JPS5813611A - ポリオレフインの架橋方法 - Google Patents
ポリオレフインの架橋方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリオレフィンの架橋方法番こ関し、更に詳し
くは有機過酸化物()ぐ−オキシド)および紫外線増感
剤をあらかじめ混入させてなるポリオレフィンに高圧水
銀灯を照射することを特徴とするポリオレフィンの架橋
方法に関する。
くは有機過酸化物()ぐ−オキシド)および紫外線増感
剤をあらかじめ混入させてなるポリオレフィンに高圧水
銀灯を照射することを特徴とするポリオレフィンの架橋
方法に関する。
従来、ポリオレフィンの架橋方法としては7X11−オ
キサイドの如きラジカル開始剤を添加して加熱する化学
架橋法、ポリオレフィンに電離性放射線を照射してラジ
カルを発生させて架橋する照射架橋法が知られている。
キサイドの如きラジカル開始剤を添加して加熱する化学
架橋法、ポリオレフィンに電離性放射線を照射してラジ
カルを発生させて架橋する照射架橋法が知られている。
しかし乍ら化学架橋法においては、架橋の完成には多量
の熱と長時間(普通30分前後以上)を要する。あるい
は縁側な架橋設備が必要である等の難点があり、一方照
射架橋法では高価でかつ安全装置を施した照射装置が必
要であり、また高エネルギー線の照射のためポリマー自
身が分解するおそれがあり9、適正な架橋条件の把握が
困難であるという難点があるため工業的に簡便な架橋方
法であるとは云い難い。
の熱と長時間(普通30分前後以上)を要する。あるい
は縁側な架橋設備が必要である等の難点があり、一方照
射架橋法では高価でかつ安全装置を施した照射装置が必
要であり、また高エネルギー線の照射のためポリマー自
身が分解するおそれがあり9、適正な架橋条件の把握が
困難であるという難点があるため工業的に簡便な架橋方
法であるとは云い難い。
本発明者らはかかる状況に鑑がみ、簡便、かつ短時間で
架橋完成できるポリオレフィンの架橋方法につき種々検
討したところ、特許請求の範囲記載の方法で、目的が達
せられることを見出し、本発明を完成した。
架橋完成できるポリオレフィンの架橋方法につき種々検
討したところ、特許請求の範囲記載の方法で、目的が達
せられることを見出し、本発明を完成した。
本発明の特徴は紫外線照射光源として高圧水銀灯を用い
ることである。紫外線光源としてはほかに中圧、あるい
は低圧水銀灯あるいはカーボンアーク等が知られている
が、これらを光源として用いた場合には殆ど認めうる架
橋は生じないのであって、本発明においては高圧水銀灯
1 照射が必須の条件となる。この理由は完全には□明
らかではないけれども、高圧水銀灯においてはより長波
長(たとえば280〜aOO*荒)域の紫外線強度が強
くこれが本発明にて用いるパーオキシドおよび紫外線増
感剤による架橋反応の効率を高めていると考えられる。
ることである。紫外線光源としてはほかに中圧、あるい
は低圧水銀灯あるいはカーボンアーク等が知られている
が、これらを光源として用いた場合には殆ど認めうる架
橋は生じないのであって、本発明においては高圧水銀灯
1 照射が必須の条件となる。この理由は完全には□明
らかではないけれども、高圧水銀灯においてはより長波
長(たとえば280〜aOO*荒)域の紫外線強度が強
くこれが本発明にて用いるパーオキシドおよび紫外線増
感剤による架橋反応の効率を高めていると考えられる。
本発明に於けるポリオレフィンとはポリエチレン(低密
度、中高密度、低圧法低密度ポリエチレンを含む)、ポ
リプロピレン、エチレン・プロピレンコポリマー、エチ
レン酢酸ビニルコポリマー(FiVA)、エチレンアル
キルアクリレートコポリマーであり、就中、ポリエチレ
ンおよびgVAが好ましい。 □ 本発明で用いる紫外i増感剤は紫外線によるn−π1励
起が行える化合物、即ちカルボニル化合物であるが、中
でも芳香族カルボニル化合物およびキノン類が好まじく
、かかる好ましい紫外線増感剤としてはベンゾフェノン
類、例えば、p−クロルベンゾフェノン、ベンゾフェノ
ン、p−’)エチルアミノベンゾフェノン、アセトフェ
ノン類2例えば、アセトフェノン、ω−クロロ′アセト
フェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、アントラキ
ノン類1例えば、1−クロルアントラキノン、2−メチ
ルアントラキノントラキノン、2−ニトロアニトラキノ
ン、ベンゾイン類1例えば、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル。
度、中高密度、低圧法低密度ポリエチレンを含む)、ポ
リプロピレン、エチレン・プロピレンコポリマー、エチ
レン酢酸ビニルコポリマー(FiVA)、エチレンアル
キルアクリレートコポリマーであり、就中、ポリエチレ
