JPS58130168A - 多結晶性六方晶系窒化ホウ素から成る緻密な成形体およびアイソスタチツク熱間プレス加工によるその製造方法 - Google Patents
多結晶性六方晶系窒化ホウ素から成る緻密な成形体およびアイソスタチツク熱間プレス加工によるその製造方法Info
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- JPS58130168A JPS58130168A JP57217131A JP21713182A JPS58130168A JP S58130168 A JPS58130168 A JP S58130168A JP 57217131 A JP57217131 A JP 57217131A JP 21713182 A JP21713182 A JP 21713182A JP S58130168 A JPS58130168 A JP S58130168A
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- boron nitride
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/583—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Ceramic Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
多結晶性六方晶系窒化ホウ素から成る成形体は公知であ
る。このような成形体は^い熱伝導率、低い電気伝導率
(絶縁体)、良好な機械加工性、鳥い耐食性と耐熱衝撃
性を有するとともに、アルミニウムや鋼、亜鉛のような
溶融金属、ケイ素やホウ素のような溶融非金属、またガ
ラスや氷晶石のような非金属性化合物の**物によって
■れにくいという貴1な性質も合わせ持つことを特徴と
している。このような性質を有するためK、この成形体
は例えばエレクトロニクスaS用の加工材としであるい
はるつぼ材料として東畳である。
る。このような成形体は^い熱伝導率、低い電気伝導率
(絶縁体)、良好な機械加工性、鳥い耐食性と耐熱衝撃
性を有するとともに、アルミニウムや鋼、亜鉛のような
溶融金属、ケイ素やホウ素のような溶融非金属、またガ
ラスや氷晶石のような非金属性化合物の**物によって
■れにくいという貴1な性質も合わせ持つことを特徴と
している。このような性質を有するためK、この成形体
は例えばエレクトロニクスaS用の加工材としであるい
はるつぼ材料として東畳である。
しかし、純粋な窒化ホウ素粉体を実際に圧縮成形するK
は焼結助剤を併用することが必要であり、焼結助剤の併
用なしには窒化ホウ素の理論的に可能な密度2.27g
/、m に達することは不可能であるので、このよう
な成形体の製造には困−性および/または高い経費が付
随する。
は焼結助剤を併用することが必要であり、焼結助剤の併
用なしには窒化ホウ素の理論的に可能な密度2.27g
/、m に達することは不可能であるので、このよう
な成形体の製造には困−性および/または高い経費が付
随する。
緻密性に関して今までに捧られている最も良い結果は、
約10〜5 Q MPa のダイス圧力下、1700
°〜2,200℃の温度において得られており、この場
合酸化ホウ素な含んでいる窒化ホウ素粉体が特に賽鉦さ
れている。しかし、このようKして轡られた成形体は酸
化ホウ木粉末を含んでいるために高i!度での性質が良
くない。
約10〜5 Q MPa のダイス圧力下、1700
°〜2,200℃の温度において得られており、この場
合酸化ホウ素な含んでいる窒化ホウ素粉体が特に賽鉦さ
れている。しかし、このようKして轡られた成形体は酸
化ホウ木粉末を含んでいるために高i!度での性質が良
くない。
このような性質を改良するには、熱間ゾレス加工によっ
て製造した窒化ホウ素成形体から酸化ホウ素な洗い出し
、次に成形体な1600℃から2100℃において再焼
結することKよって、成形体の喰素含量を減することが
できる(アメリカ%許第3660027号明#l壷、西
ドイツ特粁公告車20219b2号明細書に相当するア
メリカ%許II!3.754,997号明細書#照)。
て製造した窒化ホウ素成形体から酸化ホウ素な洗い出し
、次に成形体な1600℃から2100℃において再焼
結することKよって、成形体の喰素含量を減することが
できる(アメリカ%許第3660027号明#l壷、西
ドイツ特粁公告車20219b2号明細書に相当するア
メリカ%許II!3.754,997号明細書#照)。
しかし、このプロセスでは比較的小さい成形体から酸化
ホウ素は洗い出すのKさえも44日間までの日数が必要
であるので、このプロセスは異常に^い費用を豐し、比
軟的大型の製品の処坤には不j当である。
ホウ素は洗い出すのKさえも44日間までの日数が必要
であるので、このプロセスは異常に^い費用を豐し、比
軟的大型の製品の処坤には不j当である。
さらに、六万晶系輩化ホウ素粉体から熱間ブレス加工に
よって製造した成形$4は、尚温において二軸方向に加
圧するために、使用する焼結助剤の種類に拘らず、定方
位性の結晶粒成長とそれによる異方性微細構造とを示し
、性質は方向依存性である。圧縮度が高ければ高いほど
、異方性の度合いは大きくなる。
よって製造した成形$4は、尚温において二軸方向に加
圧するために、使用する焼結助剤の種類に拘らず、定方
位性の結晶粒成長とそれによる異方性微細構造とを示し
、性質は方向依存性である。圧縮度が高ければ高いほど
、異方性の度合いは大きくなる。
この他、二軸方向加圧による通常の熱間プレス加工法以
外に、圧力伝達媒体として不活性ガスを用いろ多方向か
