JPS5811713B2 - エントウジクハツセイキ - Google Patents
エントウジクハツセイキInfo
- Publication number
- JPS5811713B2 JPS5811713B2 JP50015076A JP1507675A JPS5811713B2 JP S5811713 B2 JPS5811713 B2 JP S5811713B2 JP 50015076 A JP50015076 A JP 50015076A JP 1507675 A JP1507675 A JP 1507675A JP S5811713 B2 JPS5811713 B2 JP S5811713B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- cylindrical magnetic
- magnetic domain
- hairpin
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶装置に用いる円筒磁区の発生器に係る
ものである。
ものである。
レアーアースオルソフェライトやガーネットのような一
軸磁気異方性をもつ結晶を、その軸に垂直な面で薄片状
に切断したもの、あるいはエピタキシャル成長させたガ
ーネット薄膜に、その垂直方向すなわちその磁化容易軸
方向に適当な大きさの均一磁場を加えると、その周辺部
と磁化の方向が逆の円筒磁区、いわゆるバブルドメイン
が作られることが知られている。
軸磁気異方性をもつ結晶を、その軸に垂直な面で薄片状
に切断したもの、あるいはエピタキシャル成長させたガ
ーネット薄膜に、その垂直方向すなわちその磁化容易軸
方向に適当な大きさの均一磁場を加えると、その周辺部
と磁化の方向が逆の円筒磁区、いわゆるバブルドメイン
が作られることが知られている。
この円筒磁区を記憶素子として使うに際し最もよく使用
されている方式は、円筒磁区のある時を情報“１”に、
ない時を情報“０”に対応させる方式であり、従って情
報に応じて円筒磁区を自由に発生させる装置または素子
が必要となる。
されている方式は、円筒磁区のある時を情報“１”に、
ない時を情報“０”に対応させる方式であり、従って情
報に応じて円筒磁区を自由に発生させる装置または素子
が必要となる。
円筒磁区を発生させる方法として、従来量も広く使用さ
れている方法は第１図に示すように、ディスク状の軟磁
性体材料１′に種となる円筒磁区２′を付けておき、回
転磁場Ｈｒを回転させることにより種となる円筒磁区を
伸ばし切断する方式である。
れている方法は第１図に示すように、ディスク状の軟磁
性体材料１′に種となる円筒磁区２′を付けておき、回
転磁場Ｈｒを回転させることにより種となる円筒磁区を
伸ばし切断する方式である。
この方式の欠点の一つは、種バブルが回転磁場Ｈｒの回
転に対し、相対的に大きなディスク状パタンの廻りを一
回転するために、回転磁場Ｈｒの回転周波数の上昇とと
もに次第に追随がむづかしくなり、高周波での円筒磁区
の発生が不可能になる点にある。
転に対し、相対的に大きなディスク状パタンの廻りを一
回転するために、回転磁場Ｈｒの回転周波数の上昇とと
もに次第に追随がむづかしくなり、高周波での円筒磁区
の発生が不可能になる点にある。
この欠点を除去するために開発されたのが、磁化を直接
に反転させることにより円筒磁区を発生させる方式、通
常ニュークリエーション型の発生器と呼ばれるものであ
る。
に反転させることにより円筒磁区を発生させる方式、通
常ニュークリエーション型の発生器と呼ばれるものであ
る。
第２図にこの一例を示す。
ＹＹ型駆動パタンのＹパタン１とＹパタン２の間に■型
パタン３を配し、このパタンの下にヘアピン状の導体４
を配することにより円筒磁区発生器を構成している。
パタン３を配し、このパタンの下にヘアピン状の導体４
を配することにより円筒磁区発生器を構成している。
位置５における局所的垂直磁場の方向が円筒磁区材料の
磁化方向と逆向きになるように、ヘアピン状の導体４に
電流を流すことにより、円筒磁区が５の位置に発生する
。
磁化方向と逆向きになるように、ヘアピン状の導体４に
電流を流すことにより、円筒磁区が５の位置に発生する
。
円筒磁区を発生させるために必要な最小限の電流値は、
円筒磁区材料のもつ磁化の大きさ、磁気異方性の大きさ
、素子の構成方法等により異なるが、実験結果によると
、通常のガーネット薄膜に対しては３００〜４００ｍＡ
である。
円筒磁区材料のもつ磁化の大きさ、磁気異方性の大きさ
、素子の構成方法等により異なるが、実験結果によると
、通常のガーネット薄膜に対しては３００〜４００ｍＡ
である。
円筒磁区の発生には、このようにかなり大きな電流値を
必要とし、このため一度発生した円筒磁区は■型パタン
３にそつて位置５から位置６にわたって伸びてしまい、
次のＹパタンへの移動マージンが減少してしまう現象が
みられる。
必要とし、このため一度発生した円筒磁区は■型パタン
３にそつて位置５から位置６にわたって伸びてしまい、
次のＹパタンへの移動マージンが減少してしまう現象が
みられる。
本発明の目的は、ヘアピン状の導体パタンの形を変形し
、Ｙ型パタンと交叉するような構成にすることにより、
円筒磁区の発生に必要な電流値が如何に大きくても、発
生した円筒磁区の移動マージンを減少させないような、
円筒磁区発生器を提供することにある。
、Ｙ型パタンと交叉するような構成にすることにより、
円筒磁区の発生に必要な電流値が如何に大きくても、発
生した円筒磁区の移動マージンを減少させないような、
円筒磁区発生器を提供することにある。
本発明の原理を実施例を参照し、詳しく説明する。
第３図は円筒磁区発生器に関する本発明の一実施例を示
