JPS581380A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS581380A JPS581380A JP56098249A JP9824981A JPS581380A JP S581380 A JPS581380 A JP S581380A JP 56098249 A JP56098249 A JP 56098249A JP 9824981 A JP9824981 A JP 9824981A JP S581380 A JPS581380 A JP S581380A
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- JP
- Japan
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- dark current
- solid
- current
- rectangular wave
- diode
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板上に並んだホトダイオードから光
電変換して帰られる光情報を読み出す固体撮像装置に関
するものであり、特にその暗電流の補正に関するもので
ある。
電変換して帰られる光情報を読み出す固体撮像装置に関
するものであり、特にその暗電流の補正に関するもので
ある。
第１図は光電変換部にホトダイオードを用いた二次元撮
像マトリックスデバイスの普通の構成を示す回路図であ
る。同一において、１１はホトダイオード、１２は垂直
ゲート、１Ｓは垂直信号線、１４は水平ゲート、１５け
水平信号線、１６け垂直パルス、１７は垂直走査回路、
１８は水平パルス。
像マトリックスデバイスの普通の構成を示す回路図であ
る。同一において、１１はホトダイオード、１２は垂直
ゲート、１Ｓは垂直信号線、１４は水平ゲート、１５け
水平信号線、１６け垂直パルス、１７は垂直走査回路、
１８は水平パルス。
１９Ｆｉ水平走査回路、２０は信号出力、２１は抵抗。
づ２け定電圧源、を示す。
次に動作を説明する。垂直走査回路１７からの垂直走査
パルス□Ｖ（１）により垂直ゲートが開いてホトダイオ
ードの信号が垂直信号線１５に移り。
パルス□Ｖ（１）により垂直ゲートが開いてホトダイオ
ードの信号が垂直信号線１５に移り。
水平走査回路１？からの水平走査パルス０１１ （１）
。
。
０Ｂ（２）、・・・・・・によって順次読み出される。
次に垂直走査パルス０Ｖ（２）により次の行のホトダイ
オードからの充電変換された信号が垂直信号線に移染、
水平走査パルス０Ｒ（１）、０！Ｉ（２）、・・・・・
・−によりて順次読み出される。以下間１１１に：Ｌ、
て、二次元的に１トリツクス状に配列されたホトダイオ
ードから順次信号が読み出される。
オードからの充電変換された信号が垂直信号線に移染、
水平走査パルス０Ｒ（１）、０！Ｉ（２）、・・・・・
・−によりて順次読み出される。以下間１１１に：Ｌ、
て、二次元的に１トリツクス状に配列されたホトダイオ
ードから順次信号が読み出される。
仁のようにして読み出された信号は第２図に示すような
波形になる。すなわち垂直走査パルスＯＶ（すで選択さ
れた行のホトダイオードの信号を時間７７１の間に、水
平走査パルスで時間ＴＨＩＴＩＭ、・・・・・・・・の
執で順次読み出す。−行読み出されると１次Ｋｆｌ直走
査パルスｏｖ（２）によって時間７’ｙ ｔの間に次行
のホトダイオードから順次ＴＨ１゜１Ｂｍ、・・・・・
・・・の時間的順序で信号が読み出される。
波形になる。すなわち垂直走査パルスＯＶ（すで選択さ
れた行のホトダイオードの信号を時間７７１の間に、水
平走査パルスで時間ＴＨＩＴＩＭ、・・・・・・・・の
執で順次読み出す。−行読み出されると１次Ｋｆｌ直走
査パルスｏｖ（２）によって時間７’ｙ ｔの間に次行
のホトダイオードから順次ＴＨ１゜１Ｂｍ、・・・・・
・・・の時間的順序で信号が読み出される。
