JPS58138056A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58138056A
JPS58138056A JP57021604A JP2160482A JPS58138056A JP S58138056 A JPS58138056 A JP S58138056A JP 57021604 A JP57021604 A JP 57021604A JP 2160482 A JP2160482 A JP 2160482A JP S58138056 A JPS58138056 A JP S58138056A
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JP
Japan
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region
solder
layer
fused
semiconductor pellet
Prior art date
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Pending
Application number
JP57021604A
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English (en)
Inventor
Shigeo Iki
伊木　茂男
Michio Irie
三千夫 入江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS58138056A publication Critical patent/JPS58138056A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、絶縁基体を用いた半導体装置、例えばトラ
ンジスタをエミッタ接地構造で使用することができるよ
うＫした半導体装置に関するものである。
第１図に一般に用いられているエミッタ接地層トランジ
スタの内部構造を示す。この構成を組立方法とともに説
明する。
半導体ペレット（例えば引ペレット）９を１表面を金属
化した絶縁基体（例えばＢｅ０４ａｉｉ））　１０上に
はんだ（例えばＡｕ−８ｉ共晶）１１を用いて融着する
。
次に、半導体ペレット口を融着した絶縁基体１０を、ヘ
ッダ１にはんだ１２を用いて融着する０次に、金属細線
（例えばＡｕ締）１を用い、半導体ペレット９上に形成
されたエミッタ電極とヘッダ１とを電気的に接続する。
さらに金属細Ｉｓ６を用い、半導体ペレット９上に形成
されたベース電極と外部電極３とを、また、金属細線８
を用い、絶縁基体１００表面と外部電ＩＩｋ、４とｔＩ
Ｉ続する。
外部電極３がペース端子に、外部電極４がコレタタ端子
に、ヘッダ１のボディおよび外部電極５がエミッタ端子
となる。次に、金属性のキャップ１３をヘッダｌＫ１１
ｌ接し、半導体装置が完成する。なお、２はガラス層で
、外部電Ｉｔｓ、　４をヘッダ１と絶縁するためのもの
である。
上記のような従来構造のトランジスタにおいては次のよ
うな不具合があった。すなわち、■　半導体ベレット９
を絶縁基体１０上に融着する際にはんだ１１が表面を金
属化した絶縁基体１０上に大きく広がり、金属層線８を
接続すべき領域まで広がることがあること。
■　Ａｕ−８３共晶のはんだ１１を溶融した場合、Ａｕ
−８ｉ共晶中のＳｉが酸化し、はんだ表面に酸化膜が形
成され、一般に用いられる金属層線の接続方法である熱
圧着方法では金属細線の接続ができなくなる。このよ５
Ｋａｕ−８Ｊ共晶のはんだ１１の広がりが発生した場合
、金属細線のｗ！続ができなくなり、アセンブリ歩留り
の低下、または金属細線の接着強度不足のため、断線に
至るという信頼性上の不具合が生じること。
この発明は、これらの不具合をなくシ、半導体装置のア
センブリ歩留りを向上し、かつ信頼性を向上するために
絶縁基体表面に形成する金属化層を改善したものである
。
第２図（ａ）、　（ｂ）に従来構造の絶縁基体１Ｇを示
す。
従来の絶縁基体１０は、絶縁材であるＢｅＯ磁器板１４
の両表面ＫＭＯ−Ｍｎ層１５．さらにその上＆ＣＮｉメ
ッキ層１６．さらにＡｕメッキ層１１を形成するととく
より両表面を金属化する。従来構造の絶縁基体１０は表
裏全面に前述したような金属化層が形成されている。
これに対し、第３図（ａ）、　（ｂ）　Ｋ示すこの発明
による絶縁基体１０′では、層の構成は第２図と同じで
あるが、領域１９部分のＡｕメッキ層１１を除去しＮｉ
メッキ層１６が露出する構造にして、領域１８と領域２
０を分離している。領域１＠にムｕ−８ｉ共晶のはんだ
１１を用いて半導体ペレット１１１着し、領域２０に金
属細線８を接−する。
＼ 領域１＠と領域２０は電気的にはＮ１メッキ層１ｓによ
り接続されており、従来構造の第２図と同等である。
また、Ｎｉメッキ層１６ははんだ１１で濡れｋくいため
、半導体ベレット９を領域１８で融着するとき、はんだ
１１は領域２＠ｔで広がらない。そのために領域２０に
金属層４１６を接続するＩＩＫ、前述したような不具合
は生じなくなる。
