JPS58136061A - 複写プロセス制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、複写プロセス制御方法に１関する。

電子写真による複写プロセスの実施に用いられる光導電
性の感光体は、一般に、温度の変化によってその＠注が
変化する。ここにいう’％　Ｉ’ｌＥとは、静電ａ像電
位における、いわゆるγ特性のことである。このような
特性変化は、得られる複写画像における画質の変化をも
たらすものであって好ましくない。一般に、複写装置の
機内温度は、装置の使用を始めた状態と、長時間連続し
て使用した状態とで、変化するものであり、特に寒冷地
等では、そθ）程度が２０〜３０度にも達するし、そね
に応じて、拡光体の温度も、２０〜３０度変化する。

そこで、感光体の温度変化にかかわらす、安定したｉｌ
＋Ｉｉ％のべ与を得るために、複々プロセスを制御する
ことが必袈となる。

このような複写プロセス制御方式としては、従永、感光
体の基か温度を設定し、この挙準設定温度に対・応して
、帯電鴛、島光量、鉋、像バイアス等の設定基準値を定
め、こわら帯電量、露光量等の一以上乞可変量とし、感
光体の温度を検知して、その、基準設定温度とσ）差異
に応じて、上記可変知゛を変化させるという方式か提案
さねている。

しがし、感光体の特性の温度による変化には複雑なもの
も多く、上記θ）如き制御方式で不十分な場合が多い。

そこで、本発明は、より有効な複写プロセス制御方式の
提供を目的とする。

以下、本発明を説明する。本発明の特徴は、以下にのべ
るところにある。

すなわち、帯・電量、鉢光飼、和併バイアスを３種の可
変邦−として、こわらの設定基準値を感光体の示準設定
温展に対応して定め、感光体の温度ケ検知し、その検知
汎）度が、基準設定温度よりも高いか低いかに応じて、
変化させる■［変温の種類、もしくは絹合せをかえるの
である。

こθ）ようにすることにより、より有効な相等プロセス
制御１を行なうことか可能となる。

以下、具体的な例に即して説明する。

才１図は、ヒ素セレン感光体における、原稿製置と感光
体表面電位との関係、すなわち、静電潜１家電位におけ
るγ特性を示している。図中、符号１、−１で示す曲線
は、感光体温度２５℃のときの特性、曲線］−２，１−
３は、そねそね、感光体確度］５℃、３５℃のときの特
注を示している。以下、２５℃ン、感光体の、基準設定
温度に設定した場合を想定して説明する。

才２図は、ヒ素セレン感光体上に形成さねた電位分布と
、こね乞、乾式２成分現像剤による磁気ブラシ現像特性
を、現像バイアスをパラメーターとして示したものであ
る。曲線２−１．２−２．２−３に応じて、パラメータ
ーとしての現像ノ（イ７ス＆Ｘ、そわぞれ、１５０　Ｖ
、　　２５０　Ｖ　、　　３５０　Ｖである。書られる
伐写画１黴濃度は、高濃度側では飽オロし、低譲匿側で
は一足値に近づく。この低装置（ｉｌｌの限界値は、汲
写画像を担持する紙等の記録媒体自体Ｑ）反則濃度であ
る。

図において明らかなように、複写画像濃度は、感光体表
面電位に略比例１〜て上昇し、ついには飽和値に近づく
。この比和値は、槽、１ｙ剤中のトナーの色調、定眉特
１台二等により定まる。

なお、四組としているヒ糸セレン感光体とは、光導電層
をヒ素セレンで構成さねた感光体のことで・ぬる。

上記の如く、複写画像濃度は感光体表面電位に比例的に
変化する。従って、感光体のｉＭ　１４ｊ変化によって
、靜′亀潜揮のγ特１午に変化か生す才１は、こ−５＝ 、）１を、変化前と同じ条件で現像した場合、複写画イ
ψの像質に変化を生ずることは容易に理解されるであろ
う。