らの加圧による、いわゆるアイソスタチック(isos
tatic)熱間プレス加工法も実施可能であることが
一般に知られている。この場合には、皺プレス加工粉体
または開孔すなわち表面に開いた孔を有する、粉体から
の予備成形体に気密なケーシングを施して、圧力伝達媒
体として用いた不活性ガスが成形体に浸透して、圧縮を
妨げることがないようにすることが必要である。
外に、圧力伝達媒体として不活性ガスを用いろ多方向か
らの加圧による、いわゆるアイソスタチック(isos
tatic)熱間プレス加工法も実施可能であることが
一般に知られている。この場合には、皺プレス加工粉体
または開孔すなわち表面に開いた孔を有する、粉体から
の予備成形体に気密なケーシングを施して、圧力伝達媒
体として用いた不活性ガスが成形体に浸透して、圧縮を
妨げることがないようにすることが必要である。
アイソスタチック熱間プレス加工に通常用いる鉄、クロ
ム、またはニッケルから成るケーシングは粉体材料であ
るホウ素あるいは1itsとともに実際のケーシング材
料よりもかなり融点の低い化合物を形成し、このような
ケーシングはもはや気密性ではなくガス伝達媒体が浸透
しやすいため、過1111にホウ素や窒素を含む窒化ホ
ウ素粉体のケーシングとしてはチタンまたはジルコンか
ら成るケーシングが適している。これによって、前記権
伽の窒化ホウ素粉体に20〜600 MPa の圧力
下。
ム、またはニッケルから成るケーシングは粉体材料であ
るホウ素あるいは1itsとともに実際のケーシング材
料よりもかなり融点の低い化合物を形成し、このような
ケーシングはもはや気密性ではなくガス伝達媒体が浸透
しやすいため、過1111にホウ素や窒素を含む窒化ホ
ウ素粉体のケーシングとしてはチタンまたはジルコンか
ら成るケーシングが適している。これによって、前記権
伽の窒化ホウ素粉体に20〜600 MPa の圧力
下。
1200〜1600℃の温度にkiいてアイソスタチッ
ク熱間プレス加工プロセスを打うことができるか、この
ような粂件下では高いvIjF!Lを有する輩化ホウ巣
成形体が侮られないことを%Ka摘しなければならない
(アメリカへ計第4007251衿明細番参照)。
ク熱間プレス加工プロセスを打うことができるか、この
ような粂件下では高いvIjF!Lを有する輩化ホウ巣
成形体が侮られないことを%Ka摘しなければならない
(アメリカへ計第4007251衿明細番参照)。
予伽成彰体を金属ケーシングの代りに予め製造したガラ
スケーシングに入れて、ケーシングと成形体の間!IK
ケーシング自体よりも軟化点の高いガラス粉末な充*す
ることもできる(西ドイツ特許$2601294号明a
41に相当するイギリス%!Ff謝1529966号明
細書参胎)。
スケーシングに入れて、ケーシングと成形体の間!IK
ケーシング自体よりも軟化点の高いガラス粉末な充*す
ることもできる(西ドイツ特許$2601294号明a
41に相当するイギリス%!Ff謝1529966号明
細書参胎)。
この他、バラチル・メモリアル・インスチチュート、コ
ロンプス幼究所1970年7月のAl1709620
、 M、 C,BrocKway等によるテクニ熱間
プレス成形体の開発と評価」から、結合剤を含まない多
結晶性BN成形体の製造法K11lする実w!枡究が知
られている。この方法では、I11七の精製方法によっ
て精製した市販のBN粉体を液圧によって検地して生の
成形体を製造し1次にこれをタンタルケーシングに挿入
して電子ビーム#I接で気?ljKシールし、2071
P& (3へ0OOp、s、i)から105MPa(1
翫000p、a、1)の圧力下。
ロンプス幼究所1970年7月のAl1709620
、 M、 C,BrocKway等によるテクニ熱間
プレス成形体の開発と評価」から、結合剤を含まない多
結晶性BN成形体の製造法K11lする実w!枡究が知
られている。この方法では、I11七の精製方法によっ
て精製した市販のBN粉体を液圧によって検地して生の
成形体を製造し1次にこれをタンタルケーシングに挿入
して電子ビーム#I接で気?ljKシールし、2071
P& (3へ0OOp、s、i)から105MPa(1
翫000p、a、1)の圧力下。
1650℃〜2,480℃の温度において、1〜6時間
アイソスタチック熱間プレスする。
アイソスタチック熱間プレスする。
賽験結果の考察から、得られた成形体の密度が市販の等
軸的に熱間プレス加工したBN成形体の密度の範囲内に
あることがわかる。データの示すところでは、恐らく嶌
温では粗大な結晶粒が成長するために、@度を高めても
密度は上昇していない。また、出発原料の粉体の純度を
改良すると、酸素金型は朔かに市販の最も良いBN等軸
熱間プレス成形体の酸素含量範S(通常約1僑)以下に
なるが、密度や機械強度のような性質は改良されなかっ
たことも述べられている。さらに、試験片が完全な等方
性でなかったことすなわち多方面から圧力を加えたにも
拘らず、明らかに定方位性の結晶粒blj長を組上でき
なかったことが述べられている。
軸的に熱間プレス加工したBN成形体の密度の範囲内に
あることがわかる。データの示すところでは、恐らく嶌
温では粗大な結晶粒が成長するために、@度を高めても
密度は上昇していない。また、出発原料の粉体の純度を
改良すると、酸素金型は朔かに市販の最も良いBN等軸
熱間プレス成形体の酸素含量範S(通常約1僑)以下に
なるが、密度や機械強度のような性質は改良されなかっ
たことも述べられている。さらに、試験片が完全な等方
性でなかったことすなわち多方面から圧力を加えたにも
拘らず、明らかに定方位性の結晶粒blj長を組上でき
なかったことが述べられている。
このため、アイソスタチック熱間プレス法によって1!
