JPS5811802A - 高温ひずみゲ−ジおよびその製法 - Google Patents
高温ひずみゲ−ジおよびその製法Info
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- JPS5811802A JPS5811802A JP10999081A JP10999081A JPS5811802A JP S5811802 A JPS5811802 A JP S5811802A JP 10999081 A JP10999081 A JP 10999081A JP 10999081 A JP10999081 A JP 10999081A JP S5811802 A JPS5811802 A JP S5811802A
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- ceramic
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
- G01B7/18—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge using change in resistance
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
できる高温ひずみゲージに関するものである。
高温ひずみゲージとしてひずみ検出用の抵抗素子をセラ
ミック系の材別により挾んでサンドインチ構造にしてな
るものおよびベース材としてポリイミドを用いたものな
どが知られている。このセラミック系材料として具体的
には例えばアスベストが用いられ、捷だ抵抗素子材料と
しては例えばカルマ（温度３ ０ ０ ’０以下の場合
に用いられる。）、あるいはニクロムＶ，アーマロイＤ
，白金タンクステン合金（温度３ ０ ０ ’ＯＪ）、
上のＩ場合に用いられる。）等が用いられている。そし
てひずみ検出用の抵抗素子は例えばセラミック丑だはポ
リイミドのベースにシリコーンのような接着剤で接着さ
れている。ところで、このような構成の高温ひずみゲー
ジは、３ ０ ０ ’Ｏ以上の温度下で劣化が生じ、セ
ラミック材料が本来の特性を示さなくなり、強度も著し
く低下してし壕う。その原因として考えられることは、
ポリイミド樹脂を用いたものは、それ自体の耐熱性にも
問題があるが、特にベース材としてアスベストを用い、
接着剤としてシリコーン樹脂を用いた場合、シリコーン
樹脂が、４ ０ ０ ’Ｏ〜５ ０ ０ ’Ｏの高温に
晒されるとシリコーンの三次元的網状分子構造が分解さ
れバインダとしての機能を果し得なくなることにある。
ミック系の材別により挾んでサンドインチ構造にしてな
るものおよびベース材としてポリイミドを用いたものな
どが知られている。このセラミック系材料として具体的
には例えばアスベストが用いられ、捷だ抵抗素子材料と
しては例えばカルマ（温度３ ０ ０ ’０以下の場合
に用いられる。）、あるいはニクロムＶ，アーマロイＤ
，白金タンクステン合金（温度３ ０ ０ ’ＯＪ）、
上のＩ場合に用いられる。）等が用いられている。そし
てひずみ検出用の抵抗素子は例えばセラミック丑だはポ
リイミドのベースにシリコーンのような接着剤で接着さ
れている。ところで、このような構成の高温ひずみゲー
ジは、３ ０ ０ ’Ｏ以上の温度下で劣化が生じ、セ
ラミック材料が本来の特性を示さなくなり、強度も著し
く低下してし壕う。その原因として考えられることは、
ポリイミド樹脂を用いたものは、それ自体の耐熱性にも
問題があるが、特にベース材としてアスベストを用い、
接着剤としてシリコーン樹脂を用いた場合、シリコーン
樹脂が、４ ０ ０ ’Ｏ〜５ ０ ０ ’Ｏの高温に
晒されるとシリコーンの三次元的網状分子構造が分解さ
れバインダとしての機能を果し得なくなることにある。
すなわちバインダのベース材および抵抗素子への固着機
能がなくなり、被測定対象物から抵抗素子へひずみを伝
達する機能が失われてしまうという問題があった。
能がなくなり、被測定対象物から抵抗素子へひずみを伝
達する機能が失われてしまうという問題があった。
また、ポリイミドに抵抗素子を接着し、それをアスベス
