JPS58112321A - チツプ状固体電解コンデンサの製造法 - Google Patents
チツプ状固体電解コンデンサの製造法Info
- Publication number
- JPS58112321A JPS58112321A JP56214888A JP21488881A JPS58112321A JP S58112321 A JPS58112321 A JP S58112321A JP 56214888 A JP56214888 A JP 56214888A JP 21488881 A JP21488881 A JP 21488881A JP S58112321 A JPS58112321 A JP S58112321A
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- Japan
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- resin mold
- conductive adhesive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半田の＆ ｎ ＩｆｌｌＧない耐熱性の向し九
チツブ状固体電解コンデンサの製造法に関する。
チツブ状固体電解コンデンサの製造法に関する。
最近電子機器の小形化、多機能化の傾向からチッグ剖品
を用い厳密度実装する方式が活発化しており、その半田
付についてもチッグ怖品本体ｔ２００〜２６０℃の半田
浴に浸漬する方法ま几、先の温度の雰囲気に長時間置か
ｎる方法など、テラツ一部品の耐熱性が要求さｎるよう
になってきた。
を用い厳密度実装する方式が活発化しており、その半田
付についてもチッグ怖品本体ｔ２００〜２６０℃の半田
浴に浸漬する方法ま几、先の温度の雰囲気に長時間置か
ｎる方法など、テラツ一部品の耐熱性が要求さｎるよう
になってきた。
特にチップタンタル固体電解コンデンサの場合タンタル
、Ａ４などの弁作用を有する金属を電極とし、この表面
に誘電体性酸化皮膜金形成し、史に二酸化マンガンなど
の電解質ｍｔ影形成更にカーボン層、隘極層を順次積層
形成し几コンデンサ素子の陰極部と外部端子とが、半田
で接続ざｎていることから１８０℃以上の温度に長時間
置かｎｆｃ場付円匍に用いている半田か溶融し内部端子
の面ｔ＠わって流ｎ出してくる現象および薄板状金属板
にメッキさｎている半田が溶融し同様に流ｎ出してぐる
現象および噺脂の膨張により溶接Ｓが艦ｎ６現象などが
るる。こｎｋ第５−に断面図で示す。なお第１因は斜視
図、第２図に萌面図七示す。
、Ａ４などの弁作用を有する金属を電極とし、この表面
に誘電体性酸化皮膜金形成し、史に二酸化マンガンなど
の電解質ｍｔ影形成更にカーボン層、隘極層を順次積層
形成し几コンデンサ素子の陰極部と外部端子とが、半田
で接続ざｎていることから１８０℃以上の温度に長時間
置かｎｆｃ場付円匍に用いている半田か溶融し内部端子
の面ｔ＠わって流ｎ出してくる現象および薄板状金属板
にメッキさｎている半田が溶融し同様に流ｎ出してぐる
現象および噺脂の膨張により溶接Ｓが艦ｎ６現象などが
るる。こｎｋ第５−に断面図で示す。なお第１因は斜視
図、第２図に萌面図七示す。
（１）にコンデンサ素子、（２）は陽＆導出吻、（３）
に１明極端子、（４）は陽極端子（外Ｓ端子） 、（５
）に累子固定姉、（６）は半田部、（７）ば倒力旨、
（Ｍｌ）、（Ｍｌ） はωＬｎ出した半田、紫示す。２
４０℃で加熱したとき半田の流ｎ出した状態および溶接
部かにず１１．た状態図、（５−２）、 （４−１）
に半田またにメッキ部を示す。
に１明極端子、（４）は陽極端子（外Ｓ端子） 、（５
）に累子固定姉、（６）は半田部、（７）ば倒力旨、
（Ｍｌ）、（Ｍｌ） はωＬｎ出した半田、紫示す。２
４０℃で加熱したとき半田の流ｎ出した状態および溶接
部かにず１１．た状態図、（５−２）、 （４−１）
に半田またにメッキ部を示す。
そのために流ｎ出した半田が近朕丁ゐ他の部品に接触す
ることによる短絡不良などの発生原因となったり、オー
ブン不良になったりすることがめった。
ることによる短絡不良などの発生原因となったり、オー
ブン不良になったりすることがめった。
本発明に従来の欠点を除去し、コンテノＶ木子を接続す
る内部半田の流ｎ出し、および金属仮端子の表面にメッ
キさ几ている半田の流１″Ｌ出し勿防止し、かつ溶接部
の信頼性を向上し、耐熱性のるるチップ状固体電解コン
