛性薄膜の性能向上を図ってきた。しかしｔＸがら、
パーマロイ薄膜における磁歪定数は薄膜の組成を厳密に
コントロール樗るだけでは不十分である。それは第２図
（パーマロイ単結晶の結晶方位と磁歪定数の関係を組成
に対して示した図で、＊、軸にＮ１量、縦軸に磁歪定数
をとったもの）の曲ＩＩ７および８に示したパーマロイ
単結晶のように、その結晶方位により磁歪定数の最小に
なる組成の異なること、またｌ Ｖｉｌ Ｐｕｇｈ ａ
ｎｄ ’Ｉ Ｑ Ｍｏｈｒ：Ｐｒｏｐｅｒｔｌｅｓ ｏ
ｆＦｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｌｍｓ：Ｔｈ１ｎ
Ｐｉｌｍｓ、Ａｍｅｒｉｃａｎ８ｏｃｉｅｔｙ ｆｏ
ｒ Ｍｅｔａｌｍ、 ２１９（１９６５） に示され
ているようにスパッタリング法によって得られるパーマ
ロイ薄膜は、微細な結晶粒からなる多緒晶体であり、し
かも性能のよい膜を得るためにはある程廖の温度に基板
加熱をしてスパッタリングを行う必要のあることである
。ところで、スパッタリングにより形成した膜の結晶方
位の配向性が、膜の形成条件により異なるという報告は
末だない。本発明者らの検討によりこの配向性は基板温
度により異なることが解った。しかしスパッタリング中
の真の基板温度を厳密に制御ゴるのは極めて困難である
ことは多くの報告に示めされ、ている如くである。した
がって、得られる膜の配向性に差な生じ、これは前述し
たように磁歪定数にばらつきを与えることになる。
ｓｔｒｉｃｔ１ｏｎＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｎ
ｉ −ｒｅ Ｆｉｌｍｓ；Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙ４
５５＊１４４９（１９６７） に報告されている磁気
弾性定数の組成依存性などはその一例といってよい。こ
の例にあるように従来は応力感受性の小さい、換言憚れ
ば磁歪定数の小さな組成を選択して薄膜磁気ヘッド用の
磁゛性薄膜の性能向上を図ってきた。しかしｔＸがら、
パーマロイ薄膜における磁歪定数は薄膜の組成を厳密に
コントロール樗るだけでは不十分である。それは第２図
（パーマロイ単結晶の結晶方位と磁歪定数の関係を組成
に対して示した図で、＊、軸にＮ１量、縦軸に磁歪定数
をとったもの）の曲ＩＩ７および８に示したパーマロイ
単結晶のように、その結晶方位により磁歪定数の最小に
なる組成の異なること、またｌ Ｖｉｌ Ｐｕｇｈ ａ
ｎｄ ’Ｉ Ｑ Ｍｏｈｒ：Ｐｒｏｐｅｒｔｌｅｓ ｏ
ｆＦｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｌｍｓ：Ｔｈ１ｎ
Ｐｉｌｍｓ、Ａｍｅｒｉｃａｎ８ｏｃｉｅｔｙ ｆｏ
ｒ Ｍｅｔａｌｍ、 ２１９（１９６５） に示され
ているようにスパッタリング法によって得られるパーマ
ロイ薄膜は、微細な結晶粒からなる多緒晶体であり、し
かも性能のよい膜を得るためにはある程廖の温度に基板
加熱をしてスパッタリングを行う必要のあることである
。ところで、スパッタリングにより形成した膜の結晶方
位の配向性が、膜の形成条件により異なるという報告は
末だない。本発明者らの検討によりこの配向性は基板温
度により異なることが解った。しかしスパッタリング中
の真の基板温度を厳密に制御ゴるのは極めて困難である
ことは多くの報告に示めされ、ている如くである。した
がって、得られる膜の配向性に差な生じ、これは前述し
たように磁歪定数にばらつきを与えることになる。
本発明は前述の従来の間龜点を解決した高性能薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的とする。
ヘッドを提供することを目的とする。
本発明はパーマロイ膜の結晶方位な膜面内で（１００）
面に配向させたときに所望とする磁歪定数になる組成に
しておき、膜形成後に１５０°Ｃ以上４５０’Ｃ以下、
好ましくは１７０＠Ｃ以上４２０°Ｃ以下の温度で焼鈍
することにより、膜面内で（１００）面に配向させ、ば
らつきの萎ない磁歪定数を得て高性能薄膜磁気ヘッドを
得る。ものである。
面に配向させたときに所望とする磁歪定数になる組成に
しておき、膜形成後に１５０°Ｃ以上４５０’Ｃ以下、
好ましくは１７０＠Ｃ以上４２０°Ｃ以下の温度で焼鈍
することにより、膜面内で（１００）面に配向させ、ば
らつきの萎ない磁歪定数を得て高性能薄膜磁気ヘッドを
得る。ものである。
以下に実施例をもって説明イる。
実施例１：基板温度２８０°Ｃでスパッタリングにより
形成した。組成は８０重量＄Ｎｉである。
形成した。組成は８０重量＄Ｎｉである。
実施例２：基板温度１２０°Ｃでスパッタリングにより
形成した。組成はＳｔＳ重量４Ｎｉである。
形成した。組成はＳｔＳ重量４Ｎｉである。
実施例３：基板温ｒＩｌｓ５０°Ｃで蒸着により形成し
た。組成は８ｎ重量ｌＮｉである。
た。組成は８ｎ重量ｌＮｉである。
実施例４：基板温度１２０°Ｃで蒸着により形成した。
