JPS5812372A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5812372A JPS5812372A JP56111393A JP11139381A JPS5812372A JP S5812372 A JPS5812372 A JP S5812372A JP 56111393 A JP56111393 A JP 56111393A JP 11139381 A JP11139381 A JP 11139381A JP S5812372 A JPS5812372 A JP S5812372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- diode
- barrier diode
- manufacturing
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシｌツ）キーパリヤダイオードを有する半導体
装置の製造方法に関するものである。
装置の製造方法に関するものである。
一般にシ謄ツ）キーパリヤダイオードの順方向特性はシ
磨ットキーパリャダイオードを形成する金属およびシ璽
ットキーバリャダイオードの面積により変化する。白金
シリサイドのシｗｙトキーバリャダイオードの順方向特
性はガードリングが無い場合、面積が１０００μｉで電
流が１００μ人のときの電圧Ｖ、は０．４５Ｖ程度であ
る。この電圧をほぼ６０ｍＶ大きくあるいは小さくする
ためには、面積を１桁も小さくあるいは大きくする必要
がある。ここで２面積を小さくしてＶｙを大きくする場
合には、直列抵抗が増加することになる。一方、面積を
太き（してｖｌＰを小さくする場合には容量が増加して
しまう。この為、実用可能なシ■ットキーパリャダイオ
ードの順方向特性はある範囲に限定されてしまうことに
なる。
磨ットキーパリャダイオードを形成する金属およびシ璽
ットキーバリャダイオードの面積により変化する。白金
シリサイドのシｗｙトキーバリャダイオードの順方向特
性はガードリングが無い場合、面積が１０００μｉで電
流が１００μ人のときの電圧Ｖ、は０．４５Ｖ程度であ
る。この電圧をほぼ６０ｍＶ大きくあるいは小さくする
ためには、面積を１桁も小さくあるいは大きくする必要
がある。ここで２面積を小さくしてＶｙを大きくする場
合には、直列抵抗が増加することになる。一方、面積を
太き（してｖｌＰを小さくする場合には容量が増加して
しまう。この為、実用可能なシ■ットキーパリャダイオ
ードの順方向特性はある範囲に限定されてしまうことに
なる。
本発明の目的は、この上記のような従来の欠点のないシ
璽ツ）キーパリヤダイオードを有する半導体装置を提供
することにある。
璽ツ）キーパリヤダイオードを有する半導体装置を提供
することにある。
本発明の特徴は、−導電型の半導体基板にシ１ットキー
パリャダイオードを有する半導体装置の製造方法におい
て、このシ璽ットキーパリャダイオードとなる部分に不
純物をイオン注入する工程が含まれる半導体装置の製造
方法にある。すなわち、同一面積で順方向特性の興なる
シ＝ａｙトキーバリャダイオードを必要に応じて形成し
た有効な半導体装置の製造方法を提供するものである。
パリャダイオードを有する半導体装置の製造方法におい
て、このシ璽ットキーパリャダイオードとなる部分に不
純物をイオン注入する工程が含まれる半導体装置の製造
方法にある。すなわち、同一面積で順方向特性の興なる
シ＝ａｙトキーバリャダイオードを必要に応じて形成し
た有効な半導体装置の製造方法を提供するものである。
以下本発明の実施例について、図面を用いて詳細ＫＩ！
明する。
明する。
従来の一導電塵の半導体基板にシ璽ットキーパ９ヤダイ
オードを有する半導体装置において、シ曹ット牛−パリ
ヤダイオードとなる部分＃ｉ％第１１１に示すようにシ
９：ｌン等のｎＩ［エピタキシャル層（１）Ｋｔｌ！白
金等のシ璽ツ）キーパリヤを形成する金属層（菊を被着
して、その上に配線用の金属（４）を持た曽ている。こ
のままではｖｌな変えることは困難であった。
オードを有する半導体装置において、シ曹ット牛−パリ
ヤダイオードとなる部分＃ｉ％第１１１に示すようにシ
９：ｌン等のｎＩ［エピタキシャル層（１）Ｋｔｌ！白
金等のシ璽ツ）キーパリヤを形成する金属層（菊を被着
して、その上に配線用の金属（４）を持た曽ている。こ
のままではｖｌな変えることは困難であった。
しかし１本発明により容易にｖｌを変えることができる
ようになった。第２１ａにおいて、シ９：ＩンＯ＊ＩＩ
エビタ牛シャル層α）にシリコンｊｌ化１［（２）と写
真蝕刻用の感光剤（５）な被着する。この後、写真蝕側
法によりシ嘗ット中−パリヤダイオードとなる部分を開
孔する。その後第３図に示すように。
ようになった。第２１ａにおいて、シ９：ＩンＯ＊ＩＩ
エビタ牛シャル層α）にシリコンｊｌ化１［（２）と写
真蝕刻用の感光剤（５）な被着する。この後、写真蝕側
法によりシ嘗ット中−パリヤダイオードとなる部分を開
孔する。その後第３図に示すように。
砒素をショットキーバリヤダイオードとなる部分にイオ
ン注入する。そして白金をスパッターしてシンターを適
当な条件で行なう。しかる後に白金を除去すれば白金シ
リサイドのみが残る。この上に配線用金属のアル識を蒸
着し、不用な部分をエツチングにより除去すれば第４Ｗ
Ｊに示すシロットキーパリャダイオー「ができあがる。
ン注入する。そして白金をスパッターしてシンターを適
当な条件で行なう。しかる後に白金を除去すれば白金シ
リサイドのみが残る。この上に配線用金属のアル識を蒸
着し、不用な部分をエツチングにより除去すれば第４Ｗ
Ｊに示すシロットキーパリャダイオー「ができあがる。
このショットキーバリヤダイオードのｖｌはイオン注入
量により変化する。すなわち、第５図に示すようにイオ