デンサの製造法？得ることを目的とする。
る内部半田の流ｎ出し、および金属仮端子の表面にメッ
キさ几ている半田の流１″Ｌ出し勿防止し、かつ溶接部
の信頼性を向上し、耐熱性のるるチップ状固体電解コン
デンサの製造法？得ることを目的とする。
高温度にした時、半田のｖｒＬｎ出丁原因にコンデンサ
素子と、陰極端子？ｆ：接続するために用いる半田量が
多い場什にほこの＃ＬｒＬ出し現′ＪＲは顕著ではろる
がその半田量が少くとも薄板状コム金属端子全面に半田
メッキしているために半田ｆ ｆＭ、ｎ易くしているこ
と、および該金属にメッキしている半田が＃融して流ｎ
出してくることが明らかとなった。
素子と、陰極端子？ｆ：接続するために用いる半田量が
多い場什にほこの＃ＬｒＬ出し現′ＪＲは顕著ではろる
がその半田量が少くとも薄板状コム金属端子全面に半田
メッキしているために半田ｆ ｆＭ、ｎ易くしているこ
と、および該金属にメッキしている半田が＃融して流ｎ
出してくることが明らかとなった。
こｔＬ？ゴ円都にコンデンサ素子を半田付けせずメッキ
さｎた端子のみで加熱した時該表面の半田がｖｒｃｔＬ
川し、端子と樹脂の境界部に半田の塊が発生することｔ
確認さｎた。
さｎた端子のみで加熱した時該表面の半田がｖｒｃｔＬ
川し、端子と樹脂の境界部に半田の塊が発生することｔ
確認さｎた。
そこでメッキ卑み高温半田ｅｔｃ、についての検討を試
みたが、淳みについてはコントロールが非常に難しい℃
と、余り薄くなると半田付性を思化させる原因となジ、
ｌ友高温半田接続にはコンデンサ素子の囲体から高いも
のが使用できないなどの制約がろジ、また＃ＩＩ＆導出
線との溶接には半田メッキ層は島影＊’ｔ−与えるもの
でろ塁。
みたが、淳みについてはコントロールが非常に難しい℃
と、余り薄くなると半田付性を思化させる原因となジ、
ｌ友高温半田接続にはコンデンサ素子の囲体から高いも
のが使用できないなどの制約がろジ、また＃ＩＩ＆導出
線との溶接には半田メッキ層は島影＊’ｔ−与えるもの
でろ塁。
そこで半田メッキｔはどこした金稿薄板端子盆用いてこ
の間＠を解決することはｍがしく、メッキｔはどこさな
い生地のＮｉ＆ｆ用いて初期から各工程の作業を行い、
すなわちコム状趨子の打抜を行いコンテンサ系子固定做
絖姉の哲囲は加工を行い、次にコンデンサ素子の険憔専
１ｔｌ祿と賜極港板状端子の按ｈヶ行い次いで一億都の
棲枕を行った後、餉脂モールド外装を行う。
の間＠を解決することはｍがしく、メッキｔはどこさな
い生地のＮｉ＆ｆ用いて初期から各工程の作業を行い、
すなわちコム状趨子の打抜を行いコンテンサ系子固定做
絖姉の哲囲は加工を行い、次にコンデンサ素子の険憔専
１ｔｌ祿と賜極港板状端子の按ｈヶ行い次いで一億都の
棲枕を行った後、餉脂モールド外装を行う。
その俊倒脂の外部に露出する外部端子のみに半田メッキ
またに緬メッキなどの容易に半田付は可能なメッキ層？
形成することが本発明のセ旨であるＱ 不発Ｆ３Ａ勿図向に基いて続開する。
またに緬メッキなどの容易に半田付は可能なメッキ層？
形成することが本発明のセ旨であるＱ 不発Ｆ３Ａ勿図向に基いて続開する。
第４図は本発明のチップ状固体電解コンデンサの製造法
により製造さ′ｎ次チップ状固体電牌コンデンサ、←フ
図は斜視図、（′ｂ）図ぼ断囲丙（外部へ子を折ジ曲は
俊に半田コートした場什） 、（０７図ば断面図（外部
端子を折ジ曲（７前に半田コートし、九楠ｆ）、？示す
。
により製造さ′ｎ次チップ状固体電牌コンデンサ、←フ
図は斜視図、（′ｂ）図ぼ断囲丙（外部へ子を折ジ曲は
俊に半田コートした場什） 、（０７図ば断面図（外部
端子を折ジ曲（７前に半田コートし、九楠ｆ）、？示す
。
累１図〜褐５因と同一符号は同一部品を示す。
（至）は４１ｊ極端子、（１３−２）は半田部またはメ
ッキ部、ｔＸ４はａｍ端子、（１４−１ンは半田部また
はメッキ部、ａｔＪに導？ｉＥ性接漸刑、を示す。
ッキ部、ｔＸ４はａｍ端子、（１４−１ンは半田部また
はメッキ部、ａｔＪに導？ｉＥ性接漸刑、を示す。
不発明に陽極端子へ１、嘆健端子Ｑ弔となる金橋薄板に
Ｎｉ盆用いるのが好ましく （Ｆｅ でもよいがさび
が発生し易い。）、陽極端子時の有脂（７）内の部分に
はメッキ層がないために史に容易に信頼性烏く接続する
ことができる。
Ｎｉ盆用いるのが好ましく （Ｆｅ でもよいがさび
が発生し易い。）、陽極端子時の有脂（７）内の部分に
はメッキ層がないために史に容易に信頼性烏く接続する
ことができる。
一方、本発明においては陰極端子α◆とコンデンサ素子
