JPS58120501A - 合成ガスの製造法 - Google Patents

合成ガスの製造法

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JPS58120501A
JPS58120501A JP57234907A JP23490782A JPS58120501A JP S58120501 A JPS58120501 A JP S58120501A JP 57234907 A JP57234907 A JP 57234907A JP 23490782 A JP23490782 A JP 23490782A JP S58120501 A JPS58120501 A JP S58120501A
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carbon
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metal
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JP57234907A
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ルイス・ジヨセフ・ヴエレニイ
フレデリツク・アンソニ−・ペサ
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Standard Oil Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は軽質炭化水素のリホーミングによる水素と一酸
化炭素を含むガス混合物の触媒的製造法に関する。さら
に詳しくIfi、本発明は特別に製造したリホーミング
触媒の存在下メタンのリホーミングによるほぼ等量の水
嵩と一酸化炭素を含むガス混合物の1段階製造法を提供
する0 軽質炭化水素、特にメタンのリホーミング法はよく知ら
れている。一般に1炭化水素リホー電ング法は水蒸気リ
ホーミングオたI/′i酸化剤として駿素廿有ガスを使
う炭化水素の部分酸化を利用する。
典型的には、メタソリホー2ング法は次の化学式に従っ
て1対3の一酸化炭素/水素比を會もガス混合物を生成
する。
CH−1−HO→ICO+382      (1)2 1対1の一酸化炭素/水素比を含むガス混合物はフィツ
クャー−トロデシ二法のように高級炭化水素とtl/!
素化誘導体の製造法にお込てフィードガスとして特に有
用であるから、−酸化炭素/水素の高い比が必要である
。−酸化炭素含量を増す丸めKFi、次の化学式に従い
水性ガス転化反応を使う必要がある。
GO2+ 82  →co + H2o       
  (1)一層高度の技術がまもなく炭化水素を二酸化
炭素〜酸素を水蒸気、まえはその混合物と接触させるこ
とによる炭化水素の新すホーンング法を開発しえ。プロ
セス条件を変えることによって、はぼ1対1の一酸化炭
素/水素比を含むメタンリホーミング生成物ガス混合物
を得ることができた・上記のリホーミング法に関連した
不便と問題がまもなく明らかとなった。第一に、前記リ
ホーミング法は大過剰の水蒸気を使い、不経済である。
この問題を軽減するためKti、骸方法を高圧で実施す
る仁とが必要となつ九。第二に、リホーミング触媒はリ
ホーミング工程中遊離炭素を遊離する傾向を有し、脚累
元素が触媒上に析出し良。触媒上へのこの炭素の析出は
ふつう触媒活性の著しい減少をひき起し、さらに重要な
ことはしばしば触媒全体の分解を生じた。
そこで、本発明の目的はほぼ等量の水素と一酸化炭素を
含む生成物ガス混合物を得るため、炭化水素特にメタン
含有ガスの1段階触媒的すホーζング法を提供するKあ
る。
本発明の別の目的は高選択的で、炭素析出に強い抵抗を
有し、炭素析出後も高活性を維持し、触@に対し有害作
用なしに容異に炭素を除去できる特別に製造し几触媒を
利用する炭化水素Vホーンレグ法を提供するKある。
本@明はほぼ等しい割合の一酸化炭素と水素を含む生成
物ガス混合物への軽質炭化水素41にメタンの1段階リ
ホーミング法を提供する6本発明の一具体化におりては
、1 m2/f  より大で約350m2/f  より
小さい表面積と約0.4〜約S et/lの細孔容積を
有する多孔性触II&担体と#担体O細孔表面上の少な
(とも1種の1族金属オえはその混合物とからなる触媒
の触媒量の存在で、水蒸気の不在下に、メタン含有ガス
と二酸化炭素とを接触させることからなる方法によって
、メタンをリホーミングする。
本発明は他の方法のツイードIスとして使用できるほぼ
等しい割合の一酸化炭素と水素とを含むガス混合物を得
るための経済的方法を提供する。
不法は次の化学式に従う1股階触媒反応を使う。
CH2+C02→2Co+2H2伽) 不法の温度と圧力は広く変化できる。典型的には、温度
は約350〜約asoc、好ましくは約500〜約75
0℃の範囲である。減圧、常圧、または加圧を9用でき
るが、約1〜約10気圧の低圧が好ましい@この方法は
水蒸気の不在で実施できるから、約1〜約2気圧の範囲
の圧力が最も好ましい。
フィードガス中のメタン対二酸化炭素の比は生成?#!
