JPS58138032A - アルミニウム配線の腐蝕防止方法 - Google Patents
アルミニウム配線の腐蝕防止方法Info
- Publication number
- JPS58138032A JPS58138032A JP57019824A JP1982482A JPS58138032A JP S58138032 A JPS58138032 A JP S58138032A JP 57019824 A JP57019824 A JP 57019824A JP 1982482 A JP1982482 A JP 1982482A JP S58138032 A JPS58138032 A JP S58138032A
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- JP
- Japan
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- organic film
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/68—Organic materials, e.g. photoresists
- H10P14/683—Organic materials, e.g. photoresists carbon-based polymeric organic materials, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体集積回路装置のアル＜ ’＝ニウム
以下態という）配線が腐蝕するのを防止する方法に関す
るものである。
以下態という）配線が腐蝕するのを防止する方法に関す
るものである。
従来、Ｍ配線の腐蝕防止方法としては、半導体集積回路
装置の製造工程において、Ｍ配線を形成した後に１純水
ボイル中酸素プラズマ処ｆｆｉを行うことＫよＪ）％Ｍ
衣表面アルミナに変質させる方法や、パッシベーション
膜に窒化膜を使用する方法があった。
装置の製造工程において、Ｍ配線を形成した後に１純水
ボイル中酸素プラズマ処ｆｆｉを行うことＫよＪ）％Ｍ
衣表面アルミナに変質させる方法や、パッシベーション
膜に窒化膜を使用する方法があった。
Ｍ配線の腐蝕現象は、パツシベーシヨン膜や半導体集積
回路装置の組立後のモールド膜に含まれた例えばリンや
塩素などの不純物が大気中から吸収された水分Ｋ１１ｌ
解し、塩酸中リン酸となｐｌこれらの酸によりてＭが腐
蝕すると考えられている。
回路装置の組立後のモールド膜に含まれた例えばリンや
塩素などの不純物が大気中から吸収された水分Ｋ１１ｌ
解し、塩酸中リン酸となｐｌこれらの酸によりてＭが腐
蝕すると考えられている。
このような腐蝕現象に対してＭ配線の表面をアルミナに
変えても、アル建す自体に親水性があり、またアルミナ
膜厚も薄い九めに、水分の侵入に対して保護効果は少な
く、僅かなピンホールなどからの腐蝕に対しては、これ
を避けることはできなかった。
変えても、アル建す自体に親水性があり、またアルミナ
膜厚も薄い九めに、水分の侵入に対して保護効果は少な
く、僅かなピンホールなどからの腐蝕に対しては、これ
を避けることはできなかった。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたもので、Ｍ
配線部をプラズマデポジション有機系膜で被覆すること
によ）、Ｍ配線部に水分が侵入することを防止し、Ｍ配
線の腐蝕を筒便に防止できる方法を提供することを目的
としている。
配線部をプラズマデポジション有機系膜で被覆すること
によ）、Ｍ配線部に水分が侵入することを防止し、Ｍ配
線の腐蝕を筒便に防止できる方法を提供することを目的
としている。
以下、この発明の一実施例につ１１第１図−）ないしく
Ｃ）を参照して説明する。第１図（ａ）において、１は
半導体基板、２は半導体基板１に形成した不純物拡散層
、３はフィールド酸化膜、番は中間絶縁膜、ＳはＭ配線
であり、第１図（ａ）Ｋ示すものは、通常の半導体集積
回路装置の製造工程によって形成される。第１図Φ）に
示すようＫＳＡｔ配線６を形成した後に１有機系膜６を
厚さ１００〜１００ＯＡ形成してＭ配ＩＩ５部を被覆す
る。この有機系膜６を形成するには、従来からドライエ
ツチング装置として使用されている装置を用いて行うこ
とができる。この装置は、例えは減圧容器内に陰極と陽
極とを対向させて配置し、前記容器の中和例えばＣＰ、
とＨ２などのガスを導入し、前記両電極間に高周波電圧
を印加してプラズマを発生させる装置である。このよう
な装置内でプラズマを発生させる場合に、ガスの種類お
よび条件によって有機系膜がデポジションすることがあ
