JPS5814340A - デイスク等の被処理物の連続メタライジング装置における昇降機構 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に光学的なビディオ・ディスク等の反射膜
を形成する場合に最適に採用できるディスク等の被処理
物の連続メタライジング装置における昇降機構に関する
。

近時、レコード再生系に代わる新しい形態としてビディ
オ・ディスク再生系が注目視されつつある。

ところでビディオ・ディスク・システムとしてはディス
ク番ご記録された信号を再生する場合の相違から、ディ
スクに直接、ピックアップが接触することによってディ
スクに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに
直接、ピックアップが接触しないで信号を再生する非接
触式とがある。

前者にはディスクに信号濤を形成して、この溝の電極の
付いたスタイラスで追従すること１ζより静電容量変化
をとられる溝付静電容量方式によるもの、又は複数のビ
ット列が信号としてディスクの表面にうず巻状に形成さ
、れ、このピット列を電極の付いたスタイラスで追従し
てその静電容量変化をとらえる溝なし静電容量方式によ
るもの等があり、後者にはディスクに記録されたうず巻
状のピット列に例えば半導体レーザを照射してその反射
光を読み取る光学式ビディオ・ディスク方式に代表され
る。

ところが光学式ビディオ・ディスク・システムにおける
ディスクは通常、ディスク表面にはピントは形成されて
いない。即ち透明なプラスチック、〜例えば透過率の高
いアクリル樹脂や塩化ビニール・樹脂を用いて、インジ
ェクシ日ン或いはコンブレッジｌン等の方法でプラスチ
ック成型することにより表面にビットが形成されたディ
スク製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザを照射
した場合の反射効率を向上するために、ディスク製作基
板の表面に、例えばアルミニウムの反射膜をピット形状
を崩さずに極く薄く形成し、さらにその表面に透明なプ
ラスチック保護層を形成することによって製造される。

両面ディスクにおいては一般にこのようにして製造され
た片面ディスクを背中合わせに接着することによって形
成されている。

ところで上記反射膜を形成するのには、化学めっき法、
電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えられ
るが、公害を考慮した点とピア）形状を崩させずに反射
効率を向上させるために、蒸着法、スパッタリング法が
普及しつつある。

蒸着法、スパッタリング法を実施するのには、気密性と
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来、
行われているものとしてバッチ法と半連続法とがある。

バッチ法とは第１図に示すように、例えば真空ベルジャ
Ａ内にディスク製作基板２を放射状に数段、配賦してか
らドアパルプＢを閉め、その後、真空ポンプ等を用いて
前記ベルジャＡ内を排気し、真空にした後にアルミニウ
ム等の処理金ＩＫ３Ｂを加熱することによって気化し、
被処理物としての　゛ディスク製作基板２にアルミニウ
ムを蒸着させる方法をいう。

しかし蒸着法においては、メタライジングを行う毎に被
処理物を真空ベルジャＡ内に入れたり出したりするのに
ドアＢを開かなければならないので真空ベルジャＡの気
密性が維持できず、真空ベルジャＡ内を再び真空にする
ために時間がかかること、および被処理物を真空ベルジ
ャＡ内に運んだりセットするのに手間がかかることから
生産能率が悪く、コスト高になっていた。

他面、半連続法とは、第２図に示すように、気密を維持
するためのドア付の室Ｃ９Ｅを、中間に位置するメタラ
イジング室りの前後にバルブＦ。

Ｇを介して連続して設け、そして前記室Ｃ内にストック
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライジング室り内に順次、搬送し、メタライジング
室り内においてアルミニウム等の処理金属３Ｂを気化す
る等して被処理物としてのディスク製作基板２にアルミ
ニウムを蒸着させる。そして開いてい・るパルプＧを通
って室Ｅ内に処理後の被処理物を搬送し、それからバル
ブＦ、Ｇを閉じ、前記−室Ｃ，Ｈのドアを開き、室Ｃに
は未処理のディスク製作基板２を取り入れ、他面、室Ｅ
から処理後のディスク製作基板２を取り出す方法である
。

しかし、半連続法は、被処理物としてのディスク製作基
板２にメタライジングを行うのに被処理物が、室Ｃ１メ
タライジング室Ｄ１室Ｅへと順次移動することになるか
ら、第２図に示すようにメタライジング室り内にローラ
コンベアＨ等の搬送。