請２図中ｄＢｂは水平帰線期間でありｉＢｏは水平走査
期間である。ある走査期間で信号を読み出され九ホトダ
イオードは他のホトダイオードの信号が順次読み出され
ている間、光情報の蓄積モードに移る。仁の蓄積モード
の間、入射光がなけれは水平帰線期間におけるのと同レ
ベルの信号が絖み出されるはずであるが実際には熱励起
されたキャリヤのため暗電流が流れ、この暗電ｆｉＫよ
る１１億信号が読み出される。以下に暗電流による出力
信号の変化を説明する。
期間である。ある走査期間で信号を読み出され九ホトダ
イオードは他のホトダイオードの信号が順次読み出され
ている間、光情報の蓄積モードに移る。仁の蓄積モード
の間、入射光がなけれは水平帰線期間におけるのと同レ
ベルの信号が絖み出されるはずであるが実際には熱励起
されたキャリヤのため暗電流が流れ、この暗電ｆｉＫよ
る１１億信号が読み出される。以下に暗電流による出力
信号の変化を説明する。
第３１！ＯＫ固体撮像装置の断面の一例を示す。
同図において、１け光電変換部、２はゲート電極、墨は
霞形拡散層ル４はゲート電極、５は襲形拡散層、６け信
号出力＠、７け絶縁酸化膜８は１形拡散層、９はＰ形つ
ェル、１０け陽形基板、２２〜２４はそれぞれ定電圧源
、２０は信号出力を示す。
霞形拡散層ル４はゲート電極、５は襲形拡散層、６け信
号出力＠、７け絶縁酸化膜８は１形拡散層、９はＰ形つ
ェル、１０け陽形基板、２２〜２４はそれぞれ定電圧源
、２０は信号出力を示す。
島形拡散層８とＰ形つェル９によりてホトダイオードは
構成されている。２．４はそれぞれ垂直スイッチＭＯ日
ゲート、水平スイッチｇｏａｌｌ−トを示す。暗電流は
７］）ｌのように流れる。ｈ膨拡数層５．５はそれぞれ
垂直信号線、水平信号線であり、構造としてはホトダイ
オードと同じで、暗電ｆＬＩＴ３１％ｌ旧が図示の如く
流れる。暗電流はり接合面積に比例し、一般に暗電流７
ｐｉはｌＤ＋ 、 ＩＤＩに比べ小さい。１４４図は第
５図に示。
構成されている。２．４はそれぞれ垂直スイッチＭＯ日
ゲート、水平スイッチｇｏａｌｌ−トを示す。暗電流は
７］）ｌのように流れる。ｈ膨拡数層５．５はそれぞれ
垂直信号線、水平信号線であり、構造としてはホトダイ
オードと同じで、暗電ｆＬＩＴ３１％ｌ旧が図示の如く
流れる。暗電流はり接合面積に比例し、一般に暗電流７
ｐｉはｌＤ＋ 、 ＩＤＩに比べ小さい。１４４図は第
５図に示。
した構成に等価な回路図であり、暗電流は図に示すよう
に流れる。水平帰線期間、［ＩＬでは垂直スイッチ、Ｖ
ｏｓ１２、水平スイッチＭｏ５１４は非導通状態であり
、暗電流としては７ｎｉしか読み出されないが、水平走
査期間、ｙｓｏではホトダイオードからの光電変換され
た光情報を順次読み出すので暗電流ＩＤＩ 、 ＩＤｊ
、 ＩＤｍ を読み出す。すなわち入射光のない場合
、第５図＜ａ＞ＶＣ示す暗電流のない時の出力信号に対
し、暗電流により同図（旬に示す出力信号が得られるこ
とになる。同図（１）は素子温度が更に高温にな抄、暗
電流が増加し走時の出力信号を示す。固体撮像装置にお
いてけ通常水平帰線期間ＨＢＬ内に黒レベルを求め。
に流れる。水平帰線期間、［ＩＬでは垂直スイッチ、Ｖ
ｏｓ１２、水平スイッチＭｏ５１４は非導通状態であり
、暗電流としては７ｎｉしか読み出されないが、水平走
査期間、ｙｓｏではホトダイオードからの光電変換され
た光情報を順次読み出すので暗電流ＩＤＩ 、 ＩＤｊ
、 ＩＤｍ を読み出す。すなわち入射光のない場合
、第５図＜ａ＞ＶＣ示す暗電流のない時の出力信号に対
し、暗電流により同図（旬に示す出力信号が得られるこ
とになる。同図（１）は素子温度が更に高温にな抄、暗
電流が増加し走時の出力信号を示す。固体撮像装置にお
いてけ通常水平帰線期間ＨＢＬ内に黒レベルを求め。
これを基準にして直流再生を行なうが、第５図（−）か
ら判るように温度によって再生される黒レベルが変動す
る。特にカラー固体撮像装置の場合は、温度により黒バ
ランスが変動し、著るしく画質を劣化させる。
