JPS58140998A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPS58140998A JPS58140998A JP57021073A JP2107382A JPS58140998A JP S58140998 A JPS58140998 A JP S58140998A JP 57021073 A JP57021073 A JP 57021073A JP 2107382 A JP2107382 A JP 2107382A JP S58140998 A JPS58140998 A JP S58140998A
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- Japan
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- plasma
- anode
- cathode
- potential
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は開放系磁場による長時間のプラズマの閉じ込め
を可能とするプラズマ装置に関する。
を可能とするプラズマ装置に関する。
開放系磁場でプラズマを閉じ込める場合、プラズマの閉
じ込め時間を長くすることが核融合炉で必要なことはよ
く知られているが、核融合炉以外の用途に使用されるプ
ラズマ装置に於ても、閉じ込め時間を長くすればプラズ
マで発生装置の消費電力が少くて済み、プラズマの密度
を高くすることができ、更にプラズマを包囲する固体壁
への熱入力が軽減されるなど、大きな効果が得られる。
じ込め時間を長くすることが核融合炉で必要なことはよ
く知られているが、核融合炉以外の用途に使用されるプ
ラズマ装置に於ても、閉じ込め時間を長くすればプラズ
マで発生装置の消費電力が少くて済み、プラズマの密度
を高くすることができ、更にプラズマを包囲する固体壁
への熱入力が軽減されるなど、大きな効果が得られる。
開放系磁場によるプラズマ閉じ込めで閉じ込め時間を長
くするためには、開放端におけるプラギングが必要とさ
れる。このことは、たとえば、C,Gormezano
: Re市tction of Losses i
n 0pen −EndedMagnetic Tra
ps ;Nuclear Fusion、 19(19
79)、 8.1085などの文献に記載されている。
くするためには、開放端におけるプラギングが必要とさ
れる。このことは、たとえば、C,Gormezano
: Re市tction of Losses i
n 0pen −EndedMagnetic Tra
ps ;Nuclear Fusion、 19(19
79)、 8.1085などの文献に記載されている。
プラギングには高周波によるものと静電」易によるもの
があり、静電場によるものには電極を用いる電極法と、
タンデムミラー形磁場による両極性電位閉じ込めがあり
、これらはいずれも研9e’ls上にある。この′4極
法には、カスプ磁場のポイント及びラインカスプに陽極
及び陰極からなる靜′亀ゾラグを用いた′−極ヒトラッ
プある。第1図は電(1剋トラツプの原理図で、文献’
l’、J、 Dolan、 13. L、 5tans
fieldand JlM、 Larsen : Pl
asma Potential in electro
staticallyplugged cusps a
nd m1rrors : The Phycics
of l+’1uids、 I8(1g75 )。
があり、静電場によるものには電極を用いる電極法と、
タンデムミラー形磁場による両極性電位閉じ込めがあり
、これらはいずれも研9e’ls上にある。この′4極
法には、カスプ磁場のポイント及びラインカスプに陽極
及び陰極からなる靜′亀ゾラグを用いた′−極ヒトラッ
プある。第1図は電(1剋トラツプの原理図で、文献’
l’、J、 Dolan、 13. L、 5tans
fieldand JlM、 Larsen : Pl
asma Potential in electro
staticallyplugged cusps a
nd m1rrors : The Phycics
of l+’1uids、 I8(1g75 )。
10、1383に掲載されたものである。
(1)は2個1組のコイルでZ軸のまわりに軸対称に捲
かれ、カスプ磁場を形成する。(2)はポイントカスプ
に配設さ□れた中空円筒状の陽極、FX1+はポイント