ンおよびgVAが好ましい。 □ 本発明で用いる紫外i増感剤は紫外線によるn−π1励
起が行える化合物、即ちカルボニル化合物であるが、中
でも芳香族カルボニル化合物およびキノン類が好まじく
、かかる好ましい紫外線増感剤としてはベンゾフェノン
類、例えば、p−クロルベンゾフェノン、ベンゾフェノ
ン、p−’)エチルアミノベンゾフェノン、アセトフェ
ノン類2例えば、アセトフェノン、ω−クロロ′アセト
フェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、アントラキ
ノン類1例えば、1−クロルアントラキノン、2−メチ
ルアントラキノントラキノン、2−ニトロアニトラキノ
ン、ベンゾイン類1例えば、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル。
2−メチルベンゾイン、ベンジル類1例えば。
ベンジル、ベンジルメチルケタル、キノン類。
例えば、ベンゾキノン、ナフトキノン、インダンスレン
、メナジオン、アンスロン類1例えばアンスロン等が挙
げられる。就中、特に好ましイ紫外線増感剤はベンゾフ
ェノン、p−クロルベンゾフェノン、ベンゾインアルキ
ルエーテル類およびナフト苓ノンである。
、メナジオン、アンスロン類1例えばアンスロン等が挙
げられる。就中、特に好ましイ紫外線増感剤はベンゾフ
ェノン、p−クロルベンゾフェノン、ベンゾインアルキ
ルエーテル類およびナフト苓ノンである。
また本発明で用いる前記パーオキシドとしては通常の有
機パーオキシドが用いうるが中でも分子内に芳香環もし
くはカルボニル基を少なくとも1個含有するものが好ま
しい。かかるパーオキシドの例としては例えばジー第三
ブチル・パーオキシド、第三ブチル・クミル・ノf−オ
キシド、ジクミル・パーオキシド、2.5−ジメチル−
2,5−ジ(第三ブチル・パーオキシ)ヘキサン、2.
5−ジメチル−2,5−ジ(第三ブチル・パーオキシ)
ヘキシン−3、L3−ビス(第三ブチル・パーオキシ・
イソプロピル)ベンゼン。
機パーオキシドが用いうるが中でも分子内に芳香環もし
くはカルボニル基を少なくとも1個含有するものが好ま
しい。かかるパーオキシドの例としては例えばジー第三
ブチル・パーオキシド、第三ブチル・クミル・ノf−オ
キシド、ジクミル・パーオキシド、2.5−ジメチル−
2,5−ジ(第三ブチル・パーオキシ)ヘキサン、2.
5−ジメチル−2,5−ジ(第三ブチル・パーオキシ)
ヘキシン−3、L3−ビス(第三ブチル・パーオキシ・
イソプロピル)ベンゼン。
n−ブチル−4,4−ビス(第三ブチル・)s++−オ
キシ)バレレート、ベンゾイル・パーオキシド。
キシ)バレレート、ベンゾイル・パーオキシド。
p−クロロ・ベンゾイル・パーオキシド、2.4−ジク
ロロ・ベンゾイル・パーオキシド、第三ブチル・パーオ
キシ・ベンゾエート、第三ブチル・パーオキシ・イソプ
ロピル・カルボナート。
ロロ・ベンゾイル・パーオキシド、第三ブチル・パーオ
キシ・ベンゾエート、第三ブチル・パーオキシ・イソプ
ロピル・カルボナート。
第三ブチル・パーベンゾエート等が挙げられ、中でも好
ましいパーオキシドとしては、第三ブチル・クミルパー
オキシド、ジクミルノf−オキシド、1.5−ビス(第
三ブチル・パーオキシ・イソプロピル)ベンゼン、ベン
ゾイルパーオキシド、第三ブチルパーオキシ・ベンゾエ
ート。
ましいパーオキシドとしては、第三ブチル・クミルパー
オキシド、ジクミルノf−オキシド、1.5−ビス(第
三ブチル・パーオキシ・イソプロピル)ベンゼン、ベン
ゾイルパーオキシド、第三ブチルパーオキシ・ベンゾエ
ート。
第三ブチルパーベンゾエートが挙げられる。
本発明における各添加剤の使用量範囲はポリオレフィン
樹脂基材100部(重着部、以下同じ)当りそれぞれパ
ーオキシド001〜5部、好ましくは0.05〜5部、
光増感剤005〜10部、好ましくは0.1〜5部の範
囲である。
樹脂基材100部(重着部、以下同じ)当りそれぞれパ
ーオキシド001〜5部、好ましくは0.05〜5部、
光増感剤005〜10部、好ましくは0.1〜5部の範
囲である。
本発明での光照射は前記の通り波長域200〜401H
+mの範囲の紫外線を発生する高圧紫外線ランプを用い
て行なう。照射光波長が前記範囲より短かい場合は母体
ポリオレフずンの劣化を来たし、長波長の場合は充分な
架橋度が得られない。また照射時間は特に制限はないが
、たとえば10秒以上30分以内程度である。
+mの範囲の紫外線を発生する高圧紫外線ランプを用い
て行なう。照射光波長が前記範囲より短かい場合は母体
ポリオレフずンの劣化を来たし、長波長の場合は充分な
架橋度が得られない。また照射時間は特に制限はないが
、たとえば10秒以上30分以内程度である。
尚、紫外線照射は空気中で行なっても充分な結果が得ら
れるが、パーオキシド含装置が多いな結果が得られる。
