JPS6326360A - マグネトロンスパツタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパツタ装置Info
- Publication number
- JPS6326360A JPS6326360A JP61170066A JP17006686A JPS6326360A JP S6326360 A JPS6326360 A JP S6326360A JP 61170066 A JP61170066 A JP 61170066A JP 17006686 A JP17006686 A JP 17006686A JP S6326360 A JPS6326360 A JP S6326360A
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- magnetron sputtering
- magnet
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
２・＼−
産業上の利用分野
本発明は、ターゲットの表面全域にわたって均一にスパ
ッタを生じさせるためのマグネトロンスパッタ装置に関
するものである。
ッタを生じさせるためのマグネトロンスパッタ装置に関
するものである。
従来の技術
近年、マグネトロンスパッタ装置は、■膜の付着形成速
度が速い、■基板温度の」１昇を抑制できる、等の優れ
た特徴全有することから広く利用されてきている。
度が速い、■基板温度の」１昇を抑制できる、等の優れ
た特徴全有することから広く利用されてきている。
従来のマグネトロンスパッタ装置の概略を第３図に示し
、その動作を第３図を用いて説明する。
、その動作を第３図を用いて説明する。
第３図において、ターゲット１５及びバッキングプレー
ト８の裏面にはターゲット１５の中心部がＳ極となり周
辺部がＮ極となるような磁界発生装置（以下、磁石とい
う）２が設置されて、矢印のごとく磁界３を生じさせて
いる。そして、ターゲット１５の上方でターゲット１５
の表面に平行に基板４が基板ホルダー５に固定されてい
る。さらに、ターゲット１５と基板ホルダー５との間に
は放電電力全供給するだめの電源６（高周波電源３ヘー
ジ または直流電源）が接続されて、ターゲノｌ−１６の表
面に垂直方向に電界７を生じさせている。
ト８の裏面にはターゲット１５の中心部がＳ極となり周
辺部がＮ極となるような磁界発生装置（以下、磁石とい
う）２が設置されて、矢印のごとく磁界３を生じさせて
いる。そして、ターゲット１５の上方でターゲット１５
の表面に平行に基板４が基板ホルダー５に固定されてい
る。さらに、ターゲット１５と基板ホルダー５との間に
は放電電力全供給するだめの電源６（高周波電源３ヘー
ジ または直流電源）が接続されて、ターゲノｌ−１６の表
面に垂直方向に電界７を生じさせている。
そして、電源６の放電によって生ずる二次電子は、磁界
３のターゲット１５面に平行な磁界成分によって、ザイ
クロイド運動をする。このため、スパッタガス分子と二
次電子との衝突回数が増加し、イオン化が促進されて、
ターゲット１５の表面近傍に高密度プラズマが形成され
、ターゲット１５の表面から高速スパッタを生じさせる
ものである。
３のターゲット１５面に平行な磁界成分によって、ザイ
クロイド運動をする。このため、スパッタガス分子と二
次電子との衝突回数が増加し、イオン化が促進されて、
ターゲット１５の表面近傍に高密度プラズマが形成され
、ターゲット１５の表面から高速スパッタを生じさせる
ものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上述した従来装置の構造は、ターゲット
１５及びバッキングプレート８の裏面に設置した磁石２
により弧状の磁界３を生じさせて、この磁界３のターゲ
ット１５面に平行な磁界成分を利用したものであり、タ
ーゲット１５の表面全域にわたって均一な平行磁界成分
が得られず、ターゲット１５から生ずるスパッタは不均
一となる。
１５及びバッキングプレート８の裏面に設置した磁石２
により弧状の磁界３を生じさせて、この磁界３のターゲ
ット１５面に平行な磁界成分を利用したものであり、タ
ーゲット１５の表面全域にわたって均一な平行磁界成分
が得られず、ターゲット１５から生ずるスパッタは不均
一となる。
このため、第４図のごとくターゲット１５は不均一に消
耗してターゲット１５の寿命が短くなる不具合があり、
またスパッタが生ずる有効面積がターゲット１６の表面
の１０〜７０％であり、基板４の膜形成速度が十分でな
い。
耗してターゲット１５の寿命が短くなる不具合があり、
またスパッタが生ずる有効面積がターゲット１６の表面
の１０〜７０％であり、基板４の膜形成速度が十分でな
い。
本発明は上記問題点に鑑み、ターゲットの表面全域にわ
たって均一な平行磁界成分を得ることにより、スパッタ
が生ずる有効面積を広げ、ターゲットの寿命を長くする
ことができるマグネトロンスパッタ装置を提供すること
を目的とするものである。
たって均一な平行磁界成分を得ることにより、スパッタ
が生ずる有効面積を広げ、ターゲットの寿命を長くする