手段を設けなければならず、しかもｌバッチ内では連続
となるが、バッチ間では不連続となる。従ってローラコ
ンベアＨの駆動力の信頓性を維持するのに特別のグリス
やメッキを施こさなければならなかった。また、室Ｃ１
メタライジング室り。

室Ｅの真空状筋を維持するのにパルプＦ、Ｇが必要とな
り、不連続時間を短縮するには、真空ポンプも大容量と
なる。

このため、設備費がかかるとともにバッチ式同様に処理
時間がかかり、コスト高となっていた。

本発明は上述の如き点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、メタライジング室を含む連続処
理機構部に対しパレットに装着したディスク製作基板等
の被処理物を搬送させるための下側の搬送機構部と前記
連続処理機構部で処理された上側の搬送機構部と協同し
てパレットを循環させるように上昇又降下させるように
して、被処理物に連続的にメタライジングを行うように
し、以って生産能率を向上し得る被処理物の連続メタラ
イジング装置を提供するのにある。

以下本発明の詳細を第３図乃至第１３図に従い、ディス
ク等の被処理物の連続メタライジング装置全体に組込ん
だ場合につき説明する。

本発明は基本的には以下に示す幾つかの機構部から構成
される。　、 即ち縦型に連続配曹されて順次循環するように搬送され
るとともにメタライジングすべき被処理物をその両側に
着脱自在に取付けるためのパレット１と、該パレット１
に装着されたディスク製作基板２等の被処理物をメタラ
イジング室３を含む数個の真空室にて形成される連続処
理機構部４に数個を１ブロツクとして連続的に又は間歇
的に搬送させたり又は該連続処理機構部４から処理後の
被処理物を搬送させるために上下対向して配置されそれ
ぞれ逆向きにバレ・７ト１が搬送される搬送機構部５，
５′と、該搬送機構部５，５′に対して直角に設けられ
数個のバレ・ノ）１を１ブロツクづつ上昇又は降下させ
るための昇降機構部６，６′と、昇降機構部６，６′と
協同して前記搬送機構部５，５′から送られて来るパレ
ット１を停止するとともに数個で１ブロツクを形成する
バレ・ノド１を昇降機構部６，６′で上昇又は降下させ
る場合のガイド機構部７，７′　とから形成される。

複数台の成型機において成型された被処理物が、１つの
前記連続処理機構部５において処理される場合、一定種
類毎にパレットｌに被処理物を選別して装着したり或い
は処理後に被処理物をバレ・ノド１から取外すための選
別処理機構部８とで形成される。

その表面にアルミニウム等の金属がメタライジングされ
るべき被処理としての前記ディスク製作基板２は例えば
半導体レーザ等の透過率が高い透明なアクリル樹脂や塩
化ビニール樹脂を用いてコンプレ１．シーンやインジェ
クシｌンによって成型される。

又前記パレット１は被処理物としてのディスク製作基板
２を例えば前後両側面に縦型に着脱自在に装着して、連
続して配置された後記入口側予備真空室９、イオン洗浄
室１０．高真空室１１メタライジング室３、出口側予備
真空室１２．１３１の各真空室内に連続又は間欠的に搬
送され、しかも、このパレット１は軸長方向の前後両側
面にディスク製作基板２が装着される凹面部ＩＡ、ＩＡ
がその大部分を占めるように形成され、さらに進行方向
に対して直交方向の断面形状が後記入口側予備真空室９
、イオン洗浄室ｌＯ１高真空室１１、メタライジング室
３、出口側予備真空室１２　、１３の各真空室内に設け
た通路と酷似形状のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢを前
記凹面部ＩＡ、ＩＡと連設し・ている。

なおバルッ）１は、第６図に示すように、両面に凹面部
ＩＡ、ＩＡが形成されるとともに前後両端にシーリング
用膨出部ＩＢ、ＩＢ；ＩＢ、ＩＢを設けたもの、また第
７図および第８図に示すように片面のみにディスク製作
基板装置用の凹面部ＩＡを設け、シーリング用膨出部Ｉ
Ｂを後端又は前後両端に設ける等、種々のものが考えら
れる。

前記搬送機構部５，５′は例えばローラコンベア、チ纂
ンコンベア、ベルトコンベアの上にパレット１を乗せる
とともに前記パレットｌの上下縁をガイド枠１４，１４
にて摺動自在に支持し、しかも連続処理機構部４の外部
に設けられ、直線状駆動機構としての油圧シリンダ１５
の受圧により連続して直線的に配列された数個のパレッ
ト１を順次メタライジング室３を含む数個の真空室にて
形成される連続処理機構部４に押込むものである。

