JPS5814338A - 連続メタライジング装置における被処理物の選別処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一定種類の被処理物を特定のパレットに選別
して装着したり、パレットから取り出すことができる連
続メタライジング装置における被処理物の選別処理装置
に関する。

近時、レコード再生系に代わる新しい形態としてビディ
オ・ディスク再生系が注目視されつつある。

ところでビディオ・ディスク・システムとしてはディス
クに記録された信号を再生する場合の相違から、ディス
クに直接、ピックアップが接触することによってディス
クに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに直
接、ピックアンプが接触しないで信号を再生す６非接触
式とがある。

前者にはディスクに信号溝を形成して、この溝の電極の
付いたスタイラスで追従することにより静電容量変化を
とられる溝付静電容量方式によるもの、又は複数のビ・
ノド列が信号としてディスクの表面にうず巻状に形成さ
れ、このピット列を電極の付いたスタイラスで追従して
その静電容量変化をとらえる溝なし静電容量変化による
もの等があり、後者にはディスクに記録されたうず巻状
のピット列に例えば半導体レーザを照射してその反射光
を読み取る光学式ビデイオ・ディスク方式に代表される
。

ところが光学式ビディオ・ディスク・システムにおける
ディスクは過食、ディスク表面にはビットは形成されて
いない、即ち透明ｔ１プラスチック、例えば透過率の高
いアクリル樹脂や塩化ビニール樹脂を用いて、インジェ
クシーン或いはコンブレッジ■ン等の方法でプラスチッ
ク成型することにより表面にピットが形成されたディス
ク製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザを照射し
た場合の反射効牢を向上するために、ディスク製作基板
の表面に、例えばアルミニウムの反射膜をピット形状を
崩さずに極く薄く形成し、さらにその表面に透明なプラ
スチック保護層を形成することによって製造される０両
面ディスクにおいては一般にこのようにして製造された
片面ディスクを背中合わせに接着することによって形成
されている。

ところで上記反射膜を形成するのには、化学めっき法、
電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えられ
るが、公害面を考慮した点とビット形状を崩さぜずに反
射効串を向上させるために、蒸着法、スパッタリング法
が普及しつつある。

蒸着法、スパッタリング法を実施するのには、気密性と
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来、
行われているものとしてパッチ法と半連続法とがある。

バッチ法とはｌｌｉｌ図に示すように、例えば真空ベル
ジャＡ内にディスク製作基板２を放射状に数段、配置し
てからドアパルプＢを閉め、その後、真空ポンプ等を用
いて前記ベルジ中Ａ内を排気し、真空にした後にアルミ
ニウム等の処理金１ｇ３Ｂを加熱することによって気化
し、被処理物としてのディスク製作基板２にアルミニウ
ムを蒸着させる方法をいう。

しかし蒸着法においては、メタライジングを行う毎に被
処理物を真空ベルジャＡ内に入れたり出したりするのに
ドアＢを開かなければならないので真空ベルジャＡの気
密性が繍持できず、真空ベルジャＡ内を再び真空にする
ために時間がかかること、および被処理物を真空ベルジ
ャＡ内に運んだリセットするのに手間がかかることから
生産能率が悪く、コスト高になっていた。このようにし
て真空ベルジャＡ内で処理する構造であるため、例えば
種類の興なる被処理物にアルミニウムを蒸着させる場合
には、同種類の被処理物を真空ベルジャＡ内毎にセット
して蒸着していた。この場合には同種類の被処理物をス
ト・ツクしておく場所が必要であった。もし興った種類
の被処理物を真空ベルジャＡ内に入れてアルミニウムを
真空蒸着した場合には真空ベルジャＡ内に被処理物を出
し入れする際に興種類の被処理物が混ざり合ってしまう
不都合を生じ、仕分は作業に手間がかかり、しかも複雑
な仕分は手段を必要としていた。

他面、半連続法とは、第２図に示すように、気密を維持
するためのドア付の室Ｃ９Ｅを、中間に位置するメタラ
イジング室りの前後にパルプＦ。

Ｇを介して連続して設け、そして前記室Ｃ内にストック
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライジング室り内に順次、搬送し・メタライジング
室り内にお１１）てアルミニウム等の処理金属３Ｂ・を
気化する等して被処理物としてのディスク製作基板２に
アルミニウムを蒸着させる。そして開いているパルプＧ
を通って室Ｅ内に処理後の被処理物を搬送し、それから
パルプＦ、Ｇを閉じ、前記室Ｃ，Ｅのドアを開き、室Ｃ
には未処理のディスク製作基板２を取り入れ、他面、室
Ｅから処理後のディスク製作基板２を取り出す方法であ
る。