す。
す。
ＹＹ型駆動パタンのＹパタン１とＹパタン２の間に１型
パタン３を配し、このパタンの下にヘアピン状の導体１
４を配する。
パタン３を配し、このパタンの下にヘアピン状の導体１
４を配する。
この場合、ヘアピン状の導体１４はＹ型パタン３の途中
部分９で交叉するような形に構成されている。
部分９で交叉するような形に構成されている。
位置５における局所的垂直方向が円筒磁区材料の磁化方
向と逆向きになるようにヘアピン状導体１４に電流４０
０ｍＡを流す。
向と逆向きになるようにヘアピン状導体１４に電流４０
０ｍＡを流す。
電流は、面内回転磁場Ｈｒの方向が２０から２１の間に
わたって流す。
わたって流す。
位置５における局所的垂直磁場の方向は、発生した円筒
磁区を拡大する方向に加わるがヘアピン状の導体１４の
外側である位置６では、逆に円筒磁区を縮少する方向に
加わる。
磁区を拡大する方向に加わるがヘアピン状の導体１４の
外側である位置６では、逆に円筒磁区を縮少する方向に
加わる。
したがって発生した円筒磁区はＹ型パタン３の全体にわ
たって拡大してしまうことはなく、面内回転磁場Ｈｒが
回転するにしたがって誤動作なく次のＹパタンに移動し
てゆく。
たって拡大してしまうことはなく、面内回転磁場Ｈｒが
回転するにしたがって誤動作なく次のＹパタンに移動し
てゆく。
このため駆動のマージンに大巾な増加がみられる。
上記には一実施例を示したのみであり、導体パタンの形
は本発明の主旨にしたがう範囲では、自由に変形しうろ
ことは勿論である。
は本発明の主旨にしたがう範囲では、自由に変形しうろ
ことは勿論である。
第１図は従来のディスク型の円筒磁区発生器を示し、１
′は種バブル２′を保持するための軟磁性材料からなる
薄膜パタン、３′は発生した円筒磁区が移動するための
パタンであり、図は回転磁場Ｈｒが１０の方向に向いた
時の状態を示す。 第２図は従来のニュークリエーション型の円筒磁区発生
器を示し、Ｙ型パタン１および２の間にＹ型パタン３を
配し、同時にヘアピン状導体４が１型パタン全体を囲む
ように配されている。 第３図は本発明の一実施例を示し、Ｙ型パタンおよびＹ
型パタンの配置は第２図と同一であるが、ヘアピン状の
導体パタン１４はＹ型パタンの中途９の位置で交叉する
ように配置されている。
′は種バブル２′を保持するための軟磁性材料からなる
薄膜パタン、３′は発生した円筒磁区が移動するための
パタンであり、図は回転磁場Ｈｒが１０の方向に向いた
時の状態を示す。 第２図は従来のニュークリエーション型の円筒磁区発生
器を示し、Ｙ型パタン１および２の間にＹ型パタン３を
配し、同時にヘアピン状導体４が１型パタン全体を囲む
ように配されている。 第３図は本発明の一実施例を示し、Ｙ型パタンおよびＹ
型パタンの配置は第２図と同一であるが、ヘアピン状の
導体パタン１４はＹ型パタンの中途９の位置で交叉する
ように配置されている。
Claims (1)
- １ ヘアピン状の導体パタンと軟磁性体パタンより構成
されたニュークリエーション型の円筒磁区発生器におい
て、前記ヘアピン状の導体パタンの一部を、当該ヘアピ
ン状の導体パタンに実質的に平行に配置された■を軟磁
性体パタンの一端をかこみ他端をかこまないように、曲
げて配置することを特徴とする円筒磁区発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50015076A JPS5811713B2 (ja) | 1975-02-05 | 1975-02-05 | エントウジクハツセイキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50015076A JPS5811713B2 (ja) | 1975-02-05 | 1975-02-05 | エントウジクハツセイキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5190244A JPS5190244A (ja) | 1976-08-07 |
| JPS5811713B2 true JPS5811713B2 (ja) | 1983-03-04 |
Family
ID=11878749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50015076A Expired JPS5811713B2 (ja) | 1975-02-05 | 1975-02-05 | エントウジクハツセイキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811713B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5694573A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Bubble magnetic domain generator |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3824571A (en) * | 1973-04-09 | 1974-07-16 | Hewlett Packard Co | Magnetic bubble generation |
-
1975
- 1975-02-05 JP JP50015076A patent/JPS5811713B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5190244A (ja) | 1976-08-07 |
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