JPS58117A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58117A JPS58117A JP56098570A JP9857081A JPS58117A JP S58117 A JPS58117 A JP S58117A JP 56098570 A JP56098570 A JP 56098570A JP 9857081 A JP9857081 A JP 9857081A JP S58117 A JPS58117 A JP S58117A
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- Japan
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- glass
- semiconductor substrate
- onto
- diffusion layer
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
- H10P32/1408—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers
- H10P32/141—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers the applied layer comprising oxides only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
- H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
に例えばスビンコ一ト（回転塗布）法で半導体基板上に
形成しに不純物含有ガラス層を不純物拡散源とする同相
一園相拡散方法に＠する。
形成しに不純物含有ガラス層を不純物拡散源とする同相
一園相拡散方法に＠する。
例えばハイポーラ誕生導体集積回路（ Ｉｃ） Ｉ）製
造においては、従来半導体基板に埋没層を形成するには
、エタノールまには７七トンのような有機溶＠に，アン
チモン（ ｓｐ） 、砒素（ム膠）、はう素（ ｙｔ
）、＃（ ｐ ）のような不純物を含有し，た硅酸ガラ
ス成分を溶融しに液状体を基板上にスピンコートし、２
００ （ ’Ｃ ）程度の酸素雰囲気中で加熱して有機
溶ｌｉｌを飛散させ、不純物含有の硅酸ガラスＨな形成
し、それを不純物拡散源として１０００〜１２５０（’
Ｃ）の高温熱ＩＩ＆理で不純物を拡散して埋没層を形成
する。
造においては、従来半導体基板に埋没層を形成するには
、エタノールまには７七トンのような有機溶＠に，アン
チモン（ ｓｐ） 、砒素（ム膠）、はう素（ ｙｔ
）、＃（ ｐ ）のような不純物を含有し，た硅酸ガラ
ス成分を溶融しに液状体を基板上にスピンコートし、２
００ （ ’Ｃ ）程度の酸素雰囲気中で加熱して有機
溶ｌｉｌを飛散させ、不純物含有の硅酸ガラスＨな形成
し、それを不純物拡散源として１０００〜１２５０（’
Ｃ）の高温熱ＩＩ＆理で不純物を拡散して埋没層を形成
する。
ところで、不純物がハｐグン化合物である場合。
上記の従来の方法ではこｆ） ／” ｒｓグン化合物が
十分に＃化されず，不純物拡散により形成される拡散層
の比抵抗（１１）や拡散深さく Ｘｊ）のばらつきの原
因となる．まに酸化を促進するために高温で酸化を行う
と酸化ｗＩＫハｐグン化合愉が気化してやは９ｌ１やＸ
ｊがばらつく原因となる。
十分に＃化されず，不純物拡散により形成される拡散層
の比抵抗（１１）や拡散深さく Ｘｊ）のばらつきの原
因となる．まに酸化を促進するために高温で酸化を行う
と酸化ｗＩＫハｐグン化合愉が気化してやは９ｌ１やＸ
ｊがばらつく原因となる。
本発明の目的は上記した従来技術における問題点を解決
するＫあり，その目的を達成するためＫ。
するＫあり，その目的を達成するためＫ。
本発明によれば、拡散層の酸化な低温で十分なものにす
るｋめに、例えばシシコン半導体基板上に唐望ＱＪ １
１化腺バクーンを形成し、スピンコード法で不純物（ハ
ロゲン化合物）含有の硅酸力′ラスを塗作し、４００〜
７００ （’Ｃ）の低温で湿性０．中にさらすことによ
り、不純物（ハロゲン化合物）を完全に加水分解し酸化
物ＶＣ変換し、しかる後に高温熱処理により固相−固相
拡散を行うことが提案される。
るｋめに、例えばシシコン半導体基板上に唐望ＱＪ １
１化腺バクーンを形成し、スピンコード法で不純物（ハ
ロゲン化合物）含有の硅酸力′ラスを塗作し、４００〜
７００ （’Ｃ）の低温で湿性０．中にさらすことによ