しかし、半連続法は、被処理物としてのディスク製作基
板２にメタライジングを行うのに被処理物が、室Ｃ１メ
タライジング室Ｄ１室Ｅへと順次移動することになるか
ら、第２図に示すようにメタライジング室り内にＵ−ラ
コンベアＨ等の搬送手段を設けなければならず、しかも
ｌパッチ内で番嘘連続となるが、パッチ間では不連続と
なる。従ってローラコンベアＨの駆動力の信頼性を維持
するのに特別のグリスやメッキを施こさなければならな
かった。また、室Ｃ１メタライジング室Ｄ、室Ｅの真空
状態を維持するのにパルプＦ、Ｇが必要となり、不連続
時間を短縮するには、真空ポンプも大容量となる。

このため、設備費がかかるとともにバ・、チ式同様に処
理時間がかかり、コスト高となっていた。

本発明は上述の如き点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、例えば被処理物を成型する複数
の成型機と、被処理物をメタライジング処理する１台の
連続処理機構部から成る生産ラインにおいて、複数の成
型機毎に種類の興った被処理物を成型した場合でも搬送
機構部に搬送されて来る特定のパレットに対して所定の
種類の被処理物を選別して装着でき、しかもメタライジ
ング処理後に特定のパレットから選別して取り出すこと
ができる連続メタライジング装置における彼処！物の選
別処理装置を提供するのにある。

以下本発明の詳細を第３図乃至第１３図に示す一実施例
に従って説明する。

本発明は基本的には以下に示す幾つかの機構部から構成
される。

即ち縦型に連続配置されて順次ｌ循環するように搬送さ
れるとともにメタライジングすべき被処理物をその両側
に着脱自在に取付けるためのバルッ）ｌと、該パレット
１に装着されたディスク製む数個の真空室にて形成され
る連続処理機構部４に数個を１ブロツクとして連続的に
又は間歇的に搬送させたり又は該連続処理機構部４から
処理後の被処理物を搬送させるために上下対向して配置
されそれぞれ逆向きにパレット１が搬送される搬送機構
部５，５′と、該搬送機構部５，５′に対して直角に設
けられ数個のパレット１を１ブロツクづつ上昇又は降下
させるための昇降機構部６゜６′　と、昇降機構部６，
６′と協同して前記搬送機構部５，５′から送られて来
るバレ７）１を停止するとともに数個で１ブロツクを形
成するパレット１を昇降機構部６，６′で上昇又は降下
させる場合のガイド機構部７，７′　とから形成される
。

複数台の成型機において成型された被処理物が、１つの
前記連続処理機構部５において処理される場合、一定種
類毎にパレット１に被処理物を選別して装着したり或い
は処理後に被処理物をパレット１から取外すための選別
処理機構部８とで形成される。

その表面にアルミニウム等の金属がメタライジングされ
るべき被処理物としての前記ディスク製作基板２は例え
ば半導体レーザ等の透過率が高い透明なアクリル樹脂や
塩化ビニール樹脂を用いてコンブレラシーンやインジェ
クシーンによって成型される。

又前記パレット１は被処理物としてのディスク製作基板
２を例えば前後両側鉦に縦型に着脱自在に装着して、連
続して配置された後記入口側予備真空室９、イオン洗浄
室１０、高真空室１１、メタライジング室３、出口側予
備真空室１２．１３の各真空室内に連続又は間欠的に搬
送され、しかも、このパレット１は軸長方向の前後両側
面にディスク製作基板２が装着される凹面部ＩＡ、ＩＡ
がその大部分を占めるように形成され、さらに進行方向
に対して直交方向の断面形状が後記入口側予備真空室９
、イオン洗浄室１０、高真空室１１、メタライジング室
３、出口側予備真空室１２　、１３の各真空室内に設け
た通路と酷似形状のシーリング用膨山部ＩＢ、ＩＢを前
記凹面部ＩＡ、ＩＡと連設している。

なおバレー／　）　１は、第６図に示すように、両面に
凹面部ＩＡ、ＩＡが形成されるとともに前後両端にシー
Ｉ）ング用膨出部ＩＢ；ＩＢ；ＩＢ、ＩＢを設けまたも
の、また第７図および第８図に示すように片面のみにデ
ィスク製作基板装置用の凹面部ＩＡを設け、シーリング
用膨山部ＩＢを後端又は前後両端に設ける等、種々のも
のが考えられる。