れるが、パーオキシド含装置が多いな結果が得られる。
而して本発明の組成物は通常の混線方法、たとえばロー
ルミル、ヘンシェルミキサー、ニーダ−、イクストルー
ダー等を用いて容易に製造でき、プレス法、ブロー成型
、射出成型等の手段でフィルム状、テープ状、あるいは
シート状等所要の形態としたあと、連続的又はバッチ式
に紫外線を照射して目的の架橋体を比較的短時間で得る
ことが出来る。云うまでもなく本発明の組成物にはポリ
オレフィンに通常の老化防止剤、酸化防止剤、紫外線防
止剤、帯電防止剤、滑剤等の各種添加剤を併用して用い
てもよい。
ルミル、ヘンシェルミキサー、ニーダ−、イクストルー
ダー等を用いて容易に製造でき、プレス法、ブロー成型
、射出成型等の手段でフィルム状、テープ状、あるいは
シート状等所要の形態としたあと、連続的又はバッチ式
に紫外線を照射して目的の架橋体を比較的短時間で得る
ことが出来る。云うまでもなく本発明の組成物にはポリ
オレフィンに通常の老化防止剤、酸化防止剤、紫外線防
止剤、帯電防止剤、滑剤等の各種添加剤を併用して用い
てもよい。
以下、実施例、比較例により、本発明を更にくわしく説
明する。
明する。
実施例1〜7、比較例1〜5
樹脂基材として低密度ポリエチレン、ユ、カロンZF3
0(商品名、三菱油化製、メルトインデックス1.0、
密度0.920 )又は、ユカロンY K、 s o
(商品名、三菱油化製、メルトインデックス4.0、密
度0.924 )を用い、表1に示すごとく、紫外線増
感剤としてベンゾフェノン(略号HPH)’、ベンゾイ
ンエチルエーテル(BgB)、塩素化アセトフェノン(
0,A P )を、有機過酸化物としてジクミルパーオ
キサイド(略号DCP)、、2.5−ジメチル−2,5
−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキすン(HPH)を
有する組成物を用いて、実施例1〜7、比較例1〜5の
試料を次に示すA−’Oのいずれかの方法により作成し
た。
0(商品名、三菱油化製、メルトインデックス1.0、
密度0.920 )又は、ユカロンY K、 s o
(商品名、三菱油化製、メルトインデックス4.0、密
度0.924 )を用い、表1に示すごとく、紫外線増
感剤としてベンゾフェノン(略号HPH)’、ベンゾイ
ンエチルエーテル(BgB)、塩素化アセトフェノン(
0,A P )を、有機過酸化物としてジクミルパーオ
キサイド(略号DCP)、、2.5−ジメチル−2,5
−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキすン(HPH)を
有する組成物を用いて、実施例1〜7、比較例1〜5の
試料を次に示すA−’Oのいずれかの方法により作成し
た。
し試料作成法〕
〔A〕 低密度ポリエチレン(YK50又はZr2O
)に、表1に示す割合で紫外線増感剤及び有機過酸化物
を混合し、110℃に保ったロールで5分間混線後ペレ
タイザーによりペレ・ット化した。このコンポランドを
130℃に保ったブラベンダー押出機とフィルムブロー
装置を用いて、押出速度、空気圧等の条件を調整するこ
とにより厚さ100′μ鶏のインフレーションフィルム
とした。
)に、表1に示す割合で紫外線増感剤及び有機過酸化物
を混合し、110℃に保ったロールで5分間混線後ペレ
タイザーによりペレ・ット化した。このコンポランドを
130℃に保ったブラベンダー押出機とフィルムブロー
装置を用いて、押出速度、空気圧等の条件を調整するこ
とにより厚さ100′μ鶏のインフレーションフィルム
とした。
CB] 低密度ポリエチレンに対し、紫外線増感剤及
び有機過酸化物を表1の割合番こてブ1 ラベンダー押出機に直接加え、130℃に保った押出し
機により均一に分散させ混練シ、フイルムブローユニッ
トヲ用イて上記(A)と同様の方法で100μm厚のフ
ィルムとした。
び有機過酸化物を表1の割合番こてブ1 ラベンダー押出機に直接加え、130℃に保った押出し
機により均一に分散させ混練シ、フイルムブローユニッ
トヲ用イて上記(A)と同様の方法で100μm厚のフ
ィルムとした。
〔C〕 低密度ポリエチレン番こ対し、表11こ示す割
合で紫外線増感剤及び有機過酸化物を?lt合L、1t
o℃に保ったロールで5分間混線後、140℃に保った
圧縮成型機で厚さ03■のシートとした。
合で紫外線増感剤及び有機過酸化物を?lt合L、1t
o℃に保ったロールで5分間混線後、140℃に保った
圧縮成型機で厚さ03■のシートとした。
前記各サンプル片(30x100mm)iこ対し次に示
す条件により光照射を行なった。
す条件により光照射を行なった。
(イ)実施例1〜5:サンプル片の両端を支持棒に固定
し、流水による水冷と空気流による空冷をほどこした光
源(4JtW高圧水銀灯、日本電池部HI−40LW、