!ll造した窒化ホウ素成影体の性個の改良すなわち完
全に均質な等方性ミクロ構造による高い密度な保証する
ために必要であるN’lなパラメータな、このレポート
の著者は卯、出していなかった。
!ll造した窒化ホウ素成影体の性個の改良すなわち完
全に均質な等方性ミクロ構造による高い密度な保証する
ために必要であるN’lなパラメータな、このレポート
の著者は卯、出していなかった。
本発明の目的は、焼結助剤を併用することなく純粋な窒
化ホウ素粉体を圧締することKよって、簡単に費用のか
かる書処坤なしに製造可能な、改良された性質を有する
緻密な窒化ホウ素成形体を提供することである。
化ホウ素粉体を圧締することKよって、簡単に費用のか
かる書処坤なしに製造可能な、改良された性質を有する
緻密な窒化ホウ素成形体を提供することである。
本発明による成形体は理論的[01能な密度(以下では
%TDとして表わす)の少なくとも95qbの密度な有
し、均負な等方位ミクロ構造体としての多結晶性六方晶
系値化ホウ系から成り、多くとも1.0飯1%の酸化ホ
ウ本含量を11′る純粋な窒化ホウ素粉体を真空気密な
ケーシングに入れ、圧力伝達媒体として不活性ガスを用
いる高圧オートクレーブで50〜300 MPaの圧力
下、1200〜1500℃の温度においてアイソスタチ
ック熱間プレス加工することによって製造できるもので
ある。
%TDとして表わす)の少なくとも95qbの密度な有
し、均負な等方位ミクロ構造体としての多結晶性六方晶
系値化ホウ系から成り、多くとも1.0飯1%の酸化ホ
ウ本含量を11′る純粋な窒化ホウ素粉体を真空気密な
ケーシングに入れ、圧力伝達媒体として不活性ガスを用
いる高圧オートクレーブで50〜300 MPaの圧力
下、1200〜1500℃の温度においてアイソスタチ
ック熱間プレス加工することによって製造できるもので
ある。
本発明による成形体を製造するためには、出発原料とし
て5〜30va婁/11 m1ll内の比II!面積
(sg’r法によって一定、粒度の尺度として役立つ)
を有し、少なくとも98.5]1[1i%の純度(ホウ
素と窒素の分析値の合計が少なくとも98.511量も
であることを意味する)を有する、六方晶系窒化ホウ素
から成る微細な粉体な用いると1!利である。このよう
な粉体の遊離な酸化ホウ素含量は。
て5〜30va婁/11 m1ll内の比II!面積
(sg’r法によって一定、粒度の尺度として役立つ)
を有し、少なくとも98.5]1[1i%の純度(ホウ
素と窒素の分析値の合計が少なくとも98.511量も
であることを意味する)を有する、六方晶系窒化ホウ素
から成る微細な粉体な用いると1!利である。このよう
な粉体の遊離な酸化ホウ素含量は。
定義によると、1. OII量優以下であり、全体で0
.21量%までの金属不純物は許容することができる。
.21量%までの金属不純物は許容することができる。
100m童優までにまだ残る差の大部分は、付着性のオ
キシ窒化ホウ素としての酸素によって占められる。
キシ窒化ホウ素としての酸素によって占められる。
約1800℃に加熱してからメタノールまたは水によっ
て洗浄するというような、慣習的な方法によってN製さ
れている市販の窒化ホウ素粉体を、任意の望ましい出所
から得て用いることができる。
て洗浄するというような、慣習的な方法によってN製さ
れている市販の窒化ホウ素粉体を、任意の望ましい出所
から得て用いることができる。
本発明による成形体を製造するには、予め製造した任意
の形状のケーシングまたはカプセルに、紗枠な電化ホウ
素粉体自体を充填して、振動によって密度を^めること
かできる。しかし、窒化ホウ素粉体はかさ’ffl[か
低いために1粒状で用いるのが有利であり、また所望な
らば、ポリビニルアルコールのような一時的結合剤を少
量用いることもt″きる。つぎに、ケーシングなその内
容物とともに排気して、気密にシールする。
の形状のケーシングまたはカプセルに、紗枠な電化ホウ
素粉体自体を充填して、振動によって密度を^めること
かできる。しかし、窒化ホウ素粉体はかさ’ffl[か
低いために1粒状で用いるのが有利であり、また所望な
らば、ポリビニルアルコールのような一時的結合剤を少
量用いることもt″きる。つぎに、ケーシングなその内
容物とともに排気して、気密にシールする。
また、窒化ホウ素粉体を予備成形して、開孔すなわち表