トおよび金属材料に取り付けだひずみゲージもあるが、
このようなひずみゲージもやはりポリイミド樹脂自体の
耐熱性が不充分であることが問題となると共に抵抗素子
をポリイミドからなるベースに接着する接着剤として何
を選ぶかが問題となる。つ丑９、ポリイミド樹脂はプラ
スチック樹脂の中では耐熱性において優れたものの一つ
といえるがセラミックのような材料と比較すると耐熱性
が劣り、また、ポリイミド樹脂はポリテトラフルオロエ
チレン，ポリオレフィン系の材料と似て接着が非常に困
難な材料であるためポリイミドベースヘ抵抗素子を接着
する接着剤としては著しく制約があり一般にフェノール
．エポキシｍ脂などが用いられているが、耐熱温度が低
くポリイミドの耐熱温度の域を越えることはできない。
トおよび金属材料に取り付けだひずみゲージもあるが、
このようなひずみゲージもやはりポリイミド樹脂自体の
耐熱性が不充分であることが問題となると共に抵抗素子
をポリイミドからなるベースに接着する接着剤として何
を選ぶかが問題となる。つ丑９、ポリイミド樹脂はプラ
スチック樹脂の中では耐熱性において優れたものの一つ
といえるがセラミックのような材料と比較すると耐熱性
が劣り、また、ポリイミド樹脂はポリテトラフルオロエ
チレン，ポリオレフィン系の材料と似て接着が非常に困
難な材料であるためポリイミドベースヘ抵抗素子を接着
する接着剤としては著しく制約があり一般にフェノール
．エポキシｍ脂などが用いられているが、耐熱温度が低
くポリイミドの耐熱温度の域を越えることはできない。
そのためこのような構成よりなる高温ひずみゲージは耐
熱性の点で不適当といわざるを得ないものであった。
熱性の点で不適当といわざるを得ないものであった。
更に、高温ひずみゲージには、金属ベースにセラミック
接着剤を用いて抵抗素子を固着した構造のものもある。
接着剤を用いて抵抗素子を固着した構造のものもある。
この種の高温ひずみゲージは耐熱性という点で上述のも
のと比較して優れておりまた、ベースとして金属を用い
ているので被測定対象物が金属の場合には高温ひずみゲ
ージを被測定対象物に点溶接で固定することができると
いう利点を有している。
のと比較して優れておりまた、ベースとして金属を用い
ているので被測定対象物が金属の場合には高温ひずみゲ
ージを被測定対象物に点溶接で固定することができると
いう利点を有している。
しかしながら、この種のひずみゲージは金属ベースの上
にセラミック接着層があり、このセラミック接着層の上
に抵抗素子があるという構成をとっており、金属ベース
とセラミックという異種物質が起歪部と抵抗素子との間
に介在しているだめ、ひずみゲージの製作過程において
内部にひずみが蓄積され測定誤差が混入したり高温加熱
中に破壊しやすいという難点がある。また、ベースが金
属からなりその剛性が大きいので金属のように剛性の大
きなもののひずみを測定する場合には問題がないが、例
えば耐火レンガ等剛性が金属よりも小さなもののひずみ
を測定する場合にはひずみが抵抗素子に有効に伝達され
得ないという問題もある。
にセラミック接着層があり、このセラミック接着層の上
に抵抗素子があるという構成をとっており、金属ベース
とセラミックという異種物質が起歪部と抵抗素子との間
に介在しているだめ、ひずみゲージの製作過程において
内部にひずみが蓄積され測定誤差が混入したり高温加熱
中に破壊しやすいという難点がある。また、ベースが金
属からなりその剛性が大きいので金属のように剛性の大
きなもののひずみを測定する場合には問題がないが、例
えば耐火レンガ等剛性が金属よりも小さなもののひずみ
を測定する場合にはひずみが抵抗素子に有効に伝達され
得ないという問題もある。
更に・また、接着剤でひずみゲージをレンガ等の被測定
物に固着する場合には、起歪部すなわちひずみを検出す
べき部分と、抵抗素子との間に接着剤が介在する分だけ
間隔が大きくなるのでひずみの伝達性が更に悪くなり感
度が一層低下するという問題があった。
物に固着する場合には、起歪部すなわちひずみを検出す
べき部分と、抵抗素子との間に接着剤が介在する分だけ
間隔が大きくなるのでひずみの伝達性が更に悪くなり感
度が一層低下するという問題があった。