カスプに配設された中空円筒状の陰極、(4)はライン
カスプに配設された2個1組の環状の陽極、(5)はラ
インカスプに配設された2個1組の環状の陰極である。
かれ、カスプ磁場を形成する。(2)はポイントカスプ
に配設さ□れた中空円筒状の陽極、FX1+はポイント
カスプに配設された中空円筒状の陰極、(4)はライン
カスプに配設された2個1組の環状の陽極、(5)はラ
インカスプに配設された2個1組の環状の陰極である。
2個1組のコイル(1)に挾まれた空間及び該コイル(
1)の内部の空間には一つの図示されない真空容器が配
設され、この真壁容器にはプラズマとなるべき気体が充
填され、陰極(3)の少なくとも一方の陽極(2)の反
対の側には図示されない一子銃が配設され、との′1子
銃から射出された′電子は陰極(3)及び陽極(2)を
貫通して図示されない真空容器内部を運動し、充填され
た気体をイオン化してプラズマが形成きれる。点lfM
(61は、プラズマの存在する空間の境界を示す。陰極
(3)及び(5)の電位を岑、陽極(2)及び(4)の
電位を転としたとき、Z軸近傍の空間電位φは第2図に
示す様に分布する。
1)の内部の空間には一つの図示されない真空容器が配
設され、この真壁容器にはプラズマとなるべき気体が充
填され、陰極(3)の少なくとも一方の陽極(2)の反
対の側には図示されない一子銃が配設され、との′1子
銃から射出された′電子は陰極(3)及び陽極(2)を
貫通して図示されない真空容器内部を運動し、充填され
た気体をイオン化してプラズマが形成きれる。点lfM
(61は、プラズマの存在する空間の境界を示す。陰極
(3)及び(5)の電位を岑、陽極(2)及び(4)の
電位を転としたとき、Z軸近傍の空間電位φは第2図に
示す様に分布する。
プラズマの存在する空間の電位はφで、0〈φ8〈φえ
である1、プラズマの存在する空間の両側には、陽極(
2)の内部に電位の山が形成され、電位の最も高い所で
電位はφ。十φ1となる。イオンの電価をZe、H電子
の電価を−eとおいたとき、運動エネルギがZeφiよ
り小さいイオン及び運動エネルギがeφ。より小さい電
子はプラズマの存在する空間から磁場方向に脱出できず
、イオンは矢印(力に示す様に、電子は矢印(8)に示
す様に反射されてプラズマに戻される。すなわち、プラ
ズマのイオン温度を1゛1.電子 1湖度をTe
とするとき、 φH>) ki’7 / Ze 、 φ、>>kTe
/e、 ・−・=l+)とすることにより、プラズマ
の開放端におけるプラギングができ、閉じ込め時間を格
段に改善できることが、従来の′電磁トラップの効果で
あった。
である1、プラズマの存在する空間の両側には、陽極(
2)の内部に電位の山が形成され、電位の最も高い所で
電位はφ。十φ1となる。イオンの電価をZe、H電子
の電価を−eとおいたとき、運動エネルギがZeφiよ
り小さいイオン及び運動エネルギがeφ。より小さい電
子はプラズマの存在する空間から磁場方向に脱出できず
、イオンは矢印(力に示す様に、電子は矢印(8)に示
す様に反射されてプラズマに戻される。すなわち、プラ
ズマのイオン温度を1゛1.電子 1湖度をTe
とするとき、 φH>) ki’7 / Ze 、 φ、>>kTe
/e、 ・−・=l+)とすることにより、プラズマ
の開放端におけるプラギングができ、閉じ込め時間を格
段に改善できることが、従来の′電磁トラップの効果で
あった。
この電磁トラップにも、次の様な問題点があった3、第
2図に示す如く、陽極(2)の内部に於て、空間電位は
最大φ1+φ。となるが、 △φ=φ、−(φi十φe) ・・・・・・
・t2)で与えられる陽極電位と空間電位の差△φは零
にな、らす、△φ〉0である。△φが形成される原因は
陽極の内部に電子が捕獲されて電子群を形成し、電子群
が作る空間電荷により電場が形成されることである。△
φはZ軸からの距離rの関数であり、Δφ=△φ(r) とあられすことができる。電子群の作る電場の向きを考
慮して、 であることがわかる。Z軸上で電場のr成分は0である
から、△φばr = Oで最大値△φmaX +△φm
ax−△φ(0) をとる。従って陽極内で、Z軸」−の電位は(2)より
、φi十φ6=φえ−△φrnax となる1、φiとφ8はプラズマの粒子数平衡等で定ま
るが、概ね同様程度の大きさで、φi〜φ8であるから
、Z軸−ヒで、 となる。′電磁トラップに於ては、Δφmaxが非常に
大きくなり、はとんどφえに等L くなる結果、Z軸上