ら判るように温度によって再生される黒レベルが変動す
る。特にカラー固体撮像装置の場合は、温度により黒バ
ランスが変動し、著るしく画質を劣化させる。
暗電流ＩＤは−１−を個体による定数、Ｔを絶対温度と
して（す弐のように表わされ、第６図に示すように温度
に対してエクスポネンシャルに増加する。
して（す弐のように表わされ、第６図に示すように温度
に対してエクスポネンシャルに増加する。
Ｉ島ＩＤ ＝ ａ −−（す
また、温にの単位変化についての電流増加率ｉｎ”ａｒ
ｒ・ （′） 本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくシ、温度
により黒レベルが変動しない固体撮偉装置中温直により
黒／＜ランスの変動しないカラー固体撮像装置を提供す
ることにある。
ｒ・ （′） 本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくシ、温度
により黒レベルが変動しない固体撮偉装置中温直により
黒／＜ランスの変動しないカラー固体撮像装置を提供す
ることにある。
暗電流を補正するには暗電流と同じく温ＩｆＫよりエク
スポネンシャルに増加する補正信号が必要である。この
ような補正信号として、以下のものが考えられる。
スポネンシャルに増加する補正信号が必要である。この
ような補正信号として、以下のものが考えられる。
１）ダイオード逆方向飽和電流
−）ダイオード順方向電流
−）トランジスタのコレクタ電流
本発明はこのうちｌ） ｉｔ） のダイオード逆方向
飽和電流、＊方向電流を補正信号として用いるものであ
り、以下に説明する。
飽和電流、＊方向電流を補正信号として用いるものであ
り、以下に説明する。
まずダイオードの逆方向飽和電流ノーはｊ、ｊをダイオ
ード素子個有の定数、Ｔを絶対温度として（５）式のよ
うに表わされる。
ード素子個有の定数、Ｔを絶対温度として（５）式のよ
うに表わされる。
ｌ′（“）““（４Ｔ）−“・７（５）半導体の動作温
度範囲では（５）弐Ｆｉ第２項により支配される。また
定数ＢはＯｓ、Ｓｉなどの素子固有のものであ抄、原理
的に暗電流７Ｄと同等の４のになる。またダイオードの
順方向電流Ｉｆの単位温度変化についての電流変化率は
印加電圧をｒ、α、βを定数として（４）式のように表
わされ（４）式において印加電圧ｒを調節することによ
プ暗電流の電流変「ヒ率に近づけることができる。
度範囲では（５）弐Ｆｉ第２項により支配される。また
定数ＢはＯｓ、Ｓｉなどの素子固有のものであ抄、原理
的に暗電流７Ｄと同等の４のになる。またダイオードの
順方向電流Ｉｆの単位温度変化についての電流変化率は
印加電圧をｒ、α、βを定数として（４）式のように表
わされ（４）式において印加電圧ｒを調節することによ
プ暗電流の電流変「ヒ率に近づけることができる。
しかしながら、上記Ｉ１．！／は実用時に暗電流ＩＤと
は必ずしも温度特性が一致しない（＠作温度の差異、近
似式の有効性などによる）。
は必ずしも温度特性が一致しない（＠作温度の差異、近
似式の有効性などによる）。
このとき、補正信号に７４＃性を持たせることにより、
暗電流の補正を厳密にすることができる。
暗電流の補正を厳密にすることができる。
このとき上記（３）、（４）式は仄の（５）、 （６）
式のようになる。
式のようになる。
すなわち１を調節することにより暗電流の温度係数に合
わせることができる。仁の様子を第７図に示す。
わせることができる。仁の様子を第７図に示す。
このように、暗電流と同じ温度係数を持つダイオード逆
方向飽和電流、＠方向電流を水平帰線期間ＨＢａにおけ
る電圧と水平帰線期間ＥＸＩＬＫ。
方向飽和電流、＠方向電流を水平帰線期間ＨＢａにおけ
る電圧と水平帰線期間ＥＸＩＬＫ。
おける電圧との間の電圧差に変換し、その変換された電
圧差を補正信号としてプリアンプ出力のビデオ信号に注
入すれば本発明の目的を達成することができる。
圧差を補正信号としてプリアンプ出力のビデオ信号に注
