JPS58111201A - リチウムイオン導電性固体電解質 - Google Patents
リチウムイオン導電性固体電解質Info
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- JPS58111201A JPS58111201A JP21126081A JP21126081A JPS58111201A JP S58111201 A JPS58111201 A JP S58111201A JP 21126081 A JP21126081 A JP 21126081A JP 21126081 A JP21126081 A JP 21126081A JP S58111201 A JPS58111201 A JP S58111201A
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Classifications
-
- Y02E60/12—
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Primary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリブラムイオン導電性固体電解質に関するもの
である。
である。
リデワム系固体電解質電池の電解質などに用いられるジ
テウムイオン導電体として、従来より沃化リデクム（Ｌ
ｉＩＪが知られているが、そのイア オン導電率は２０℃で１０ １２−’ａｍ＝程度であ毫
ハ電池へ′の利用には不充分である。又沃化リテワムに
アルミナ（ＡＩ！２０Ｍ％ン添加（ドープ）する方法も
提案され１例えばＬｉＩに５０〜４０モルチのＡＩ！２
０ｓ ｙ２４加したものは、イオン導電率が２０℃でＩ
Ｘ ｉ Ｏ−５Ω−’ａｍ−’程ｆｆ！テ上昇ｆ６゜
このような疹加物によりイオン→電率か同上する機構等
の詳細は明らかにされていないが、ドー１するＪｌ！２
０３の比表ｉｉ］積が大さい程Ｓ嘔率同上に寄与するこ
とが経験的に知られている。
テウムイオン導電体として、従来より沃化リデクム（Ｌ
ｉＩＪが知られているが、そのイア オン導電率は２０℃で１０ １２−’ａｍ＝程度であ毫
ハ電池へ′の利用には不充分である。又沃化リテワムに
アルミナ（ＡＩ！２０Ｍ％ン添加（ドープ）する方法も
提案され１例えばＬｉＩに５０〜４０モルチのＡＩ！２
０ｓ ｙ２４加したものは、イオン導電率が２０℃でＩ
Ｘ ｉ Ｏ−５Ω−’ａｍ−’程ｆｆ！テ上昇ｆ６゜
このような疹加物によりイオン→電率か同上する機構等
の詳細は明らかにされていないが、ドー１するＪｌ！２
０３の比表ｉｉ］積が大さい程Ｓ嘔率同上に寄与するこ
とが経験的に知られている。
本発明はか＼る点に盲目してリテワムイオン導電率の良
好な電解質組成物χ提供するもので、その特徴とする所
は沃化リデクムに活性アノνミナとゼオライト？添加す
る点にある。
好な電解質組成物χ提供するもので、その特徴とする所
は沃化リデクムに活性アノνミナとゼオライト？添加す
る点にある。
以下本発明電解質の作成例について説明する。
沃化リテワム（Ｌ、ｉＩ）は市販の三水和物（Ｌｌ喰
Ｉ・３）１２０ ）１ｋ ２５０℃で１５時間減圧乾燥
粉砕して４００メツシュ通過粉末とする。活性アルミナ
（ＡＩ！２０！ｌ）は市販の活性アルミナχ６０℃で１
５時間減圧乾燥処理して後粉砕し、同様に４００メツシ
ュ通過粉末とする。
粉砕して４００メツシュ通過粉末とする。活性アルミナ
（ＡＩ！２０！ｌ）は市販の活性アルミナχ６０℃で１
５時間減圧乾燥処理して後粉砕し、同様に４００メツシ
ュ通過粉末とする。
−万イオクィトは市販の粉末状モレキュラシーイｔ’６
００メツシュ通過させた粉末を用いた。このゼオライト
に一般式ｆＪＩ、２ｚｉＨＱ−Ａ／ ２０３ ・２８１
０２（こ−でＭはＩ、ｉ、Ｎａ、に、Ｏａなどの金輸で
表 □わされる金属イオンを含むアルミノケイ酸塩であ
り、その比表面積は約８ｏｏ♂／ｇ で、活性アルミナ
の２００−ｔ／ｇ ｔ：比し著しく大きい。
００メツシュ通過させた粉末を用いた。このゼオライト
に一般式ｆＪＩ、２ｚｉＨＱ−Ａ／ ２０３ ・２８１
０２（こ−でＭはＩ、ｉ、Ｎａ、に、Ｏａなどの金輸で
表 □わされる金属イオンを含むアルミノケイ酸塩であ
り、その比表面積は約８ｏｏ♂／ｇ で、活性アルミナ
の２００−ｔ／ｇ ｔ：比し著しく大きい。
ゼオライトとして本実施例では、Ｎａｙ含む省九セ゛オ
ラ４・ト、（Ｎａ２Ｏ・人ｊ！０５−２ｉ９１０２）と
Ｌ ｉｔ’含む＠ｋ”ｆ ｔ ラ−４ｋ （Ｌｉ２ｏ−
ＡＩ！ｔｏｓ−２ｓ１ｏ２］とｔ用いた。
ラ４・ト、（Ｎａ２Ｏ・人ｊ！０５−２ｉ９１０２）と
Ｌ ｉｔ’含む＠ｋ”ｆ ｔ ラ−４ｋ （Ｌｉ２ｏ−
ＡＩ！ｔｏｓ−２ｓ１ｏ２］とｔ用いた。
電解質材に以上の沃化リデクム、活性アルミナ及びゼオ
ライトの所定量を乳鉢中で充分混合し。
ライトの所定量を乳鉢中で充分混合し。