前記搬送機１部５，５′は例えばローラコンベア、チェ
ンコンベア、ペルーコンベアの上にパレット１を乗せる
とともに前記パレット１の上下縁をガイド枠１４，１４
にて摺動自在に支持し、しかも連続処理機構部４の外部
に設けられ、直線状駆動機構としての油圧シリンダ１５
の受圧により連続して直線的に配列された数個のパレッ
ト１を順次メタライジング室３を含む数個の真空室にて
形成される連続処理機構部４に押込むものである。

前記連続処理機構部４は、入口側予備真空室９、イオン
洗浄室１０、高真空室１１、メタライジング室３、出口
側予備真空室１２．１３から成る複数個の真空室間は連
絡通路１６．１７．１ｇ、１９，２０によって連続して
接続される。しかも前記入口側予備真空室９と出口側予
備真空室１３のそれぞれの入口側および出口側には入口
側通路２１、出口側通路２２、および前記連絡通路１６
．１７．１８，１９，２０の、パレットｌの進行方向に
対する直交方向の断面形状は、パレット１のシーリング
用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触して搬送方向に位置する通路
および之に通ずる真空室をシーリングして真空状態にす
るためにシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢの断面形状と酷
似形状で僅かに大きく形状されている。また入口側予備
真空室９、イオン洗浄室１０、高真空室１１、メタライ
ジング３、出口側予備真空室１２，１３は真空ポンプ（
図示せず）等に接続されて該真空室内を真空にするため
の排気口９Ａ、Ｉ　ＯＡ、１１Ａ、３Ａ、１２Ａ、１３
Ａが形成されている−　１０Ｂｔ　　、１０Ｂ＊　　“
はイオン洗浄室ｌＯ内に設けられた１対のイオン洗浄電
極、３Ｂは前記メタライジング室３内に配置された処理
金属、例えばアルミニウムである。

前記昇降機構部６，６′は、チェノ駆動用のモータ２３
と、該モータ２３のモータシャフト２３Ａにプーリ、無
端ベルト２４、減速機２５等を用いて連結された上側の
左右１対のスプロケッ）２６．２６と、下側の左右のス
プロケット２７．２７との間に回転自在に架設された左
右１対のチェノ２ｇ、２８と、このチェノ２８，２８と
の間に上下対向して三段（片面のみ三段、前後面だと大
股）に架設されたガイド枠２９，２９；２９，２９；２
９．２９と、下段の又は上段のガイド枠２９゜２９内に
挿入されたパレット１，１の有無を検出して搬送機構部
６，６′における油圧シリンダ１５．１５を駆動させる
センサー３１．３２　とで形成される。

また前記選別処理機構部８番嘘コンブレッシーン、イン
ジェクシ■ン等、複数台の成型機（図示せず）において
形成されたディスク製作基板２等の被処理物が１つの連
続処理機構部４において処理される場合、特定のパレッ
ト１に対して一定種類毎に選別された被処理物がパレッ
ト１の搬送方向に対して特定の位置、例えば任意のパレ
ット１を１番目にすると１番目と３番目のバレン）　１
　ｓ　１の左右に２個づつ、合計４個設けられた供給用
選別機８Ａ＋　　、８Ａ＊　　；　８Ａ３　．８Ａ４と
、連続処理機構部４においてメタライジング処理された
一定種類毎のディスク製作基板２，２；２，２をパレッ
トｌ、１から一定４１１［毎に取り出すための排出用選
別機８Ｂ１．８Ｂ２　　；８Ｂ３　．８８４とで形成さ
れる。

さらに前記ガイド機構部７．７′は昇降機構部６．６′
の上下のガイド枠２９．２９の軸長方向に対し直交して
数個のガイドローラ３０を保持枠３１を介して支柱３２
．３２に固定するとともにこのうち少な（とも１つの保
持枠３１は支柱３２に対してピン３３を用いて枢着され
、しかも該枢着部にビン３３に対してその先端が押付け
られるように螺入された螺子３４を緩めることにより開
閉可能に形成される。