才１図を参照した場合、ヒ素セレン感光体にあっては、
大雑把にいって、設定された基準篇度よりも低温の場合
には、全体的に画像濃度か高くなって、地肌汚れの発生
の可能性があるし、逆に基準設定温度より高温では、全
体的に画像濃度は低くなる。

それゆえ、基準設定温度より高温の場合には、現像バイ
アスを下げ、逆の場合には、現像バイアスを上げるよう
に複写プロセスを制御することによって、ある程度まで
は、感光体の特性変化にもとづく複写画像の画質変化を
補償することができる。しかし、より詳細に、上記特注
変化を検討すると、上記の如きプロセス制御では不十分
であることかわかる。

すなわち、第１図をよく見ると、ヒ素セレン感光体の特
性は、温度が基準設定温度から変化した場合、低原稿濃
度伸１で大きく変り、高原稿濃度側　６一 では、変化か小さい。

そわゆえ、基準設定温度よりも低流の場合において、地
肌汚ねの防止を行なうには、低原稿濃度側における、大
ぎな特注変化に応じて、相当に現像バイアスを上げねけ
′／Ｉ！らないが、そうすると、俵与画像に於いては、
高画像濃度部の濃度が相対的に低下し５てし４う。置画
１家濃度部では感光体の特性変化か小さいからである。

逆に、基準設定温度より高温の場合は、低画像感度部で
、感光体表面電位か、他の部分に比して顕著に低下する
ので、現像バイアスを下げても、低画塚濃度での再塊註
は向上せす、原稿が低画像磯度で１代コントラストの場
合の俵写再現１生は向上しない。

そこで、本光明においては、このような場合には、基準
設定ｉ′品度たる２５℃より低温の場合には、現像バイ
アスを変化させ、烏温の場合には、電光童欠変化させる
という方法によって対処するのである。

このようにすわば、低温時における地肌汚れを解消でき
、高温時における低コントラスト画像の再現性を向上で
き、少くとも、現像バイアスの変化のみで、複写プロセ
スの制御をするよりも、有効に、複写プロセス制御を行
なうことができる。

具体的には、基準設定温度２５℃に対し、感光体の温度
Ｔが、Ｔく２５℃の場合は、現像バイアスＶｎ　　を、 ＶＢ　＝　ＶＢＱ　　＋　Ｋ　（Ｔ　−２５）に応じて
変化させ、Ｔ〉２５℃の場合には、絽光蓋Ｅを、 Ｅ＝Ａ−Ｅｏ　（Ｔ　−２５） に応じて変化させるのである。

ここに、ＶＢｏ、Ｅｏ　　は、そわぞれ現像バイアスお
よび露光量の、基準設定温度における設定基準１１区で
ある。

係数に、Ａは、個々の感光体に応じて、実験的に定むる
べきものであるか、ヒ累セレン感光体一般についての、
発明者の実暎によねば、−１５Ｖ＜Ｋ　＜’−５Ｖ、　
　−２，８％＜Ａ＜−１，４％である。温度が低くなる
につれて、現像バイアスは大きくなる。一方、露光量は
、温度が高くなるにつわて小さくなる。

しかし、上述の如き複写プロセス制１ＩＩＩｊを行って
も、基準設定温度よりも低温の場合における、画像濃度
の高い部分におけろ複写画像濃度の低下は、防止できな
い。

このような画像製置の低下を防止して、より完全な複写
プロセス制御を行なうには、基準設定温度よりも低温の
場合に、現像バイアスを変化させるかわりに、帯電量を
変化させるとよい。あるいは、現像バイアスと帯電量の
双方を変化させてもよい。

才３図において、曲線、３−１，３−２．３−３は、そ
れぞわ、帯′屯電流７８μＡ　７ｃｍ　、　９２μＡ／
ＩＺ７ノＬ２、］　０６　、ｃｚＡ　／　ｏｒｔ　　テ
、感光体Ｖ、６００ｖ、７００　Ｖ、　　８００　Ｖに
帯電させたときの、γ特性を示している。この図から分
るように、基準設定温度９− より低温の場合には、帯電電流を増大させて帯電量を増
大させるか、あるいは、それとともに現像バイアスな犬
ぎくすることによって、より完全な複写プロセス制御を
行うことができる。なお、矛３図に示す結果は、感光体
の線速１．２０　ｍｍ　／　ｓ　ｅ　ｃのときのもので
ある。