この混合物を石英ボードに入れアルゴン雰囲気下電気炉
中５００”Ｃで３時間減圧焼成したのち粉砕し、４００
メツシュ通過粉末とする。
中５００”Ｃで３時間減圧焼成したのち粉砕し、４００
メツシュ通過粉末とする。
このようにして得た電解質粉末材ｔＯｇｔ’１０鱈φノ
金型に入れ５ｔ／−でプレス成型シてベレットとする。
金型に入れ５ｔ／−でプレス成型シてベレットとする。
この電解質のイオン導電率は、ペレットの両面に１０−
φの金属ヲデクム板を圧着して測定用試料とし、この試
料の抵抗ＹＩＫＨｚ の交流ブリッジで測定し、換算
式を用いてイオン導電率を算出した。
φの金属ヲデクム板を圧着して測定用試料とし、この試
料の抵抗ＹＩＫＨｚ の交流ブリッジで測定し、換算
式を用いてイオン導電率を算出した。
第１図は前記Ｎａｇ営むゼオライトのドープ率（直置チ
）と電解質の２０℃におけるイオン導電率（Ω″″１α
−１）との関係乞示す図で、 ［ａｌｔば沃イヒリテワ
ムに対し活性アルミナ２０重ｔ％、（ｂ）は活性アルミ
ナ２５重置％ン夫々含有するものに、Ｎａゼオライトン
２〜２０重諸チの間で添加量ケ変えた場合のイオン導電
率？表している。
）と電解質の２０℃におけるイオン導電率（Ω″″１α
−１）との関係乞示す図で、 ［ａｌｔば沃イヒリテワ
ムに対し活性アルミナ２０重ｔ％、（ｂ）は活性アルミ
ナ２５重置％ン夫々含有するものに、Ｎａゼオライトン
２〜２０重諸チの間で添加量ケ変えた場合のイオン導電
率？表している。
この第１図から活性アルミナ２０重堵チとＨａゼオライ
ト１５重１ｉ％添加した沃化リブラムは。
ト１５重１ｉ％添加した沃化リブラムは。
１５）１０ Ω （至） 、又活性アルミナ２５重量
％とＮａゼオライ）１０重ＩＩｋチを添加した沃化リブ
ラムは、ｉ、２Ｘ１０ Ω Ｇ の４敵率乞夫々示す
ことがわかる。
％とＮａゼオライ）１０重ＩＩｋチを添加した沃化リブ
ラムは、ｉ、２Ｘ１０ Ω Ｇ の４敵率乞夫々示す
ことがわかる。
第２図は同上電解質におけるイオン導電率の経時変化を
示し、保存性も良好である。
示し、保存性も良好である。
第６図は前記Ｌ１乞含むゼオライトのドープ率（重量％
）とイオン、＃電車（Ω 個 ）との関係’ｋＴＸＴ因
で、沃化リブラムに活性アルミナＹ２０電量−，Ｌ１ゼ
オライトｔ２〜２０ＴｊＬ＠−の間で変えた場合の２０
℃における電解質のイオン導電率を表している。この第
３因から、Ｌｉゼオライ−の最大イオン４１Ｉｔ率を示
すことがわかる。
）とイオン、＃電車（Ω 個 ）との関係’ｋＴＸＴ因
で、沃化リブラムに活性アルミナＹ２０電量−，Ｌ１ゼ
オライトｔ２〜２０ＴｊＬ＠−の間で変えた場合の２０
℃における電解質のイオン導電率を表している。この第
３因から、Ｌｉゼオライ−の最大イオン４１Ｉｔ率を示
すことがわかる。
又第４図からこの電解質のイオン導電率における経時変
化は殆どなく、保有性良好であることχ示す。
化は殆どなく、保有性良好であることχ示す。
上記本発明電解質（二おいてリブラムイオン導電率の同
上と安定性が得られる理由に、前記ゼオライトがいづれ
も活性アルミナに比して約４倍Ｑ比表面積とモレキュク
シーブとしての強力な吸着能力を持つ点からこのゼオラ
イトが沃化リブラムや活性アルミナなどの構成材粒子間
の゛接触性を同上するためと推察される。
上と安定性が得られる理由に、前記ゼオライトがいづれ
も活性アルミナに比して約４倍Ｑ比表面積とモレキュク
シーブとしての強力な吸着能力を持つ点からこのゼオラ
イトが沃化リブラムや活性アルミナなどの構成材粒子間
の゛接触性を同上するためと推察される。
以上の実施例はｌａｇ含むゼオライトとＬ１χ含むゼオ
ライトの場合Ｃ二ついて説明したが、Ｃａ娶含む天然ゼ
オライトとしてのワイフヵイ）（ＯＢ （ＡＩ！８１２
０４）・２Ｈ鵞０〕やＢａｙ含む天然ゼオライト（エジ
ングナイド（Ｂｌ （Ａ／２Ｓｉ５・０１０）４Ｈ２０
））も同様に使用可能であり、又Ｌ１を含むゼオライト
として前記実施例の（Ｌｉ２０・ＡＩ！２０５２８１０
２） の他し１−ホワフツ石（Ｌｉ（Ａ／５ｉ２０６
）Ｈ２Ｏ）やＬｌ−モルデナイト（ｙｉ （Ａ、／５１
５０１８）・’５Ｈ２０）などが像げられ、これらもそ
の特性上本発明′４．解實に用いることかできる。
ライトの場合Ｃ二ついて説明したが、Ｃａ娶含む天然ゼ
オライトとしてのワイフヵイ）（ＯＢ （ＡＩ！８１２
０４）・２Ｈ鵞０〕やＢａｙ含む天然ゼオライト（エジ
ングナイド（Ｂｌ （Ａ／２Ｓｉ５・０１０）４Ｈ２０
））も同様に使用可能であり、又Ｌ１を含むゼオライト
として前記実施例の（Ｌｉ２０・ＡＩ！２０５２８１０
２） の他し１−ホワフツ石（Ｌｉ（Ａ／５ｉ２０６
）Ｈ２Ｏ）やＬｌ−モルデナイト（ｙｉ （Ａ、／５１
５０１８）・’５Ｈ２０）などが像げられ、これらもそ
の特性上本発明′４．解實に用いることかできる。
上述の如く本発明による沃化リテクムー活性アルミナー
ゼオライトとからなる一解質組成物は、従来の沃化リテ