組成はＳｔＳ重量％Ｎｉである。
実施例１′１：実施例２のｖ料ヲ１５０°ＣＣ’ ２時
間の真空中焼鈍を施したものである。
間の真空中焼鈍を施したものである。
実施例６：１！施例４の試料を１５０°Ｃで２時間表１
に実施例１〜６の試料のｘ１１回折結果を示１゜表中の
数値は各回折面における相対強度を表わしたものである
。表から知れるように実（２２０）面、ｊ３１１）面、
（２２２）面は検出されなかった。
に実施例１〜６の試料のｘ１１回折結果を示１゜表中の
数値は各回折面における相対強度を表わしたものである
。表から知れるように実（２２０）面、ｊ３１１）面、
（２２２）面は検出されなかった。
この結果から実施例１．Ｓ、５．６の試料は膜面内には
ぼ完全に（１００１面配向していることがわかる。一方
、実施例２，４の試料は膜面内で結晶粒がランダムな方
位をとっていることがわかる。また、実施例２．４の試
料を１５０°Ｃで真空中（１０Ｔｏｒｒ、）［鈍するこ
とにより、実施例５゜６にみ゛られるように（１００）
面配向できることがわかる。 ２ 第２図に各実施例の磁歪定数とＦｅ−Ｎｉ組成の関係を
示１゜前述したよう罠性能のよい膜をうるためには応力
感受性をできるだけ小さく樗る必要があり、そのために
できるだけ厳密にＮｉ量を調整する努力がはられれてい
る。しかし、第２図に示したように同一組成でありても
、膜を構成するＦｅ−Ｎｉの結晶の配向性により磁歪定
数が異なることがわかる。換言するならば、磁歪定数を
小さな値Ｋ １！Ｉｌｌ ＠樗るためには（１ｏｏ）面
配向させ、かつその時に磁歪定数が傘も小さくなるＮｉ
＠成を選択する必要がある。
ぼ完全に（１００１面配向していることがわかる。一方
、実施例２，４の試料は膜面内で結晶粒がランダムな方
位をとっていることがわかる。また、実施例２．４の試
料を１５０°Ｃで真空中（１０Ｔｏｒｒ、）［鈍するこ
とにより、実施例５゜６にみ゛られるように（１００）
面配向できることがわかる。 ２ 第２図に各実施例の磁歪定数とＦｅ−Ｎｉ組成の関係を
示１゜前述したよう罠性能のよい膜をうるためには応力
感受性をできるだけ小さく樗る必要があり、そのために
できるだけ厳密にＮｉ量を調整する努力がはられれてい
る。しかし、第２図に示したように同一組成でありても
、膜を構成するＦｅ−Ｎｉの結晶の配向性により磁歪定
数が異なることがわかる。換言するならば、磁歪定数を
小さな値Ｋ １！Ｉｌｌ ＠樗るためには（１ｏｏ）面
配向させ、かつその時に磁歪定数が傘も小さくなるＮｉ
＠成を選択する必要がある。
本発明によれば、膜形成時の基板温度の変動に起因樗る
磁歪定数のばらつきは、その後の加熱処理により小さく
できる効果がある。
磁歪定数のばらつきは、その後の加熱処理により小さく
できる効果がある。
第１図は薄膜磁気ヘッドの断面図、ｆｘ２図はパーマロ
イ単結晶の結晶方位および本発明の実施例によるパーマ
ロイ薄膜の結晶方位と磁歪定数の関係を組成に対して示
した図である。 １・・・基板 ２．６・・・強磁性体層 ５．５・・・電気絶縁層 ４・・・電気導体層 代理人弁理士 薄 田【０１転−２ オ １ の オ ２ 膓 Ｎｉ’ｔ ＜ｗｔ％ン
イ単結晶の結晶方位および本発明の実施例によるパーマ
ロイ薄膜の結晶方位と磁歪定数の関係を組成に対して示
した図である。 １・・・基板 ２．６・・・強磁性体層 ５．５・・・電気絶縁層 ４・・・電気導体層 代理人弁理士 薄 田【０１転−２ オ １ の オ ２ 膓 Ｎｉ’ｔ ＜ｗｔ％ン
Claims (1)
- 薄膜磁気ヘッドにおいて、強磁性体層を構成する薄膜の
結晶粒の方位が、その膜面内で（１００）面に配向して
いることを特徴と樗る薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20943581A JPS58111118A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20943581A JPS58111118A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111118A true JPS58111118A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16572808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20943581A Pending JPS58111118A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111118A (ja) |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP20943581A patent/JPS58111118A/ja active Pending
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