り、不純物（ハロゲン化合物）を完全に加水分解し酸化
物ＶＣ変換し、しかる後に高温熱処理により固相−固相
拡散を行うことが提案される。
以Ｆ１本発明の方法の実施例を自封図面を参照して１ｔ
ｉ２明すΦ。
ｉ２明すΦ。
第１図には、シリコン半ｉ体基板１上に約４０００”［
：Ｘ）の膜厚に成長せしめられた二酸化シリフン（５ｉ
ｎｓ ）９２が通常の技術で不純物拡散層形成の１こめ
窓開きをなして示される。半導体基板１上にはまたスピ
ンフート法によって、例えばアンチモンの塩化物（５ｂ
ｃｌｓ ）を含む硅酸ガラスｊ［３が約２０００［λ］
の厚さに塗布されている。なお、硅酸力う７．１１ｇ３
ｉ１、例えば５ｂｃ４とエタノール（Ｃｍ Ｈａ ＯＨ
）まｋは７セトン（ＣＨ，ｃｏｃｕｔ ）の如き有機溶
媒を含む一〇である。４は後の工程で形成される拡散層
を示す。。
：Ｘ）の膜厚に成長せしめられた二酸化シリフン（５ｉ
ｎｓ ）９２が通常の技術で不純物拡散層形成の１こめ
窓開きをなして示される。半導体基板１上にはまたスピ
ンフート法によって、例えばアンチモンの塩化物（５ｂ
ｃｌｓ ）を含む硅酸ガラスｊ［３が約２０００［λ］
の厚さに塗布されている。なお、硅酸力う７．１１ｇ３
ｉ１、例えば５ｂｃ４とエタノール（Ｃｍ Ｈａ ＯＨ
）まｋは７セトン（ＣＨ，ｃｏｃｕｔ ）の如き有機溶
媒を含む一〇である。４は後の工程で形成される拡散層
を示す。。
本発明の方法におい【は、硅酸ガラス票３ｋ。
４００〜ｇｏｏ （’Ｃ）の温度で湿性献本（０１）中
にさらす。すると、短時間内ｖｒ、＠激な加水分解が起
りアンチモンの酸化物Ｂｂｘもが得られる。かかる加水
分解を発生させるＫめの熱処理は、第２図に値略断面図
で示される。Ｈえは石英製の容器ｌｌ内には、黒鉛製の
台１２が設けられ、その上に処理されるべきウェハ１３
が配備される３は疼１図り一場合と同様硅鐵ガラス躾で
、ｔ１！ＪＫは誇張的に葎がれている。一方、偽ガスは
、ヒーター１４＆Ｃよって所定温度に保ｒ、−ｔｔ ｙ
ｘ水１５に通され、水４′Ａ（Ｈｌｏ）が取入口１６か
も容器１１に供給され、装填室１７に設けに排気口１８
から排気される。容器１１内は図示されない熱＃ｌによ
って４００〜８０Ｑ（’Ｃ）の温度に保ｋＴＬも、なお
、同図において、１９はパルプ、２０は流量針な示す。
にさらす。すると、短時間内ｖｒ、＠激な加水分解が起
りアンチモンの酸化物Ｂｂｘもが得られる。かかる加水
分解を発生させるＫめの熱処理は、第２図に値略断面図
で示される。Ｈえは石英製の容器ｌｌ内には、黒鉛製の
台１２が設けられ、その上に処理されるべきウェハ１３
が配備される３は疼１図り一場合と同様硅鐵ガラス躾で
、ｔ１！ＪＫは誇張的に葎がれている。一方、偽ガスは
、ヒーター１４＆Ｃよって所定温度に保ｒ、−ｔｔ ｙ
ｘ水１５に通され、水４′Ａ（Ｈｌｏ）が取入口１６か
も容器１１に供給され、装填室１７に設けに排気口１８
から排気される。容器１１内は図示されない熱＃ｌによ
って４００〜８０Ｑ（’Ｃ）の温度に保ｋＴＬも、なお
、同図において、１９はパルプ、２０は流量針な示す。
上記した如（、加水分解は短時間内に急派に終了するか
ら１本発明の方法によるときは、 Ｂｂ會０゜の如き酸
化物が確実に得られるだけでなく、処理時間も短（なり
、以下に訛明する如（、表面抵抗が低（抑えられに半導
体基板が得られｋ。
ら１本発明の方法によるときは、 Ｂｂ會０゜の如き酸
化物が確実に得られるだけでなく、処理時間も短（なり
、以下に訛明する如（、表面抵抗が低（抑えられに半導
体基板が得られｋ。
縞３Ｌ！！Ｊ［は５本発明の方法に従って得られに手４
＋＋基復り表＠抵わＬの−（Ω／口）ｔ、前記Ｌｋ熱処
理σノー反とり関係で示す、かかる夾験の条件は、ミラ
ー指数（１１１）のＰ星で、固有抵抗１Ｏ−２０ＣＬｌ
ｃｓ：ｌり午導体基板を用い、７ンチモン（Ｓｂ ）ｒ
三−化７ンチモンり形でドープしＲ硅酸力ラス【この子
尋体基板上ＶＣ回転迩布（スピンコード）シ。
＋＋基復り表＠抵わＬの−（Ω／口）ｔ、前記Ｌｋ熱処
理σノー反とり関係で示す、かかる夾験の条件は、ミラ
ー指数（１１１）のＰ星で、固有抵抗１Ｏ−２０ＣＬｌ
ｃｓ：ｌり午導体基板を用い、７ンチモン（Ｓｂ ）ｒ
三−化７ンチモンり形でドープしＲ硅酸力ラス【この子
尋体基板上ＶＣ回転迩布（スピンコード）シ。
６０ か１−熱処理を行つに０図において、曲線人は
湿性は木ず一気で水−ｔｏｏ（’に）で熱処理しに場合
（ここでいう水−は縞２図の水１５の温度である）ｖ、
ｇは湿性−木杯囲気で水温５０（”Ｃ）で熱処理し尺場
合な、また曲線Ｃは乾燥（ｄｒｙ ）酸素ず囲気中で処
理しに場合を示し、拡散条件は、いずれの場合も、鍾索
（０１） ２０（慢〕／室本（Ｎ２）８０〔う〕の雰ｄ