ワムー活性アルミナ、系電解質に比・し、電源でのリチ
ウムイオン導電率が改善され。
ゼオライトとからなる一解質組成物は、従来の沃化リテ
ワムー活性アルミナ、系電解質に比・し、電源でのリチ
ウムイオン導電率が改善され。
特にＬ１ゼオライトを含む組成物は、２Ｘ１０Ω ｅｓ
ｌ−も達する。又本発明電解質はイオン導電率の経時変
化が殆どなく安定性も良好であるなどリテクム系゛成池
の固体電解質として丁ぐれた特性乞具備するものである
。
ｌ−も達する。又本発明電解質はイオン導電率の経時変
化が殆どなく安定性も良好であるなどリテクム系゛成池
の固体電解質として丁ぐれた特性乞具備するものである
。
第１図はＮａゼオライトχ含む本発明゛電解−質におけ
るゼオライトのドープ率とイオン導Ｑ；率の関係を示す
図、１８２図は同上電解質のイオン４電車の経時変化を
示す因である。第３図はＬ１イオライト？含む本発明電
解質Ｃ二おけるゼオライトのＦ−１率とイオン導電率と
の関係ン示す図、第４図は同上電解質のイオン導電率の
経時変化を示す図である。 第１図 第２図
るゼオライトのドープ率とイオン導Ｑ；率の関係を示す
図、１８２図は同上電解質のイオン４電車の経時変化を
示す因である。第３図はＬ１イオライト？含む本発明電
解質Ｃ二おけるゼオライトのＦ−１率とイオン導電率と
の関係ン示す図、第４図は同上電解質のイオン導電率の
経時変化を示す図である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 沃化リテワム（二活性アルミナとゼオライトを添加
した組成物よりなることン特徴とするリテワムイオン導
゛醒性固体電解質 ■ 前記ゼオライトがＮａｇ含むゼオライトであること
χ特徴とする前ε特許請求の範囲第１項記戦の５テワム
イオン導電性固体電解質■ 前記ゼオライトがＬｌを含
むゼオライトであることχ特徴とする前ε特許請求の範
囲第１項記載のリブラムイオン導電性固体電解質
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21126081A JPS58111201A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | リチウムイオン導電性固体電解質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21126081A JPS58111201A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | リチウムイオン導電性固体電解質 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111201A true JPS58111201A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16602958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21126081A Pending JPS58111201A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | リチウムイオン導電性固体電解質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160570A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解質電池 |
| KR100593201B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2006-06-28 | 주식회사 대한콘설탄트 | 급커브 구간의 레일 지지 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629347A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP21126081A patent/JPS58111201A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629347A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160570A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解質電池 |
| KR100593201B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2006-06-28 | 주식회사 대한콘설탄트 | 급커브 구간의 레일 지지 장치 |
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