ことができるマグネトロンスパッタ装置を提供すること
を目的とするものである。
問題点全解決するだめの手段
本発明は上記目的を達するため、ターゲットの裏面近傍
に設けられた磁界発生装置の少なくとも一部がターゲッ
ト周辺部より外側に配置され、ターゲットの表面全域に
漏洩磁界を発生させるように構成されている。
に設けられた磁界発生装置の少なくとも一部がターゲッ
ト周辺部より外側に配置され、ターゲットの表面全域に
漏洩磁界を発生させるように構成されている。
作用
本発明は上記した構成により、ターゲットの表面全域に
わたって均一な平行磁界成分が得られ、スパッタが生ず
るターゲットの有効面積が広げられて、ターゲットの寿
命を長くすることができる。
わたって均一な平行磁界成分が得られ、スパッタが生ず
るターゲットの有効面積が広げられて、ターゲットの寿
命を長くすることができる。
５ノ＼−７゛
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例におけるマグネトロンスパッ
タ装置の概要正面図であり、第２図は第１図ｘ−ｘ’線
からの平面図である。第１図および第２図において、第
３図と同一符号は同一部材を示す。円環状に形成された
ターゲット１及びバンキングプレート８の裏面部近傍に
Ｎ極となる磁石１０と、Ｓ極となる磁石１１が配置され
る。この磁石１ｏと磁石１１は、電磁石若しくは永久磁
石で構成される。この磁石１０と磁石１１の少なくとも
一部をターゲット１の周辺部より外側に配置することに
より、ターゲット表面の全域にわたって漏洩磁界１２を
生じさせている。さらに、磁石１ｏと磁石１１とは部材
１３により一体化されてターゲット１の表面に垂直な軸
１４を回転させることによって回転させられる。尚、磁
石１０，１１は部材１３上を移動可能なように構成して
もよい。
タ装置の概要正面図であり、第２図は第１図ｘ−ｘ’線
からの平面図である。第１図および第２図において、第
３図と同一符号は同一部材を示す。円環状に形成された
ターゲット１及びバンキングプレート８の裏面部近傍に
Ｎ極となる磁石１０と、Ｓ極となる磁石１１が配置され
る。この磁石１ｏと磁石１１は、電磁石若しくは永久磁
石で構成される。この磁石１０と磁石１１の少なくとも
一部をターゲット１の周辺部より外側に配置することに
より、ターゲット表面の全域にわたって漏洩磁界１２を
生じさせている。さらに、磁石１ｏと磁石１１とは部材
１３により一体化されてターゲット１の表面に垂直な軸
１４を回転させることによって回転させられる。尚、磁
石１０，１１は部材１３上を移動可能なように構成して
もよい。
上述のごとく構成された本実施例のマグネトロ６・・−
７゛ ンスパノタ装置は、磁石１ｏと磁石１１とにより生ずる
磁界１２はターゲット１の表面の広い領域で大きな磁界
が得られ、さらに磁石１ｏと磁石１１と全軸１４全中心
として回転させることで、ターゲット１の表面に平行な
漏洩磁界を全域にわたってほぼ均一となしうる。これに
より、ターゲットの一部のみが消耗することなく、ター
ゲットの寿命を長くすることができる。
７゛ ンスパノタ装置は、磁石１ｏと磁石１１とにより生ずる
磁界１２はターゲット１の表面の広い領域で大きな磁界
が得られ、さらに磁石１ｏと磁石１１と全軸１４全中心
として回転させることで、ターゲット１の表面に平行な
漏洩磁界を全域にわたってほぼ均一となしうる。これに
より、ターゲットの一部のみが消耗することなく、ター
ゲットの寿命を長くすることができる。
なお、磁石１０と磁石１１とを回転させずにターゲツト
１自体を回転させてもよく、また磁石とターゲット１の
双方を回転させてもよい。さらに、本実施例ではターゲ
ソ）１’（ｉ−下方に配置し、基板４を上方に配置した
が、これに限られることなく、上方にターゲット１を配
置し、下方に基板４を配置してもよく、また、横向きに
ターゲット１を配置し、横向きに平行に基板４を配置し
てもよい。
１自体を回転させてもよく、また磁石とターゲット１の
双方を回転させてもよい。さらに、本実施例ではターゲ
ソ）１’（ｉ−下方に配置し、基板４を上方に配置した
が、これに限られることなく、上方にターゲット１を配
置し、下方に基板４を配置してもよく、また、横向きに
ターゲット１を配置し、横向きに平行に基板４を配置し
てもよい。
尚、マグネトロンスパッタ装置は、図示しないスパッタ
容器に内蔵されて一例としてＡｒガス雰囲気に維持され
ることは、従来のマグネトロンスパッタ装置と同様であ
る。
容器に内蔵されて一例としてＡｒガス雰囲気に維持され
ることは、従来のマグネトロンスパッタ装置と同様であ
る。
７ヘー／
発明の詳細
な説明したように、本発明のマグネトロンスパッタ装置
によれば、ターゲットの裏面近傍にターゲットの周辺部
より少なくとも一部を外側に配置し、ターゲットの表面
の広い領域で大きな磁界を生じさせたので、ターゲット
の全域にわたってほぼ均一な磁界が得られ、ターゲット
よりほぼ均一にスパッタが発生し、従来のターゲットの
一部のみが消耗することなく、ターゲットの寿命を長く
することができる。捷た、スパッタが発生する面積が広
くなるために基板の膜付着速度が犬となる。さらに、タ