入すれば本発明の目的を達成することができる。
第８図にａ度検出用として用いるダイオードの接続例を
示し、同図（、）に示す接続例を用いた本発明の一実施
例を第９図に示す。第８図（−）。
示し、同図（、）に示す接続例を用いた本発明の一実施
例を第９図に示す。第８図（−）。
（１）の場合についても（４Ｉ）と同様に第９図の実施
例において用＾ることかできる。第８図（−）はダイオ
ード７０の逆方向飽和電流を用りる場合であり（Ａ）、
（ｅ）は順方向電流を用＾る場合である。（＃）は電圧
１８０によりダイオード７０の順方向電流の温度係数を
可変にした島である。このうち（−）を用いた第９図に
ついてその動作原理を説明する。
例において用＾ることかできる。第８図（−）はダイオ
ード７０の逆方向飽和電流を用りる場合であり（Ａ）、
（ｅ）は順方向電流を用＾る場合である。（＃）は電圧
１８０によりダイオード７０の順方向電流の温度係数を
可変にした島である。このうち（−）を用いた第９図に
ついてその動作原理を説明する。
第９図において、５ｏ＃″を固体撮像素子、 ４０はプ
リアンプ、５０けマトリックス回路入力端子、６０は水
平パルス入力端子、 ７０Ｆｉダイオード、８５は電源
、９０は！１１１ （電界効果トランジスタ）、９５け
トランジスタ、 １００〜１０５はそれぞれ抵抗。
リアンプ、５０けマトリックス回路入力端子、６０は水
平パルス入力端子、 ７０Ｆｉダイオード、８５は電源
、９０は！１１１ （電界効果トランジスタ）、９５け
トランジスタ、 １００〜１０５はそれぞれ抵抗。
５５は温度検出部、である。
温度検出用ダイオード７ｏを帰還抵抗１００を有する高
入力インピーダンスであるＦＥＴ９０で構成したアンプ
に接続する。
入力インピーダンスであるＦＥＴ９０で構成したアンプ
に接続する。
暗電流ＩＤと同等の温度係数を持つ逆方向飽和電流！８
はほとんど１還抵抗１００（抵抗値をＲνとする）を通
り、アンプ出力ＦｏＦｉＦｏ ｘＲｙ 、ＩＢとなる。
はほとんど１還抵抗１００（抵抗値をＲνとする）を通
り、アンプ出力ＦｏＦｉＦｏ ｘＲｙ 、ＩＢとなる。
水平パルス入力端子６ｏには水平帰線期間信萼を入力す
る。これにより１次段トランジスタ９５の出力のハイレ
ベルはＰａ 十ＶＭＢ （Ｆｌ！ｌ ：工ｉｌｌ、ベー
ス間電圧）となる。
る。これにより１次段トランジスタ９５の出力のハイレ
ベルはＰａ 十ＶＭＢ （Ｆｌ！ｌ ：工ｉｌｌ、ベー
ス間電圧）となる。
ａ−レベルは抵抗１０２，１０５の分割比によりちょう
どｒｍｓにすることにより、トランジスタ９５の出力の
Ｆ−Ｐ値（ピーク、ツー、ピーク値）はｒ−となる。こ
れを抵抗１０５を介してプリアンプ出力のビデオ信号に
注入することにより暗電流ＩＤを打消すことができる。
どｒｍｓにすることにより、トランジスタ９５の出力の
Ｆ−Ｐ値（ピーク、ツー、ピーク値）はｒ−となる。こ
れを抵抗１０５を介してプリアンプ出力のビデオ信号に
注入することにより暗電流ＩＤを打消すことができる。
この補正信号の大きさは抵抗１０Ｇ、４るいは抵抗１０
４あるいは抵抗１０５あるいは抵抗１０６を可変とする
ことにより調書できる。
４あるいは抵抗１０５あるいは抵抗１０６を可変とする
ことにより調書できる。
また、固体撮像素子ＳＯの暗電流ＩＤの個体ばらつきが
あまり大きくない場合は抵抗１０４〜１０４を中心値に
設計しておき、抵抗１００の÷を可変としてダイオード
７０のばらつき本含めて調書することができる。
あまり大きくない場合は抵抗１０４〜１０４を中心値に
設計しておき、抵抗１００の÷を可変としてダイオード
７０のばらつき本含めて調書することができる。
いずれの場合も高温でちょうど暗電流を打消すように調
整すると一般に暗電流ＩＤと逆飽和電流ｉｓの温度係数
の間に着干の差が生じ、中間の温度で補正誤差が生じる
。この補正誤差を極力小さくするには第１０図に示すよ
うに、補正信号に７％性を押えせればよい。
整すると一般に暗電流ＩＤと逆飽和電流ｉｓの温度係数
