JPS58140389A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は液相エピタキシャル成長装置の改良に興するも
のである。

（１））　　技術の背景 赤外線検知素子のような光電変換素子形成用材料として
、一般にエネルギーキマンフの狭い水銀（Ｈｇ）を含む
化合物半得体結晶、例えば水銀、カドミクム、テルル（
Ｈｔ’ｌ　−ｘ　ＣｄｚＴｅ　）の結晶が用いられてい
る１ このようなＨｇ１−Ｘ　ＣｄｚＴｅの結晶を素子形成上
部台か良いようＫ、大山積でかつ１１１層の伏動で得る
ために、一般にテルル化力ドミクム（０ｄＴｅ　）基板
上にＨｇ１−ｘｃａｘ’ｒｅ結晶をスクイティング法に
よる液相エヒタ膚シャル＃を長方法を用いて形成してい
る、 （Ｃ）　　従来技術と問題点 このような液相エピタキシャル成長方法に用いる従来の
液相エピタキシャル成長５に諏を第１図に示す。

図示するように従来の液相エピタキシャルｔＬ＊゛５ｋ
ＩｌＩＦｉ、Ｃ！ｄＴｅ基＆１を基設１る凹所２を有し
てカーボンよりなる直方体形状の支持台３とその上をス
ライドして移動するスライド部材４きより成っている。

前記スライド部材ＫＦｉ該基板上に形成すべき組ｔ１．
ｔ−持つＨｇ１−ｘ　Ｃ！ｄｘＴｅの結晶Ｊｌｔ得るた
めの組ｔｔ−有する液相５ｔ−収容する液ため６が設け
られ、直方体形状のカーボンによって形成されている。

このように前記支持台の凹所にはＣｄＴ・基板をｊ！！
１設し、スライド部材の液だめには基板上にエピタキシ
ャル成長すべき結晶層の材料を収容した伏動で、該エピ
タキシャルｔｃ＊装諏を水素（Ｈ２）　カス雰囲気の反
応管中に尋人して該反応管を約５００″Ｃの＃ｉＡ度に
加熱する。その後液だめ内の材料か溶融した時点で、ス
ライド部材を矢印入方向に移動させ液だめを基板上に静
置させてから、加熱炉の温＆を所定の割合でｌＩ！温さ
せ、所定時間保持して基板上にＨｇ１．−ｘＣｄＸＴ＠
の結晶層を形成する。

更にＨｇ１−ｘ（ＡｚＴ＠の結晶か成長した後、再度ス
ライド部材を矢印入方向にスライドさせ、基板上より使
用済みの液相１にξすり取るよう圧して除去してから加
熱炉の電ｊｌｔ４ｆＪｌｌＦｒして、ｊ）ｌ管内部のｉ
ｉ１度か低くなってから支持台よりエピタキシャル成＊
後の基板を取り出してい次、。

しかしこのような従来の液相エピタキシャル成＊用装置
では、液相の周辺部に反応管や該装瞳内に含まれる微動
な酸化性カスか前記液相と反応して出来た液相成分の酸
化物勢が形成されやすく、この酸化物勢かエピタキシャ
ル成長後、スライド部材をスライドさせる際にエピタキ
シャル層表面に付着して凝結したり、エピタキシャル層
表向を傷つけたりする不都合を生じる。このようにエピ
タキシャル層表向か傷つくと、赤外線検知素子噂、該エ
ピタキシャル層表向を利用する素子の形成時の歩留低下
か甚しくなるという欠点を生する。

（ｄ）　　発明の目的 本発明は上述した欠点を除去し、前述したエピタキシャ
ル成長を終了した基板表向より使用済みの液相を除去す
る際Ｋ、エピタキシャル層表向に傷がつかないような、
液相エピタキシャル成長用装置の提供を目的とするもの
である。

（ｅ）　　発明の構成 かかる目的を達成するための本発明の液相エピタキシャ
ル成Ｉｋ５ｋＩ１１＃′ｉ、基板を設置する支持台に、
該基板を埋設する員過孔ｔ−設けるとともに、麩貫通孔
の内部に基板保持用スライド＆を外部から移動可能に付
設し、エピタキシャル層形成後の基板を前記スライド板
の移動により当該スライド板上から落下さするようＫし
たことを特徴とするものでを・る。