ーゲットの全域からほぼ均一にスパッタが発生するため
に対向して配置する基板に到達するスパッタ原子も基板
上にほぼ均一に付着することになる。
によれば、ターゲットの裏面近傍にターゲットの周辺部
より少なくとも一部を外側に配置し、ターゲットの表面
の広い領域で大きな磁界を生じさせたので、ターゲット
の全域にわたってほぼ均一な磁界が得られ、ターゲット
よりほぼ均一にスパッタが発生し、従来のターゲットの
一部のみが消耗することなく、ターゲットの寿命を長く
することができる。捷た、スパッタが発生する面積が広
くなるために基板の膜付着速度が犬となる。さらに、タ
ーゲットの全域からほぼ均一にスパッタが発生するため
に対向して配置する基板に到達するスパッタ原子も基板
上にほぼ均一に付着することになる。
第１図は本発明の一実施例におけるマグネトロンスパッ
タ装置の概要正面図、第２図は第１図の要部平面図、第
３図は従来のマグネトロンスパッタ装置の概要正面図、
第４図は従来のマグネトロンスパッタ装置のターゲット
を示す正面図である。 １・・・・・・ターゲット、４・・・・・基板、５・・
・・・基板ホルダー、８・・・・・・バンキングプレー
ト、１０・・・・・・磁石、１１・・・・・・磁石、１
２・・・・・磁界。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−ターゲット ｆｌ−−−ぞ底層 ／Ｚ−”！ｌｉ痰耳 第１図 第２図
タ装置の概要正面図、第２図は第１図の要部平面図、第
３図は従来のマグネトロンスパッタ装置の概要正面図、
第４図は従来のマグネトロンスパッタ装置のターゲット
を示す正面図である。 １・・・・・・ターゲット、４・・・・・基板、５・・
・・・基板ホルダー、８・・・・・・バンキングプレー
ト、１０・・・・・・磁石、１１・・・・・・磁石、１
２・・・・・磁界。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−ターゲット ｆｌ−−−ぞ底層 ／Ｚ−”！ｌｉ痰耳 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）ターゲットの裏面部近傍に磁界発生装置を設け、
前記磁界発生装置の少なくとも一部が前記ターゲット周
辺部より外側に配置され、前記ターゲットの表面全域に
漏洩磁界を発生させるように構成されたことを特徴とす
るマグネトロンスパッタ装置。 - （２）ターゲットは円環状に形成されたターゲットであ
って、磁界発生装置の少なくとも一部が前記ターゲット
内周辺部より内側に配置されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のマグネトロンスパッタ装置。 - （３）磁界発生装置はターゲット裏面部近傍を移動可能
なように構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項記載のマグネトロンスパッタ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170066A JPS6326360A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | マグネトロンスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170066A JPS6326360A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | マグネトロンスパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326360A true JPS6326360A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15897998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61170066A Pending JPS6326360A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | マグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102543354A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-04 | 河南师范大学 | 一种磁控溅射靶磁场源 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61170066A patent/JPS6326360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102543354A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-04 | 河南师范大学 | 一种磁控溅射靶磁场源 |
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