（２）の接続に導電性接漕剤σｆＧｋ用いて加圧しなが
ら加熱することにより容易１７ｉ：接続することが可能
である。
（２）の接続に導電性接漕剤σｆＧｋ用いて加圧しなが
ら加熱することにより容易１７ｉ：接続することが可能
である。
半田メッキしている場合よりも端子板との接着力は強固
で套る。七′ｎに加熱しても溶融し流ｎる半田がないた
めでるる。
で套る。七′ｎに加熱しても溶融し流ｎる半田がないた
めでるる。
したがってこのメッキをほどこさないＮ１板會端子とし
て用いる＊Ｊ付ＫＨ陽極の浴接が非常に容易とｌ！ｌ１
１また陰極の接＆に導電性接層刑を用いるのに、Ｃり好
都合となり、衛脂モールド外装して完成品にし′ｆｃ虞
、テップ部品の温度＠、２６０℃に上けても円部に溶融
する半田、錫などｔ全く用い又いないので、非常に耐熱
性の浚ｉｔ九チップ状固体電牌コンデンサを製造するこ
とができ答。
て用いる＊Ｊ付ＫＨ陽極の浴接が非常に容易とｌ！ｌ１
１また陰極の接＆に導電性接層刑を用いるのに、Ｃり好
都合となり、衛脂モールド外装して完成品にし′ｆｃ虞
、テップ部品の温度＠、２６０℃に上けても円部に溶融
する半田、錫などｔ全く用い又いないので、非常に耐熱
性の浚ｉｔ九チップ状固体電牌コンデンサを製造するこ
とができ答。
１７（陰極の接続は導電性接着剤の代りに半田を用いて
も接続することＣユ可ｎヒである。すなわちＮｉ 材は
本質的には半田ｅｔｃ のメッキ？行わなくとも半ば
付・け可能な金橋でるるか牛…付性が悪いという理由か
ら、こＩＬまで一般的にに手出ｅｔｃメンキなしＫぽ使
用さ几ていない。しかし本発明のチップ固体電解コンデ
ンサのようにコンデ７−７陰極部と部分的に半田付けす
る場合に少し強い塩素分を含むフラックスを用いて加圧
しながら加熱する方法金とることによって半田付けする
ことも可能である。
も接続することＣユ可ｎヒである。すなわちＮｉ 材は
本質的には半田ｅｔｃ のメッキ？行わなくとも半ば
付・け可能な金橋でるるか牛…付性が悪いという理由か
ら、こＩＬまで一般的にに手出ｅｔｃメンキなしＫぽ使
用さ几ていない。しかし本発明のチップ固体電解コンデ
ンサのようにコンデ７−７陰極部と部分的に半田付けす
る場合に少し強い塩素分を含むフラックスを用いて加圧
しながら加熱する方法金とることによって半田付けする
ことも可能である。
陰極の接続に導奄性接詣剤を用いて行う時の例？第５図
、第６図に示す。すなわち予めコンデンサ素子の隘極ｆ
ａｋ抱き込み固定するコ字瀬の内側に導電住銀接漸剤ｔ
スポット的にのぜておく刀・、１九はコンデンサ素子側
に該接層剤ｔスポット的にのせておくかしておいて所定
の位置にコンデンサ素子を配置し、その後先づ陽憧都の
溶接上行う、七の後、コンデンサ索子の下１ＩＩＪ ’
ｘ支えコ字部上仰」から加圧しながら加熱することにシ
フ接宥剤を硬化させる。
、第６図に示す。すなわち予めコンデンサ素子の隘極ｆ
ａｋ抱き込み固定するコ字瀬の内側に導電住銀接漸剤ｔ
スポット的にのぜておく刀・、１九はコンデンサ素子側
に該接層剤ｔスポット的にのせておくかしておいて所定
の位置にコンデンサ素子を配置し、その後先づ陽憧都の
溶接上行う、七の後、コンデンサ索子の下１ＩＩＪ ’
ｘ支えコ字部上仰」から加圧しながら加熱することにシ
フ接宥剤を硬化させる。
τ゛
こｎｒａ高温度で行えは数秒で硬化することがＡきるし
、また光硬化導電性接看剤を用いる場合に加熱、加圧し
なから光ｔろてることに工９同様数秒間で硬化すること
が可能である。
、また光硬化導電性接看剤を用いる場合に加熱、加圧し
なから光ｔろてることに工９同様数秒間で硬化すること
が可能である。
その後第６因に示すように厨脂モールド外装することＣ
・こより一定形状の本体が完；ＪＸ Ｌ 、その後絢脂
モールドの外部Ｖｃ露出したＮｌ 板端子に塩素分子若
干含む、華＼強めのフラックスｔつけて２００〜２６０
℃の溶融半田に浸漬することにエフ、外部端子のみに半
田層を形成することができる。
・こより一定形状の本体が完；ＪＸ Ｌ 、その後絢脂
モールドの外部Ｖｃ露出したＮｌ 板端子に塩素分子若
干含む、華＼強めのフラックスｔつけて２００〜２６０
℃の溶融半田に浸漬することにエフ、外部端子のみに半
田層を形成することができる。
本発明ｉ前パ己のように生地のＮｉ＆’（Ｈ用いてテッ
グ状同体′ａ鱗コンデン丈を順次組立てモールド外装後
、外部端子のみに半田層を形成することによって、半田
付性が良くなる、オープン不良が少くなる、半田の流ｎ