Jガス混合物中の一酸化炭素/水素比比に影響を与え、
そこで所望のCo/)42比を得るようKt’化させる
ことができる。反応物ガス混合物中の一層高い濃度の二
酸化炭素はほぼ等量の一酸化炭素と水素を含む生成物ガ
ス混合物を与えることが見出された。素置的には、二者
化責素対メタンのフィードガスモル比は約0.75−約
1.8、−ア〈は約1.0〜約1.4、最も好オし 〜約1.3の範囲であることができる。
本@咽は船にメタンのリホーミングを目的としているが
、メタンに対し使うプロセス条件で本法においてどの軽
質炭化水素も使用できる。たとえば、エタン、プロ/豐
ン、ブタン、エテノ、fクペン、ブテンのような1〜約
4個の炭素原子を有するノ4ラフインオたはオレフィン
を本法で使用できるが、生成物混合物は使うプロセス条
件およびフィードがス比に依存し変化する・しかし、天
然ガスの主成分であるメタンは豊富で安価であるから好
ましい。少なくとも約60Xのメタンを含むどのガスも
メタン含有ガスとして使用で會る・好會しくに少なくと
も80%の、最も好ましくは90%のメタンを含むガス
を使用する。
本法で使うリホーミンダ触媒は比較的特異な粒度分布と
密質を有し、この触媒を流動床操作で使うのに高度に望
ましいものにする。#リホーオング触媒#i該金属が粒
子担体の内部表面にオたは轡に細孔表面に存在するよう
な方式で1族金属を含浸した特異な性質の組合せを有す
る多孔性流動床担体物質からなる。
1族金属を含浸したシリカのような多孔性粒状物質から
なる粒子はよく知られてbる。しかし、本発明のリホー
ミング触媒が必要な性質と発揮するためには、細孔の性
質を正確に選んで正確な性質の組合せを示すようにする
必要がある。
流動床触媒の製造に使う多孔性粒状自由流動性触媒担体
物質はよく知られている・このような物質の例はシリカ
、アルミナ、シリカ/アルミナ、ジルコニア、チタニア
、ハラニア、炭化ケイ素、リン酸ホウ素、ケイソウ±、
軽石などである。
本発明に従えば、皺担体愉質が1 m2/f  よ抄大
で約550 m2/f  よシ小さい表面積および約0
.4〜約5 Ct/fの細孔容積を有するという条件で
、どO担体−質も本発明のリホーミング触媒の製造に使
用できる・約6〜約250 m’/f の表面積および
約1〜約20.’fの細孔容積を有する担体が好オしい
、約50〜約80 m2/l  の表面積および約1−
約2c&/fの細孔容積を有する担体が最も好ましい。
特に好着しb担体物質は、水銀多孔変針技術により測定
したとき50Å以下の、好ましくFia。
Å以下の、最も好ましくFi100Å以下の細孔直径を
有する測定可能な細孔を含んでhないことをさらに%微
とする上記のよう′&指担体ある。
理論によ秒拘束されることを意図しないが、上記f!面
積および細孔容積の制限の重要性は触媒粒子の安定性と
保全性に関係すると考えられる。触媒土への高い炭素析
出は炭化水素リホーミング法で絶えず問題となっている
。この炭素析出は触媒粒子の低活性をまねき、最後には
分解を生じる。
しかし、本発明は触媒担体物質に特異な表面積と細孔容
積f要件とすることによってこO問題を軽減する。たと
えば、炭素が担体粒子の極度に小さい細孔で成長が許さ
れると、炭素#iまもなく仁O細孔を充てんして、触媒
の活性を減少させる。さらに炭素が成長するとさらに高
い応力を粒子骨格に与えて、最後には粒子の破砕と触媒
の分解に導び〈。そこで、着しく小さい細孔を排除する
ことによって、炭素物質が成長空間に入も一1k%Aは
ど大吉くなるとき発展する高いI#脹応力により粒子が
砕ける傾向が除去される。
さらに、大きな細孔寸法は高い界面面積を生じ、全体と
して高い触媒対反応物接触面積を可能にする。界面面積
を金属触媒で機種することにより、触媒のかなりの量が
元素状炭素によりおおわれるN1*が一層低くなる@ 本発明の別の利点として、本発明のリホーミング触媒は
減少し友量の炭素析出を受は入れるようである。これは
炭素析出に役立つ外表面積が諷少し、炭素の形成を細孔
内に拘束するととKよることができる。
上記の性質の組合せを有する粒状担体物jXは、商業上
入手できる多孔性担体物質から製造できる。
シそら(極度に小さ込細孔を排除するために%担体原料
の表面積を減少するためには、種々の技術を使用できる
。流動床担体物質のtk面横t−減少しおよび細孔構造
を調節する多くの技術が知られてお〕、適当な原料と1