すなわちr = 0で、 φi〜φ6〜0 、 r = 0 ・・
・・・・・(3)となり、(1)が成立しないことが知
られている。しかし、陽極内の大部分では(1)が成立
し、(3)は「の非常に小さい部分だけで成立するから
電磁トラップでは静電プラグのプラズマ閉じ込め時間を
増加させる効果は太きいが、r〜0で(3)が成立する
結果静電プラグにロスアパーチャが形成され、これを通
してプラズマが漏れるために、プラズマ閉じ込め時間の
増7JDの効果が制限されていた、。
2図に示す如く、陽極(2)の内部に於て、空間電位は
最大φ1+φ。となるが、 △φ=φ、−(φi十φe) ・・・・・・
・t2)で与えられる陽極電位と空間電位の差△φは零
にな、らす、△φ〉0である。△φが形成される原因は
陽極の内部に電子が捕獲されて電子群を形成し、電子群
が作る空間電荷により電場が形成されることである。△
φはZ軸からの距離rの関数であり、Δφ=△φ(r) とあられすことができる。電子群の作る電場の向きを考
慮して、 であることがわかる。Z軸上で電場のr成分は0である
から、△φばr = Oで最大値△φmaX +△φm
ax−△φ(0) をとる。従って陽極内で、Z軸」−の電位は(2)より
、φi十φ6=φえ−△φrnax となる1、φiとφ8はプラズマの粒子数平衡等で定ま
るが、概ね同様程度の大きさで、φi〜φ8であるから
、Z軸−ヒで、 となる。′電磁トラップに於ては、Δφmaxが非常に
大きくなり、はとんどφえに等L くなる結果、Z軸上
すなわちr = 0で、 φi〜φ6〜0 、 r = 0 ・・
・・・・・(3)となり、(1)が成立しないことが知
られている。しかし、陽極内の大部分では(1)が成立
し、(3)は「の非常に小さい部分だけで成立するから
電磁トラップでは静電プラグのプラズマ閉じ込め時間を
増加させる効果は太きいが、r〜0で(3)が成立する
結果静電プラグにロスアパーチャが形成され、これを通
してプラズマが漏れるために、プラズマ閉じ込め時間の
増7JDの効果が制限されていた、。
本発明はがかる事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、ロスアパーチャのない静電プラグを設
けることにより、もってプラズマ閉じ込め時間を大幅に
増加させることのできる開放系プラズマ装置1iを実現
することである。。
とするところは、ロスアパーチャのない静電プラグを設
けることにより、もってプラズマ閉じ込め時間を大幅に
増加させることのできる開放系プラズマ装置1iを実現
することである。。
プラズマを包囲するりご夕を設け、静電プラグ゛の少く
ともひとつは磁場方向に貫ノ01シた中空部を有する陽
極と、陽極のプラズマの存在する空間の反対側に配設さ
れた第一陰極と、陽極には第一陰極よりも高<リミタに
は第一陰極よりも低い′−位を与える手段を設け、陽極
の中空部の一部に延在して、そのプラズマ側の開口部に
延在した第二陰極を設けそれにIJ ミタより低い電位
を与える手段を設け、もってプラズマに対するロスアノ
;−リヤのない*亀プラグを形成し、ブシスマ閉じ込め
時間を大幅に増加させることができる開放、rプラズマ
装置を実現した。
ともひとつは磁場方向に貫ノ01シた中空部を有する陽
極と、陽極のプラズマの存在する空間の反対側に配設さ
れた第一陰極と、陽極には第一陰極よりも高<リミタに
は第一陰極よりも低い′−位を与える手段を設け、陽極
の中空部の一部に延在して、そのプラズマ側の開口部に
延在した第二陰極を設けそれにIJ ミタより低い電位
を与える手段を設け、もってプラズマに対するロスアノ
;−リヤのない*亀プラグを形成し、ブシスマ閉じ込め
時間を大幅に増加させることができる開放、rプラズマ
装置を実現した。
陽極と第一陰極とリミタに包囲されたプラズマは陽極の
中空部の第二陰極の存在し、ない部位にイオンニ対する
ロスアパーチャのない電位障壁を形成し、陽極の中空部
の一部に延在する第二陰極と前記第−陰極及び陽極は電
子に対するロスアパーチャのない電位障壁を形成し、も
ってプラズマに対するロスアバ・〜チャのない静電プラ
グを形成し、プラズマ閉じ込め時間を大幅に増加させる
ととができる開放系プラズマ装置を実現した。
中空部の第二陰極の存在し、ない部位にイオンニ対する
ロスアパーチャのない電位障壁を形成し、陽極の中空部
の一部に延在する第二陰極と前記第−陰極及び陽極は電
子に対するロスアパーチャのない電位障壁を形成し、も
ってプラズマに対するロスアバ・〜チャのない静電プラ