本発明の一実施例は上述のような構成からなるものであ
り、被処理物としてのアクリル樹脂のような透明度の高
いプラスチックにてうず巻状のピットを表面に成型され
たディスク製作基板２を搬送機構部５′において縦型に
連続、して搬送して来る（第３図において矢印イ方向）
バレン）１の特定位置、例えば任意のパレット１を１番
目にすると１番目と３番目（バレン）１を２枚で１ブロ
ツクにするから）のパレット１．ｌの左右に２個づつ、
合計４個、配置されたそれぞれの供給用選別機８Ａ＋　
　、８Ａ２　　；　８Ａ３　．８Ａ４から供給すること
により１番目と３番目のパレット１．１の両面に形成さ
れた凹面部ＬＡ、ＩＡｉ　ＩＡ、ＩＡに装着する。この
場合、４個の供給用選別［１８Ａ　１−８Ａ２　；　８
Ａ３　ｓ　８Ａ鴫から供給されて来るディスク製作基板
２の種類が同じであれば先行するパレット１と之に後続
のパレット１の左右の凹面部ＩＡ、ｌＡ１１Ａ、ＩＡの
両側に同種類のディスク製作基板２，２；２，２が装着
されるが、４個の供給用選別１８Ａ＋　　、８Ａ２　　
；　８Ａ３　−８Ａ４から供給されて来るディスク製作
基板２の種類がそれぞれ異なれば先行するパレット１と
之に後統のパレットｌの左右のそれぞれの凹面部ＩＡ。

ＩＡｉ　ＩＡ、ＩＡの両側にそれぞれ種類の興ったディ
スク製作基板２ｔ２；２，２を装着できる。

しかも凹面部Ｉ　Ａ　ｔ　Ｉ　Ａにはディスク製作基板
２．２の中心に設けたスピンドル挿通孔２Ａ、２Ａ内に
挿通されるスピンドルＩＡ１　、ＩＡｔが挿入されるこ
とにより容易にディスク製作基板２ｊ２をバレン）１に
装着できる。

そして先ず搬送機構部５の油圧シリンダ１５等の連続的
又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板２，２を
装着し且つ連続して配置されたパレット１は後続するも
のに押圧されることによって連続処理機構部４の入口側
通路２１内に押込まれていく、入口側通路２１の断面形
状はパレット１の進行方向に対して直交方向の断面形状
と酷僚形状で僅かに大きく形成されているのでパレット
１が入口側通路２１内に押込まれていくに従いパレット
１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側通路２１の
内壁に接触して閉塞する。従って入口側通路２１に通ず
る入口側予備真空室９は真空ポンプ（図示せず）等で排
気され真空状態となる。この場合、１つのバレン）１が
入口側真空予備室９内に完全収容されると、後続のバレ
ン）１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側通路２
１を閉塞するので入口側真空予備室９は常時、真空状態
となる。

次にバレン）１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢと近似
形状で僅かに大きい断面形状を有する通路１６にシーリ
ング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触しなか、気密や維持り、
−Ｃｔ＜ｋッ、１奮順次イオッ洗浄室ｌＯ内に搬送され
る。従って、イオン洗浄室１０内に搬送されたバレン）
１に装着されているディスク製作基板２２，２は特定ガ
スを流入しながら真空排気されている定真空下において
イオン洗浄電極１０Ｂ＋　　、１０Ｂ２間に高電圧を印
加することによってイオン洗浄される。この場合、通路
１６内には後続のバレン）１のシーリング用膨出部ＩＢ
、ＩＢが接触し、しかも真空ポンプ（図示せず）にて排
気されて（ごるからイすン洗浄室１０内は真空状態を維
持してイオン洗浄が速やかに行われるとともに後記の処
理金属のメタライジング効果を高めることができる。

その後、最初のパレット１は通路１７から高真空室１１
内に瞭送されてくる。この高真空室１１においては真空
ポンプ（図示せず）等を用いて排気がされるとともに通
路１７内は後続のパレットｌのシーリング用膨出部ＩＢ
、ＩＢが接触して閉塞され、さらには大気と接する入口
側通路２１から入口側予備真空室９、イオン洗浄室１０
と２つの真空室を経ているから高真空室１１は高真空状
態になっている。

ここにおいてディスク製作基板２が高真空室を通過すゐ
ことはそのディスク製作基板２の表面付着ガスを除去で
きる作用があり、後記のメタライジング効果をさらに高
めることができるからである。

更に、最初のバレン）１は通路１８を経てメタライジン
グ室３内に搬送されて来る。このメタライジング３内は
、前部に通路１８を介して前記高真空室１１が、また後
部には通路１９．２０を経て２つの出口側予備真空室１
２，１３が連続して設けられ、そのうえそれぞれ真空ポ
ンプ（図示せず）によって排気が行われているから、前
記高真空室１１と同様、高真空となっている。