の間に着干の差が生じ、中間の温度で補正誤差が生じる
。この補正誤差を極力小さくするには第１０図に示すよ
うに、補正信号に７％性を押えせればよい。
第１０図はこの発明の他の実′１ＩＩＡ例を示す回路図
である。同図において、２００と２０１はそれぞれスイ
ッチ、２０５〜２０６はそれぞれ電源、２０７〜２１Ｄ
１１′１それぞれ抵抗、２１１〜２１４はそれぞれダイ
オード、である。
である。同図において、２００と２０１はそれぞれスイ
ッチ、２０５〜２０６はそれぞれ電源、２０７〜２１Ｄ
１１′１それぞれ抵抗、２１１〜２１４はそれぞれダイ
オード、である。
同図におけるｌ’ｅ、 ｌ’ａ （Ｖｏ’はＴ特性４
たせたＶａの値）の関係を第１１図を用いて説明する。
たせたＶａの値）の関係を第１１図を用いて説明する。
まず、スイッチ２０１を４＠にすると、電源２０５２０
６で設定した電位Ｆ’ｓ、ｌ’ｈに対してＶ−がＶａ
＜ｒ＃のときダイオード２１５，２１４はオフ状態にあ
り、第１１図におけるＦｈ−Ｆｈの関係は直ｓｐになる
。Ｆａ≦Ｉ’ｍ＜Ｆｈのときはダイオード２１５だけが
導通状態になり、 Ｖｍ−Ｆ：の関係は直線−になる。
６で設定した電位Ｆ’ｓ、ｌ’ｈに対してＶ−がＶａ
＜ｒ＃のときダイオード２１５，２１４はオフ状態にあ
り、第１１図におけるＦｈ−Ｆｈの関係は直ｓｐになる
。Ｆａ≦Ｉ’ｍ＜Ｆｈのときはダイオード２１５だけが
導通状態になり、 Ｖｍ−Ｆ：の関係は直線−になる。
さらにＶａ〉ｌ’ｈのときダイオード２１４も導通状態
となり、Ｆｈ−Ｆ−の関係は直線−となる。またスイッ
チ２０１をｊｌｌＫすると第１１図においてＩ’ｍ−Ｖ
：の関係けｒ＃の電位が上がるにつれて直線−−ｈ＝−
の経路を取る。すなわちスイッチ２００ 、２０１によ
って、任意の１−４１性を選択てきることになシ、上記
補正誤差は改善される。
となり、Ｆｈ−Ｆ−の関係は直線−となる。またスイッ
チ２０１をｊｌｌＫすると第１１図においてＩ’ｍ−Ｖ
：の関係けｒ＃の電位が上がるにつれて直線−−ｈ＝−
の経路を取る。すなわちスイッチ２００ 、２０１によ
って、任意の１−４１性を選択てきることになシ、上記
補正誤差は改善される。
この１−特性は温度検出用ダイオードの順方向電流を用
いる場合についても同様に用いることができる。
いる場合についても同様に用いることができる。
第１２図は本発明の効果を示す図であり、Ａは補正前、
Ｂは補正量に１−特性を持たせない時の補正後、Ｃは１
−％性を持たしたときの補正後を表わす。
Ｂは補正量に１−特性を持たせない時の補正後、Ｃは１
−％性を持たしたときの補正後を表わす。
本発明により、黒レベルの変動は著しく改善されること
が判るであろう。
が判るであろう。
第１図は光電変換部にホトダイオードを用いた二次元撮
儂マトリックスデ／＜イスの普通の構成を示す回路図、
第２図は第１図に示したデ／＜イスから読み出された信
号の波形を示すタイムチャート、第３図は普通の固体撮
像デＩくイスを示す断面図、第４図は第３図に示した構
成に等価な回路図、第５図（−）〜（＃）は暗電流のな
いときとあるときの出力信号の波形を示すタイムチャー
ト、第４図は暗電流の温度依存性を示す特性図、第７図
はダイオード順方向電流、逆方向飽和電流にＴ特性をも
たせたときの温度係数変化を示す特性図、第８図（、）
〜（１）は温度検出用として用いるダイオードの接続例
を示す回路図、第９゛図は本発明の一実施例を示す回路
図、第１０図は本発明の他の実施例を示す回路図、第１
１図はｙ％性をもたせたアンプ出力Ｖ＃ともだせないア
ンプ出力ｒ−との関係を示すグラフ、第１２図は本発明
の効果を示すグラフ、である。 符号説明 ゛ ５０・・・固体撮儂素−子 ４０−・・プリアン
プ５５中温度検出部 ９０・・・ＦＥＴ７０
・・・ダイオード ９５・・・トランジスタ
′２００ 、２０１・・・スイッチ ２１１〜２１４・・・ダイオード 才 １ 図 ／２ ２２ Δ ７３図 ？ ４ 図 才 ５ 図 才 ｂ 図 １′ ７ Ｍ 才 ８ 図 （α） （ｂ） （仁） 才 ｑ 図 才 ／θ 図 ｔ ｌｌ 図 才 ７２ 図