グを形成し、プラズマ閉じ込め時間を大幅に増加させる
ととができる開放系プラズマ装置を実現した。
第3図は本発明の一実施例を示すプラズマ装置の構成図
である。2個1組のコイル(1)はZ軸のまわυに軸対
称に捲かれ、図示されない励磁電源とともに、プラズマ
を収容する開放系磁場の一種のカスプ磁場を発生する装
置を構成する。(4)はカスプ磁場の開放端のひとつで
おるラインカスプに配設された2個1411の環状の陽
極、(5)はラインカスプに配設された2個1組の環状
の陰極で、ラインカスプに於て磁場の方向と平行な零で
ない成分を有する電場を形成する静電プラグを構成し、
2個1組の該コイル(1)に挾まれた空間及び該コイル
(1)の内部の空間には、一つの図示されない真≦と容
器が配設され、真空容器にはプラズマ境界部(6)を定
めるリミタOQが収容されている。プラズマの存在する
空間の電位φ、はプラズマを包囲するリミタt+t6の
電位φLで制御きれる。すなわち、リミタ(1(υとプ
ラズマの間に存在するシースを介するプラズマ′「d子
及びイオンの伝導によシ、プラズマとリミタ(1(υの
電位差すなわちシース′−圧φ、が定するから、φp−
φ2+φ3 ・・・・・・・(4)
により、φ、が定まる。
である。2個1組のコイル(1)はZ軸のまわυに軸対
称に捲かれ、図示されない励磁電源とともに、プラズマ
を収容する開放系磁場の一種のカスプ磁場を発生する装
置を構成する。(4)はカスプ磁場の開放端のひとつで
おるラインカスプに配設された2個1411の環状の陽
極、(5)はラインカスプに配設された2個1組の環状
の陰極で、ラインカスプに於て磁場の方向と平行な零で
ない成分を有する電場を形成する静電プラグを構成し、
2個1組の該コイル(1)に挾まれた空間及び該コイル
(1)の内部の空間には、一つの図示されない真≦と容
器が配設され、真空容器にはプラズマ境界部(6)を定
めるリミタOQが収容されている。プラズマの存在する
空間の電位φ、はプラズマを包囲するリミタt+t6の
電位φLで制御きれる。すなわち、リミタ(1(υとプ
ラズマの間に存在するシースを介するプラズマ′「d子
及びイオンの伝導によシ、プラズマとリミタ(1(υの
電位差すなわちシース′−圧φ、が定するから、φp−
φ2+φ3 ・・・・・・・(4)
により、φ、が定まる。
(9)は磁場方間に貫通した中空部を廟する陽極、住υ
は陽極(9)のプラズマの存在する空間の反対側に陽極
(9)と離間して配設きれた第一陰極、(1カは第一陰
極0υに穿設された貫通孔を第一陰極と絶縁されて貫通
し陽極(9)の中空部の一部に延在して陽極(9)の中
空部のプラズマ側の開口部には延在しない第二陰極で、
陽極(9)、リミタ(Till、給−陰極(+1)、第
二陰極(12jは図示されない電源とともに静電プラグ
03)を構成し、本実施例ではカスプ磁場の開放端であ
る二つのポイントカスプにそれぞれ静電プラグ(13)
が配設され、静電プラグ(l、9は以下に詳述する様に
磁場の方向と平行な零でない成分を有する電場を形成す
る。
は陽極(9)のプラズマの存在する空間の反対側に陽極
(9)と離間して配設きれた第一陰極、(1カは第一陰
極0υに穿設された貫通孔を第一陰極と絶縁されて貫通
し陽極(9)の中空部の一部に延在して陽極(9)の中
空部のプラズマ側の開口部には延在しない第二陰極で、
陽極(9)、リミタ(Till、給−陰極(+1)、第
二陰極(12jは図示されない電源とともに静電プラグ
03)を構成し、本実施例ではカスプ磁場の開放端であ
る二つのポイントカスプにそれぞれ静電プラグ(13)
が配設され、静電プラグ(l、9は以下に詳述する様に
磁場の方向と平行な零でない成分を有する電場を形成す
る。
第4図は紀3図にボす実施例の主要部の構成と作用を示
すもので、(a)は静畦グラグ構成図、(b)11空間
電位φ(r、z)の2依存を示す線図である。
すもので、(a)は静畦グラグ構成図、(b)11空間
電位φ(r、z)の2依存を示す線図である。
陽極(9)には電源(1・υ及び(1つによシミ位φ3
が与えられ、第一1緘極01)には電源(141により
電位φに1が与えられ、第二陰極(12)には電源0(
シにより電位φに2が与えられ、リミタ(((1は接地
され、各′電位の間には、φkz<φ工〈φに+<φ8
・・・・・・・(5)の関係が成立する。リ
ミタ(11の内部にはシース(17)を介してプラズマ
0印が接触している。プラズマの存在する空間の′載位