iil遅しどの上記技術も使用できる・たとえば、シリ
カまたはアルミナのような高表面積担体物質を七モリブ
デン酸アンモニウムで含浸し、担体と空気中または他の
雰囲気中でか焼すると、担体物質の表面積が著しく減少
することが知られてbる。シリカをリン酸で會浸し、つ
いで空気中でか焼すると、多孔性シリカの表面積が着し
く減少することも知られている・本発明の触媒の特別の
利点として、骸触媒を流動床反応で使用できる。流動床
反応の尚業者にとっては、流動化しようとする固体は適
当な粒度分布と密度をもつ必要のあることはよく知られ
ている。大部分の■族金属は担体内部に合体されるから
、担体の粒間分布は本発明のリホーンンダ触媒自体の粒
度分布に類似かまたは本質的に同一である。そこで、担
体#′i流動床材料として使うのに適した粒度分布をも
つ必要がある。ふつうは、これに粒状担体の少なくとも
8ONが5〜300書クロンの、好ましくFi10〜2
00オクロンの、最も好ましくは20〜150ミクロン
の範囲の粒度分布をもつことを意味する。
どの1族金属またはその混合物もコーディングtたは含
浸剤として使用できる。 Pt、Pdなどを利用で會る
が、鉄、コバルト、ニッケルが好ましく、ニッケルが特
に好まシイ。
担体中のW族金属の量は広く変化できる―便宜上、*族
金属の量は含浸する担体の測定表面積基準で■族金属の
単層により示すことができる。言いかえると、含浸しよ
うとする担体の表面積および担体の細孔表面に析出しよ
うとする■族金属の原子半径に基づき、■族金属のIJ
[子厚さの単層で粒子の全表面を完全I/cおかうのに
必要な■族金属の全原子数し九がって全モル数を計算で
きる。
便宜上、担体に含浸される■族金属の量を、このような
層の倍数または分数により言うことができる・ 担体粒子に含浸する■族金属の量は少なくとも約1層で
なければならないことが見出された。金属添加が1層以
上に増すと、触媒の性能は迅速に増し、2層に相当する
金属添加触媒はすぐれた活性を示す、m論的には、金属
添加1iK:最大はないが、多すぎる金属は担体の細孔
を満たし、炭素を受は入れる細孔の総容量を減らし、触
媒が不活性化および(tたは)分解する傾向を増す、約
1.5〜約3.0層1!度の金属添加が好オしく、約2
層程度の金属添加が%に好ましい。
さらに、低い外表面積をもつ触媒粒子が望ましいことを
認識すべきである。11表面積は比較的高くすべきであ
るが1粒子の外表面に帰せられる表面積の量は本質的に
無視できるほどであるべきである。このことは担体粒子
の外表面よりも担体粒子の本体の細孔表面に■族金属の
高い量が析出することを確保する。
含浸を遂行するためのよく知られた技術によって、■族
金属を多孔性担体の細孔に析出で會る。
典型的には、多孔性担体物質を■族金属を含む筐体また
はその化合物の溶液で會浸し、礼燥し、必要なときは適
当な雰囲気′tたは一連の雰囲気中で熱処理して元素形
の金属を与えることKよって上記を遂行する。たとえば
、n−インメンのような適当な有機溶剤に1111かし
た鉄カルがエールのような有機化合物を含浸**として
使用できる今さらに。
有機溶液(たどえはメタノール)K溶かした1族金属の
有機塩を含浸溶液として使用できる。
上記技術に従って製造したリホーイング触媒を使うこと
の重要な利点の一つは、これらの触媒の縦索析出に対す
る抵抗である。しかし、少量の炭素が触媒上に析出する
とき、該触媒は着しく減少した反応性または選択性を示
さないことがわかった。さらに、炭素が触媒上に析出す
るとIi%これを有害作用なしに除去できる。たとえば
、触媒を水蒸気または水素と接触させるこ’−により、
触媒を不活性化することなく炭素を簡単に除去できる。
実施例1 担体物質を次の操作に従ってまず処理した。商業上入手
できる8102 (a o 、 o f )  をオー
トクレーブ中でに2co30 、56 Pと蒸留水20
0mgの溶液と混合した。オートクレーブYr23Q℃
にしこの温度[30分400 pslg  で保った。
30分後、オートクレーブ内のルーダを通し水を7ラツ
シユし圧力を2分以内に常圧に下げることKよって、オ
ートクレーブを迅速に冷した。ついでシリカを反応器か
ら除去し、m留水100−ずつで5同洗い、空気中11
0℃で一夜乾燥した。
xBNos)2・6H2047,55Fを最少量の水。
約20cCに溶かすこと忙より、ニッケルIItILを
つくった。この溶液を上記の水熱処理したシリカ54.
