JPS58133619A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS58133619A JPS58133619A JP1487082A JP1487082A JPS58133619A JP S58133619 A JPS58133619 A JP S58133619A JP 1487082 A JP1487082 A JP 1487082A JP 1487082 A JP1487082 A JP 1487082A JP S58133619 A JPS58133619 A JP S58133619A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、導体層を磁性体層で挾んだ構成の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
ッドの製造方法に関する。
薄膜磁気ヘッドの一般的な構造、およびその従来の製造
過程について、図面によって説明する。
過程について、図面によって説明する。
まず、シリ°コンやセラミック等の基板１の上に、蒸着
、電着、スパッタリング等の方法によりパーマロイ等の
強磁性材料から成る磁性体層２を形成する。この磁性体
層Ｂを湿式または乾式のエツチングによって所定の形状
とし友後、その上に蒸着。
、電着、スパッタリング等の方法によりパーマロイ等の
強磁性材料から成る磁性体層２を形成する。この磁性体
層Ｂを湿式または乾式のエツチングによって所定の形状
とし友後、その上に蒸着。
電着、スパッタリング、＊布、印刷等の方法により有機
樹脂等の電気絶Ｉ＃４８を形成する。その上に電気導体
層４を形成し、これを所定の形状にエツチングし九のち
、その上に電気絶縁ノー６を形成する。この電気絶縁層
すの上に磁性体層２と同様の材料で同様の方法により磁
性体層６を形成し、これを目的の形状にエツチングする
。かくして、磁性体層８．６間に磁気回路が形成される
。
樹脂等の電気絶Ｉ＃４８を形成する。その上に電気導体
層４を形成し、これを所定の形状にエツチングし九のち
、その上に電気絶縁ノー６を形成する。この電気絶縁層
すの上に磁性体層２と同様の材料で同様の方法により磁
性体層６を形成し、これを目的の形状にエツチングする
。かくして、磁性体層８．６間に磁気回路が形成される
。
ところで、薄膜磁気ヘッドの素材として、蒸着あるい社
スパッタリングにより得たパーマロイ膜を使用する場合
は、膜面に一軸異方性を誘起させるために１コイルある
いは磁石により磁界を印加するのが一般的である。これ
は薄膜磁気ヘッドの場合も同様であり、磁気回路の磁束
が流れる方向を磁化困難方向とするように磁性体層２．
６を磁場配置する。こうすることにより、薄膜磁気ヘッ
ドのスイッチング性能を向上できる。
スパッタリングにより得たパーマロイ膜を使用する場合
は、膜面に一軸異方性を誘起させるために１コイルある
いは磁石により磁界を印加するのが一般的である。これ
は薄膜磁気ヘッドの場合も同様であり、磁気回路の磁束
が流れる方向を磁化困難方向とするように磁性体層２．
６を磁場配置する。こうすることにより、薄膜磁気ヘッ
ドのスイッチング性能を向上できる。
また、パーマロイ等には応力感受性、つまり磁歪と応力
の関連により磁気的性質が左右されるという現象がある
。この応力感受性により薄膜磁気ヘッドの特性が悪化し
ないようにするには、磁性体層Ｓ、６に残留する内部応
力を極力減少するのが望ましい。
の関連により磁気的性質が左右されるという現象がある
。この応力感受性により薄膜磁気ヘッドの特性が悪化し
ないようにするには、磁性体層Ｓ、６に残留する内部応
力を極力減少するのが望ましい。
ここで、磁性体層２．６の組成選定には２つの方向があ
る。１つは応力感受性を小さくするために磁φの小さい
組成を選定するものである。もう１つは応力感受性を積
極的に利用するために負。
る。１つは応力感受性を小さくするために磁φの小さい
組成を選定するものである。もう１つは応力感受性を積
極的に利用するために負。
正の磁歪組成を選定するものである。磁性体層２゜６に
残留する応力の大きさはその形成方法によっても異るが
、この応力の大きさに特性を左右されないようにしよう
というのが前者であり、逆にそれを積極的に利用しよう
というのが後者である。
残留する応力の大きさはその形成方法によっても異るが
、この応力の大きさに特性を左右されないようにしよう
というのが前者であり、逆にそれを積極的に利用しよう
というのが後者である。
しかし、いずれの組成選定を行なうにしても、磁性体層
Ｓ、６に残留する内部応力を極力減少させる必要がある
。
Ｓ、６に残留する内部応力を極力減少させる必要がある
。
すなわち、磁歪が零である組成を選択し九場合でも、現
実に得られる磁性体層３．６は正、負の磁歪側にある程
度の分布をもっているのが常である。つぎに、内部応力