面に開いた孔を有する生の成形体を形成することもでき
る。この予備成形は、例えば型押しあるいはアイソスタ
チック・プレス加工によるような、慣習的な方法によっ
て付5ことができる。
面に開いた孔を有する生の成形体を形成することもでき
る。この予備成形は、例えば型押しあるいはアイソスタ
チック・プレス加工によるような、慣習的な方法によっ
て付5ことができる。
この場合に、一時的結合剤の使用は必らすしも必要では
ないが、所望に応じて、少量の一時的結合剤を用いるこ
ともできる。一時的結合剤としては、例えばポリビニル
アルコールまたは憚脳を電化ホウ素粉体の1量に基づい
て6%までの量で用いることができる。この場合K、結
合剤が1000℃以下の温度で実際に*flなく分解す
ること、あるいは遊ll縦素としての分解残漬が窒化ホ
ウ素に基づいて0.1京量慟を趨えないような低濃度で
結合剤が存在することが1−11である。かなり多量の
遊離炭素が存在しても次のアイソスタチック熱間プレス
加工間の圧縮過程が妨げられることはないが、周知の「
白色黒鉛」という名称から分るように通常白色である最
終製品の変色が生ずるおそれがある。
ないが、所望に応じて、少量の一時的結合剤を用いるこ
ともできる。一時的結合剤としては、例えばポリビニル
アルコールまたは憚脳を電化ホウ素粉体の1量に基づい
て6%までの量で用いることができる。この場合K、結
合剤が1000℃以下の温度で実際に*flなく分解す
ること、あるいは遊ll縦素としての分解残漬が窒化ホ
ウ素に基づいて0.1京量慟を趨えないような低濃度で
結合剤が存在することが1−11である。かなり多量の
遊離炭素が存在しても次のアイソスタチック熱間プレス
加工間の圧縮過程が妨げられることはないが、周知の「
白色黒鉛」という名称から分るように通常白色である最
終製品の変色が生ずるおそれがある。
成形後に、生の成形体は少なくとも50%TD、望まし
くは60(ibl’Dの密度を有する筈である。
くは60(ibl’Dの密度を有する筈である。
次に、生の成形体に気密なケーシングを施すmに、この
生の成形体を600〜1000℃、望ましくは400〜
700℃に加熱することによる熱処理を行って、アイソ
スタチック熱間圧縮間に結合剤からのガス状分解生成物
または水蒸気が圧−プロセスを妨げないまたはケーシン
グを損傷しないようKすることが望ましい。
生の成形体を600〜1000℃、望ましくは400〜
700℃に加熱することによる熱処理を行って、アイソ
スタチック熱間圧縮間に結合剤からのガス状分解生成物
または水蒸気が圧−プロセスを妨げないまたはケーシン
グを損傷しないようKすることが望ましい。
気密にシール可能で、窒化ホウ素の圧縮成形に必要な1
200〜1500℃という比較的低い温度において可塑
的に変形可能でなければならないケーシング材料として
は、鉄、クロムまたはニッケルのような金属や鋼のよう
な金属合金を用いることができるが、この他この温度範
囲でci′r塑的に変形WJnなガラスまたはガラス状
組fN、物を用いることもできる。
200〜1500℃という比較的低い温度において可塑
的に変形可能でなければならないケーシング材料として
は、鉄、クロムまたはニッケルのような金属や鋼のよう
な金属合金を用いることができるが、この他この温度範
囲でci′r塑的に変形WJnなガラスまたはガラス状
組fN、物を用いることもできる。
電化ホウ素粉体自体を用いる場合には、生の予備成形体
の場合にも用いることのできる、予め製造したケーシン
グまたはカプセルが必要であり、扱いや1く、手嗜なコ
ストで人手できる−のケーシングが%に有利だと実鉦さ
れている。生の予備成形体の場合には、例えば金輌層の
無電解湿式沈積によるまたはガラス状組成物を塗布して
浴融あるいは焼結して気密なケーシングな形成すること
による山誉豪檀によって気密なケーシングを製造するこ
とかできる。
の場合にも用いることのできる、予め製造したケーシン
グまたはカプセルが必要であり、扱いや1く、手嗜なコ
ストで人手できる−のケーシングが%に有利だと実鉦さ
れている。生の予備成形体の場合には、例えば金輌層の
無電解湿式沈積によるまたはガラス状組成物を塗布して
浴融あるいは焼結して気密なケーシングな形成すること
による山誉豪檀によって気密なケーシングを製造するこ
とかできる。
ケーシングに入れたサンプルを尚比オートクレーブに入