儂マトリックスデ／＜イスの普通の構成を示す回路図、
第２図は第１図に示したデ／＜イスから読み出された信
号の波形を示すタイムチャート、第３図は普通の固体撮
像デＩくイスを示す断面図、第４図は第３図に示した構
成に等価な回路図、第５図（−）〜（＃）は暗電流のな
いときとあるときの出力信号の波形を示すタイムチャー
ト、第４図は暗電流の温度依存性を示す特性図、第７図
はダイオード順方向電流、逆方向飽和電流にＴ特性をも
たせたときの温度係数変化を示す特性図、第８図（、）
〜（１）は温度検出用として用いるダイオードの接続例
を示す回路図、第９゛図は本発明の一実施例を示す回路
図、第１０図は本発明の他の実施例を示す回路図、第１
１図はｙ％性をもたせたアンプ出力Ｖ＃ともだせないア
ンプ出力ｒ−との関係を示すグラフ、第１２図は本発明
の効果を示すグラフ、である。 符号説明 ゛ ５０・・・固体撮儂素−子 ４０−・・プリアン
プ５５中温度検出部 ９０・・・ＦＥＴ７０
・・・ダイオード ９５・・・トランジスタ
′２００ 、２０１・・・スイッチ ２１１〜２１４・・・ダイオード 才 １ 図 ／２ ２２ Δ ７３図 ？ ４ 図 才 ５ 図 才 ｂ 図 １′ ７ Ｍ 才 ８ 図 （α） （ｂ） （仁） 才 ｑ 図 才 ／θ 図 ｔ ｌｌ 図 才 ７２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 光電変換＠にホトダイオードを用いて成り、水平
帰線期間と水平走査期間の合計を１周期とする矩形波状
の暗電流を出力する固体撮儂装電において、ダイオード
に流れる逆方向飽和電流あるいは順方向電流を利用して
矩形波状の信号を発生する回路を設け、該矩形波状信号
により前記暗電流を補正するようにしたことを特徴とす
る固体撮儂装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の固体撮儂装装置に＄
Ｐいて、前記矩形波状信号発生回路から発生する矩形波
状信号に、暗電流の温度依存特性と類似の特性をもたせ
る回路を付加したことを％歇とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098249A JPS581380A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098249A JPS581380A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581380A true JPS581380A (ja) | 1983-01-06 |
Family
ID=14214676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098249A Pending JPS581380A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581380A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49134227A (ja) * | 1973-04-25 | 1974-12-24 | ||
| JPS5040224A (ja) * | 1973-07-27 | 1975-04-12 |
-
1981
- 1981-06-26 JP JP56098249A patent/JPS581380A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49134227A (ja) * | 1973-04-25 | 1974-12-24 | ||
| JPS5040224A (ja) * | 1973-07-27 | 1975-04-12 |
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