出力4kW)により、試料の片面から光を照射した。尚
光源から試料面までの距離、照射時間、試料温度は表1
に示した。
し、流水による水冷と空気流による空冷をほどこした光
源(4JtW高圧水銀灯、日本電池部HI−40LW、
出力4kW)により、試料の片面から光を照射した。尚
光源から試料面までの距離、照射時間、試料温度は表1
に示した。
(口] 実施例4〜7:光源を500W高圧水銀灯(日
本電池製、出力500W)lこ変え、上記(イ)と同様
の方法で試料に光照射した。光源から試料面までの距離
、照射時間、試料温度は表1に示した。
本電池製、出力500W)lこ変え、上記(イ)と同様
の方法で試料に光照射した。光源から試料面までの距離
、照射時間、試料温度は表1に示した。
e慢 比較例1〜5:光源を低圧水銀灯(耐圧硝子製
、出力500W)に変え、上記(イ)と同様の方法で試
料に光照射した。光源から試料面までの距離、照射時間
、試料温度は表1に示した。
、出力500W)に変え、上記(イ)と同様の方法で試
料に光照射した。光源から試料面までの距離、照射時間
、試料温度は表1に示した。
次いで、光照射の効果を確認するため照射後の各試料の
ゲル分率を測定した。得られた結果を表1に示す。
ゲル分率を測定した。得られた結果を表1に示す。
尚、ここでいうゲル分率とは、ポリオレフィン樹脂を1
50メツシユの金網のカゴに入れ、90℃キシレンで2
4時間抽出を行ない、乾燥させた後の熱キシレン不溶分
の重1%を言う。
50メツシユの金網のカゴに入れ、90℃キシレンで2
4時間抽出を行ない、乾燥させた後の熱キシレン不溶分
の重1%を言う。
Claims (1)
- 1、 ポリオレフィンを架橋するに当り、有機過酸化物
、紫外線増感剤をそれぞれあらかじめ混入させたポリオ
レフィンに高圧水銀灯を照射することを特徴とするポリ
オレフィンの架橋方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11174181A JPS5813611A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | ポリオレフインの架橋方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11174181A JPS5813611A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | ポリオレフインの架橋方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5813611A true JPS5813611A (ja) | 1983-01-26 |
| JPS6351444B2 JPS6351444B2 (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=14569004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11174181A Granted JPS5813611A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | ポリオレフインの架橋方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5813611A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492601A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-10 | ||
| JPS5127466A (ja) * | 1974-08-30 | 1976-03-08 | Toshiba Electric Equip | Shokosochi |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP11174181A patent/JPS5813611A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492601A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-10 | ||
| JPS5127466A (ja) * | 1974-08-30 | 1976-03-08 | Toshiba Electric Equip | Shokosochi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351444B2 (ja) | 1988-10-14 |
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