れ、少なくとも1200℃の必要な圧縮温度に加熱する
。このプロセスでは、圧力と温度を別々に制御すること
が望ましい、すなわちケーシングの材料が加圧下で可■
的に変形し始めた時にのみガス圧を高めることが望まし
い。圧力伝達用の不活性ガスとしては、アルゴンまたは
窒素を用いることが望ましい、使用する圧力は100〜
200MPaf)範囲内であることが望ましく、各場合
に少なくとも1250℃であることがilましい最終温
度においてこの圧力になるまで、徐々に圧力を高める。
れ、少なくとも1200℃の必要な圧縮温度に加熱する
。このプロセスでは、圧力と温度を別々に制御すること
が望ましい、すなわちケーシングの材料が加圧下で可■
的に変形し始めた時にのみガス圧を高めることが望まし
い。圧力伝達用の不活性ガスとしては、アルゴンまたは
窒素を用いることが望ましい、使用する圧力は100〜
200MPaf)範囲内であることが望ましく、各場合
に少なくとも1250℃であることがilましい最終温
度においてこの圧力になるまで、徐々に圧力を高める。
また、各場合の蛾適温度は使用する窒化ホウ素粉体の粒
度と純度によって定まるが 11合によっては存在する
オキシ酸化ホウ素が分解して酸化ホウ素を形成すること
が絶対にないようK、この蛾適IL険以上[11度を^
めることはできない。
度と純度によって定まるが 11合によっては存在する
オキシ酸化ホウ素が分解して酸化ホウ素を形成すること
が絶対にないようK、この蛾適IL険以上[11度を^
めることはできない。
圧力と温度が低下した後に、冷却した成形を高圧オート
クレーブから放出し、例えば金属ケーシングなねじり取
るあるいはガラスケーシングをサンドブラストすること
Kよって、成形体のケーシングな除去する。
クレーブから放出し、例えば金属ケーシングなねじり取
るあるいはガラスケーシングをサンドブラストすること
Kよって、成形体のケーシングな除去する。
こりようKして製造した成形体は、加えた圧力およびこ
のような条件下での温度と滞留時間に依存して、理論的
にoJ能な希度の少なくとも95峰。
のような条件下での温度と滞留時間に依存して、理論的
にoJ能な希度の少なくとも95峰。
望ましくは少なくと本99%の凭度を有することができ
る。また、比較的低い圧縮温度において多方向から加圧
することによって、舟られた成形体は尚い圧m度におい
ても、殉情な等方性ミクロ構造を有するため、性質が方
向依存性でなく、あらゆる方向において均一である。所
定条件下での粒度放長はみられながった、1なわち、完
成した成形体のミクロ構造の粒度は使用する窒化ホウ素
粉体の粒度に事実上一致する。また、機械的強度を表わ
すのに用いられるたわみ強さに関しては、5QN/al
′以上の値が得られ、この領は比較的^龜においても変
化しなかった。成形体は高い熱伝導率と低いE−モジュ
ールな有するので、熱鈎隼に対して非菖に安定である。
る。また、比較的低い圧縮温度において多方向から加圧
することによって、舟られた成形体は尚い圧m度におい
ても、殉情な等方性ミクロ構造を有するため、性質が方
向依存性でなく、あらゆる方向において均一である。所
定条件下での粒度放長はみられながった、1なわち、完
成した成形体のミクロ構造の粒度は使用する窒化ホウ素
粉体の粒度に事実上一致する。また、機械的強度を表わ
すのに用いられるたわみ強さに関しては、5QN/al
′以上の値が得られ、この領は比較的^龜においても変
化しなかった。成形体は高い熱伝導率と低いE−モジュ
ールな有するので、熱鈎隼に対して非菖に安定である。
成形体の注貴が方向依存性でないことは、アイイスタチ
ック熱間プレス成形体がら轡々の方向において殊堆した
試験片につ(・て実際に碓帖したデータから実鮭されて
従って、多結晶性六方晶系窒化ホウ素から成る、本発明
による成形体は従来の熱間プレス加工′法によって、焼
結助斎1を併用しておよび/または費用のかかる再処理
を行って製造した成形体よりも良好な性質を有するだけ
でなく、かなり^い圧m11度におけるアイソスタチッ
ク熱間プレス加工によって焼結助剤を併用せずKM造し
た成形体よりも良好な性質を示す。また、成形体の形状
と賃イズは、型押しを用いる従来の熱間プレス法の場合
に周知の成形性の限定によって制限されることがなく、
またかなり為い圧縮温度におけるアイラスタチック熱間
プレス法の場合のように電子ビーム溶接によって気v!