前記連続処理機構部４は、入口側予備真空室９、イオン
洗浄室１０、高真空室１１、メタライソング室３、出口
側予備真空室１２．１３から成る複数個の真空室間は連
絡通路１６．１７．１８，１９．２０によって連続して
接続される。しかも前記入口側予備真空室９と出口側予
備真空室１３のそれぞれの入口側および出口側には入口
側通路２１、出口側通路２２、および前記連絡通路１６
，１７．１８，１９，２Ｇの、パレット１の進行方向に
対する直交方向の断面形状は、バルッ）ｌのシーリング
用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触して搬送方向に位蒙する通路
および之に通ずる真空室をシーリングして真空状態にす
るためにシーリング用膨山部ＩＢ、ＩＢの断面形状と酷
似形状で僅かに大きく形状されている。また入口側予備
真空室９、イオン洗浄室１０、高真空室１１、メタライ
ジング３、出口側予備真空室１２．１３は真空ポンプ（
図示せず）等に接続されて該真空室内を真空にするため
の排気口９Ａ、Ｉ　ＯＡ、１１Ａ、３Ａ、１２Ａ、１３
Ａが形１１．サレテ＆’６−１０　Ｂｓ　　＊　１０　
Ｂ２は４．ｔ：４浄室１０内に設けられた１対のイオン
洗浄電極、３Ｂは前記メタライジング室３内に配置され
た処理金属、例えばアルミニウムである。

前記昇降機構部６，６′は、チェノ駆動用のモータ２３
と、該モータ２３のモータシャフト２３Ａにプーリ、無
端ベルト２４、減速機２５等を用いて連結された上側の
左右１対のスプロヶッ）２６．２６と、下側の左右のス
プロヶッ）２７．２７との間に回転自在に架設された左
右１対のチェノ２８．２８と、このチェノ２８，２８と
の間に上下対向して三段（片面のみ三段、前後面だと人
殺）に架設されたガイド枠２９，２９；２９，２９；２
９．２９と、下段の又は上段のガイド枠２９゜２９内に
挿入されたバレソ）１，１の有無を検出して搬送機構部
６，６′における油圧シリンダ１５．１５を駆動させる
センサーＳ＋、Ｓｓ　とで形成される。

また前記選別処理機構部８はコンブレソシーン、インジ
ェクシｌン等、複数台の成型機（図示せず）において形
成されたディスク製作基板２等の被処理物が１つの連続
処理機構部４において処理される場合、特定のパレット
１に対して一定種類毎に選別された被処理物がパレット
１の搬送方向に対して特定の位−１例えば任意のパレッ
ト１を１番目にすると１番目と３番目のパレット１，１
の左右に２個づつ、合計４個設けられた供給用選別機８
Ａ１．８Ａ、ａ　　；　８Ａ３　．８Ａ４と、連続処理
機構部４において自処理された一定種類毎のディスク製
作基板２，２；２，２をバルッ）１．１から一定種類毎
に取り出すための排出用選別機８Ｂ１．８８ａ　　；８
Ｂ３　．８８４　とで形成される。

さらに前記ガイド機構部７，７′は昇降機構部６．６′
の上下のガイド枠２９，２９の軸長方向に対し直交して
数個のガイドローラ３０を保持枠３１を介して支柱３２
．３２に固定するとともにこのうち少なくとも１つの保
持枠３１は支柱３２に対してビン３３を用いて枢着され
、しかも該枢着部にビン３３に対してその先端が押付け
られるように螺入された螺子３４を緩めることにより開
閉可能に形成される。