本発明は、このような問題に対処するためになされたも
ので、耐熱性に優れしかも測定誤差が小さく且つ測定感
度の大きな高温ひずみゲージおよびその製法を提供する
ことを目的としている。
ので、耐熱性に優れしかも測定誤差が小さく且つ測定感
度の大きな高温ひずみゲージおよびその製法を提供する
ことを目的としている。
以下、本発明を図面に示した実施例に従って詳細に説明
する。
する。
第１図は、本発明に係る高温ひずみゲージの第１の実施
例の構成を示す縦断面図であり、同図において、１は高
温ひずみゲージであり、例えばアルミナおよびシリカを
主成分とした直方体形状のセラミック体２の内部に、ひ
ずみ検出用の抵抗素子３どこの抵抗素子３に接続され該
抵抗素子３のひずみ出力を外部に導出するゲージリード
４の一部とを埋設せしめである。
例の構成を示す縦断面図であり、同図において、１は高
温ひずみゲージであり、例えばアルミナおよびシリカを
主成分とした直方体形状のセラミック体２の内部に、ひ
ずみ検出用の抵抗素子３どこの抵抗素子３に接続され該
抵抗素子３のひずみ出力を外部に導出するゲージリード
４の一部とを埋設せしめである。
なお、５は高温ひずみゲージ１を製造する際に用いられ
るベースとしてのセラミックペーパーでようにして製造
される。
るベースとしてのセラミックペーパーでようにして製造
される。
（１） セラミックペーパー５を用意する。このセラ
ミックペーパー５として無機イＡ料例えばシリコン樹脂
、水ガラス等がバインダとして含浸され約５００°Ｃの
温度に加熱したときにそのバインダが破壊されるような
性質のものを選ぶ（各種製品が市販されている）。
ミックペーパー５として無機イＡ料例えばシリコン樹脂
、水ガラス等がバインダとして含浸され約５００°Ｃの
温度に加熱したときにそのバインダが破壊されるような
性質のものを選ぶ（各種製品が市販されている）。
（２） セラミックペーパー５上にセラミック接着剤
を薄く塗布する。その後プレキュアを行なってセラミッ
ク接着剤を固化させ第１の未焼成セラミツク層を形成す
る。
を薄く塗布する。その後プレキュアを行なってセラミッ
ク接着剤を固化させ第１の未焼成セラミツク層を形成す
る。
（３） セラミックペーパー５上の第１の未焼成セラ
ミツク層の上に耐熱合金（例えばニクロムＶ。
ミツク層の上に耐熱合金（例えばニクロムＶ。
アーマロイＤ、白金タングステン合金等）により適宜な
形状に加工された線、箔状のひずみ検出用の抵抗素子３
を転写する。そしてその抵抗素子３をセラミック接着剤
で適宜仮利けする。
形状に加工された線、箔状のひずみ検出用の抵抗素子３
を転写する。そしてその抵抗素子３をセラミック接着剤
で適宜仮利けする。
（４） ゲージリード４を抵抗素子３に点溶接により
接続する。
接続する。
（５） 表面にセラミック接着剤を塗布し表面全体を
セラミック接着剤で覆い第２の未焼成セラミツク層を形
成する。
セラミック接着剤で覆い第２の未焼成セラミツク層を形
成する。
（６）、その後、電気炉において、それを約５００ ’
０の温度で焼成処理する。そして、この焼成処理によっ
て第１図に示すようにセラミック体２の内部に抵抗素子
３およびこの抵抗素子に接続され該抵抗素子のひずみ出
力を外部に導出するゲージリード４の一部が埋設された
構造の高温ひずみゲージができる。
０の温度で焼成処理する。そして、この焼成処理によっ
て第１図に示すようにセラミック体２の内部に抵抗素子
３およびこの抵抗素子に接続され該抵抗素子のひずみ出
力を外部に導出するゲージリード４の一部が埋設された
構造の高温ひずみゲージができる。
（７）焼成処理によってバインダが破壊されたセラミッ
クペーパー５は繊維状になってひずみゲ１ジの底部に残
存するので、焼成処理後にその残存する繊維状のセラミ
ックペーパー５を例えばピンセット等をオリ用して除去
する。
クペーパー５は繊維状になってひずみゲ１ジの底部に残
存するので、焼成処理後にその残存する繊維状のセラミ
ックペーパー５を例えばピンセット等をオリ用して除去
する。
このような高温ひずみゲージ１は抵抗素子３およびゲー
ジリード４の他は耐熱性に優れたセラミックのみによっ
て構成されており、シリコーン等９− を用いたひずみゲージのように三次元的網状分子等を含
