JPS5812392A - 平坦化配線 - Google Patents
平坦化配線Info
- Publication number
- JPS5812392A JPS5812392A JP10934081A JP10934081A JPS5812392A JP S5812392 A JPS5812392 A JP S5812392A JP 10934081 A JP10934081 A JP 10934081A JP 10934081 A JP10934081 A JP 10934081A JP S5812392 A JPS5812392 A JP S5812392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- polymer resin
- flattened
- polymer
- resin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は平坦化配線に関し、更に詳述すれば、高分子樹
脂膜で導電層が形成されている平坦化配線に関するもの
である。
脂膜で導電層が形成されている平坦化配線に関するもの
である。
従来、配線は、一般に銅やアルミニウムを蒸着し、配線
形状にエツチングして形成していた。たとえば、第１図
に示すように、樹脂基板上に配線を形成するには、基板
形成工程１．金属被着工程２、金属食刻のための配線マ
スク形成工程３．金属層のエッチング工程４．配線マス
クの除去工程５、が必要である。従って、工程数が多い
こと力島ら製造プストも高くなっていた。また、配線と
基板間には段差が生じ、導電体層を幾重にも絶縁体層を
介して積重ねる所謂多層配線を形成する場合には断線が
生じることもあつ九。
形状にエツチングして形成していた。たとえば、第１図
に示すように、樹脂基板上に配線を形成するには、基板
形成工程１．金属被着工程２、金属食刻のための配線マ
スク形成工程３．金属層のエッチング工程４．配線マス
クの除去工程５、が必要である。従って、工程数が多い
こと力島ら製造プストも高くなっていた。また、配線と
基板間には段差が生じ、導電体層を幾重にも絶縁体層を
介して積重ねる所謂多層配線を形成する場合には断線が
生じることもあつ九。
本発明の目的は、上記欠点の無い、製法が容易で、且つ
、電気的特性の良好な平坦化配線を提供することにある
。
、電気的特性の良好な平坦化配線を提供することにある
。
上記目的を達成するための本発明の構成は、高分子樹脂
からなる絶縁性基板に、選択的にレーザ光照射を行って
導体化された導電性高分子樹脂膜を擁することにある。
からなる絶縁性基板に、選択的にレーザ光照射を行って
導体化された導電性高分子樹脂膜を擁することにある。
ポリイミド、ポリアクリロニトリル、ボリアきトイミド
、フェノール樹脂、ポリフェニレン、ポリフェニレンス
ルフィド、ポリアセチレンなどの高分子樹脂は、通常の
状態で導電性が低く絶縁体として供されている。これら
高分子樹脂に、ＣＯｌガスのＣＷレーザー光を照射させ
ると、照射された部分ではポリイミドから低分子（例え
ばＨｌｏ。
、フェノール樹脂、ポリフェニレン、ポリフェニレンス
ルフィド、ポリアセチレンなどの高分子樹脂は、通常の
状態で導電性が低く絶縁体として供されている。これら
高分子樹脂に、ＣＯｌガスのＣＷレーザー光を照射させ
ると、照射された部分ではポリイミドから低分子（例え
ばＨｌｏ。
ｃｏ、 ｃｏ！など）の脱離反応を生じ、照射部分の高
分子は導電体化した。その導電率はレーザー光強度、走
査速度などによって所望の値を採シ得るが、通常の導体
配線に用いられる最大１０１Ω゛１・ｃＷ１′″１程度
までの導電率までは容易に得られる。また、レーザー光
の焦点の位置によっても導電率を調整し得るが、表面部
分に焦点を結ばせた場合には、導電体化した領域は、横
幅はレーザー光のスポット径４０ａｍであり、深さは５
〜１０μｍであり、好適である。
分子は導電体化した。その導電率はレーザー光強度、走
査速度などによって所望の値を採シ得るが、通常の導体
配線に用いられる最大１０１Ω゛１・ｃＷ１′″１程度
までの導電率までは容易に得られる。また、レーザー光
の焦点の位置によっても導電率を調整し得るが、表面部
分に焦点を結ばせた場合には、導電体化した領域は、横
幅はレーザー光のスポット径４０ａｍであり、深さは５
〜１０μｍであり、好適である。
上記高分子樹脂は、予じめ、ｉ、 ＃ Ｂ’ｌ ｅ ”
４などのハロゲン分子、 Ａ８Ｆ、などのルイス酸。
４などのハロゲン分子、 Ａ８Ｆ、などのルイス酸。
１−６ｓｏ、などのプロトン酸、Ｌｌ、Ｎａ、Ｋ など
のアルカリ金属をドープさせられたものであると、光照
射によシ更に導電率が向上するのでなおよい。
のアルカリ金属をドープさせられたものであると、光照
射によシ更に導電率が向上するのでなおよい。
ドープ量としては普通１０−Ｉ〜０．５モル％（単位モ
ノマー当シのモル％）供される。
ノマー当シのモル％）供される。
また、上記高分子樹脂は、予じめ、Ａｇ１Ｃｕ等の金属