を積極的に利用する場合であるが、この時には磁性体層
３．６の形成条件が問題となる。すなわち、磁性体層Ｓ
、６の内部応力には層自身のもつ真性応力と、電着、ス
パッタあるいは蒸着時の基板との熱膨張係数の差に起因
する熱応力がある。一般に低い温度で形成すると真性応
力が、高い温度で形成すると熱応力がそれぞれ残留応力
として残る。このような内部応力は、磁性体層を形成し
た時点では等方向であっても、それを目的とする形状に
パターンニングすると、その形状が円形以外であると異
方的な応力となり、目的とした一軸異方性の方向ずれを
起こす恐れがある。このようなわけで、磁性体層８．６
の組成をどのように選定したとしても、残留する内部応
力を減少させることが重要である。
実に得られる磁性体層３．６は正、負の磁歪側にある程
度の分布をもっているのが常である。つぎに、内部応力
を積極的に利用する場合であるが、この時には磁性体層
３．６の形成条件が問題となる。すなわち、磁性体層Ｓ
、６の内部応力には層自身のもつ真性応力と、電着、ス
パッタあるいは蒸着時の基板との熱膨張係数の差に起因
する熱応力がある。一般に低い温度で形成すると真性応
力が、高い温度で形成すると熱応力がそれぞれ残留応力
として残る。このような内部応力は、磁性体層を形成し
た時点では等方向であっても、それを目的とする形状に
パターンニングすると、その形状が円形以外であると異
方的な応力となり、目的とした一軸異方性の方向ずれを
起こす恐れがある。このようなわけで、磁性体層８．６
の組成をどのように選定したとしても、残留する内部応
力を減少させることが重要である。
本発明は、上記した磁性体層に残留する内部応力を大幅
に減少し、性能の優れた薄膜磁気ヘッドを製造する方法
を提供することを目的とするものである。
に減少し、性能の優れた薄膜磁気ヘッドを製造する方法
を提供することを目的とするものである。
しかして本発明の主たる特徴は、薄膜磁気ヘッドの磁性
体層を形成後、それに残留する内部応力を減らすために
焼鈍を行なう点にある。この焼鈍は個々の磁性体層を形
成する度に行なってもよいし、最終段階で２つの磁性体
層に対して一括して行なってもよい。焼鈍による内部応
力、の軽減効果は、前述の真性応力に対して臀に顕著で
ある。し九がって、各磁性体層を主に真性応力のみが残
留するような比較的低い温度で形成した場合に１本発明
の効果が最も顕著である。
体層を形成後、それに残留する内部応力を減らすために
焼鈍を行なう点にある。この焼鈍は個々の磁性体層を形
成する度に行なってもよいし、最終段階で２つの磁性体
層に対して一括して行なってもよい。焼鈍による内部応
力、の軽減効果は、前述の真性応力に対して臀に顕著で
ある。し九がって、各磁性体層を主に真性応力のみが残
留するような比較的低い温度で形成した場合に１本発明
の効果が最も顕著である。
以下、本発明の実施例について説明する。
！＊施何例
１膜磁気ヘッドの構造は図面に示す通りである。
基板ｌとして０．２■屡のシリコン・ウエノ１を用い、
磁性体層２．６として２μ簿厚のパーマロイ膜をプレー
ナマグネトロン型スパッタ装置により、５ｘｌＯＴｏｒ
ｒｏＡ１ガス圧下で形成した。ただし、磁性体層３．６
の形成は、基板ｌの温度を１００℃に保って行なり九。
磁性体層２．６として２μ簿厚のパーマロイ膜をプレー
ナマグネトロン型スパッタ装置により、５ｘｌＯＴｏｒ
ｒｏＡ１ガス圧下で形成した。ただし、磁性体層３．６
の形成は、基板ｌの温度を１００℃に保って行なり九。
これ以外は従来と同様である。
上のようにして得た試料について、５Ｘ１０ＴＯｒｒ
の真空中にて２５０℃、８００℃、８５０℃、５００℃
のそれぞれの温度で２時間の焼鈍をし九。これらの焼鈍
後の試料、および焼鈍を行なわなかった試料について、
円板法により磁性体層６の内部応力を測定した。測定結
果を第１表に示す。
の真空中にて２５０℃、８００℃、８５０℃、５００℃
のそれぞれの温度で２時間の焼鈍をし九。これらの焼鈍
後の試料、および焼鈍を行なわなかった試料について、
円板法により磁性体層６の内部応力を測定した。測定結
果を第１表に示す。
実施例２
磁柱体層２．６の形成時の基板温度を１５０℃とし九以
外は実施例１と同様の条件で作り九試料に、２５０℃、
８００℃、８５０℃、５００℃の酸素を含まない雰囲気
中で焼鈍を施した。これら焼鈍処理後の試料、および焼
鈍を施さなかった試料について、磁性体層６の内部応力
を円板法で測定した。測定結果を第１表に示す。
外は実施例１と同様の条件で作り九試料に、２５０℃、
８００℃、８５０℃、５００℃の酸素を含まない雰囲気
中で焼鈍を施した。これら焼鈍処理後の試料、および焼
鈍を施さなかった試料について、磁性体層６の内部応力
を円板法で測定した。測定結果を第１表に示す。
実施例８
基板温度を２００℃として磁性体層２．６を形成した以
外は実施例１と一様の方法および条件で得九試料に、酸
