JPS58130277A - マグネトロンスパツタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパツタ装置Info
- Publication number
- JPS58130277A JPS58130277A JP1198382A JP1198382A JPS58130277A JP S58130277 A JPS58130277 A JP S58130277A JP 1198382 A JP1198382 A JP 1198382A JP 1198382 A JP1198382 A JP 1198382A JP S58130277 A JPS58130277 A JP S58130277A
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- JP
- Japan
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- magnet
- magnetic field
- magnets
- uniformly
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Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマグネトロンスパッタ装置、特にターゲットの
表面全域にわたって均一にスパ′ツタな生じさせるため
の改良に関する。
表面全域にわたって均一にスパ′ツタな生じさせるため
の改良に関する。
マグネトロンスパッタ装置は、ＤＣスパッタ装装着口く
はＲＦスパッタ装置に比べて、［Ｆ］膜の付着形成速度
が速い、■基板温度の上昇を抑制できる、等の優れた特
徴を有することから近年広く利用されている。
はＲＦスパッタ装置に比べて、［Ｆ］膜の付着形成速度
が速い、■基板温度の上昇を抑制できる、等の優れた特
徴を有することから近年広く利用されている。
このマグネトロンスパッタ装置の従来装置の概略を第１
図に示して説明すれば、ターゲットｌの裏面にはターゲ
ラ）ｌの中心部がＳ極となり周辺部がＮ極となるよう磁
石２が配設されて、図示のごとく磁界３を生じさせてい
る。そして、ターゲットｌの上方でターゲット１０表面
に平行に基板４が基板ホルダー５に固定されている。さ
らに、ターゲットｌと基板ホルダー５との間には放電電
力が供給用の高周波電源６が接続されて、ターゲラ）１
の表面に垂直方向に電界７を生じさせている。
図に示して説明すれば、ターゲットｌの裏面にはターゲ
ラ）ｌの中心部がＳ極となり周辺部がＮ極となるよう磁
石２が配設されて、図示のごとく磁界３を生じさせてい
る。そして、ターゲットｌの上方でターゲット１０表面
に平行に基板４が基板ホルダー５に固定されている。さ
らに、ターゲットｌと基板ホルダー５との間には放電電
力が供給用の高周波電源６が接続されて、ターゲラ）１
の表面に垂直方向に電界７を生じさせている。
而して、高周波電源６の放電によって生ずる二次電子は
、磁界３のターゲラ）１面に平行な磁界成分によつ℃、
サイクコイドあるいはトコロイド運動をする。このため
スパッタガス分子と二次電子との衝突回数が増加し、イ
オン化が促進されて、ターゲ′ノド１の表面近傍に高密
度プラズマが形成され、ターゲットｌの表面から高速ス
パッタを生じさせるものである。
、磁界３のターゲラ）１面に平行な磁界成分によつ℃、
サイクコイドあるいはトコロイド運動をする。このため
スパッタガス分子と二次電子との衝突回数が増加し、イ
オン化が促進されて、ターゲ′ノド１の表面近傍に高密
度プラズマが形成され、ターゲットｌの表面から高速ス
パッタを生じさせるものである。
しかるに、上述した従来装置の構造は、ターゲットｌの
裏面に配設した磁石２により弧状の磁界３を生じさせて
、この磁界３のターゲラ）１面に平行な磁界成分を利用
したものであり、ターゲットｌの表面全域にわたって均
一な平行磁界成分が得られず、ターゲット１から生ずる
スパッタは不均一となる。このため、第２図のごとくタ
ーゲットｌは不均一に消耗してターゲットｌの寿命が短
かくなる不具合があり、またスパッタが生ずる有効面積
がターゲット１の表面の３０〜４０％であり、基板４の
膜形成速度が充分でない。さらにスパッタの発生が均一
でないために基板４の膜形成も不均一となる不具合を生
ずる。
裏面に配設した磁石２により弧状の磁界３を生じさせて
、この磁界３のターゲラ）１面に平行な磁界成分を利用
したものであり、ターゲットｌの表面全域にわたって均
一な平行磁界成分が得られず、ターゲット１から生ずる
スパッタは不均一となる。このため、第２図のごとくタ
ーゲットｌは不均一に消耗してターゲットｌの寿命が短
かくなる不具合があり、またスパッタが生ずる有効面積
がターゲット１の表面の３０〜４０％であり、基板４の
膜形成速度が充分でない。さらにスパッタの発生が均一
でないために基板４の膜形成も不均一となる不具合を生
ずる。
本発明はかかる従来のマグネトロンスパッタ装置の不具
合を改良するためになされたもので、ターゲットの表面
部近傍かつ側方に第１磁石と第２磁石とを対向して配設
して、第１磁石および第２磁石によりターゲットの表面
に平行な磁界を生じさせるように構成したことを特徴と
する。以下図面に示す実施例を参照して本発明を説明す
る。第３図は本発明装置の概要正面図であり、第４図は
第３図ｘ −ｘ’からの平面図である。第３図および第
４図において、第１図と同一符号は同一部材を示す。タ
ーゲットｌの表面近傍かつ側方にＮ極となる第１磁石１
０と、Ｓ極となる第２磁石ＩＪが配設される。この第１
磁石１０と第２磁石］］とは電磁石若しくは永久磁石で
構成される。この第Ｌ Ｅ’１石１０と第２磁石１】と
によりターゲット表面の全域にわたって均一に平行な磁
界１２を生じさせている。ターゲット１が円板状であれ
ば、第１６１１石１０および第２磁石１】も弧状に形成
して磁界１２を効率よくターゲラ）１の表面に生じさせ
る。
合を改良するためになされたもので、ターゲットの表面
部近傍かつ側方に第１磁石と第２磁石とを対向して配設
