JPS595983B2 - 磁気バブル転送パタ−ン - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、円筒状磁区などと称される磁気バブルを転送
するための改良された磁気バブル転送パターンに関する
。

一軸磁気異方性を有するガーネットまたはオルソフェラ
イト等の磁性薄板面に垂直に適当な大きさのバイアス磁
界を印加すると磁気バブルが発生する。

この磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行
う磁気バブル利用装置は、不揮発性であること、非機械
的であること、記憶密度が比較的高いこと、大容量化が
可能であること、比較的高速であること等の理由からそ
の実用化が急速に進められている。このような磁気バブ
ル利用装置においては、磁気バブルの発生、転送、分割
、拡大、検出、消去等の各種機能が必要とされる。本発
明は、これらの機能部のうち特に磁気バブルを伝搬させ
るための磁気バブル転送パターンにかかるものである。
磁気バブルを駆動するには、回転磁界と磁気バブルチッ
プ面に形成されたパーマロイ等の軟磁性パターンを利用
する方法が一般的である。

これは、磁気バブルが存在可能な結晶に、その面上に蒸
着やスパッタリング等の方法で例えばＴバーパーマロイ
パターン、シエブロンパーマロイパターンを形成し、外
部より結晶面内方向に回転磁界を印加する方法である。
回転磁界は直交して配置されたＸコイル、Ｙコイルの夫
々に位相が９０度異なる正弦波電流、三角波電流、台形
波電流等を流すことによつて得られる。この回転磁界の
回転に従つて磁気バブルは上記パーマロイパターンに沿
つて伝搬し、回転磁界が静止すれば磁気バブルもそれに
対応した場所に静止する。上述のように磁気バブル転送
パターンとしてＴバーパターンあるいはシエブロンパタ
ーン等が一般によく用いられるが、これらのパターンを
結晶上に形成する際、それらのパターン相互の間隙（以
下パターンギャップと称する）は磁気バブル径の約１／
３ と小さく、パターン作成上の制約が大きい。

例えば磁気バブル径を３〔μｍ〕とするとパターンギャ
ップは約１〔μｍ〕に設定せねばならず、この値は現在
のフォトリソグラフィ技術の限界に近い。一方、パター
ンギャップを比較的大きくとることのできる転送パター
ンとしてギャツプトレラントパターンが開発されたが、
ギヤツプトレラントパターンは後述するようにポテンシ
ャルウェルがパターン内でゆるやかに変化しており、特
に情報の書込み読出し、シフト動作に応じて回転磁界の
起動、停止が頻繁に繰返し制御されるような最近の磁気
バブル装置において該パターンは磁気バブルのスタート
・ストツプ動作時誤動作の生じる可能性が高い。

従つて本発明の目的は、パターンギャツプを大きくとれ
る、従つてパターン形成の容易な磁気バブル転透パター
ンを得ることにある。

本発明の他の目的は、磁気バブルを頻繁にスタート・ス
トツブ動作させる如き磁気バブル装置において動作マー
ジンの十分広い従つて動作の安定な磁気バブル転送パタ
ーンを実現することにある。

本発明の目的は、シエプロン型磁気バプル転送パターン
の端部および中間部に突起を付加した磁気バブル転送パ
ターンとすることによつて達成することができる。以下
本発明を図面に基いて詳述する。

第１図は本発明にかかる磁気バブル転送パターンの一実
施例を示す。

図において、１は磁気バブル結晶上に蒸着等により形成
されたパーマロイ等からなる変形シエプロンパターン、
２はパターンギャップ、３は磁気バブルを示し、図では
パターンギヤツプにおいて引伸ばされた状態を示してい
る。本発明の変形シエプロンパターンは図かられかるよ
うに従来の山形の所謂シエプロンパターンの両端部およ
び中間部に夫々突起ア、イ、ウを付加したものである。
向、図中における他の数字は、磁気バブル径に対する各
部所の寸法比を示しており、ｄは磁気バプル径を表わす
。また、パターンギヤツプ２は、磁気バブル径ｄの２／
３に設定されている。第２図は、本発明の磁気バブル転
送パターンの動作マージンを従来のＴバ一転送パターン
のそれと比較するための動作マージン特性曲線図である
。