次に、この高真空下でのメタライジング室３内に不活性
ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、たとえばアルミ
ニウム３Ｂに印加される等スパッタリングにより処理金
属の薄膜がディスク製作基板２，２に形成できる。この
場合、アルミニウムの膿の厚さはｓｏｏλ〜２ｏｏｏＡ
程度であり、ディスク製作基板２，２の表面に形成され
た信号としてのピット列の形状はアルミニウム膿によっ
て埋められて形状が崩れることはない。

メタライジング室３においてスパッタリングによりメタ
ライジングされたディスク製作基板２１２は通路１９，
２０を介して接続されている２つの出口側予備真空室１
２．１３を経て出口側通路２２からパレットｌとともに
搬送されることにより被処理物としてのディスク製作基
板２０メタラィジングが完了する。この場合、メタライ
ジング室３に通ずる２つの通路ＩＳ、２Ｏには後続のパ
レット１．１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢ；ＩＢ、
ＩＢが接触して閉塞されるため、また出口１１１ａｌｌ
１２２には先行するバルブｌ−１のシーリング用膨出部
ＩＢ、ＩＢが接触しているため、出口側予備真空室１２
．１３の排気を行えば、この出口側予備真空室１２．１
３を真空状態に維持できるとともにメタライジング室３
を高真空に維持できる。なお、上記メタライソング室３
での被処理物のメタライジングをスパッタリングによっ
て行うように説明したけれども、その他、真空蒸着によ
ってもメタライソングが行える。

この場合、従来の半連続法のようにメタライジング室３
を仕切る特別のバルブを設けなくてもバルブ）１と之が
通り抜ける通路２１，１６．１？、１８．１９；２０．
２２によって連続して設けた数個の真空室内を真空雰囲
気にできるから被処理物としてのディスク製作基板２を
大気中からこれらの真空室内をバルブ）１をｍ型に用い
て順次搬送するだけで多量のディスク製作基板２をメタ
ライジングすることができる。

連続処理機構部４においてメタライジングされたディス
ク製作基板２，２はパレット１に取付けられてそのまま
数個（図面では２個）を１ブロツクとして連続処理機構
部４から後続の昇降機構部６′の左右１対のチェン２８
，２８間に上下対向して三段に架設されたガイド枠２９
，２９７２９．２９；２９，２９のうち下段のガイド枠
２９゜２９内に挿入されていく。そしてガイド枠２９゜
２９内に例えば２個のバルブ）”１　、１が１ブロツク
として挿入されたことをセンサーｓ２が感知すると、モ
ータ２３が作動することによってスプロケット２６が駆
動するのでチェノ２８，２８が回転駆動する。従って数
個で！ブロック毎のパレット１．ｌは下段から中段へ、
さらに中段から上段へと上昇する。パレット１，１が最
上段に上昇されたことを最上部に配賦したセンサーＳ、
にて感知すると、モータ２３の回転駆動が停止するので
チェノ２８，２８の回転は止まる。従ってバルブ）１．
１の左右に装着し、メタライジングされたディスク製作
基板″２，２；２，２は排出用選別機ＪＩＢｓ　　＄８
Ｂ２　　；８Ｂｇ　　−８８４にて一定櫨頬毎に選別さ
れパレット１．１から取り外される。

この場合、排出用選別機８］３１．８Ｂ＊　　；８Ｂ３
−８８４を用いずに手でディスク製作基板２をパレット
ｌから取り外しても良いことは言うまでもない。

次ニジーケンス制御等により油圧シリンダ１５が駆動す
ると、この油圧シリンダ１５のピストンロンドの先端に
固着されたガイドローラ３０を介して敞ＩＩ（図面では
２個）で１ブロツクのバルブ）　１　、１４１押圧され
ることによって上方の搬送機構部５′のローラコンベア
上に送り出される。モしてｔｋ統のパレット１が先行す
るパレット１を順次、押圧するため、バレ’７　）　１
はローラコンベア上を搬送し、４個の供給用選別機８Ａ
１−８Ａ＊；８Ａ３，８Ａ４に向う。

このようにして左右の凹面部ＩＢ、ＩＢ：　ＩＢ、ＩＢ
にディスク製作基板２，２；２，２を装着した２個で１
ブロツクを形成するパレット１，１が昇降機構部６に搬
送されてくると、センサーＳ４で之を感知することによ
りモータ２３が駆動する。之によりチェン２８，２８間
に上下に架設された上下のガイド枠２９，２９内に挿入
、保持された２個で１ブ四ツクのバルブ）１．１はディ
スク製作基板２，２；２，２を保持した状態でブロック
毎に上段から中段、中段から下段へと順次、降下する。