して、第１磁石および第２磁石によりターゲットの表面
に平行な磁界を生じさせるように構成したことを特徴と
する。以下図面に示す実施例を参照して本発明を説明す
る。第３図は本発明装置の概要正面図であり、第４図は
第３図ｘ −ｘ’からの平面図である。第３図および第
４図において、第１図と同一符号は同一部材を示す。タ
ーゲットｌの表面近傍かつ側方にＮ極となる第１磁石１
０と、Ｓ極となる第２磁石ＩＪが配設される。この第１
磁石１０と第２磁石］］とは電磁石若しくは永久磁石で
構成される。この第Ｌ Ｅ’１石１０と第２磁石１】と
によりターゲット表面の全域にわたって均一に平行な磁
界１２を生じさせている。ターゲット１が円板状であれ
ば、第１６１１石１０および第２磁石１】も弧状に形成
して磁界１２を効率よくターゲラ）１の表面に生じさせ
る。
さらに、第１磁石ｌＯと第２磁石１】とは部材Ｉ３によ
り一体化されて、ターゲラ）ｌの表面に垂直な軸Ｈによ
って回転させられる。
り一体化されて、ターゲラ）ｌの表面に垂直な軸Ｈによ
って回転させられる。
上述のごとく構成された本発明の実施例たるマグネトロ
ンスパッタ装置は、第１磁石１０と第２磁石１１とによ
り生ずる磁界１２はターゲットｌの表面の広い領域で平
行な磁界成分が得られ、さらに第１磁石】０と第２磁石
１１とを軸１４を中心として回転させることで、ターゲ
ットｌの表面の平行磁界を全域にわたって均一となしう
る。
ンスパッタ装置は、第１磁石１０と第２磁石１１とによ
り生ずる磁界１２はターゲットｌの表面の広い領域で平
行な磁界成分が得られ、さらに第１磁石】０と第２磁石
１１とを軸１４を中心として回転させることで、ターゲ
ットｌの表面の平行磁界を全域にわたって均一となしう
る。
なお、第１Ｍｉ石１０と第２磁石１１とを回転させずに
ターゲラ）ｌ自体を回転させてもよく、また磁石とター
ゲットｌとの双方を回転させてもよい。
ターゲラ）ｌ自体を回転させてもよく、また磁石とター
ゲットｌとの双方を回転させてもよい。
さらば、図示の実施例ではターゲット１を下方に配設し
、基板４を上方に配設したが、これに限られることなく
、上方にターゲットｌを配設し、下方に基板４を配設し
てもよい。
、基板４を上方に配設したが、これに限られることなく
、上方にターゲットｌを配設し、下方に基板４を配設し
てもよい。
因みに本発明のマグネトロンスパッタ装置は、図示しな
いスパッタ容器に内蔵されて一例としてＡｒ ガス雰囲
気に維持されろことは、従来のマグネトロンスパッタ装
置と同様である。
いスパッタ容器に内蔵されて一例としてＡｒ ガス雰囲
気に維持されろことは、従来のマグネトロンスパッタ装
置と同様である。
以上説明した所から明らかなように本発明によれば、タ
ーゲットの表面近傍かつ側方に第１磁石と第２磁石とを
配設して、ターゲットの表面に平行な磁界を生じさせた
ので、ターゲットの全域にわたって均一な平行磁界が得
られ、ターゲットより均一にスパッタが発生し、従来こ
の種装置のごとくターゲットの一部のみが消耗すること
なく、ターゲットの寿命を長くすることができる。また
スパッタが発生する面積が広くなるために基板の膜付着
形成速度が大となる。さらにターゲットの全域から均一
にスパッタが発生するために、２寸向して配設される基
板に到達するスパッタも基板上に均一に付着することと
なり、基板上に形成される膜の均一性が良好となる。
ーゲットの表面近傍かつ側方に第１磁石と第２磁石とを
配設して、ターゲットの表面に平行な磁界を生じさせた
ので、ターゲットの全域にわたって均一な平行磁界が得
られ、ターゲットより均一にスパッタが発生し、従来こ
の種装置のごとくターゲットの一部のみが消耗すること
なく、ターゲットの寿命を長くすることができる。また
スパッタが発生する面積が広くなるために基板の膜付着
形成速度が大となる。さらにターゲットの全域から均一
にスパッタが発生するために、２寸向して配設される基
板に到達するスパッタも基板上に均一に付着することと
なり、基板上に形成される膜の均一性が良好となる。
第１図は従来のマグネトロンスパッタ装置の概要図、第
２図は従来のマグネトロンスパッタ装置によるターゲッ
トの消耗を示す図、第３図は本発明のマグネトロンスパ
ッタ装置の概要正面図、第４図は第３図のＸ−Ｘからの
平面図である。 ｌ・・・ターゲット、１０・・・第１磁石、１】・・・
第２磁石、ｔ・・磁界。 特許出願人 クラリオン株式会社 第１図 第３図 第２図
２図は従来のマグネトロンスパッタ装置によるターゲッ
トの消耗を示す図、第３図は本発明のマグネトロンスパ
ッタ装置の概要正面図、第４図は第３図のＸ−Ｘからの
平面図である。 ｌ・・・ターゲット、１０・・・第１磁石、１】・・・
第２磁石、ｔ・・磁界。 特許出願人 クラリオン株式会社 第１図 第３図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ターゲットの表面部近傍かつ側方に第１磁石と第
２磁石とを対向して配設し、前記第１磁石および第２磁
石により前記ターゲットの表面に平行な磁界を生じさせ
ろようにしたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装
置。 ２ 円板状のターゲットに対し、前記第１磁石および第
２磁石を弧状に形成することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のマグネトロンスパッタ装置。 ３ 第１磁石と第２磁石、若しくはタープ・ノドのいず
れか一方を、前記ターゲットの表面に垂直な軸を中心と