気で、１２５０（”Ｃ）の温度で７５〔分〕熱処ＭＹ行
ったものである。同図から明らかなよう１上記に説明し
た拡散前の熱処理において、湿性ば累算囲気中であって
も乾燥−累算囲気中であっても、処理＆ＡＡｒ１００〜
ｇｏｏ （”Ｃ）の範囲内に設定すると十分に低い抵抗
を有する拡散層が形成される。なお、湿性酸素寥囲気中
で熱処理するときは、水の温度は５０（’Ｃ）程度とす
る方がより低い抵抗を有する拡散層が祷られる。
湿性は木ず一気で水−ｔｏｏ（’に）で熱処理しに場合
（ここでいう水−は縞２図の水１５の温度である）ｖ、
ｇは湿性−木杯囲気で水温５０（”Ｃ）で熱処理し尺場
合な、また曲線Ｃは乾燥（ｄｒｙ ）酸素ず囲気中で処
理しに場合を示し、拡散条件は、いずれの場合も、鍾索
（０１） ２０（慢〕／室本（Ｎ２）８０〔う〕の雰ｄ
気で、１２５０（”Ｃ）の温度で７５〔分〕熱処ＭＹ行
ったものである。同図から明らかなよう１上記に説明し
た拡散前の熱処理において、湿性ば累算囲気中であって
も乾燥−累算囲気中であっても、処理＆ＡＡｒ１００〜
ｇｏｏ （”Ｃ）の範囲内に設定すると十分に低い抵抗
を有する拡散層が形成される。なお、湿性酸素寥囲気中
で熱処理するときは、水の温度は５０（’Ｃ）程度とす
る方がより低い抵抗を有する拡散層が祷られる。
以上に説明しに如く１本発明の方法によるときは、不純
物を含む硅酸ガラスケスピンコード法で塗布し、そ！Ｌ
を拡散源として拡散層を形成すると〜きに、不純物源が
−−ゲン化合物であっても、拡散前に４００〜ｇｏｏ
（’Ｃ）の酸素雰囲気中での熱処理を施すことによって
ハロゲン化合物は完全に酸化物に変換され、低い値に抑
えられたρＳ とＸＪのばらつきの少ない拡散層が形成
され、それによって、製造されに半導体装置の特性が向
上し信頼性が高められるものである。
物を含む硅酸ガラスケスピンコード法で塗布し、そ！Ｌ
を拡散源として拡散層を形成すると〜きに、不純物源が
−−ゲン化合物であっても、拡散前に４００〜ｇｏｏ
（’Ｃ）の酸素雰囲気中での熱処理を施すことによって
ハロゲン化合物は完全に酸化物に変換され、低い値に抑
えられたρＳ とＸＪのばらつきの少ない拡散層が形成
され、それによって、製造されに半導体装置の特性が向
上し信頼性が高められるものである。
なお、以上の説明においては、硅酸ガラスと１ンチ七ン
を例にとりｋが１本発明の適用範囲はそのような場合に
限定されるものでなく、その他りガラス材料および不純
物を用いる場合にも適用可能であり、形成される拡散層
はＰｉｉｌおよび口ｌ含む。
を例にとりｋが１本発明の適用範囲はそのような場合に
限定されるものでなく、その他りガラス材料および不純
物を用いる場合にも適用可能であり、形成される拡散層
はＰｉｉｌおよび口ｌ含む。
８ｇ１図は本発明の方法Ｖ実施する工程における半導体
装値の要部の断面図、第２図を工率発明の方法の実施に
用（・られる熱処理装鷺の航路断（２）図。 ｆｇ３図は本発明の方法を実施したウェハにおける表面
抵抗と熱処理鉱産と＃）＠保を示す区である。 １・・・シリコン牛導体基板、２・−・二酸化シリコン
膜、３・−・不純物含有硅酸カラス換、４−不純物拡散
層 特許出願人 富士通株式会社 ｓ１図 ８ 第２図
装値の要部の断面図、第２図を工率発明の方法の実施に
用（・られる熱処理装鷺の航路断（２）図。 ｆｇ３図は本発明の方法を実施したウェハにおける表面
抵抗と熱処理鉱産と＃）＠保を示す区である。 １・・・シリコン牛導体基板、２・−・二酸化シリコン
膜、３・−・不純物含有硅酸カラス換、４−不純物拡散
層 特許出願人 富士通株式会社 ｓ１図 ８ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 不純物な含有するガラスな不純物源として半導体基板に
不純物拡散層を形成する方法において、有機溶媒に不純
物含有ガラス材料を＃！融した液状体を該半導体基板に
途布して不純物含有ガラス層Ｙ形成し、次〜・で＃累算
囲気中で４００ （ｔ： ）乃至８００〔℃〕の温度で
熱処理して前記不Ｉ４愉ガラス層を酸化し、しかる後に
熱処理を行って前記不純物含有ガラス層中の不純物を前