んでおらず、耐熱性に極めて優れており５００°Ｃの高
温下でも劣化する虞れはないので、材料の欠陥によりひ
ずみ伝達性が低下するという虞れがない。
ジリード４の他は耐熱性に優れたセラミックのみによっ
て構成されており、シリコーン等９− を用いたひずみゲージのように三次元的網状分子等を含
んでおらず、耐熱性に極めて優れており５００°Ｃの高
温下でも劣化する虞れはないので、材料の欠陥によりひ
ずみ伝達性が低下するという虞れがない。
捷た、ひずみゲージを構成している材料ば、抵抗素子３
およびゲージリード４を除きすべて同一のセラミック接
着剤を焼成したセラミックであるため、金属ベースにセ
ラミック接着剤を焼成したひずみゲージのように２つの
異種物質の熱膨張係数の違いに基いて製作時の加熱によ
り内部にひずみが蓄積されてし捷うということもない。
およびゲージリード４を除きすべて同一のセラミック接
着剤を焼成したセラミックであるため、金属ベースにセ
ラミック接着剤を焼成したひずみゲージのように２つの
異種物質の熱膨張係数の違いに基いて製作時の加熱によ
り内部にひずみが蓄積されてし捷うということもない。
従って、内部ひずみに起因した測定誤差を著しく小さく
することができる。
することができる。
更に捷だ、金属よりも剛性の小さなセラミックをベース
としているので、感度をより大きくすることができ、特
に剛性の小さな例えば耐火レンガ等のひずみを何ら支障
なく測定することができる。
としているので、感度をより大きくすることができ、特
に剛性の小さな例えば耐火レンガ等のひずみを何ら支障
なく測定することができる。
因みに従来の高温ゲージは、ゲージ率が１４〜１．６程
度であるが、本発明によればゲージ率２〇−１〇− 程度に大きくすることが可能となった。
度であるが、本発明によればゲージ率２〇−１〇− 程度に大きくすることが可能となった。
更に加えて、セラミック体２は高温における絶縁低下が
著しく小さく数十ＭΩ程度のきわめて大きな絶縁抵抗を
有するので、電流のリークによる測定誤差は殆んど生じ
ない。
著しく小さく数十ＭΩ程度のきわめて大きな絶縁抵抗を
有するので、電流のリークによる測定誤差は殆んど生じ
ない。
なお、使用に際して、最下層のセラミックペーパーは、
除去するわけであるが、そのため下面または上面のいず
れでも被測定箇所に接着することができる。まだ、この
高温ひずみゲージ１を被測定物に接着するには、上述の
製作時に用いたセラミック材料と同一の接着剤を用いる
。
除去するわけであるが、そのため下面または上面のいず
れでも被測定箇所に接着することができる。まだ、この
高温ひずみゲージ１を被測定物に接着するには、上述の
製作時に用いたセラミック材料と同一の接着剤を用いる
。
第２図および第３図は、本発明の他の実施例の構成を示
すもので、この実施例は°アクティブゲージのほかに抵
抗素子の温度上昇に基づいて発生する見かけひずみを補
正するだめのダミーゲージを内蔵している。
すもので、この実施例は°アクティブゲージのほかに抵
抗素子の温度上昇に基づいて発生する見かけひずみを補
正するだめのダミーゲージを内蔵している。
図面において、６は高温ひずみゲージであり、セラミッ
ク体７と、このセラミック体７の中に埋設されたアクテ
ィブゲージ用抵抗素子８、ゲージリード９（アクティブ
ゲージリード９ａ、ダミーゲージリード９ｂ、コモンゲ
ージリード９ｃよりなる）、セラミックペーパー■（）
、ダミーゲージ用抵抗素子１１ とより構成されている
。このような構成よりなる高温ひずみゲージ６は、例え
ば次のようにして製造することができる。
ク体７と、このセラミック体７の中に埋設されたアクテ
ィブゲージ用抵抗素子８、ゲージリード９（アクティブ
ゲージリード９ａ、ダミーゲージリード９ｂ、コモンゲ
ージリード９ｃよりなる）、セラミックペーパー■（）
、ダミーゲージ用抵抗素子１１ とより構成されている
。このような構成よりなる高温ひずみゲージ６は、例え
ば次のようにして製造することができる。
（１）先ずセラミックペーパー（図示省略）を用意する
。
。
（２）該セラミックペーパー」−にセラミック接着剤を
薄く塗布しプレキュアを行なって固化させ第１の未焼成
セラミツク層を形成する。