ン注入量が増えるとＶνは低くなる。このようにイオン
注入量を変えることによってショットキーバリヤダイオ
ードのｖｌを７ントロールする事ができる。
量により変化する。すなわち、第５図に示すようにイオ
ン注入量が増えるとＶνは低くなる。このようにイオン
注入量を変えることによってショットキーバリヤダイオ
ードのｖｌを７ントロールする事ができる。
また、本発明は第６図の様にショットキーバリヤダイオ
ードのｖｌ値を数種類同一チップ内でコン）ロールする
ことにより従来のシ冒ットキーパリャダイオードを使用
したＩＣの特性を改良するだけではなく、今後のシ冒ッ
トキーパリャダイオードを使りたＬＳＩ等に新たな可能
性を開くものである。
ードのｖｌ値を数種類同一チップ内でコン）ロールする
ことにより従来のシ冒ットキーパリャダイオードを使用
したＩＣの特性を改良するだけではなく、今後のシ冒ッ
トキーパリャダイオードを使りたＬＳＩ等に新たな可能
性を開くものである。
１１１ｗ１は従来Ｏ半導体装置におけるシ曹ットキ−パ
リャダイオーＦの部分の断面図である。第２図、第３！
Ｉ！Ｊおよび第４図は本発明の半導体装置の製造方法の
説明図である。＊５ｒｉａはイオン注入量が増えるとシ
冒ットキーパリャダイオードのｖＷＪが低くなることを
示す図である。＊＊＊は本発明の一実施例で同〒チップ
内ＫＶｙＯ異なるシ曹ツ）キーバリヤダイオードを含ん
でいる。 なお図において、１−・・半導体基板、２−・絶縁層、
３−・・シ舊ットキーパリャを形成する金属層、４−・
・配線用金属層、５−・感光剤、６・・・イオン注入さ
れた領域、７・−絶縁体、８−・絶縁領域、９・・・オ
ーム接触用拡散領域、である。 第１図 第２図 嬶３図
リャダイオーＦの部分の断面図である。第２図、第３！
Ｉ！Ｊおよび第４図は本発明の半導体装置の製造方法の
説明図である。＊５ｒｉａはイオン注入量が増えるとシ
冒ットキーパリャダイオードのｖＷＪが低くなることを
示す図である。＊＊＊は本発明の一実施例で同〒チップ
内ＫＶｙＯ異なるシ曹ツ）キーバリヤダイオードを含ん
でいる。 なお図において、１−・・半導体基板、２−・絶縁層、
３−・・シ舊ットキーパリャを形成する金属層、４−・
・配線用金属層、５−・感光剤、６・・・イオン注入さ
れた領域、７・−絶縁体、８−・絶縁領域、９・・・オ
ーム接触用拡散領域、である。 第１図 第２図 嬶３図
Claims (1)
- −導電鳳の半導体基板にシ謬ツシキーバリャダイオード
を有する半導体装置の製造方法において、該シ１ットキ
ーバリャダイオードとなる部分に不純物をイオン注入す
る工程が含まれることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111393A JPS5812372A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111393A JPS5812372A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812372A true JPS5812372A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14560015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111393A Pending JPS5812372A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812372A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6245717A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Nippon Ester Co Ltd | ポリエステル異形断面太細糸 |
| JPS63256717A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 | Toray Ind Inc | 発色性に優れたシルキ−・レ−ヨン調ポリエステル繊維 |
| US20220356604A1 (en) * | 2019-12-29 | 2022-11-10 | Jiangsu Hengli Chemical Fibre Co., Ltd. | Fiber for medical antibacterial fabric and preparation method therefor |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP56111393A patent/JPS5812372A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6245717A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Nippon Ester Co Ltd | ポリエステル異形断面太細糸 |
| JPS63256717A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 | Toray Ind Inc | 発色性に優れたシルキ−・レ−ヨン調ポリエステル繊維 |
| US20220356604A1 (en) * | 2019-12-29 | 2022-11-10 | Jiangsu Hengli Chemical Fibre Co., Ltd. | Fiber for medical antibacterial fabric and preparation method therefor |
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