記半導体基板中に拡散する工程を含むことな特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098570A JPS58117A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098570A JPS58117A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58117A true JPS58117A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14223331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098570A Pending JPS58117A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58117A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4501248A (en) * | 1980-03-13 | 1985-02-26 | Robert Bosch Gmbh | Apparatus for ascertaining control variables in an internal combustion engine |
| US4669820A (en) * | 1982-06-05 | 1987-06-02 | Amp Incorporated | Optical fiber termination method, terminal splice and connector therefor |
| JPH01283822A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01303719A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02162720A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02178921A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012084898A (ja) * | 2010-01-25 | 2012-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 太陽電池セルの製造方法 |
| WO2012067119A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| WO2012067117A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| WO2012067118A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56098570A patent/JPS58117A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4501248A (en) * | 1980-03-13 | 1985-02-26 | Robert Bosch Gmbh | Apparatus for ascertaining control variables in an internal combustion engine |
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| WO2012067119A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| WO2012067117A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| WO2012067118A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP4978759B1 (ja) * | 2010-11-17 | 2012-07-18 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JPWO2012067118A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2014-05-12 | 日立化成株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JPWO2012067119A1 (ja) * | 2010-11-17 | 2014-05-12 | 日立化成株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| CN105047545A (zh) * | 2010-11-17 | 2015-11-11 | 日立化成株式会社 | 太阳能电池的制造方法 |
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