φ、は(4)から、φ、=φ、である。
が与えられ、第一1緘極01)には電源(141により
電位φに1が与えられ、第二陰極(12)には電源0(
シにより電位φに2が与えられ、リミタ(((1は接地
され、各′電位の間には、φkz<φ工〈φに+<φ8
・・・・・・・(5)の関係が成立する。リ
ミタ(11の内部にはシース(17)を介してプラズマ
0印が接触している。プラズマの存在する空間の′載位
φ、は(4)から、φ、=φ、である。
各電位φに2.φks+φ8の絶対値は静電プラグが有
効に作用するように大きくとられているから、1φ、1
(1φに21.φkt+φ3である。すなわち、(5)
を参照して、 φに2<φ、〈φkt <φ8 ・・・・・
・(())が成立する。
効に作用するように大きくとられているから、1φ、1
(1φに21.φkt+φ3である。すなわち、(5)
を参照して、 φに2<φ、〈φkt <φ8 ・・・・・
・(())が成立する。
第一陰極θ1)は、図に示される如く、陽極(9)の、
プラズマ(1)9の存在する空間の反対側に、陽極(9
)と離間して配設され、第一陰極(11)には貫通孔U
→が穿設されている。第二陰極(1乃は貫通孔0を陰極
(11)と接触せずに貫通し、陽極(9)の中空部0(
浄に延在する。
プラズマ(1)9の存在する空間の反対側に、陽極(9
)と離間して配設され、第一陰極(11)には貫通孔U
→が穿設されている。第二陰極(1乃は貫通孔0を陰極
(11)と接触せずに貫通し、陽極(9)の中空部0(
浄に延在する。
かくして構成された第4図(a)に実施例を示17た静
電プラグ(131の作用を述べ発明の効果を第・1図(
b)を参照して再び説明すると、陽極の中空部−には、
電磁トラップのポイントカスプにおける静電プラグの陽
極内部と同様、電子が捕獲されで′I↓L子41fを形
成し、この電子群が作る空間電荷により電場が形成され
る。3本発明におけるプラズマ装置の静′屯プラグがT
[(a)ランプのボ・インドカスプにおける静電プラグ
と異なるところは、本発明に1.7)静′峡プラグにお
いては、陽極の中空一部(瀾に形成される電子群の密度
は第一陰極(lυの電位φkt +第二陰極u′lJの
電位φに2.陽極(9)の電位及び第二陰極(121と
陽極(9)の半径によって定まり、陽極の中空部(2旬
のプラズマ0樽側の開口部近傍における空間電位φ(r
、z)が制御されることで、電磁トラップのポイントカ
スプにおける静′醒プラグの様に、(3)式に示される
様なr〜0における′電位障壁の低下とそれによるロス
アパーチャの゛形成は、本発明における静電プラグにお
いては容易に回避できる。陽極の中空部−における電子
群の密度は第二陰極(121の外周部と、第二陰極が延
在しないプラズマに而する開口部の近傍とでほぼ等l〜
く、プラズマに面する開口部の近傍で、電子群の存在す
る空間の電位は全ての場所でプラズマ電位φ、より高く
なる。一方第二陰極表面近傍では第二電極に与えられた
負の高電位のために電子群が存在できず、空間電位はプ
ラズマ電位りより低くなる。、第4図(a)の対称軸0
と、それに平行でプラズマ(]8の外部境界上にある直
M (W)に沿った電位分布が+44図(C)に示され
る。同図に示されるように、この静電プラグに於てはプ
ラズマのロスアパーチャは存在しないから、プラズマの
長い時間の閉じ込めが可能となる。
電プラグ(131の作用を述べ発明の効果を第・1図(
b)を参照して再び説明すると、陽極の中空部−には、
電磁トラップのポイントカスプにおける静電プラグの陽
極内部と同様、電子が捕獲されで′I↓L子41fを形
成し、この電子群が作る空間電荷により電場が形成され
る。3本発明におけるプラズマ装置の静′屯プラグがT
[(a)ランプのボ・インドカスプにおける静電プラグ
と異なるところは、本発明に1.7)静′峡プラグにお
いては、陽極の中空一部(瀾に形成される電子群の密度
は第一陰極(lυの電位φkt +第二陰極u′lJの
電位φに2.陽極(9)の電位及び第二陰極(121と
陽極(9)の半径によって定まり、陽極の中空部(2旬
のプラズマ0樽側の開口部近傍における空間電位φ(r
、z)が制御されることで、電磁トラップのポイントカ
スプにおける静′醒プラグの様に、(3)式に示される
様なr〜0における′電位障壁の低下とそれによるロス
アパーチャの゛形成は、本発明における静電プラグにお
いては容易に回避できる。陽極の中空部−における電子
群の密度は第二陰極(121の外周部と、第二陰極が延