薄く塗布しプレキュアを行なって固化させ第１の未焼成
セラミツク層を形成する。
（３）上記第１の未焼成セラミツク層の上にアクティブ
ゲージ用抵抗素子８を転写し、セラミック接着剤で仮付
けを行なう。
ゲージ用抵抗素子８を転写し、セラミック接着剤で仮付
けを行なう。
（４） ゲージリード９ａおよび９ｃをアクティブゲ
ージ用抵抗素子８に点溶接により接続する。
ージ用抵抗素子８に点溶接により接続する。
（５）第１の未焼成セラミツク層の上に少なくともアク
ティブゲージ用の抵抗素子８およびゲージリード９の一
部を覆うようにセラミック接着剤を塗布し、その後プレ
キュアを行なってこの接着剤を固化させ第２の未焼成セ
ラミツク層を形成する。
ティブゲージ用の抵抗素子８およびゲージリード９の一
部を覆うようにセラミック接着剤を塗布し、その後プレ
キュアを行なってこの接着剤を固化させ第２の未焼成セ
ラミツク層を形成する。
（６）セラミックペーパー１０を第２の未焼成セラミツ
ク層上であってアクティブゲージ用の抵抗素子８の上方
にあたる部分に配置する。
ク層上であってアクティブゲージ用の抵抗素子８の上方
にあたる部分に配置する。
（カ セラミックペーパー１０および第２の未焼成セラ
ミツク層の露出している部分の上にセラミック接着剤を
塗布し、その後プレキュアを行なってこの接着剤を固定
させ第３の未焼成セラミツク層を形成する。
ミツク層の露出している部分の上にセラミック接着剤を
塗布し、その後プレキュアを行なってこの接着剤を固定
させ第３の未焼成セラミツク層を形成する。
（８）第３の未焼成セラミツク層の上にダミーゲージ用
の抵抗素子１１を転写しセラミック接着剤で仮付けをす
ると共にゲージリード９ｂを配置する。そしてゲージリ
ード９１）と抵抗素子Ｊ１の一方の端子とを点溶接によ
り接続し、また抵抗素子１１の他方の端子と前記ゲージ
リード９Ｃとを接続する。
の抵抗素子１１を転写しセラミック接着剤で仮付けをす
ると共にゲージリード９ｂを配置する。そしてゲージリ
ード９１）と抵抗素子Ｊ１の一方の端子とを点溶接によ
り接続し、また抵抗素子１１の他方の端子と前記ゲージ
リード９Ｃとを接続する。
（９）第３の未焼成セラミツク層の上に配置された少な
くともダミーゲージ用の抵抗素子１１ を完全に覆うよ
うにセラミック接着剤を塗布し第４の未焼成セラミツク
層を形成する。
くともダミーゲージ用の抵抗素子１１ を完全に覆うよ
うにセラミック接着剤を塗布し第４の未焼成セラミツク
層を形成する。
０〔その後例えば電気炉で５００ ’Ｏ程度の温度によ
り焼成処理を施す。
り焼成処理を施す。
θ１）最後に最下層のセラミックペーパー（図示省略）
を除去する。
を除去する。
このようにｊ〜て製造された第２の実施例の高温ひずみ
ゲージ２は次のような特徴を有する。
ゲージ２は次のような特徴を有する。
先ずアクティブゲージ用抵抗素子８とダミーゲージ用抵
抗素子１１ との間にセラミックペーパー１０を介在
させたので、このセラミックペーパー１０が焼成によっ
てそのバインダが破壊され繊維のみが残り、この部分が
ひずみ絶縁材としての働きをする。従って、アクティブ
ゲージ用匿抗素子８に伝わるひずみがダミーゲージ用抵
抗素子１１には伝わらず、より正確な温度補償を行なう
ことができる。
抗素子１１ との間にセラミックペーパー１０を介在
させたので、このセラミックペーパー１０が焼成によっ
てそのバインダが破壊され繊維のみが残り、この部分が
ひずみ絶縁材としての働きをする。従って、アクティブ
ゲージ用匿抗素子８に伝わるひずみがダミーゲージ用抵
抗素子１１には伝わらず、より正確な温度補償を行なう
ことができる。
また、アクティブゲージ用の抵抗素子８を構成するゲー
ジグリッドの向きとダミーゲージ用抵抗素子１１を構成
するゲージグリッドの向きとを互いに直交させて配設し
、且つ両ゲージによってノｈ−フブリッジを構成するこ
とにより、広範囲の温度変化による見４１１け０・ずみ
の発生を著しく減少せしめることができる。
ジグリッドの向きとダミーゲージ用抵抗素子１１を構成
するゲージグリッドの向きとを互いに直交させて配設し
、且つ両ゲージによってノｈ−フブリッジを構成するこ
とにより、広範囲の温度変化による見４１１け０・ずみ
の発生を著しく減少せしめることができる。