る。例えば、ＣＦａｖ一対してルの混合比が５０％以上
で圧力がＱ、ｌ ｔｏｒｒ以上の条件で、デポジション
膜が生成し、マタＣｔＦｓとＣＨＦ、ガスを用いる場合
にも、混合比が６０％、圧力が０．５ ｔｏｒｒ以上で
デポジション膜が生成する。
Ｃ）を参照して説明する。第１図（ａ）において、１は
半導体基板、２は半導体基板１に形成した不純物拡散層
、３はフィールド酸化膜、番は中間絶縁膜、ＳはＭ配線
であり、第１図（ａ）Ｋ示すものは、通常の半導体集積
回路装置の製造工程によって形成される。第１図Φ）に
示すようＫＳＡｔ配線６を形成した後に１有機系膜６を
厚さ１００〜１００ＯＡ形成してＭ配ＩＩ５部を被覆す
る。この有機系膜６を形成するには、従来からドライエ
ツチング装置として使用されている装置を用いて行うこ
とができる。この装置は、例えは減圧容器内に陰極と陽
極とを対向させて配置し、前記容器の中和例えばＣＰ、
とＨ２などのガスを導入し、前記両電極間に高周波電圧
を印加してプラズマを発生させる装置である。このよう
な装置内でプラズマを発生させる場合に、ガスの種類お
よび条件によって有機系膜がデポジションすることがあ
る。例えば、ＣＦａｖ一対してルの混合比が５０％以上
で圧力がＱ、ｌ ｔｏｒｒ以上の条件で、デポジション
膜が生成し、マタＣｔＦｓとＣＨＦ、ガスを用いる場合
にも、混合比が６０％、圧力が０．５ ｔｏｒｒ以上で
デポジション膜が生成する。
このようにして得られたデポジション膜の組成は、元素
分析の結果、炭素が３０〜８５Ｘ、弗素が６０〜７０％
であ）、残りが窒素、酸素、水素などからなっている。
分析の結果、炭素が３０〜８５Ｘ、弗素が６０〜７０％
であ）、残りが窒素、酸素、水素などからなっている。
ただし、これは特定できる膜ではなく、ＣＦ、を単位と
する種々の重合度の集会体であると考えられるが、これ
Ｋついては現在まだ確認されていない。そして、この有
機系膜は、疎水性であシ熱的性質としては６７ Ｏ’に
付近で分解する性質をもっている。これは、第２図に示
す走査警示差熱量測定結果から明らかである。なお、前
記熱量測定は、Ｄ８Ｃ５ｅｎｃｓ＋ ８ｍｃａｔ／ｓｅ
ｃ、ヒーティングレート１６℃／ｍｉｎ、ガス７０−レ
ート２０ ｃｃ／ｍｉｎ （Ｎ、）、ナンプル重量１４
４２９ｍｇ％温度範囲３１０〜ｅ ｓ ｏ製ｏ条件で行
ったものである。
する種々の重合度の集会体であると考えられるが、これ
Ｋついては現在まだ確認されていない。そして、この有
機系膜は、疎水性であシ熱的性質としては６７ Ｏ’に
付近で分解する性質をもっている。これは、第２図に示
す走査警示差熱量測定結果から明らかである。なお、前
記熱量測定は、Ｄ８Ｃ５ｅｎｃｓ＋ ８ｍｃａｔ／ｓｅ
ｃ、ヒーティングレート１６℃／ｍｉｎ、ガス７０−レ
ート２０ ｃｃ／ｍｉｎ （Ｎ、）、ナンプル重量１４
４２９ｍｇ％温度範囲３１０〜ｅ ｓ ｏ製ｏ条件で行
ったものである。
したがって、有機系膜６を形成した後に、第２図（Ｃ）
Ｋ示すように、半導体基１［１の表面に被着するパッ
ジベージ目ン膜）は、６７００に以下の温度で成膜でき
るもの、例えばグッズマデポジシ冒ンによるパッジ日ペ
ージ冒ン膜を用いる必要がある。
Ｋ示すように、半導体基１［１の表面に被着するパッ
ジベージ目ン膜）は、６７００に以下の温度で成膜でき
るもの、例えばグッズマデポジシ冒ンによるパッジ日ペ
ージ冒ン膜を用いる必要がある。
なお、この実施例の方法で、パッド部にデポジションさ
れた有機系膜は、パッシベーション工程のリソグラフィ
後に、レジストを除去する際に、酸素プラズマ処理を行
う時に同時に除去されてしまうので、特別な除去工１！
管設ける必要がない。
れた有機系膜は、パッシベーション工程のリソグラフィ
後に、レジストを除去する際に、酸素プラズマ処理を行
う時に同時に除去されてしまうので、特別な除去工１！
管設ける必要がない。
前述したように１この実施例によるＭ配線の腐蝕防止方
法は、Ｍ配線部をプラズマデポジシｌン有機系膜で被覆
したものである。そして、この有機系膜は、７レオン系
ガスと水素または水素を分子内に含むガスを用いてプラ
ズマデボジシ冒ンするものであるため、水に溶解してＭ
ｔ腐蝕させるような不純物、例えばりンシリケートガラ
ス（Ｐ２Ｏ）中のリンやポリイギド中の塩素のような不
純物を含んでおらず、また水分に対しては疎水性をもっ
ているために１水の進入管防止できるという利点がある
。さらに、有機系膜のデポジションには特別な装置を用
いる必要はなく、通常ドライエツチング装置として使わ
れているものを使用できる。
法は、Ｍ配線部をプラズマデポジシｌン有機系膜で被覆
したものである。そして、この有機系膜は、７レオン系