微粒子が分散させられたものであるとなおよい。この場
合、上記高分子樹脂が絶縁性を失わない範囲で分散させ
ておくことは云うまでもない。
微粒子が分散させられたものであるとなおよい。この場
合、上記高分子樹脂が絶縁性を失わない範囲で分散させ
ておくことは云うまでもない。
以下、実施例を用いて詳述する。
第２図は本発明の一実施例としての平坦化配線を用いた
電気素子の概略斜視図である。
電気素子の概略斜視図である。
図において、セラミック基板２１上に、−辺が１の、膜
厚５０μｍのポリイミド・シート２２が設けられている
。ＣＯ，ガスレーザ光をスポット径４０ｐｍに絞って上
記シート２２を所定のパターンに走査させると、照射さ
れた部分２４は導電領域になっている。この導電領域２
４の導電率は１０”ρ−１ｏ１１°１である。絶縁領域
２３に仕切られておシ、上記導電領域２４は抵抗体とし
ても使用できた・上記抵抗体の端部に９−ド線２５が接
続されて電気素子が構成される。
厚５０μｍのポリイミド・シート２２が設けられている
。ＣＯ，ガスレーザ光をスポット径４０ｐｍに絞って上
記シート２２を所定のパターンに走査させると、照射さ
れた部分２４は導電領域になっている。この導電領域２
４の導電率は１０”ρ−１ｏ１１°１である。絶縁領域
２３に仕切られておシ、上記導電領域２４は抵抗体とし
ても使用できた・上記抵抗体の端部に９−ド線２５が接
続されて電気素子が構成される。
この様に、本発明では、第３図の部分工程図に示す様に
絶縁性高分子で基板もしくは、基板の一部を形成３１し
、レーザー光を配線形成したい領域に照射３２する。レ
ーザー光の照射された領域のみが導電性となシ、少ない
工程数で配線形成ができる。
絶縁性高分子で基板もしくは、基板の一部を形成３１し
、レーザー光を配線形成したい領域に照射３２する。レ
ーザー光の照射された領域のみが導電性となシ、少ない
工程数で配線形成ができる。
第４図は本発明の他の実施例としての平坦化配線を用い
た電気素子の概略断面図である０図において、８１結晶
４１に所定の導電型の不純物拡散領域４２が形成されで
いる。上記結晶４１および一部拡散領域４２上に５ｉＱ
１膜４３が形成され１該膜４３上および上記拡散領域４
２上にＡ／、薄膜４４が形成されている。上記Ａｔ薄膜
４４および上記８ｉ０．膜４３上に膜厚１〜５０μｍの
ポリイミド薄膜４５１を形成する。この薄膜は塗布法、
浸漬法など公知の形成法でよい。この薄膜の固化後、所
定のパターンのマスク（図示せず）を便用してレーザー
光照射を行ない上記Ａｔ薄膜４４上の一部のポリイミド
薄膜４５を導体化する。
た電気素子の概略断面図である０図において、８１結晶
４１に所定の導電型の不純物拡散領域４２が形成されで
いる。上記結晶４１および一部拡散領域４２上に５ｉＱ
１膜４３が形成され１該膜４３上および上記拡散領域４
２上にＡ／、薄膜４４が形成されている。上記Ａｔ薄膜
４４および上記８ｉ０．膜４３上に膜厚１〜５０μｍの
ポリイミド薄膜４５１を形成する。この薄膜は塗布法、
浸漬法など公知の形成法でよい。この薄膜の固化後、所
定のパターンのマスク（図示せず）を便用してレーザー
光照射を行ない上記Ａｔ薄膜４４上の一部のポリイミド
薄膜４５を導体化する。
樹脂層４５１の一部を光照射によシ導電化するので、絶
縁部分４５１の高さと導体層４５の高さとは同一水準に
あり、平坦面が形成されている。図では、下地のＡｔ層
４４と導体層４５が電気的に接続されているが、クロス
オーバ配線などの配線層（図示せず）とする場合は樹脂
層４５１内に独立して設けられる。
縁部分４５１の高さと導体層４５の高さとは同一水準に
あり、平坦面が形成されている。図では、下地のＡｔ層
４４と導体層４５が電気的に接続されているが、クロス
オーバ配線などの配線層（図示せず）とする場合は樹脂
層４５１内に独立して設けられる。
次いで、ポリイミド液の塗布、固化、光照射が前述と同
じ方法で順次繰シ返えされて、多層配線構造体を有した
集積回路を擁した電気素子が形成される。レーザー光照
射は、また、１０００人程度Ｏ７ルミニウムで配線形成
領域以外を覆い、全面にレーザー光照射しても配線形成
はできる。
じ方法で順次繰シ返えされて、多層配線構造体を有した
集積回路を擁した電気素子が形成される。レーザー光照
射は、また、１０００人程度Ｏ７ルミニウムで配線形成
領域以外を覆い、全面にレーザー光照射しても配線形成
はできる。
本発明は、更に他の改良が可能である。上記ポリイミド
薄膜］５１にＡＩＩＰ、等をドープさせると導電率が３
割から１桁以上大きくなって改善された。このドープは
、例えば、圧力１〇−畠〜ｌ’ｐｏｒｒで常温のＡＩＦ
、ガス中に１時間〜数日間放置することによシ得られる
。これは、上記ポリイミドの代）に、ポリアクリロニト
リル、ボリアオドイミド、フェノール樹脂、ポリフェニ
レン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアセチレンヲ用
いてモ同様の効果が得られた。また、上記ドープ剤とし
て、■！、ＢｒＩ、Ｃｔ＊７！：トノハロゲン分子、Ｈ
！Ｓｏ。