本発明の一実施例は上述のような構成からなるものであ
り、被処理物としてのアクリル樹脂のような透明度の高
いプラスチックにてうず巻状のピットを表面に成型され
たディスク製作基板２を搬送機構部５′においてＩＩｍ
に連続して搬送して来る（第３図において矢印イ方向）
バルッ）１の特定位置、例えば任意のパレット１を１番
目にすると１番目と３番目（バルッ）１を２枚で１ブロ
ツクにするから）のパレット１．１の左右に２個づつ、
合計４個、配置されたそれぞれの供給用選別機８Ａｓ　
　、８Ａｇ　　；　８Ａ３　．８Ａ４から供給すること
により１番目と３番目のパレット１．１の両面に形成さ
れた凹面部ＩＡ、ｌＡ１１Ａ、ＩＡに装着する。この場
合、４個の供給用選別機８Ａ１＝８Ａｉ；８Δ３−８Ａ
４から供給されて来るディスク製作基板２０種類が同じ
であれば先行するパレット１と之に後続のパレット１の
左右の凹面部ＩＡ、ｌＡ１１Ａ、ＩＡの両側に同種類の
ディスク製作基板２．２：２．２が装着されるが、４個
の供給用選別機８Ａ１．８Ａ２　　；　８Ａ３　．８Ａ
、から供給されて来るディスク製作基板２０種類がそれ
ぞれ異なれば先行するバルッ）１と之に後続のパレット
１の左右のそれぞれの凹面部ＩＡ。

ＩＡ；　ＩＡ、ＩＡの両側にそれぞれ種類の興ったディ
スク製作基板２，２ｉ２，２を装着できる。

しかもこの場合凹面部ＩＡ、ＩＡにはディスク製作基板
２，２の中心に設けたスピンドル挿通孔２Ａ、２Ａ内に
挿通されるスピンドルＩＡ＋、ＩＡＩが挿入されること
により容易にディスク製作基板２，２をバレｉトｌに装
着できる。

そして先ず搬送機構Ｗ６１５の油圧シリンダ１５等の連
続的又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板２，
２を装着し且つ連続して配置されたバルッ）ｌは後続す
るものに押圧されることによって速続処理機構部４の入
口側通路２１内に押込まれていく、入口側通路２１の断
面形状はパレット１の連行方向に対して直交方向の断面
形状と酷像形状で僅かに大きく形成されているのでパレ
ットｌが入口側通路２１内に押込ま、れていくに従いパ
レット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側通路
２１の内壁に接触して閉塞する。従って入口側通路２１
に通ずる入口側予備真空室９は真空ポンプ（図示せず）
等で排気され真空状態となる。この場合、１つのパレッ
ト１が入口側真空予備室９内に完全収容されると、後続
のバレ７）１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側
通路２１を閉塞するので入口側真空予備室９は常時、真
空状態となる。

次にパレット１のシーリンで用膨出部ＩＢ、ＩＢと近似
形状で僅かに大きい断面形状を有する通路１６にシーリ
ング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触しながら気密を維持して
パレット１は順次イオン洗浄室ｌＯ内に搬送される。従
って、イオン洗浄室ｌＯ内に搬送されたパレットｌに装
着されているディスク製作基板２，２は特定ガスを流入
しながら真空排気されている定真空下においてイオン洗
浄電極１０ＢＩ、“１０Ｂ２間に高電圧を印加すること
によってイオン洗浄される。この場合、通路１６内には
後続のパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接
触し、しかも真空ポンプ（図示せず）にて排気されてい
るからイオン洗浄室ｌ。

内は真空状態な維持してイオン洗浄が速やかに行われる
とともに後記の処理金属のメタライジング効果を高める
ことができる。

その後、最初のバレソ）１は通路１７から高真空室ｌｌ
内に搬送されてくる。この高真空室１１においては真空
ポンプ（図示せず）等を用いて排気がされるとともに通
路１７内は後続のパレットｌのシーリング用膨出部ＩＢ
、ＩＢが接触して閉塞され、さらには大気と接する入口
側通路２１か５ ”　ら入口側予備真空室９、イオン洗浄室１０と２つの
真空室を経ているから高真空室１１は高真空状態になっ
ている。

ここにおいてディスク製作基板２が高真空室を通過する
ことはそのディスク製作基板２０表面付着ガスを除去で
きる作用があり、後記のメタライソング効果をさらに高
めることができるからである。

更に、最初のパレット１は通路１８を経てメタライジン
グ室３内に搬送されて来る。このメタライジング３内は
、前部に通路１８を介して前記高真空室１１が、また後
部には通路１９．２０を経て２つの出口側予備真空室１
２．１３が連続して設けられ、そのうえそれぞれ真空ポ
ンプ（図示せず）によって排気が行われているから、前
記高真空室１１と同様、高真空となっている。

次に、この高真空下でのメタライジング室３内に不活性
ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、たとえばアルミ
ニウム３Ｂに印加される等６ スパッタリングにより処理金属のｉｉｍがディスク製作
基板２，２に形成できる。この場合、アルミニウムの膿
の厚さは５ｏｏＡ〜２００ＯＡ程度であり、ディスク製
作基板２，２０表面に形成された信号としてのピット列
の形状はアルミニウム膿によって埋められて形状が崩れ
ることはない。

