JPS58128778A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58128778A JPS58128778A JP57012192A JP1219282A JPS58128778A JP S58128778 A JPS58128778 A JP S58128778A JP 57012192 A JP57012192 A JP 57012192A JP 1219282 A JP1219282 A JP 1219282A JP S58128778 A JPS58128778 A JP S58128778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- amorphous
- semiconductor device
- solar cell
- band gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係１、とりわけ光感応半導体装置
および半導体太陽電池に関する。
および半導体太陽電池に関する。
従来、光感応半導体装置および半導体太陽電池は、８１
のｐ−ｙ＠合を用いた光スィッチあるいはＳ１太陽電池
に代表これる如く、単結晶、多結晶あるいはアモルファ
スＳ１材料擲の匍々の半導体材料のｐ−ｙ＊合を甲いる
のが通例であった。
のｐ−ｙ＠合を用いた光スィッチあるいはＳ１太陽電池
に代表これる如く、単結晶、多結晶あるいはアモルファ
スＳ１材料擲の匍々の半導体材料のｐ−ｙ＊合を甲いる
のが通例であった。
しかし、上Ｐ従来技術でけ例★ば太陽電池としての効率
においても、最も高い８１単結晶による太陽電池でも理
論的に２０１１の効率を得られるのがせいぜいであった
。
においても、最も高い８１単結晶による太陽電池でも理
論的に２０１１の効率を得られるのがせいぜいであった
。
本発明は上Ｆ従来技術の欠点をなくし、高効率の半導体
太陽電池や光応答半導体装置の製作を可能にすることを
目的とする。
太陽電池や光応答半導体装置の製作を可能にすることを
目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、バ
ンドギャップ小なる半導体材料前ｍＫはバンドギャヴプ
大なる半導体材料か楡層啓れて成る事を１％像とする。
ンドギャップ小なる半導体材料前ｍＫはバンドギャヴプ
大なる半導体材料か楡層啓れて成る事を１％像とする。
以下、１１施例により本発明′ｆ評述する。
第１＠け本発明による半導体太陽電池の一例の＊ｔｍ構
造を示す。いま基′１に１となるステンレス材上にはア
モルファスＳθ（セレン）のＰ−Ｍ接合が膜形成され、
その上にアモルファスＳ１のｐ−ＭＩ１合がｌＩ膜形成
れ、更にその上にアモルファス８１００Ｐ−）ｌ接合が
膜形成纏れ、その上ＫＷＩ化インジウ五岬からなる透明
電極５が形成され、各Ｐ−Ｍ警合はメサエッチによ艶分
離されている。この様に７モル７アスＢ・、アそルファ
スＢ１．アモルファスｇｉ Ｏの各璽で形成された太陽
電池に於ては、アモルファス８６が赤外線領域、アモル
ファスＢ１が可視光領域、アモルファスｓｉ ａが紫外
線領域と太陽光の有する光波長の全領域を電気質膜する
ことができる。その理由は、バンドギャップがアモルフ
ァスＢ１０ ）７等ルアγスＥ＋１〉アモルファス８・
の馳に大鰍く、バンドギャップの大なゐＷ導体材料をよ
抄褒面Ｋｍ成するととにより、紫外線領域を最ｗｍ層で
、最ａｍを通過した可視光領域を次の下層で、最ＩＩｔ
Ｉｉと次の下層を通過しえ赤外線領域を最下部層で電気
ｆ伊し得る走めである。
造を示す。いま基′１に１となるステンレス材上にはア
モルファスＳθ（セレン）のＰ−Ｍ接合が膜形成され、
その上にアモルファスＳ１のｐ−ＭＩ１合がｌＩ膜形成
れ、更にその上にアモルファス８１００Ｐ−）ｌ接合が
膜形成纏れ、その上ＫＷＩ化インジウ五岬からなる透明
電極５が形成され、各Ｐ−Ｍ警合はメサエッチによ艶分
離されている。この様に７モル７アスＢ・、アそルファ
スＢ１．アモルファスｇｉ Ｏの各璽で形成された太陽
電池に於ては、アモルファス８６が赤外線領域、アモル
ファスＢ１が可視光領域、アモルファスｓｉ ａが紫外
線領域と太陽光の有する光波長の全領域を電気質膜する
ことができる。その理由は、バンドギャップがアモルフ
ァスＢ１０ ）７等ルアγスＥ＋１〉アモルファス８・
の馳に大鰍く、バンドギャップの大なゐＷ導体材料をよ
抄褒面Ｋｍ成するととにより、紫外線領域を最ｗｍ層で
、最ａｍを通過した可視光領域を次の下層で、最ＩＩｔ
Ｉｉと次の下層を通過しえ赤外線領域を最下部層で電気
ｆ伊し得る走めである。
尚、鮪１図の２の層を多結晶８１．３の層をアモルファ
スθ１．４０層をアモルファス８１Ｃとなしても太陽電
池としての効率は従来技術よ動向上することかで−る。
スθ１．４０層をアモルファス８１Ｃとなしても太陽電
池としての効率は従来技術よ動向上することかで−る。
費に、ネー威を光応答半導体装ＩＦＫ適甲してもより黴
−な光に対する高感度の応答か可靜になることは容易Ｋ
ｌｌ推できる。
−な光に対する高感度の応答か可靜になることは容易Ｋ
ｌｌ推できる。
第１図は本発明による半導体太陽電池の一例のｌｌ＋−
構造を示す。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・バンドギャップ小なる半導体材料３・・