IKシールしなければならないタンタル容器の使用を必
要とする、費用と時間のかがるカプセル化法による制限
を受けることもないので、本発明による成形体は比較的
簡単Km造することかできる。本宛に#4による成形体
は、電子ビーム#接装*、y!−必要としない簡素なや
り方で気密にシールすることができる簡単な鋼ケーシン
グを柑いたブロック状のかなり大きい成形体として、例
えば1m″ 以上の有幼谷檀を有する高圧オートクレー
ブ内で製造することができる。
ック熱間プレス成形体がら轡々の方向において殊堆した
試験片につ(・て実際に碓帖したデータから実鮭されて
従って、多結晶性六方晶系窒化ホウ素から成る、本発明
による成形体は従来の熱間プレス加工′法によって、焼
結助斎1を併用しておよび/または費用のかかる再処理
を行って製造した成形体よりも良好な性質を有するだけ
でなく、かなり^い圧m11度におけるアイソスタチッ
ク熱間プレス加工によって焼結助剤を併用せずKM造し
た成形体よりも良好な性質を示す。また、成形体の形状
と賃イズは、型押しを用いる従来の熱間プレス法の場合
に周知の成形性の限定によって制限されることがなく、
またかなり為い圧縮温度におけるアイラスタチック熱間
プレス法の場合のように電子ビーム溶接によって気v!
IKシールしなければならないタンタル容器の使用を必
要とする、費用と時間のかがるカプセル化法による制限
を受けることもないので、本発明による成形体は比較的
簡単Km造することかできる。本宛に#4による成形体
は、電子ビーム#接装*、y!−必要としない簡素なや
り方で気密にシールすることができる簡単な鋼ケーシン
グを柑いたブロック状のかなり大きい成形体として、例
えば1m″ 以上の有幼谷檀を有する高圧オートクレー
ブ内で製造することができる。
次K、このような大形成形体を完全に方向に無関係Km
樟加工して、任意の形状のかなり小形の成形体を形成す
ることができる。
樟加工して、任意の形状のかなり小形の成形体を形成す
ることができる。
粉体材料から成り、気密なケーシングを備えた姿体をア
イソスタチック熱間プレス加工プロセスによらないで圧
縮成形できることは公知であるが、窒化ホウ素の場合に
このような圧縮成形を幣結助創の併用なしく、実際に1
bOO’C以下のI!良で、しかも今まで明らかに使用
か不ロf能と考えられていた簡単な一ケーシングを用い
て達成し倚ろことは、画期的なことと見なさなければな
らない。
イソスタチック熱間プレス加工プロセスによらないで圧
縮成形できることは公知であるが、窒化ホウ素の場合に
このような圧縮成形を幣結助創の併用なしく、実際に1
bOO’C以下のI!良で、しかも今まで明らかに使用
か不ロf能と考えられていた簡単な一ケーシングを用い
て達成し倚ろことは、画期的なことと見なさなければな
らない。
次に、不発明を以下の実施ψIIに革づいて、さらrc
詳細に睨#41゛ろ: 実施例1 次の分析値: (1量%) 8 43.3 Nz 55.7 02全t a8 B20sQ、07 Ga <(105 を有し、14 II” /Iiの比表面積を有する電化
ホウ素粉体な、ポリビニルアルコール0.5’M量優ヲ
用いて粒状化し、振動台上で直@に120m、^さ15
0■の鋼ケーシング(E3t !17)内にケーシング
を振動させながら入れる0粒状物のかさ密度はFI 0
.8 !i / cm” であった。次に、吸引用連
結具を付けたフタヶカプセル上KIN接し、ノクツチ炉
テ550℃に加熱した。同時に、吸引用連結具を介して
、真空ポンプを用いてカプセルから排気する。
詳細に睨#41゛ろ: 実施例1 次の分析値: (1量%) 8 43.3 Nz 55.7 02全t a8 B20sQ、07 Ga <(105 を有し、14 II” /Iiの比表面積を有する電化
ホウ素粉体な、ポリビニルアルコール0.5’M量優ヲ
用いて粒状化し、振動台上で直@に120m、^さ15
0■の鋼ケーシング(E3t !17)内にケーシング
を振動させながら入れる0粒状物のかさ密度はFI 0
.8 !i / cm” であった。次に、吸引用連
結具を付けたフタヶカプセル上KIN接し、ノクツチ炉
テ550℃に加熱した。同時に、吸引用連結具を介して
、真空ポンプを用いてカプセルから排気する。
この排気作業の終了は真空癲示器によって知ることがで
きる。吸引用連結具を液圧ニッパ−と共に絞り、この絞
り点の上方で切断し【、さらに浴接シームによつ文切り
口を一定する。窒化ホウ素を充填しく排気したカプセル
を、アイソスタチック熱間プL/ スK 入h、145