ガスと水素または水素を分子内に含むガスを用いてプラ
ズマデボジシ冒ンするものであるため、水に溶解してＭ
ｔ腐蝕させるような不純物、例えばりンシリケートガラ
ス（Ｐ２Ｏ）中のリンやポリイギド中の塩素のような不
純物を含んでおらず、また水分に対しては疎水性をもっ
ているために１水の進入管防止できるという利点がある
。さらに、有機系膜のデポジションには特別な装置を用
いる必要はなく、通常ドライエツチング装置として使わ
れているものを使用できる。
以上説明したように、この発明による態配線の腐蝕防止
方法では、Ｍ配線をプラズマデボジショ／有機系膜で被
覆して保饅することができ、この有機系膜は水に溶解し
てｍｌ腐蝕する不純物含金まず、ｔた疎水性であって水
の侵入に対し嵐好な耐水性をもっており、Ｍ配線の耐腐
蝕保１ｍ１Ｋとしてすぐれてお１．６７Ｇ’に以上Ｏ高
温に曝されない半導体集積回路装置に用いて、簡便ＫＭ
配曽Ｏ腐蝕を防止できる効果がある。
方法では、Ｍ配線をプラズマデボジショ／有機系膜で被
覆して保饅することができ、この有機系膜は水に溶解し
てｍｌ腐蝕する不純物含金まず、ｔた疎水性であって水
の侵入に対し嵐好な耐水性をもっており、Ｍ配線の耐腐
蝕保１ｍ１Ｋとしてすぐれてお１．６７Ｇ’に以上Ｏ高
温に曝されない半導体集積回路装置に用いて、簡便ＫＭ
配曽Ｏ腐蝕を防止できる効果がある。
籐１図（ａ）、（ロ）、（Ｃ）はこの発明の一実施例に
よるＭ配線の腐蝕防止方法を工＠Ｉ［Ｋ示す断面図、第
２図はプラズマデボジシ曹ン有機系膜の示差熱−線図で
ある。 １・・・半導体基板、２・・・拡散層、３・・・フィー
ルド酸化膜、４・・・中間絶縁膜、６・・・Ｍ配線、６
・・・有機系１１．７・・・バッジベージ曹ン膜。
よるＭ配線の腐蝕防止方法を工＠Ｉ［Ｋ示す断面図、第
２図はプラズマデボジシ曹ン有機系膜の示差熱−線図で
ある。 １・・・半導体基板、２・・・拡散層、３・・・フィー
ルド酸化膜、４・・・中間絶縁膜、６・・・Ｍ配線、６
・・・有機系１１．７・・・バッジベージ曹ン膜。
Claims (1)
- 半導体集積回路装置を製造するに尚１１、アルオニウム
配線管形成した後に１プラズマデポジシヨンで高分解点
を有する有機系膜を形成してアルミニウム配線部を被覆
し、その後にパッシベーション膜を被着形成することを
特徴とするアルミニウム配線の腐蝕防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019824A JPS58138032A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | アルミニウム配線の腐蝕防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019824A JPS58138032A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | アルミニウム配線の腐蝕防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138032A true JPS58138032A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12010050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57019824A Pending JPS58138032A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | アルミニウム配線の腐蝕防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138032A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194643A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-27 | Fujitsu Ltd | 配線構造 |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57019824A patent/JPS58138032A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194643A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-27 | Fujitsu Ltd | 配線構造 |
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