現像バイアスの変化とともに帯電量を変化させる場合、
現像バイアスの変化が、前述の式に従うとすれば、帯電
量を規制する帯電電流工の変化は、Ｉｏ　　を設定基準
値として、 Ｉ　””　Ｉｏ＋ε（２５−Ｔ　） に応じて変化させればよい。εの値は、ヒ素セレン感光
体一般については、−０，１ないし一２μＡ程度である
。

このように、基準設定温度を境として、変化させる可変
量の種類、組合せをかえることによって、より適切な、
複写プロセス制御を行うことができる。

１・４図は、塩素等のハロゲンをドープしたセレー］〇
− ン・テルル系感光体のγｔ＋＋性を示している。

曲線４−］、４−２．４−３に応じて、感光体温度は、
そ牙９そわ２５℃、］５５℃３５℃である。

このような場合、基準設定温度を２５℃　とすねは、そ
、１１より低温の場合は籾、像バイアスを、犬きくする
ように変化させ、高温の場合には、帯電量を増大させる
ように変化させるか、あるいは、高温時には現像バイア
スを小さくする方向に変化させるとともにｔ客光量をノ
胃加させろ方向へ変化させ、低温時には、現１メバイア
スを大きくする方向へ変化さぜわばよい。

なお、本発明は、上記説明例に限定されるものではなく
、種々の場合に変形適用できる。

また、露光量を変化させるには、原稿照明ランプへの供
給゛電力を変化させねばよく、帯電量の変化はチャージ
ャーへの印加電圧の調整により可能である。

【図面の簡単な説明】

４’　１図は、ヒ紫セレン感光体における、特性の娼肢
による変化を示す図、２・２図は、磁気ブラシ現像のγ
特性を説明するための図、２・３図は、ヒ素セレン感光
体における、帯電量によるγ躬・性の変化を示す図、刃
・４図は、ハロゲンドーグセレン・テルル系感光体にお
ける特性の温度による変化ケ示す図である。 ノ形１　（財） ′Ｖ、゛ 形σ園 市　な １’ｊＪヒ’、（＋ｌｒｍ’＠（ｆｒ−市　４吻

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　感光体の温度を検知し、その検知結果にもとづき
   、帯電量、格光量等σ）盲−１変量の１以上を、基準設
   定値から変化させて、温度変化による感光体の特１’ｌ
   Ｅ変化を補償する方式において、帯電量、露光量、現像
   バイアス乞３種の可変量とし、 感光体の基準設定温度に対応して、こわら可変量の設定
   基準値を定め、 上記基準設定温度より高温の場合と、低温の場合とで、
   変化させる可変量の種類、もしくは組合せをかえること
   を特徴とする、複写プロセス副側１方法。 ２８　　特許請求の範囲ぢ・１項において、感光体の光
   導゛屯層か、ヒ索セレンで構成さ４ており、感光体が基
   準設定ｒＭ度より旨温では露光量を設定胎準値よりも低
   くなるように変化させ、感光体の基準設定温度より低温
   では、川縁バイアスを設定基準値よりも高くなるように
   変化させ、かつ帯電量を設定基準値よりも大きくなるよ
   うに変化させることを特徴とする、複写プロセス制御方
   法。 ３、　特許請求の範囲一４□　］項において、感光体が
   、ハロゲンドープセレン・テルル系感光体であって、感
   光体が基準設定温度より高温では現像バイアスを、設定
   基′ｌ←値より高くなるように変化させ、基準設定温度
   より低温では、帯電量を設定基準値より大きくなるよう
   に変化させろことを特徴とする、複写プロセス制御方法
   。