（ｆ）　　発明の実施例 以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細ＫＷＩ？
、Ｑ１１する。

第２（ｂ）図は本発明の液相コヒタキシャルｒＬ畏装菅
の支持台の平面図で、第２（ａ）図はそのＸ−ｘ′断面
図であＺｌ、図示するように本発明の支持台１１には一
部に斜めにテーパーかっけらねて突起状のストッパー１
２を設けた内壁１３を有する貫通孔］４が形成されてい
る。そしてこの１通孔内には該支持台の表１１０１６に
平行にスライド＆１６か矢印ＢおよびＣ方向Ｋｌｌ動す
るようになっており該スライド板の端ｉｌ＜ＤＦｉ支持
台１１の端部Ｅより多少ねみ出すようＫしておく。

そしてこのスライド板をＢ方向にスライドして３１１通
孔の内部に押し込んだ状態にしてその上に（４Ｔｅの基
板１７を１ｍする。このようｋしてから前述した第１図
に示したようなスライド部材４の液だめ６内にＣｄＴｅ
の基板上に形成すべき即１゜○（ｌｘＴ・の結晶層を得
るための材Ｎを収容したのち、該スライド部材４と支持
台１１とをＨ２ガスＷｉ１１気内の反応管内に導入する
３、 その後肢反応管を加熱炉にて加熱して前記材料を溶融し
てから基板上にスライド部材ｔ−Ｓ動させて液丸めを静
置し次のち、加熱炉のｉｌ＆を低下させて基板上にＨｇ
ｌ　−１ｃａｘＴｅのエヒタキシャル結晶論を形成する
。

その後スライド＆１６を矢印Ｃ方向に移動させてエピタ
キシャル層を形成した基板１１ｔＸ通孔内に落下させ、
該貫通孔の斜めの内１１１３に沿わ、せるようＫする。

すると該基１ＩｋＦｉストッパー１２によって内命上に
静置するようになる。また崗時に該基板上に静置されて
いる液だめ内の使用済みの液相が貫通孔に流れ出し該貫
通孔を通過して支持台１１の下部の反応管内に流れ込む
ようになる。

そして液ため内の内壁に付着している鍍化物吟はそのま
ま内壁に付着してその酸化物により基板表向に傷がつか
なくなる。このようにすれば従来の装置のスライド部材
を用いて基極上の不要な使用渋みの液相を除去する際に
生じるエピタキシャル層表面の傷の発生もなくなり平滑
な表面を有するエピタキシャル結晶層が得られるように
なる。

以上の実施例においてはＣｄＴｅ１＃槍の上にＨ１２１
−ｘＣｄｘＴｅの結晶ｗＩｔ−エヒタキシャル成擬する
場合について述べたが、本発明のエヒクキシャル成長用
装置ｋＦｉ化合物半導休基板上に化合物半導体結晶をス
ライディング法を用いて液相エピタキシャル成長する場
合に１べて適用可能である。

（ｇ）　　発明の効果 以上述べたように本発明のエヒタキシャル成艮ｆ！誼１
に用いれば、形成されるエピタキシャル層の表面に傷か
生じなくなり平滑なエピタキシャル層表面を有する半導
体結晶が高歩留で得られる利点を生じる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のユヒタ今シャルＵＮ装皺の断面図、第２
（ａ）図、第２（ｂ）ｌｉ！Ｋｌｔ：を本発明のエピタ
キシャル成長装蒙の−＊施例を示す断（３）図である。 １％Ｉにおいて１．１７ｉｊＣｄＴｅ基板、２Ｆｉ凹所
、３．１１Ｆｉ支持台、４けスライド部材、５ｔｌＨｇ
ｔ−ｘＯｄｘＴｅの液相、６け液だ豹、１２けストッパ
ー、１３Ｆｉ傾斜した内命、１４ｉ貰通孔、１５は支持
台表向、１６ｉｊスライド板、Ａ、Ｂ％　ＣＦｉスライ
ド方向を示す矢印、Ｄ／ｆｉスライド板のＩＩＩｔｉ都
、Ｅ／Ｉ′ｉ支持台の端部を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板を設置する支持台と該多持台上をスライドして移動
   し、前記基板上に形成すべき結晶層の材料を収容した液
   だめを有するスライド部材とからなり、前記支持台に基
   板を埋設する貫通孔を設けるとともに、該貫通孔内に基
   板保持用スライド板を外部から移動可能に付設し、エピ
   タキシャル層形成後の基板を前記スライド板の移動によ
   り当該スライド板上から落下させるようにしたことを特
   徴とする液相エビクキシャル成＊装置。