0 ’C(1’)温]、200MPaのアルゴンガス圧
および180分間の滞留時間で圧縮成形する。
きる。吸引用連結具を液圧ニッパ−と共に絞り、この絞
り点の上方で切断し【、さらに浴接シームによつ文切り
口を一定する。窒化ホウ素を充填しく排気したカプセル
を、アイソスタチック熱間プL/ スK 入h、145
0 ’C(1’)温]、200MPaのアルゴンガス圧
および180分間の滞留時間で圧縮成形する。
冷ん債に、鋼ケーシングを切断して開き、シリンダー状
窒化ホウ素から一ケーシングを鱗き放して除去する。成
形体の密度は2.249/cIt であった(使用した
粉体の理論的VCaJ能な密度の2.261/cd
に基づいて、991%TDに相当)。構造は完全な結晶
であった。原料粉体の結晶粒成長はみられなかった。
窒化ホウ素から一ケーシングを鱗き放して除去する。成
形体の密度は2.249/cIt であった(使用した
粉体の理論的VCaJ能な密度の2.261/cd
に基づいて、991%TDに相当)。構造は完全な結晶
であった。原料粉体の結晶粒成長はみられなかった。
アイソスタチック熱間プレス加工した窒化ホウ累シリン
ダーから軸方向または半径方向において、それぞれ切り
取った試験片を用いて、次のような性質を#1定した。
ダーから軸方向または半径方向において、それぞれ切り
取った試験片を用いて、次のような性質を#1定した。
#s1定結定結衣1に示す。
表ま
たわみ強さは、サイズ2X4X34■の長方形テスト・
パーを用い【、4点負荷法(外側径間30■、内側径間
15■)に従って一定した。ヌープ硬さは0.98N
()iKloo)と0.245(HK2b)の荷1を用
いて一定した。数値はdaN/MI K関するもので
ある。
パーを用い【、4点負荷法(外側径間30■、内側径間
15■)に従って一定した。ヌープ硬さは0.98N
()iKloo)と0.245(HK2b)の荷1を用
いて一定した。数値はdaN/MI K関するもので
ある。
軸方向筒たは半径方向から採取した試験片について実際
に確認した一定データから分るように、成形体の性質は
方向に依存しない。
に確認した一定データから分るように、成形体の性質は
方向に依存しない。
さらに、下記の性質を方向に関係なく測定し、その結果
を表2<#括した。
を表2<#括した。
表2
圧縮強さくN/m) 297
.5損失角(を龜nδ) 6・
1O−4(100KHzKおける20回測定の平均値)
鍔電率(εl 4
,90損失角はMl波数100 KHz において測
定したが、13KHz〜10MHz の範囲での比較測
定は有意差を示さなかった。
.5損失角(を龜nδ) 6・
1O−4(100KHzKおける20回測定の平均値)
鍔電率(εl 4
,90損失角はMl波数100 KHz において測
定したが、13KHz〜10MHz の範囲での比較測
定は有意差を示さなかった。
騎亀本εは容量から算出し、l Q Q KHz の
綱波数においても測定した。
綱波数においても測定した。
実施例2
次の分析Vi:
(Ilt%)
8 43.2
82 55.4
0□全11.3
B、0,0.9
Ca <α05
と、25 m” /11の比表面積とを有する窒化ホウ
素粉体を塩化ポリビニル・ケーシングに入れ、400M
Pa の液圧において、プレス加工助剤を用いずにア
イソスタチック・プレス加工して、直11230■、高
さ300−の生の成形体を製造した。この生成形体の密
度は1769 /rx” であった(79%TDK相白
)。この生成形体を適当な鋼カプセル(St 37)に
入れ、吸引用連結具を備えたフタをカプセルに溶接した
。カプセルの加熱とシーリングは実施例1で述べたよう
に行った。カプセルに入れたすンプルを15 Q MP
a のアルゴン圧下、1400℃において120分間
の滞留時間でアイソスタチック熱間プレスした。圧縮成
形後に1ケーシングな切り開き、解き放して除去した。
素粉体を塩化ポリビニル・ケーシングに入れ、400M
Pa の液圧において、プレス加工助剤を用いずにア
イソスタチック・プレス加工して、直11230■、高
さ300−の生の成形体を製造した。この生成形体の密
度は1769 /rx” であった(79%TDK相白
)。この生成形体を適当な鋼カプセル(St 37)に
入れ、吸引用連結具を備えたフタをカプセルに溶接した
。カプセルの加熱とシーリングは実施例1で述べたよう
に行った。カプセルに入れたすンプルを15 Q MP
a のアルゴン圧下、1400℃において120分間
の滞留時間でアイソスタチック熱間プレスした。圧縮成