出しがなくなる、′Ｍ租性の為い１〜ｊ熱性にすること
ができる、などの作用効果を生する。
グ状同体′ａ鱗コンデン丈を順次組立てモールド外装後
、外部端子のみに半田層を形成することによって、半田
付性が良くなる、オープン不良が少くなる、半田の流ｎ
出しがなくなる、′Ｍ租性の為い１〜ｊ熱性にすること
ができる、などの作用効果を生する。
第１図は従来例のチップ状固定電解コンデンサの斜視図
、第２因は同じく断面図、第５図は高温において半田の
丸ｎ出しと、溶炭部の離几状彷盆示す断面図、第４図（
ゴ木発明の製造法Ｖこより＾造さｎたチゾ７°状固体亀
牌コンテンサ、（ａ）凶に＠祝図、（切口は外部端子を
折ジ曲げ後半田コートした場合、（Ｃ）図に外部端子を
町９曲ける前半田コートした場合の断面図、第５図は陽
極端子とコンテンサ素子盆導電性接宥剤で揄漸する工程
図、第６図に第５区の陰極端子とコンデンサ水子ご接層
したもの盆拘脂で外装した斜視図、を示す。 １：コンデンサ索子 ２：陽極導出ａ１７：樹脂
１５：陽極端子 １４：陰極端子１３ １ ：＠ｋｍ
１５ ２＊−１４１：半円部またにメッキ都
１５：累子固建姉１６：導篭性級層剤 ％打出願人 松下電器産条休式会社 代理人升埋士 藺 ８ 初
、第２因は同じく断面図、第５図は高温において半田の
丸ｎ出しと、溶炭部の離几状彷盆示す断面図、第４図（
ゴ木発明の製造法Ｖこより＾造さｎたチゾ７°状固体亀
牌コンテンサ、（ａ）凶に＠祝図、（切口は外部端子を
折ジ曲げ後半田コートした場合、（Ｃ）図に外部端子を
町９曲ける前半田コートした場合の断面図、第５図は陽
極端子とコンテンサ素子盆導電性接宥剤で揄漸する工程
図、第６図に第５区の陰極端子とコンデンサ水子ご接層
したもの盆拘脂で外装した斜視図、を示す。 １：コンデンサ索子 ２：陽極導出ａ１７：樹脂
１５：陽極端子 １４：陰極端子１３ １ ：＠ｋｍ
１５ ２＊−１４１：半円部またにメッキ都
１５：累子固建姉１６：導篭性級層剤 ％打出願人 松下電器産条休式会社 代理人升埋士 藺 ８ 初
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、陽極導出線全具備するタンタル、Ａｔなとの弁作用
を有する金属を電極として、この表向に誘電体性酸化皮
膜を形成し、史に二数化マンガンなどの′屯解買層を形
成し、更にカーボン層、陰極層なとを順次積層形成して
得らｎるコンデンを素子（以下単にコンデンｆ１ｇ子と
いう。ンの陽極、陰極の薄板状コム金楓端子七接続し樹
脂モールド外装し、前記薄板状コム金属端子の一部を前
記樹脂モールド外側端重工り導出し、側端面から底ｒＨ
Ｊ都に沿わせて折り曲げ加工するチップ状固体ｉｉｓコ
ンテ７すの製造法において、前記薄板状金属端子に鉄、
Ｎｉ１７（σ鉄−ニッケル会金などの地金（半田メッキ
、錫メッキなどの表面処理ｔはどこさないもの）を用い
、前記陰極との接続には極少童の半日またに導電性接着
剤で行い、しかる後樹脂モールド外装をし、樹脂モール
ド外側端ｒＴＪエク導出しｆｃ薄板状コム金縞端子都に
半田またぽ錫などのコーティング全村うテップ状固体１
１Ｍコンテ７′″ｊ？衷造へ。 ２、＠記コンデン？素子の陰極面に内面のみ、まｆｃは
内面の一部にスポット的に４電性接漸酌を設けた前記薄
板状コム金槁端子を接触させ加圧しながら加熱して前記
導電性接着剤を短時間で硬化させＴ接続する特許請求の
範四弗１項記載のチップ伏固体電解コンデンサの製造法
。 ＆前４ｅコンデンサ業子の陰極面に、内面のみまたに内
面の一部にスポット的に半田層１之は牛出盛！ｉ金設け
た前記薄板状コム金属端子（ｌ−接触させ加圧しながら
加熱溶融半田付けするチップ状［ＡＩ体屯解コンデンサ
の製造法。 ４、前記導電性接着剤に光硬化型または光硬化−熱硬化
併用型の導電性接着剤を用いる特許ｉｉ！氷の範囲第１
項またに第２項記載のチップ伏固体電解コンデンサの製
造版。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214888A JPS58112321A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | チツプ状固体電解コンデンサの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214888A JPS58112321A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | チツプ状固体電解コンデンサの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112321A true JPS58112321A (ja) | 1983-07-04 |
| JPS6160570B2 JPS6160570B2 (ja) | 1986-12-22 |
Family
ID=16663222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56214888A Granted JPS58112321A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | チツプ状固体電解コンデンサの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112321A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116501A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | 松下電器産業株式会社 | チツプバリスタ |
| JPH01100430U (ja) * | 1987-12-22 | 1989-07-05 | ||
| JPH01261813A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ |
| JPWO2006082772A1 (ja) * | 2005-02-04 | 2008-06-26 | 三洋電機株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2009099877A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2022191029A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56214888A patent/JPS58112321A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116501A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | 松下電器産業株式会社 | チツプバリスタ |
| JPH01100430U (ja) * | 1987-12-22 | 1989-07-05 | ||
| JPH01261813A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ |
| JPWO2006082772A1 (ja) * | 2005-02-04 | 2008-06-26 | 三洋電機株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| US7808773B2 (en) | 2005-02-04 | 2010-10-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electronic part and process for producing the same |
| JP4969439B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2012-07-04 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2009099877A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2022191029A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JPWO2022191029A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | ||
| US12451296B2 (en) | 2021-03-12 | 2025-10-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6160570B2 (ja) | 1986-12-22 |
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