図において、横軸は回転磁界Ｈｒ［０ｅ〕を、縦軸はバ
イアス磁界馬〔０ｅ〕を示し、図中曲線４は従来のパタ
ーンギヤツプ１〔μｍ〕のＴバ一転送パターンを用いた
ときの動作マージン特性を示し、曲線５は本発明のパタ
＝ンギヤツプ２〔μｍ〕とした変形シエプロンパターン
を用いたときの動作マージン特性を示している。向、両
者の転送パターンにおいて使用された磁気バブル径は３
〔μｍ〕である。゛図から、両者の動作マージンは同程
度であり、本発明の変形シエプロンパターンはパターン
ギヤツプがＴバ一転送パターンの約２倍と広くなつてい
るにもかかわらず同等の動作マージンを有する。動作マ
ージンを狭くすることなくパターンギャツプを広くとれ
ることは、パターン形成上非常に有利である。第３図は
、本発明の変形シエプロンパターンのポテンシャルウエ
ルの位相依存性を、同じくギャツプトレラントパターン
として最近発表されたハーフデイスクパターンのそれと
比較して示す。

図において、横軸は回転磁界Ｈｒの回転角度Ｑを縦軸は
ポテン３シヤルウエルデエプスを示しており、図中の曲
線６はハ２−フデイスクパターンのポテンシャルウエル
を、曲線７は変形シエプロンパターンのポテンシャルウ
エルを夫々示している。ポテンシヤルウエルデエプスは
、磁気バブルを保持するトラツプカの大きさを示すに目
安となる値で、ポテンシャルウエルが大きいことは磁気
バブルがパターン下において安定であることを表わす。
また、縦軸のポテンシヤルウエルデエプスＰ．Ｗ．Ｄは
フリーの状態における磁気バブルの消減磁界ＨｃＯｌ．
゛に対するパーマロイパターン下において一定の大きさ
の面内磁界（約３０Ｃ０ｅ））を印加した状態における
磁気バブルの消減磁界ＨｃＯｌ．の比率を表わす尺度で
ある。この図かられかることは、曲線６で示すハーフデ
ィスクパターンが回転角１８０度近辺でポテンシャルウ
エルが大きく落込んでいるのに対して本発明の変形シエ
プロンパターンは回転角１８０度近辺にポテンシヤルウ
エルが再び急峻に立上がるコプが存在するため磁気バブ
ルは更に安定な挙動を示す。

従つて回転角１８０度近辺におけるスタート・ストツブ
特性は更に良好である。特に頻繁にスタート・ストツプ
制御が行われる磁気バブルに利用装置において位相依存
性が少ないということは回転磁界の起動・停止を行う駆
動回路の制御あるいは設計に際して位相依存性を考慮す
る必要がないためその負担が軽減される。

以上説明したように本発明の変形シエプロンパターンを
磁気バブル転送パターンとして採用することにより、パ
ターン形成が容易でしかも頻繁にスタート・ストツプ動
作の繰返される磁気バブル装置に適用しても動作マージ
ンの十分広い動作安定な磁気バブル転送パターンを実現
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる磁気バブル転送パターンの一実
施例、第２図は本廃明と従来のパターンを比較した動作
マージン特性曲線図、第３図は本発明と従来のパターン
を比較したポテンシャルウエルの位相依存性を説明する
ための図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ シエブロン型磁気バブル転送パターンの頂部から、
   さらに上方に延びる突起アと、該パターンの両端部には
   前記突起アと反対方向に延びる突起イおよび突起ウが付
   加されていることを特徴とする磁気バブル転送パターン
   。