薄膜］５１にＡＩＩＰ、等をドープさせると導電率が３
割から１桁以上大きくなって改善された。このドープは
、例えば、圧力１〇−畠〜ｌ’ｐｏｒｒで常温のＡＩＦ
、ガス中に１時間〜数日間放置することによシ得られる
。これは、上記ポリイミドの代）に、ポリアクリロニト
リル、ボリアオドイミド、フェノール樹脂、ポリフェニ
レン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアセチレンヲ用
いてモ同様の効果が得られた。また、上記ドープ剤とし
て、■！、ＢｒＩ、Ｃｔ＊７！：トノハロゲン分子、Ｈ
！Ｓｏ。
などのブートン酸、ＡＩＦ、をはじめとしたルイス酸ｅ
ＬｌｔＮａ、ｘなどのアルカリ金属も差違なく同様に適
用でき、同様の効を奏した・ 本発明は、更に又、次の改良が可能である。例、ｔば〜
ポリイミド・シートを形成する際に、シートが絶縁性を
失わない範囲で微量の金属（ＡｇｅＣ”＊他）微粒子を
分散させておくと良い。この場合には１配線部分の導電
率がさらに向上する。
ＬｌｔＮａ、ｘなどのアルカリ金属も差違なく同様に適
用でき、同様の効を奏した・ 本発明は、更に又、次の改良が可能である。例、ｔば〜
ポリイミド・シートを形成する際に、シートが絶縁性を
失わない範囲で微量の金属（ＡｇｅＣ”＊他）微粒子を
分散させておくと良い。この場合には１配線部分の導電
率がさらに向上する。
上述の実施例では、レーザー光にｃｏ禦ガスレーザーを
用いたが、他のガスレーザ、固体レーザ。
用いたが、他のガスレーザ、固体レーザ。
半導体レーザを使用しても全く同様に適用できた。
これら屯レーザー光の波長および高分子の吸収係数に基
づいて適宜選べばよい。
づいて適宜選べばよい。
以上祥述した様に、本発明は、絶縁性の高分子樹脂膜の
光照射部分を導電性に変換させて平坦化配線を提供し得
る点、極めて製法が容易で、且つ電気的特性をも良好で
あって、工業的利益大なるものである。
光照射部分を導電性に変換させて平坦化配線を提供し得
る点、極めて製法が容易で、且つ電気的特性をも良好で
あって、工業的利益大なるものである。
第１図は従来の製法の概略工程図、第２図は本発明の一
実施例としての平坦化配線を用いた電気素子の概略斜視
図、第３図は第２図に用いた部分工程図、第４図は本発
明の他の実施例としての平坦化配線を用いた電気素子の
概略断面図である。 ２１・・・セラミック基板、２２・・・ポリイミド薄膜
、２３・・・ポリイミド薄膜（絶縁部分）、２４・・・
ポリ′￥Ｊ １ 困 ｆＪ ２ 図 ’ｌ！ｉ３ 図 ％ ４ 図
実施例としての平坦化配線を用いた電気素子の概略斜視
図、第３図は第２図に用いた部分工程図、第４図は本発
明の他の実施例としての平坦化配線を用いた電気素子の
概略断面図である。 ２１・・・セラミック基板、２２・・・ポリイミド薄膜
、２３・・・ポリイミド薄膜（絶縁部分）、２４・・・
ポリ′￥Ｊ １ 困 ｆＪ ２ 図 ’ｌ！ｉ３ 図 ％ ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板に形成された、表面が平坦でかつ概ね同じ高さ
に６る導電層を有した平坦化配線において、上記導電層
は絶縁性高分子が光照射されて導体化されたところの高
分子樹脂膜であることを特徴とする平坦化配線。 ２、特許請求の範囲第１項において、上記高分子樹脂は
、ポリイミド、ポリアクリロニトリル。 ボリア建トイ建ド、フェノール樹脂、ポリフェニレン、
ポリフェニレンスルフィト、ポリアセチレンの中から少
く共１者を用いてなることを特徴とする平坦化配線。 λ 特許請求の範囲第１項において、上記高分子樹脂膜
は、ハルフッ分子、ルイス酸、プロトン酸、および、ア
ルカリ金属の中から少く共１者がドープされてなること
を特徴とする平坦化配線。 ４ 特許請求の範囲第１項において、上記高分子樹脂膜
は、金属微粒子を分散せしめてなることを特徴とする平
坦化配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10934081A JPS5812392A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 平坦化配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10934081A JPS5812392A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 平坦化配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812392A true JPS5812392A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14507740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10934081A Pending JPS5812392A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 平坦化配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812392A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59204941A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-20 | 帝人株式会社 | 高密度撥水性布帛 |