・・・・バンドギャップ中なる半導体材料４・・・・・
・バンドギャップ大なる半導体材料５・・・・・・透明
電極 以 上 出願人 株式会社 帥訪精工舎 ｔ？ｐ人 弁理士 最上 務
構造を示す。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・バンドギャップ小なる半導体材料３・・
・・・・バンドギャップ中なる半導体材料４・・・・・
・バンドギャップ大なる半導体材料５・・・・・・透明
電極 以 上 出願人 株式会社 帥訪精工舎 ｔ？ｐ人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） バンドギャップ小なる半導体材料！ＩｄｉＫ
はバンドギャップ大なる半導体材料が積層されて成る事
を４１ｇＫとする半導体１１ （２） Ｅ＋１（シリコン）材料１１１ｉＫはＢ１０
（シリコンカーバイト）材１４が積層されて成る事を特
徴とする特許請求能［１１１に１項記載の半導体装置。 （５） 多結晶まえは単結晶半導体＊ＷＫはアモルフ
ァス半導体材料か積層されて成る事を特徴とする特許請
求範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012192A JPS58128778A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012192A JPS58128778A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128778A true JPS58128778A (ja) | 1983-08-01 |
Family
ID=11798534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57012192A Pending JPS58128778A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63180952U (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-22 | ||
| CN101894831B (zh) | 2009-05-20 | 2012-08-22 | 中国科学院半导体研究所 | 紫外-红外双波段探测器及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100486A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoelectric conversion element |
| JPS577166A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Nec Corp | Amorphous thin solar cell |
| JPS5713778A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-23 | Ibm | Photoelectric converter |
| JPS5779674A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Multiplex battery cell with amorphous photoresponsiveness |
-
1982
- 1982-01-28 JP JP57012192A patent/JPS58128778A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100486A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoelectric conversion element |
| JPS577166A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Nec Corp | Amorphous thin solar cell |
| JPS5713778A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-23 | Ibm | Photoelectric converter |
| JPS5779674A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Multiplex battery cell with amorphous photoresponsiveness |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63180952U (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-22 | ||
| CN101894831B (zh) | 2009-05-20 | 2012-08-22 | 中国科学院半导体研究所 | 紫外-红外双波段探测器及其制作方法 |
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