15)にかき會ぜて滴下した。添加t−徐々に行ない、
十分にかatぜて、触媒に均一な外観を維持した。含浸
触媒を9気中110℃で一夜乾燥した。ついで触媒管空
気中150℃で!sO分。
さらVc400Cで6時間か情した0次に、この触媒を
2511内径の石英流動床反応1)K入れた。触媒?1
29ec1分の水素と550℃で90分接触サす7’?
、 90 O6k、 1ull? 650℃K 30 
発止ffた。ついで触媒tta素雰素気囲気中し、11
温に遺したら反応器から除去した・重置で、この触媒線
空気中の酸素に対し安定であった。この触媒は約15重
量嗟のニッケルを含んでい九。
上でつくった触媒(20ee)を2fiM内−の石英管
に入れた。触媒をモル比1.25のCo!/CH4フィ
ードガス混合物と725℃で常圧でII@させ工0モル
比1.097のCo/Ht  91 、07 鴫を含む
生成物ガスが得られた。
実施例1の操作に従いv71總例2〜6を行なり。
種々の温度での種々のリホーきフグ法を示す、結果を第
1表に示す。第1表は市販リホーミング触媒に比較し本
発明のリホーミング触媒のすぐれた結果4示している。
実施例^およびBでは、シリカに担持した約15.5重
量−のニッケルを有する市販リホーミング触媒(ユニオ
ン・キャメリスト社から入手できる)を、本発明のリホ
ーミング触媒と同一の二つの条件でリホーミング法に使
った。夫々実雄例1と^シよび実施例4と8を比較する
と、本発明のリホーミング触媒によって著しく高い転化
率と選択率が認められる。驚くべきことKFi、本発明
のリホーミング触媒は重版触媒よりも縦索析出に対しは
るかに高い抵抗を示す。
そこで1本発明は上記の目的を達成することは轟業者に
は明らかである6本発明は上記実施例によって限定され
ないことを理解する会費がある。
実施例は本発明の操作可能なことを単に示すために与え
たものであって、明細書に記載した本発明の精神から離
れることがなければ、触媒成分含有化合物も触媒処方物
、合成ガス成分比1屓応条件の選択は明細書全体から決
定できる1本発明の範囲は特許請求の範囲に入る同等の
具体化、質形。
質更を含む。
アメリカ合衆国オハイオ州4409 4ウイロウイツク・フオレスト ・ロード28748

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 tsl  1 rn2/f  より大きく約550 m
    2/f より小さい表面積および約0.4〜約3 cc
    /fの細孔容積を有する多孔性触媒担体と該担体の細孔
    表面上の少なくとも1種の智族金属1+はその混合物と
    からなる触媒の触媒量の存在で、水蒸気の不在下に、2
    〜約4個の炭素原子を有するオレフィンおよび1〜約4
    個の炭素原子を有する/中うフインからなる群から選ば
    れる軽質炭化水素と二臂化炭素とを接触させることを特
    徴とする、少なくとも一酸化炭素と水素とを會も生成物
    ガス混合物への上記軽質炭化水素の1段階リホーミング
    法。 (2)  軽質炭化水素がメタンである特許請求の範囲
    第+1+項記載の方法・ (3)  触媒担体の表面積が6〜約250 m2/l
     であり、細孔容積が約1〜約2 Ct/lである特許
    請求の範囲第(2)項記載の方−味。 (4)触媒担体が50A以下の細孔直径を有する測定可
    能な細孔を有していなh%許請求の範囲第(2)項記載
    の方法・ (5)触媒担体がシリカである特許請求の範囲第(2)
    項記載の方法。 (6)  W族金属が鉄、コバルト、または−ニッケル
    からなる群から選ばれる特許請求の範囲81! (2)
    項記載の方法。 (7)  ■族金属がニッケルである特許請求の範W5
    第(2)項記載の方法。 (8)  1m度が約350〜約8500である特許請
    求の範囲第(2)項記載の方法◎ (9)  圧力が約1〜2気圧である特許請求の範8第
    (2)項記載の方法0 111I  w族金属が約1.5〜約3層の量で担体の
    細孔表面上に存在している特許請求の範囲第(2)項記
    載の方法@
JP57234907A 1982-01-04 1982-12-27 合成ガスの製造法 Pending JPS58120501A (ja)

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