更に捷だ、第２の実施例のものにおいても第１図の実施
例の説明に際１〜で述べたと全く同じ効果を奏すること
は勿論である。
例の説明に際１〜で述べたと全く同じ効果を奏すること
は勿論である。
以上詳述したように、第１および第２発明によれば、耐
熱性に優れ、高温下においてもひずみ伝達性の低下がな
く、内部ひずみの蓄積がなく、剛性が小さく、ゲージ率
が大きく且つ絶縁低下が少なく、従って高精度、高感度
なひずみ測定を実現し得る高温ひずみゲージおよびその
製法を提供することができる。
熱性に優れ、高温下においてもひずみ伝達性の低下がな
く、内部ひずみの蓄積がなく、剛性が小さく、ゲージ率
が大きく且つ絶縁低下が少なく、従って高精度、高感度
なひずみ測定を実現し得る高温ひずみゲージおよびその
製法を提供することができる。
これに加え、第３および第４の発明によれば、高度に温
度補償の施された高温ひずみゲージおよびその製法を提
供することができる。
度補償の施された高温ひずみゲージおよびその製法を提
供することができる。
第１図は、本発明の一実施例の構成を示す断面図、第２
図および第３図は本発明の他の実施例の構成を示す断面
図および平面図である。 １．６・・・・・・高温ひずみゲージ。 ２．７・・・・・・セラミック体。 ３ ・・・・・・０・ずみ検出用抵抗素子。 ４．９・・・・・・ゲージリード。 ５．１０・・・・・・セラミックペーパー。 ８ ・・・・・・アクティブゲージ用抵抗素子１１１
・・・・・・ダミーゲージ用抵抗素子。
図および第３図は本発明の他の実施例の構成を示す断面
図および平面図である。 １．６・・・・・・高温ひずみゲージ。 ２．７・・・・・・セラミック体。 ３ ・・・・・・０・ずみ検出用抵抗素子。 ４．９・・・・・・ゲージリード。 ５．１０・・・・・・セラミックペーパー。 ８ ・・・・・・アクティブゲージ用抵抗素子１１１
・・・・・・ダミーゲージ用抵抗素子。
Claims (4)
- （１） セラミック体内に、ひずみ検出用の抵抗素子
とこの抵抗素子に接続され該抵抗素子のひずみ出力を外
部に導出するゲージリードの一部とを埋設してなること
を特徴とする高温ひずみゲージ。 - （２） セラミックペーパー上に未焼成セラミツク層
を形成し、この未焼成セラミツク層上にひずみ検出用の
抵抗素子とこの抵抗素子に接続されたゲージリードとを
配置し、その後前記抵抗素子およびゲージリードが配置
された前記未焼成セラミツク層の表面を未焼成セラミツ
ク層で覆い、その後焼成処理を施し、しかる後前記セラ
ミックペーパーを除去することを特徴とする高温ひずみ
ゲージの製法。 - （３）セラミック体内に端子がゲージリードを介して外
部に導出されたアクティブゲージ用抵抗素子と、このア
クティブゲージ用抵抗素子から適宜上方に離間され端子
がゲージリードを介して外部に導出されたダミーゲージ
用抵抗素子とを直接埋設し、前記アクティブゲージ用抵
抗素子と前記ダミーゲージ用抵抗素子との間に例えばセ
ラミックペーパーからなるひずみ絶縁層を介在せしめて
なることを特徴とする高温ひずみゲージ。 - （４）第１のセラミックペーパー上に第１の未焼成セラ
ミツク層を形成し、この第１の未焼成セラミツク層上に
アクティブゲージ用抵抗素子およびその端子に接続され
たゲージリードを配置し、第１の未焼成セラミツク層上
に少なくとも前記アクティブゲージ用抵抗素子を覆うよ
うに第２の未焼成セラミツク層を形成し、次にこの第２
の未焼成セラミツク層の少なくともアクティブゲージ用
抵抗素子の上方にあたる部分に第２のセラミックペーパ
ーを配置し、更に第２の未焼成セラミツク層および第２
のセラミックベーノく−の上に第３の未焼成セラミツク
層を形成し、この第３の未焼成セラミツク層上にダミー
ゲージ用抵抗素子とこのダミーゲージ用抵抗素子の端子
に接続されたゲージリードとを配置し、更に前記第３の
未完成セラミック層上に少なくともダミーゲージ用抵抗
素子を完全に覆うように第４の未焼成セラミツク層を形
成し、その後焼成処理を施し、しかる後筒１のセラミッ
クペーパーを除去することを特徴とする高温ひずみゲー
