JPS58127985A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS58127985A JPS58127985A JP1107382A JP1107382A JPS58127985A JP S58127985 A JPS58127985 A JP S58127985A JP 1107382 A JP1107382 A JP 1107382A JP 1107382 A JP1107382 A JP 1107382A JP S58127985 A JPS58127985 A JP S58127985A
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- Pending
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置に関する。更に詳しくは金属−酸
化展一金属構造を持つ非線形素子（以下Ｍ工Ｍ素子と呼
ぶ）を用いて各画素電極に電荷を蓄積・保持させる仁と
によシ表示會行なう液晶表示装置に関する。
化展一金属構造を持つ非線形素子（以下Ｍ工Ｍ素子と呼
ぶ）を用いて各画素電極に電荷を蓄積・保持させる仁と
によシ表示會行なう液晶表示装置に関する。
近年、液晶表示装置の実用化が進み腕時岨、電卓を始め
として多くの分野に応用がなされていゐ・しかし、他の
分野、例えば情報端末や個人用小型１子機器等の表示部
への応用ｔ２１えた時、表示ユニットの容積が／ＪＮさ
い、低電圧駆動可能、消費電力が少ないなどという利点
にもかかわらず、駆動電圧−コントラスト特性があまシ
良くなく、多桁のマトリクス駆動が出来ないため表示可
能な情報量が少ないという欠点が問題となっていた。
として多くの分野に応用がなされていゐ・しかし、他の
分野、例えば情報端末や個人用小型１子機器等の表示部
への応用ｔ２１えた時、表示ユニットの容積が／ＪＮさ
い、低電圧駆動可能、消費電力が少ないなどという利点
にもかかわらず、駆動電圧−コントラスト特性があまシ
良くなく、多桁のマトリクス駆動が出来ないため表示可
能な情報量が少ないという欠点が問題となっていた。
この液晶表示装置の持つ欠点を解消するための一方法と
してＭ工Ｍ素子を用いたマトリクス駆動が考えられた。
してＭ工Ｍ素子を用いたマトリクス駆動が考えられた。
この方法は、第１図に一画素分の等価回路管示すように
非線形抵抗ＲＭＸＭと容ＪｉＣＭＩＭが並列につながっ
たＭＩＭ素子１及び抵抗ＲＬＯと容量ＱＬＯが並列につ
ながった液晶を誘電体としたコンデンサ２とが直列に結
合さｎており、マトリクス駆動のＳ択期間にＭ工Ｍ素子
１の低抵抗状１！ｌ！會利用して液晶を誘電体としたコ
ンデンサ２に電荷を蓄積し、非選択期間はＭＩＭ累子１
の高抵抗状態を利用して前述の電荷を保持することによ
シ液晶に′嘲弄を印加してＮＩＬｌ！′＆の配向状態を
制御して表示を行なうものである。
非線形抵抗ＲＭＸＭと容ＪｉＣＭＩＭが並列につながっ
たＭＩＭ素子１及び抵抗ＲＬＯと容量ＱＬＯが並列につ
ながった液晶を誘電体としたコンデンサ２とが直列に結
合さｎており、マトリクス駆動のＳ択期間にＭ工Ｍ素子
１の低抵抗状１！ｌ！會利用して液晶を誘電体としたコ
ンデンサ２に電荷を蓄積し、非選択期間はＭＩＭ累子１
の高抵抗状態を利用して前述の電荷を保持することによ