して回転させることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２頂記載のマグネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198382A JPS58130277A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | マグネトロンスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198382A JPS58130277A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | マグネトロンスパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130277A true JPS58130277A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11792827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198382A Pending JPS58130277A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | マグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130277A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60115228A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スパツタリング装置 |
| JPS62149868A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Tdk Corp | 強磁性体の高速スパツタリング方法 |
| JPH03150355A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-26 | Nec Corp | スパッタリング装置 |
| US5289152A (en) * | 1990-09-19 | 1994-02-22 | Tdk Corporation | Permanent magnet magnetic circuit |
| US6491802B2 (en) | 1992-10-28 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Magnetic film forming system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342667A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Ricoh Co Ltd | Electronic counter for printer |
| JPS55148770A (en) * | 1979-04-09 | 1980-11-19 | Vac Tec Syst | Spatter apparatus |
| JPS575871A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-12 | Anelva Corp | Cathode part of magnetron type sputtering apparatus |
| JPS5776185A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Ulvac Corp | Sputtering device |
| JPS58133376A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-08-09 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 反応性膜析出方法及び装置 |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP1198382A patent/JPS58130277A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342667A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Ricoh Co Ltd | Electronic counter for printer |
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| JPS5776185A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Ulvac Corp | Sputtering device |
| JPS58133376A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-08-09 | マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン | 反応性膜析出方法及び装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62149868A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Tdk Corp | 強磁性体の高速スパツタリング方法 |
| JPH03150355A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-26 | Nec Corp | スパッタリング装置 |
| US5289152A (en) * | 1990-09-19 | 1994-02-22 | Tdk Corporation | Permanent magnet magnetic circuit |
| US6491802B2 (en) | 1992-10-28 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Magnetic film forming system |
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