在しないプラズマに而する開口部の近傍とでほぼ等l〜
く、プラズマに面する開口部の近傍で、電子群の存在す
る空間の電位は全ての場所でプラズマ電位φ、より高く
なる。一方第二陰極表面近傍では第二電極に与えられた
負の高電位のために電子群が存在できず、空間電位はプ
ラズマ電位りより低くなる。、第4図(a)の対称軸0
と、それに平行でプラズマ(]8の外部境界上にある直
M (W)に沿った電位分布が+44図(C)に示され
る。同図に示されるように、この静電プラグに於てはプ
ラズマのロスアパーチャは存在しないから、プラズマの
長い時間の閉じ込めが可能となる。
本発明は開放系プラズマ装置に関するもので、らる。実
施例ではカスプ磁場を用いたプラズマ装置べについて説
明したが、磁場はカスプに限定せず、開放系なら本発明
を適用できることは汀う゛までもなく、例えば−電磁」
易あるいはミラー磁」揚に適用してよい。
施例ではカスプ磁場を用いたプラズマ装置べについて説
明したが、磁場はカスプに限定せず、開放系なら本発明
を適用できることは汀う゛までもなく、例えば−電磁」
易あるいはミラー磁」揚に適用してよい。
第1図は電磁トラップの原理図、第2図は電磁トラップ
のz、1近傍の空間電位の分布を示す線図、第3図は本
発明の一実施例を示すプラズマ挟置構成図、第4図は第
3図に示す実施例の主要部の構成と作用を示すもので、
(a)は靜′ジグラグ構成図、(b)は空間電位のZ依
存を示す線図である。 (1)・・・コイル、(2)、 +41. (9)・・
・陽極、+31. t5)・・・・・陰極、(IIIG
・・・リミタ、(lυ・・・第一陰極、叫・・・第二陰
極、031・・・靜′岨プラグ、(14)、 +151
. (16)−1iE [、(I8−7’ ラスマ、(
1■・・・直通孔、(至)・・・陽極(9)の中空部。
のz、1近傍の空間電位の分布を示す線図、第3図は本
発明の一実施例を示すプラズマ挟置構成図、第4図は第
3図に示す実施例の主要部の構成と作用を示すもので、
(a)は靜′ジグラグ構成図、(b)は空間電位のZ依
存を示す線図である。 (1)・・・コイル、(2)、 +41. (9)・・
・陽極、+31. t5)・・・・・陰極、(IIIG
・・・リミタ、(lυ・・・第一陰極、叫・・・第二陰
極、031・・・靜′岨プラグ、(14)、 +151
. (16)−1iE [、(I8−7’ ラスマ、(
1■・・・直通孔、(至)・・・陽極(9)の中空部。
Claims (1)
- プラズマを収容する開放系磁場を発生−する装置と、プ
ラズマの存在する空間の電位を副側1する手段と、該開
放系磁場の開放端に配設され該磁場の方向と平行な零で
ない成分を有する電場を彰成する静電プラグとを具備す
るプラズマ装置に於て、前記静電プラグの少くともひと
つは、前記開放系磁場の磁場方向に貫通した中空部を鳴
する陽極と該陽極のプラズマの存在する空間の反対側に
該陽極と離間して配設された第一陰極と、前記陽極の中
空部の一部に延在して該陽極の中空部のプラズマ側の開
口部には延在しない第二陰極と、プラズマを包囲するリ
ミタと、前記各′電極及びリミタに、陽極、第一陰極、
リミタ、第二陰極の順に高い電位を与える手段とを具備
することを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021073A JPS58140998A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021073A JPS58140998A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140998A true JPS58140998A (ja) | 1983-08-20 |
Family
ID=12044708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021073A Pending JPS58140998A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140998A (ja) |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP57021073A patent/JPS58140998A/ja active Pending
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