シ液晶に′嘲弄を印加してＮＩＬｌ！′＆の配向状態を
制御して表示を行なうものである。
この方式の場合、Ｍ工Ｍ素子１０非層形性と液ａｔ−誘
電体としたコンデンサ２の容量（３ｔａ値及び抵抗Ｂ’
ｒ、ａ値の５者の相関で液晶に印加される集効値が決足
される。これら５者のうち液晶を誘電体としたコンデン
サ２の容量ＣムＯと抵抗Ｈｘｒａは画素電極の寸法とセ
ルギャップ及び使用する液晶を定めれば必然的にその値
が定まってしまう。そのためＭＩＭ素子ＩＫＶｉ液晶部
分に応じた特性が要求され、例えばａ４■角の画素電極
を持った７μｍギャップのセルに誘１異男性Δ＆＝２７
（８１１票５５ ＊ （Ｌ ；８ ） ｅ ｖｔｈ ｓ
＝ ｔ、 Ｉ Ｖｒｒｎ８ ｅ Ｖｓａｔ ＝ １−５
Ｖｒｚｏａの液晶全封入してツイストネマチックセル
とシテ１１５００デユーティで駆動する場合には、例え
ばＴａ−Ｔａ２０Ｈ−ＡＩ槽構造Ｍ工Ｍ素子に要求され
る寸法は約５μｍ角である。
電体としたコンデンサ２の容量（３ｔａ値及び抵抗Ｂ’
ｒ、ａ値の５者の相関で液晶に印加される集効値が決足
される。これら５者のうち液晶を誘電体としたコンデン
サ２の容量ＣムＯと抵抗Ｈｘｒａは画素電極の寸法とセ
ルギャップ及び使用する液晶を定めれば必然的にその値
が定まってしまう。そのためＭＩＭ素子ＩＫＶｉ液晶部
分に応じた特性が要求され、例えばａ４■角の画素電極
を持った７μｍギャップのセルに誘１異男性Δ＆＝２７
（８１１票５５ ＊ （Ｌ ；８ ） ｅ ｖｔｈ ｓ
＝ ｔ、 Ｉ Ｖｒｒｎ８ ｅ Ｖｓａｔ ＝ １−５
Ｖｒｚｏａの液晶全封入してツイストネマチックセル
とシテ１１５００デユーティで駆動する場合には、例え
ばＴａ−Ｔａ２０Ｈ−ＡＩ槽構造Ｍ工Ｍ素子に要求され
る寸法は約５μｍ角である。
しかし゛、現状ではフォトリングラフ工程で用いられる
マスクアライナの性能は、直径が高々６インチの範囲内
でしかこの様な高精度のパターニングが出来ず、大型の
液晶表示装量の製造嬬困難であった。
マスクアライナの性能は、直径が高々６インチの範囲内
でしかこの様な高精度のパターニングが出来ず、大型の
液晶表示装量の製造嬬困難であった。
本発明はこのような欠点を避けて大型の液晶表示＊ｉ＊
Ｙｔ得るために、Ｍ工Ｍ素子管設ける基板の裏側から露
光を行なうと共に、画素電極に結合され７ｅＭＩＭ素子
の一方の金属電極表面を陽極酸化する工程を含んぞ製造
工程によって該Ｍ工Ｍ素子を作るものである。
Ｙｔ得るために、Ｍ工Ｍ素子管設ける基板の裏側から露
光を行なうと共に、画素電極に結合され７ｅＭＩＭ素子
の一方の金属電極表面を陽極酸化する工程を含んぞ製造
工程によって該Ｍ工Ｍ素子を作るものである。
以下、実施例に従って不発明１説明する。
実施例
パイレックス基板ｓ上にＴａ＠ｇＩＩ’ｔ−スパッタリ
ングしリード電極４をパターニングする。このリード１
１極４はＭＩＭ素子の一方の電極としても使われる６次
にこのＴａ薄膜の表面をαＯＩ Ｗｔ嘔り工ｙ１！＊溶
液中で陽極酸化を行なって酸化１１５ｔ−形成する。更
に、工ＴＯ（ＩｎｌＯ島＋８ｎＯ！） 等の透明′１１
億で画素電極６會形成する〔第２図（イ）及び第Ｓ図（
イ）〕。
ングしリード電極４をパターニングする。このリード１
１極４はＭＩＭ素子の一方の電極としても使われる６次
にこのＴａ薄膜の表面をαＯＩ Ｗｔ嘔り工ｙ１！＊溶
液中で陽極酸化を行なって酸化１１５ｔ−形成する。更