メタライジング室３においてスパッタリングによりメタ
ライジングされたディスク製作基板２゜２は通路１９，
２０を介して接続されている２つの出口側予備真空室１
２．１３を経て出口側通路２２からパレット１とともに
搬送されることにより被処理物としてのディスク製作基
板２のメタライジングが完了する。この場合、メタライ
ジング室３に通ずる２つの通路１９，２０には後続のパ
レット１，１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢｉＩＢ、
ＩＢが接触して閉塞されるため、また出口側通路２２に
は先行するパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢ
が接触しているため、出口側予備真空室１２．１３の排
気を行えば、この出口側予備真空室１２．１３を真空状
態に維持できるとともにメタライジング室３を高真空に
繊持できる。なお、上記メタライジング室３での被処理
物のメタライソングをスパッタリングによって行うよう
に説明したけれども、その他、真空蒸着によってもメタ
ライジングが行える。

この場合、従来の半連続法のようにメタライジング室３
を仕切る特別のパルプを設けなくてもパレット１と之が
通り抜ける通路２１，１６，１７．１８，１９，２０，
２２によって連続して設けた数個の真空室内を真空雰囲
気にできるから被処理物としてのディスク製作基板２を
大気中からこれらの真空室内をパレット１を縦型に用い
て順次搬送するだけで多量のディスク製作基板２をメタ
ライジングすることができる。

連続処理機構部４においてメタライジングされたディス
ク製作基板２，２はパレット１に取付けられてそのまま
数個（図面では２個）を１ブロツクとして連続処理機構
部４から後続の昇降機構部６′の左右１対のチェ２２８
，２８間に上下対向して三段に架設されたガイド枠２９
，２９；２９．２９内に挿入されていく、そしてガイド
枠２９．２９内に例えば２個のバレン）１．１が１ブロ
ツクとして挿入されたことをセンサーＳ２が感知すると
、モータ２３が作動することによってスプロケット２６
が駆動するのでチェ２２８，２８が回転駆動する。従っ
て数個で１ブロツク毎のバレン）１．１は下段から中段
へ、さらに中段から上段へと上昇する。パレット１．ｌ
が最上段に上昇されたことを最上部に配置したセンサー
Ｓ３にて感知すると、モータ２３の回転駆動が停止する
のでチェ２２８，２８の回転は止まる。従ってパレット
１，１の左右に装着し、メタライジングされたディスク
製作基板２，２ｉ２，２は排出用選別機８Ｂｌ　−８８
２ｉ　８Ｂ３　−８８４にて一定４１１類毎に区分けさ
れてパルプ）１．１から取り外される。

次にシーケンス制御等により油圧シリンダ１５が駆動す
ると、この油圧シリンダ１５のピストンロッドの先端に
固着□されたガイドローラ３０を介　　　　　　□して
数個（図面では２個）で１ブロツクのバレ・ノ）１．１
は押圧され、上方の搬送機構部５のローラコンベア上に
送り出される。そして後続のノくレット１が先行するパ
ルプ）１を順次、押圧するこ　・とによりパレットｌは
ローラコンベア上を搬送する。

このようにして空になったバレ・ノド１が順次、ローラ
コンベア上に搬送されてくるが、この実施例ではパルプ
）　ｊ、１は２個で１ブロツクを形成し且つパルプ）１
．１は縦型に搬送されて左右両面に被処理物としてのデ
ィスク製作基板２を装着すべき凹面部ＬＡ、ＩＡ；ＩＡ
、ＩＡを形成しているから、パレットｌ、１の搬送方向
に対して左右２個づつ、合計４個、特定の位置、例えば
先行するバレ７）１に対して１対の４供給用選別機８Ａ
１．８Ａ＊を搬送方向の左右の両側に対向して配置し、
また後行のパレットｌに対して１対の供給用選別機８　
Ａ３　．８　Ａ４をそれから先行するノ寸レット位置か
ら４番目の位置における左μ両側番こ対向して設ければ
、２個で１プロ・ツクのノｆレフトｌ、１に対して特定
の種類のディスク製作基板２゜２．２．２を両側に装着
できることになる。