ジの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10999081A JPS5811802A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 高温ひずみゲ−ジおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10999081A JPS5811802A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 高温ひずみゲ−ジおよびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5811802A true JPS5811802A (ja) | 1983-01-22 |
| JPH0136562B2 JPH0136562B2 (ja) | 1989-08-01 |
Family
ID=14524284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10999081A Granted JPS5811802A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 高温ひずみゲ−ジおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811802A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH032603A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Honda Motor Co Ltd | 耐熱性歪ゲージ及び歪測定方法 |
| US5125635A (en) * | 1989-09-12 | 1992-06-30 | Horizon International Inc. | Collation error indication system for collator |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5032825A (ja) * | 1973-07-24 | 1975-03-29 | ||
| JPS5142947A (ja) * | 1974-10-09 | 1976-04-12 | Hitachi Ltd | Totsunyudenryuboshikairo |
| JPS55108908U (ja) * | 1979-01-24 | 1980-07-30 |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP10999081A patent/JPS5811802A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5032825A (ja) * | 1973-07-24 | 1975-03-29 | ||
| JPS5142947A (ja) * | 1974-10-09 | 1976-04-12 | Hitachi Ltd | Totsunyudenryuboshikairo |
| JPS55108908U (ja) * | 1979-01-24 | 1980-07-30 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH032603A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Honda Motor Co Ltd | 耐熱性歪ゲージ及び歪測定方法 |
| US5125635A (en) * | 1989-09-12 | 1992-06-30 | Horizon International Inc. | Collation error indication system for collator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136562B2 (ja) | 1989-08-01 |
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