に、工ＴＯ（ＩｎｌＯ島＋８ｎＯ！） 等の透明′１１
億で画素電極６會形成する〔第２図（イ）及び第Ｓ図（
イ）〕。
次にムＵ薄膜７ｔ″蒸着しＭＩＭ累子の対向電極にあた
る部分ｔ−線除去る〔＃Ｉ３図←］〕。この上にＺｎＯ
薄膜８及びポジ形７オトレジス）Ｉ［９１形成し基板３
裏面より縛光管行なう（ｓ２図（ａ）〕。するとリード
１極４とムＵ薄膜７がマスクの役割全果たし、フォトレ
ジストｔｔｍ儂するとＭ工Ｍ素子の対向電極にあたる部
分が除去される。次に、このフォトレジスト膜！ｔマス
クとしてＺｎＯ薄膜８をエツチングする［１ｇ２図（ハ
）〕、さらＫＡＩＩＯ會蒸着し、１ ｗｔ慢リン酸中で
陽極θ化しＭ２Ｒ面に酸化１１１１を形成する〔第２図
に）〕。この時、Ｍ工Ｍ素子の対向電極となるＭ部分１
０１ｆＣはＭ工Ｍ素子を通して電流が流れるが、フォト
レジスト９上のＡｔｔｏは導通がとれないために選択的
な陽極酸化が行なわれる。次に、Ａｔ １０１ フオト
レジス）ＭＩ９、ＺｎＯ薄膜８及びＡｕ薄膜８及びＡｕ
薄膜７の順序で各々のエツチング液あるいはハクリ液を
用いて各膜を除去しＭ工Ｍ素子側基板を完成させる［＊
２図（ホ）及びａＳ図（ハ）］。
る部分ｔ−線除去る〔＃Ｉ３図←］〕。この上にＺｎＯ
薄膜８及びポジ形７オトレジス）Ｉ［９１形成し基板３
裏面より縛光管行なう（ｓ２図（ａ）〕。するとリード
１極４とムＵ薄膜７がマスクの役割全果たし、フォトレ
ジストｔｔｍ儂するとＭ工Ｍ素子の対向電極にあたる部
分が除去される。次に、このフォトレジスト膜！ｔマス
クとしてＺｎＯ薄膜８をエツチングする［１ｇ２図（ハ
）〕、さらＫＡＩＩＯ會蒸着し、１ ｗｔ慢リン酸中で
陽極θ化しＭ２Ｒ面に酸化１１１１を形成する〔第２図
に）〕。この時、Ｍ工Ｍ素子の対向電極となるＭ部分１
０１ｆＣはＭ工Ｍ素子を通して電流が流れるが、フォト
レジスト９上のＡｔｔｏは導通がとれないために選択的
な陽極酸化が行なわれる。次に、Ａｔ １０１ フオト
レジス）ＭＩ９、ＺｎＯ薄膜８及びＡｕ薄膜８及びＡｕ
薄膜７の順序で各々のエツチング液あるいはハクリ液を
用いて各膜を除去しＭ工Ｍ素子側基板を完成させる［＊
２図（ホ）及びａＳ図（ハ）］。
液晶表示！ｉ噴とするためには上述のＭ工Ｍ素子及び＋
１ｉｌｉ嵩１極を設けた基板と、ストライプ状の電極を
設けた対向基板とを組合せてセルを作夛液晶會封入する
。その際、箪畠の表示モードに従って配向処理法や偏光
板の組合せを変える必要がある。
１ｉｌｉ嵩１極を設けた基板と、ストライプ状の電極を
設けた対向基板とを組合せてセルを作夛液晶會封入する
。その際、箪畠の表示モードに従って配向処理法や偏光
板の組合せを変える必要がある。
以上の説明て使用した材料にはＴ ａ ｅ Ａｌ ＊
ＡμｔＺｎＯを用いたが実際にはこれらに駆足されず、
例えばＴａの代りにＡＭ ｅ Ｔ ｉ ＊ Ｚ ｒ ｅ
Ｈｆ ＊ Ｍ Ｏｗ Ｎ ｂ等管使うことも可能てあ
シ、ＺｎＯの代り、にＦｉ透明で他の材質との選択エツ
チングが可能ならば伺を用いても良い。Ａｕについては
光を通さない物質に置き換えることが可能である。また
、Ｒ＆酸化が可能で、その陽極醗化緋と元の金属との選
択エツチングが可能な金ｌｌ４ＡＩの代りに用いること
が出来る。
ＡμｔＺｎＯを用いたが実際にはこれらに駆足されず、
例えばＴａの代りにＡＭ ｅ Ｔ ｉ ＊ Ｚ ｒ ｅ
Ｈｆ ＊ Ｍ Ｏｗ Ｎ ｂ等管使うことも可能てあ
