JPS58113777U - フエライト単結晶の製造装置 - Google Patents

フエライト単結晶の製造装置

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JPS58113777U
JPS58113777U JP1017582U JP1017582U JPS58113777U JP S58113777 U JPS58113777 U JP S58113777U JP 1017582 U JP1017582 U JP 1017582U JP 1017582 U JP1017582 U JP 1017582U JP S58113777 U JPS58113777 U JP S58113777U
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JP
Japan
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single crystal
production equipment
ferrite single
crystal production
crucible
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Pending
Application number
JP1017582U
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English (en)
Inventor
俊雄 小林
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1017582U priority Critical patent/JPS58113777U/ja
Publication of JPS58113777U publication Critical patent/JPS58113777U/ja
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は溶媒帯溶融装置の構造図、第2図iは保温材の
無い場合のルツボ内の温度分布、第2図すは保温材を用
いた場合のルツボ内の温度分布、第3図は保温材を用い
た溶媒帯溶融装置の構造図を示す。 1・・・白金ルツボ、2・・・高周波コイル、3・・・
溶媒、4・・・種結晶、5・・・成長した結晶、6・・
・原料棒、7・・・ルツボ台、8−′−上部駆動軸、9
・・・下部駆動軸、10・・・白金ルツボ、11・・・
高周波コイル、12・・・溶媒、13・・・種結晶、1
4・・・成長した結晶、15・・・原料棒、16・・・
ルツボ台、17・・・上部駆動軸、   1B・・・下
部駆動軸、19・・・保温材。゛第 1  図 第 3−図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 帯溶融法によるフェライト単結晶製造装置において、ル
    ツボ周囲に保温材を置(ことを特徴とするフェライト単
    結晶の製造装置。
JP1017582U 1982-01-29 1982-01-29 フエライト単結晶の製造装置 Pending JPS58113777U (ja)

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JPS58113777U true JPS58113777U (ja) 1983-08-03

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