こうしてパレットはＩＩＩ環される。そして最初に述べ
た如くシリンダ１５等２１１１づつ搬送機構部５′へ押
出されて空になったガイド枠２９，２９はチェノ２８．
２８がモータ２３により回転される′のにつれて下段か
ら上段へと移動し、次回に、パレット１，１が挿入され
て来るのに備える。

また昇降機構部６，６′の上下のガイド枠２９．２９の
延長方向に対し直交する方向にはガイド機構１１７　、
７’　のガイドローラ３０が数個づつ保持枠３１を介し
て支柱３２，３２４ζ固定されているので、搬送機一部
５，５′から搬送されて来るパレット１はこのガイドロ
ーラ３０に衝突スることにより順送されるのが規制され
、る、しかも昇降機構部６，６′で上昇又は降下される
場合にガイドローラ３０によってガイドされるため揺れ
を生ぜずに円滑にパレット１は１度に数個を１ブロツク
として上昇又は降下する。しかも連続処理機構部４のメ
タライジング室３でディスク製作基板２に長期にわたり
メタライジングすると、パレット１０両面に積層される
処理金属の膜厚や、カスが付着することによってバレン
）１が入口側通路２１、通路１６．１７．１８．１９．
２０出口側通路２２内に搬送されて各真空室内のシーリ
ング作用に邪魔となって漏洩を生じたり、パレットｌの
搬送速度を遅くする等の支障を生ずる。従って螺子３４
を緩めてビン３３を中心に保持枠３１を開くことにより
昇降機構部６の上下の保持枠２９゜２９内からバレン）
１を抜き出して処理金属を落し、掃除を行えばパレット
１のシーリング作用が円滑に行われ、しかもバレン）１
の搬送速度が遅くなることはない。

する複数の成型機と、被処理物をメタライソング処理す
る１台の連続処理機構部から成る生産ラインにおいて、
複数の成型機毎に種類の興った被処理物を成型した場合
でも搬送機構部に搬送されて来る特定のパレットに対し
て所定の種類の被処理物を簡単に選別して装着でき、他
面メタライジング処理後に特定のパレットから被処理物
を選別して取り出すことができるため、従来のバッジ法
のように被処理物をストックしておくための場所は不要
となり、処理後においても選別作業に手間がかかる等の
心配はなく、被処理物のメタライソング処理等、生産能
率が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のメタライジング法としての
バッジ法と半連続法を示す断面図、第３図は本発明の装
置の全景を示す側面図、第４図は同じく本発明の一部を
構成する連袂処理機横部における原理を示す説明用の水
平断面図、第５図は同じくパレットと、ディスク製作基
板と通路とを示す斜視図、第６図乃至第８図は同じくバ
レン１のいくつかの変形例を示す斜視図、第９図は同じ
く本発明の一部を構成する搬送機構部と昇降機構部とガ
イド機構部とを示す側面図、第１０図は同じく平面図、
第１１図は同じく昇降機構部とガイド機構部とを示す部
分横断平面図、第１２図は同じく本発明の一部を構成す
る選別処理機構部を示す平面図、第１３図はその使用状
態を示す説明図である。 １・・・パレット、２・・・ディスク製作基板、３・・
・メタライジング室、４・・・連続処理機構部、５，５
′・・・搬送機構部、８・・・選別処理機構部、８Ａ＋
５８Ａ２．８Ａ３　．８Ａ４・・・供給用選別機、８Ｂ
１　。 ８Ｂ２　．８Ｂｓ　　ｅ８Ｂ４・・・出口用選別機、９
・・・入口側予備真空室、１１・・・高真空室、１２．
１３・・・出口側予備真空室。 特許出願人　　パイオニア株式会社 第７図 第８図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 搬送機構部において連続して直線状に搬送されるパレッ
   トの搬送方向の特定位置に前記ブレットに対し特定種類
   の被処理物を供給する供給用選別機と、メタライジング
   室を含む数個の連続した真空室とで形成される連続処理
   機構部においてメタライソング処理された前記パレット
   から処理済の前記被処理物を特定ａｍ毎に選別して取り
   出す排出用選別機とから形成されたことを特徴とした連
   続メタライジング装置における被処理物の選別処理装置
   。