シ、ＺｎＯの代り、にＦｉ透明で他の材質との選択エツ
チングが可能ならば伺を用いても良い。Ａｕについては
光を通さない物質に置き換えることが可能である。また
、Ｒ＆酸化が可能で、その陽極醗化緋と元の金属との選
択エツチングが可能な金ｌｌ４ＡＩの代りに用いること
が出来る。
本発明の構造にすｎば、Ｍ工Ｍ素子の面積は金属薄膜の
厚さと、対向電極が酸化膜と接する長さの積で表わすこ
とが出来るや金Ｊｉ１薄−の厚ざはα１〜数μｍまで自
由にコントロール出来、この寸法は通常のフォトリング
ラフ工程で得られる寸法°にくらべて約１桁小さい。従
って、本発明の方法で一足の面積のＭＩＭｇ−７を作る
場合に必費な最小寸法が約１桁大きくて瞬も。即ち１ｏ
−数１０μｍｏ頗小寸法水出せれば良く、通常の露光装
置で大面積の基板を作ることが出来る。
厚さと、対向電極が酸化膜と接する長さの積で表わすこ
とが出来るや金Ｊｉ１薄−の厚ざはα１〜数μｍまで自
由にコントロール出来、この寸法は通常のフォトリング
ラフ工程で得られる寸法°にくらべて約１桁小さい。従
って、本発明の方法で一足の面積のＭＩＭｇ−７を作る
場合に必費な最小寸法が約１桁大きくて瞬も。即ち１ｏ
−数１０μｍｏ頗小寸法水出せれば良く、通常の露光装
置で大面積の基板を作ることが出来る。
９１図は一画素分のＭ工Ｍ素子と液晶部分の等価回路で
ある。 第２図は本発明実施例の製造工程を示す断ａｉｍである
。 第３囚は不発明実施例の製造工ｓｉｔ示す平面図である
。 以 上 第１図 （ン 笛 、□ 途ρ
ある。 第２図は本発明実施例の製造工程を示す断ａｉｍである
。 第３囚は不発明実施例の製造工ｓｉｔ示す平面図である
。 以 上 第１図 （ン 笛 、□ 途ρ
Claims (1)
- ２枚の基板間に液晶を封入し、少なくとも一方の基板上
に独立した画素電極と、該画素電極に直列に接続された
金属−酸化農一金属構造を持つ非締形素＃を備えた液晶
表示装置において、該非繕形累７が基板裏面からの露光
と陽極酸化を含んだ工柵で製造されること１−＊惨とす
る液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107382A JPS58127985A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107382A JPS58127985A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127985A true JPS58127985A (ja) | 1983-07-30 |
Family
ID=11767798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1107382A Pending JPS58127985A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127985A (ja) |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP1107382A patent/JPS58127985A/ja active Pending
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