上記のよ５に、この発明は、はんだを用いる金属化領域
と、金属層線８を接続する金属化領域との間に、はんだ
が濶れｋくぃ導電性の金属化層を形成し、内領域を分離
することを特徴とする半導体装置である。
上記の実施例では、絶縁基体１０’の金属化層の形成に
用いたＮｉメッキ層１６を、はんだが濡れにくい導電性
の金属化層として用いたが、他の金属で形成してもよい
。また、電気抵抗を下げるために領域１ｓ上ＫＡｕ−８
ｉ共晶はんだで濡れない金属化層を上積みしてもよい。
以上詳細Ｋ１１１１１１　したように、この発明は絶縁
基体の金属化層の表面の半導体ベレットを融着する部分
と、金属層線を接続する部分との間に、はんだが濡れＫ
くい金属化層を形成したので、半導体ベレットの融着に
際し、はんだが絶縁基体の金属化属全面に広がることが
なく、金属層線の接続に支障を来すこともなく、７セン
ブリの歩留りを向上させることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、　（ｂ）は高周波半導体装置を示す平面
図および正面図、第２図Ｃａ）、　（ｂ）は従来の絶縁
基体を示す平面図および側面図、′第３図（暑）。 （ｂ）はこの発明の一実施例を示す絶縁基体の平面図お
よび側面図である。 図中、１はヘッダ、２はガラス層、Ｓ、４．Ｓは外部電
極、ｓ、ｒ、ｓは金属細線、■は半導体ペレツ）、１０
’は絶縁基体、１１．１２ははんだ、１３はキャップ、
１４はＢｅＯ磁器板、１ｓはＭｏ　−Ｍｏ層、１６はＮ
１メッキ層、１１はムＵメッキ層、１８は半導体ベレッ
トを融着する領域、１−ははんだで濡れない金属層の領
域、２ｏは金属細線を接続するための領域である。なお
、口中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　葛野信−（外１名） 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 （ａ） （ａ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基体表面に金属化層を形成し、この金属化層に半導
    体ペレットを融着し、かつ前記半導体ペレットを融着し
    た絶縁基体の金属化層の表面と外部リードとの間を金属
    細線を用いて接続する半導体装置において、前記絶縁基
    体の金属化層の表面の前記半導体ペレットを融着する部
    分と前記金属ＪＩＩ＃を接続する部分との間に電気伝導
    が良好で、かつはんだが濶れＫくい金属化層を形成した
    ことを特徴とする半導体装置。
JP57021604A 1982-02-12 1982-02-12 半導体装置 Pending JPS58138056A (ja)

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JP57021604A JPS58138056A (ja) 1982-02-12 1982-02-12 半導体装置

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JP57021604A JPS58138056A (ja) 1982-02-12 1982-02-12 半導体装置

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JPS58138056A true JPS58138056A (ja) 1983-08-16

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ID=12059636

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JP57021604A Pending JPS58138056A (ja) 1982-02-12 1982-02-12 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144837U (ja) * 1984-08-28 1986-03-25 沖電気工業株式会社 半導体用パツケ−ジ
JPS6199359A (ja) * 1984-10-19 1986-05-17 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置
US4947238A (en) * 1988-05-23 1990-08-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Submount for semiconductor laser element

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6199359A (ja) * 1984-10-19 1986-05-17 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置
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