| JPS6189234A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-05-07 | イー・アイ・デユポン・ド・ネモアース・アンド・コンパニー | 有機重合体フイルム内の金属中間層の焼結 |
| US4694138A (en) * | 1984-02-10 | 1987-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming conductor path |
| US4969979A (en) * | 1989-05-08 | 1990-11-13 | International Business Machines Corporation | Direct electroplating of through holes |
| JPH07153758A (ja) * | 1993-12-01 | 1995-06-16 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6444400B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-09-03 | Agfa-Gevaert | Method of making an electroconductive pattern on a support |
| US7504150B2 (en) | 2005-06-15 | 2009-03-17 | E.I. Du Pont De Nemours & Company | Polymer-based capacitor composites capable of being light-activated and receiving direct metalization, and methods and compositions related thereto |
| US7531204B2 (en) | 2005-06-15 | 2009-05-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions useful in electronic circuitry type applications, patternable using amplified light, and methods and compositions relating thereto |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP10934081A patent/JPS5812392A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59204941A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-20 | 帝人株式会社 | 高密度撥水性布帛 |
| US4694138A (en) * | 1984-02-10 | 1987-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming conductor path |
| JPS6189234A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-05-07 | イー・アイ・デユポン・ド・ネモアース・アンド・コンパニー | 有機重合体フイルム内の金属中間層の焼結 |
| US4969979A (en) * | 1989-05-08 | 1990-11-13 | International Business Machines Corporation | Direct electroplating of through holes |
| JPH07153758A (ja) * | 1993-12-01 | 1995-06-16 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6444400B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-09-03 | Agfa-Gevaert | Method of making an electroconductive pattern on a support |