このようにして左右両面にディスク製作基板２．２；２
，２を装着した２個で１ブロツクを形成するバレン）１
．１が昇降機構部６に搬送されてくると、ｔンサウー８
４で之を感知することによりモータ２３が駆動する。従
ってチェ２２８゜２８間に上下に架設されたガイド枠２
９，２９内に挿入、保持された２個で１ブロツクのバレ
７）１．１はディスク製作基板２，２；２，２を保持し
た状態で、上段から中段、中段から下段へと順次降下す
ることによって１循環する。そして最初に述べた如くシ
リンダ１５等２個づつ搬送機構部５へ押出されて空にな
ったガイド枠２９，２９はチェ２２８，２８がモータ２
３により回転されるのにつれて下段から上段へと移動し
、次回に、パルプ）１．１が挿入されて来るのに備える
。

また昇降機構部６，６′の上下のガイド枠２９．２９の
左右の端部に対し直交にガイド機構部７．７′のガイド
ローラ３０が数個づつ保持枠３１を介して支柱３２．３
２に固定されているので、搬送機構部５，５′から搬送
されて来るバレー／　）ｌはこのガイドローラ３０に衝
突することにより搬送が規制され、しかも昇降機構部６
，６′で上昇又は降下される場合に、ガイドされるため
揺れを生ぜずに内情に上昇又は降下する。しかも連続処
理機構部４のメタライジング室３でディスク製作基板２
に長期にわたりメタライジングすると、パレット１の両
面に積層される処理金属の膜厚や、カスが付着すること
によってパレット１が入口側通路２１、通路１６，１７
，１８，１９．２０出口側通路２２内に搬送されて各真
空室内のシーリング作用に邪魔となって漏洩を生じたり
、バレン）１の搬送速度を遅くする等の支障を生ずる。

したがって螺子３４を緩めてピン３３を中心に保持枠３
１を開くことにより昇降機構部６の上下の保持枠２９．
２９内からパレットｌを抜き出して処理金属を落し、掃
除を行う。

上述のように本発明は、メタライジング室を含む連続処
理機構部に対し、パレットに装着したディスク製作基板
等の被処理物を搬送させるための下側の搬送機構部と、
前記連続処理機構部で処理、された上側の搬送機構部と
協同してパレットを上昇又は降下させることにより１循
環できる。従ってディスク製作基板等の被処理物をパレ
ットとともに連続処理機構部に搬送させることにより、
連続してメタライジングを行え、以って被処理物のメタ
ライジング等、生産能率が向上できることにより、生産
コストを低源にできる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のメタライジング法としての
バッジ法と半連続法を示す断面図、第３図は本発明の装
置の全景を示す側面図、第４図は同じく本発明の一部を
構成する連続処理機構部における処理を示す説明用の水
平断面図、第５図は同じくパレットと、ディスク製作基
板と、通路とを示す斜面図、第６図乃至第８図は同じく
パレットのいくつかの変形例を示す斜面図、第９図は同
じ（本発明を搬送機構部と虜イド機構部と一緒に組込ん
だ側面図、第１θ図は同じく平面図、第１１図は同じく
部分横断平面図、第１２図は同じく選別処理機構部を示
す平面図、第１３図は同じくその使用状態を示す説明図
であ６゜ １・・・パレット、２・・・ディスク製作基板、３・・
・メタライジング室、４・・・連続処理機構部、５，５
′・・・搬送機構部、６，６′・・・昇降機構部、９・
・・入口側予備真空室、１１・・・高真空室、１２．１
３・・・出口側予備真空室、２３・・・モータ、２４・
・・無端ベルト、２５・・・減速機、２６．２７・・・
スプロケ・ノド、２８・・・チュン、２９・・・ガイド
枠。 特許出願人　　パイオニア株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. パレットに装着された被処理物としてのディスク製作基
   板を、メタライジング室を含む数個の真空室にて形成さ
   れる連続処理機構部に搬送させる下側の搬送機構部と、
   前記連袂処理機構部で処理された被処理物を前記パレッ
   トとともに搬送する上側の搬送機構部とを上下に平行配
   皺し、２つの前記搬送機構部の左右に直角的に配置され
   、前記パレットを２つの前記搬送機構部と協同して循環
   させるものにおいて、数個で１ブロツクを形成するパレ
   ットが挿脱自在の上下１対のガイド枠を前記搬送機構部
   の左右端部に上昇自在又は降下自在となるように数段、
   設けたことを特徴としたディスク等の被処理物の連続メ
   タライ、ジング装置における昇降機構。