素を含まない雰囲気中で２５０℃、８００Ｕ 、 ８５
０℃、５００′ｃ４Ｃて焼鈍を施した。焼鈍後の試料お
よび焼鈍を施さない試料について、磁性体層６の内部応
力を円板法で測定した。測定結果を第１表に示す。
外は実施例１と一様の方法および条件で得九試料に、酸
素を含まない雰囲気中で２５０℃、８００Ｕ 、 ８５
０℃、５００′ｃ４Ｃて焼鈍を施した。焼鈍後の試料お
よび焼鈍を施さない試料について、磁性体層６の内部応
力を円板法で測定した。測定結果を第１表に示す。
実施例４
磁性体ＮＩ２．６の形成時の基板温巌を８５０℃とした
以外は、実施例と開方法、同条件で得た試料に、前記実
施例と同様の焼鈍処理を施した。これら試料と、焼鈍を
施さない試料について、円板法により磁性体層６の内部
応力を測定した。測定結果を第１表に示す。
以外は、実施例と開方法、同条件で得た試料に、前記実
施例と同様の焼鈍処理を施した。これら試料と、焼鈍を
施さない試料について、円板法により磁性体層６の内部
応力を測定した。測定結果を第１表に示す。
第１表
第１表から明らかなように１磁性体層の形成時の基板温
度が低いほど、それに残留する内部応力が大きくなるが
、焼鈍による軽減効果も同時に大きくなり、焼鈍温度８
５０℃で焼鈍処理後は殆んど同じ程度の極めて小さな値
まで内部応力が減少する。内部応力の軽減効果は焼鈍温
度を上げるにしたがって大きくなる傾向にあるが、焼鈍
温度５００℃では内部応力が逆に増加する。これは、焼
鈍温度が高過ぎると、磁性体層の再結晶が起こるためで
ある。
度が低いほど、それに残留する内部応力が大きくなるが
、焼鈍による軽減効果も同時に大きくなり、焼鈍温度８
５０℃で焼鈍処理後は殆んど同じ程度の極めて小さな値
まで内部応力が減少する。内部応力の軽減効果は焼鈍温
度を上げるにしたがって大きくなる傾向にあるが、焼鈍
温度５００℃では内部応力が逆に増加する。これは、焼
鈍温度が高過ぎると、磁性体層の再結晶が起こるためで
ある。
したがって、本発明の目的からは、焼鈍温度を磁性体層
の再結晶温度より低く決める必要がある。
の再結晶温度より低く決める必要がある。
以上に述べたように、本発明によれば磁性体層に残留す
る内部応力を大幅に減少し、高性能の薄膜磁気ヘッドを
得ることができ、その効果は極めて大きい。
る内部応力を大幅に減少し、高性能の薄膜磁気ヘッドを
得ることができ、その効果は極めて大きい。
図は薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
ｌ・・・基板、２．６・・・磁性体層、８．５・・・電
気絶縁ノー、４・・・電気導体層。 ４ ５ ｃ。 １ ２ ５
気絶縁ノー、４・・・電気導体層。 ４ ５ ｃ。 １ ２ ５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 導体層を磁性体層で挾んだ構成の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、該磁性体層の形成後、該磁性体層の
残留応力を減少させるための焼鈍工程を含むことを％黴
とする□薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２ 前記の焼鈍工程は前記の磁性体層の再結晶温度より
低い焼鈍温度にて行なう仁とを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ３ 前記の磁性体層はその形成後に残留する応力が主に
真性応力となる温度で形成することを特徴とする特ｆｆ
＃求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1487082A JPS58133619A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1487082A JPS58133619A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133619A true JPS58133619A (ja) | 1983-08-09 |
Family
ID=11873048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1487082A Pending JPS58133619A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133619A (ja) |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1487082A patent/JPS58133619A/ja active Pending
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