| US7504150B2 (en) | 2005-06-15 | 2009-03-17 | E.I. Du Pont De Nemours & Company | Polymer-based capacitor composites capable of being light-activated and receiving direct metalization, and methods and compositions related thereto |
| US7531204B2 (en) | 2005-06-15 | 2009-05-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions useful in electronic circuitry type applications, patternable using amplified light, and methods and compositions relating thereto |
| US7547849B2 (en) | 2005-06-15 | 2009-06-16 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions useful in electronic circuitry type applications, patternable using amplified light, and methods and compositions relating thereto |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3154713B2 (ja) | 異方性導電膜およびその製造方法 | |
| US3846166A (en) | Method of producing multilayer wiring structure of integrated circuit | |
| US2693023A (en) | Electrical resistor and a method of making the same | |
| EP0159443B1 (en) | Method of forming conductor path | |
| US4685014A (en) | Production method of thin film magnetic head | |
| JPS60253207A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| EP0105639A2 (en) | Production of resistor from insulating material by local heating | |
| JPS58108763A (ja) | 回路素子のレ−ザ−型板トリミング方法 | |
| US4692387A (en) | Sintering of metal interlayers within organic polymeric films | |
| JPS58207699A (ja) | 配線回路基板の製造方法 | |
| US4719443A (en) | Low capacitance power resistor using beryllia dielectric heat sink layer and low toxicity method for its manufacture | |
| JPS61244094A (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
| US3293514A (en) | Coated electrical component | |
| JPH07335440A (ja) | ポリイミド基板を有した電子部品及びその製造方法 | |
| US20060096780A1 (en) | Thin film circuit integrating thick film resistors thereon | |
| JP3476849B2 (ja) | ヒユーズ抵抗器およびその製造方法 | |
| CA1280084C (en) | Sintering of metal interlayers within organic polymeric films | |
| JPS59107592A (ja) | プリント配線用基板 | |
| JPS60244093A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPS62229903A (ja) | 抵抗素子の形成方法 | |
| JPH04217386A (ja) | 回路の製造方法 | |
| JPS63287042A (ja) | 回路用基板 | |
| JPS63141358A (ja) | 抵抗体の抵抗値調整方法 | |
| JP4108421B2 (ja) | プラスチック回路素子及びその製造方法 | |
| KR810000190B1 (ko) | 전자회로의 인쇄 방법 |