形後に1ケーシングな切り開き、解き放して除去した。
!1られた成形体の密度は2.21.9/信1 (使用
した験体の理論的に可能な密度2.23.9/1211
1” に基づいて、991%TDK相当)であった。
した験体の理論的に可能な密度2.23.9/1211
1” に基づいて、991%TDK相当)であった。
ミクロ構造は完全な結晶であった。
実1例6
実施例2の雪化ホウ素粉体をアイノスタチック冷間プレ
ス加工して、直径60−1高さ120閣のシリング−を
形成し、ケイ酸ガラス・カプセルKM人した。冷間プレ
ス加工の圧力、プレス成形体の密度および加熱プログラ
ムは実施例2に挙げた条件に一散させた。排気後に、吸
引用連結具を真空気¥ejK溶接した。ガラスカプセル
に入れたサンプルを1500℃の温度、200 MPa
のアルゴン圧および180分間の湘留時間でアイソスタ
チック熱間プレス加工した。圧縮後に、ガラスケーシン
グを打ちこわして除去した。得られた成形体の密度は2
.259/cIn” (100%TDK相当)であっ
た。ミクロ構造は完全に結11&性であった。
ス加工して、直径60−1高さ120閣のシリング−を
形成し、ケイ酸ガラス・カプセルKM人した。冷間プレ
ス加工の圧力、プレス成形体の密度および加熱プログラ
ムは実施例2に挙げた条件に一散させた。排気後に、吸
引用連結具を真空気¥ejK溶接した。ガラスカプセル
に入れたサンプルを1500℃の温度、200 MPa
のアルゴン圧および180分間の湘留時間でアイソスタ
チック熱間プレス加工した。圧縮後に、ガラスケーシン
グを打ちこわして除去した。得られた成形体の密度は2
.259/cIn” (100%TDK相当)であっ
た。ミクロ構造は完全に結11&性であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)均質な異方性ミクロ構造体としての多結菌性六方晶
系窒化ホウ素から成り、坤論的に可能な′M陵の少なく
とも95%の密□□□を有する成形体において、1.0
1景峰以下の酸化ホウ素含量な有する純粋な窒化ホウ素
粉体を真空気密なケーシングに入れ、圧力伝達媒体とし
て小姑性ガスを用いる島圧オートクレーブ内での50〜
30 [] MPa の圧力下、1200〜1500
℃の温度におけるアイソスタチック熱間プレス加工によ
って典aすることを%書とする成形体。 2)次の組数: BIN 少なくともν85龜鎗%B2
03t01j1に%thで 金属不l@@全It 0.2jliit%!でか
ら成り、BET法によって#1足して5〜60m1/p
の範囲内の比表面積を有する窒化ホウ素粉体を用いて製
造したことを特徴とする特許tm求の範囲第1項記載の
成形体。 3)圧力伝達媒体として不活性ガスを用いる高圧オート
クレーブ内でのアイソスタチック熱間プレス加工による
、特許請求の範囲第1項または第2項記載の成形体の製
造方法において、窒化ホウ素粉体を予め製造したケーシ
ングに充填し、振動によって圧縮してから、このケーシ
ングをその内容物と共に真空気密にシールし、このケー
シングに入れたサンプルを高圧オートクレーブ内で、緻
密な成形体が得られるまで、ガス圧を5 Q MPaか
ら600μPa まで徐々に高めながら、1200〜
1500℃の温度に加熱し、冷却猿に、成形体を鍋圧オ
ートクレーブから取り出して、ケーシングを成形体から
除去することな特徴とする製造方法。 4)圧力伝達媒体として不活性ガスを用いる高圧オート
クレーブ内でのアイソスタチック熱間プレス加工による
、特許請求の範囲第1項または第2項記載の成形体の製
造方法において、窒化ホウ素粉体な予備成形して、表面
に開いた孔を有する生の予備成形体を形成し、窒化ホウ
素の理論的に可能な密喰の少なくとも50%の密度を有
し′C得られる生の予備成形体を予め製造したケーシン
グに装入して、あるいは真空気密のケーシングを形成す
る材料で被接して、このようなケーシングを真空気密に
シールした後、篇圧オートクレーブ内でガス圧を50
MPaから300 MPaまで徐々に高めながら、[5
な成形体が得られるまで、1200〜1500℃に加熱
し、冷却恢に、成形体を高圧オートクレーブから取り出
し、ケーシングを除去することを特徴とする製造方法。 5)予め製造するケーシングとして、銅から成るケーシ
ングを用いるこEを特徴とする特許請求の範囲#16項
または第4唄記載の製造方法。
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