JPS58145201A - マイクロストリツプ線路サ−キユレ−タ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明社、マイクロストリップ線路サーキュＶ−タに関
し、さらに詳細にいえば、改良された磁界形成手段を有
するフェライト埋め込み型のマイクロストリップ線路サ
ーキュレータに関する。

従来１抄、一般に、マイクロストリップ線路サーキュレ
ータは、その構造上から２種類に大別されている。

第１の４のは、フェライトのようなフェリ磁性体基板上
にストリップ線路によ勤人出力線路、変成器、およびサ
ーキュレータ動作をする中心部をすべて形成したもので
、オールフェライト型ともいうべきものである。

第２の４のは、円板または円柱状のフェライトのような
フェリ磁性体を誘電体鳳板に設けた六に埋め込み、スト
リップ線路による入出力線路と変成器部分は誘電体基板
上に形成し、サーキュレータ動作をする中心部はフェリ
磁性体上に形成したもので、フェライト埋め込み型とも
いうべきものである。

第２のフェライト埋め込み型す−キュレータは第１のオ
ールフェライト型す−キエレータに比らぺ、フェライト
の部分が少な−ので挿入損失が小さく、またフェライト
を埋め込んだ部分以外の誘電体基板上に他の周辺回路、
例えばミキサ、オシレータなどをも合体してつくること
ができゐという利点があるので、ｉイタロ波回路を集積
化するうえで好適である。

′＠１図に従来のフェライト埋め込み型サーキュレータ
の一例を示す。第１図（１）　Ｈ平面図、第１図（ｂ）
は断面図である。図において、１は誘電体基板、２はフ
ェライトのようなフェリ磁性体、３Ｆｉ内部導体、４は
接地導体、５は磁界形成手段としての磁石、６は金属台
を示す。図から明らかなように、磁界形成手段としての
磁石５ｉ、サーキュレータ中心部のフェライト２下方の
接地導体４側のみに設けられている。

第２図は従来のフェライト埋り込み型サーキュレータの
他の例を示す。この例でｕ、金属台６を省略した点で第
１図の例と異なっている。

このようなサーキュレータｔｉ、従来、２０ＧＨｚ以下
程度の周波数帯で使用されていたのであるが、使用周波
数帯がそれ以上高くなると榛々の問題が生じてくる。

その第１に、磁界形成手段である磁石が接地導体４側に
設けられており、内部導体３側が′電磁波に対し開放状
態となっているので、内部導体からの電磁波の放射によ
って放射損失が増大し、かつ放射した電磁波が周辺の他
の回路に悪影譬を及はし、また、装置全体を囲む筺体内
を多重反射して不要共振を生ずるという間融である。

その第２Ｆｉ、使用周波数が高くなるに従ってサーキュ
レータを動作させるための磁界を強くする必要が生ずる
が、接地導体側に設けた１個の磁石のみでは必要な磁界
強度が得られなくなるという問題である。

そこで、本発明の目的は、内部導体側がらの不所望な電
磁波の放射をなくし、かつ高い周波数帯においても十分
な磁界強度を得られるようにした、改良された磁界形成
手段を備えたフェライト埋め込み型のマイクロストリッ
プ線路サーキュレータを提供することＫＴｏゐ。

上記目的を達成するために、本発明によるマイクロスト
リップ線路サーキュレータは、フェリ磁性体を埋め込ん
だ誘電体基板の一方の１ｉｌＫ内部導体を設け、他方の
面に接地導体を設け、少なくとも上記内部導体を設けた
側の面において上記磁性体に対向して磁界形成手段を設
けるように構成したものである。

したがって、内部導体からの不要な電磁波の放射が防止
でき、また十分な磁界を生ずることができる。

以下、図面を参照して本発明によるマイクロストリップ
線路サーキュレータをさらに詳細に説明する。

第３図は、本発明によるマイクロストリップ線路サーキ
ュレータの一実施例を示す。図において、弔１図、第２
図におけると同じ符号に同じ構成部分を示す。７は磁界
調整用スペーサである。図から明らかなように、磁界形
成手段としての磁石５ｒｉ、磁界ｍ整用スペーサ７を介
して内部導体３側にフェリ磁性体２に対向して設けであ
る。このため、内部導体３からの電磁波の不所望な放射
をなくすことができる。

ここで、磁界調整用スペーサ７は、フェリ磁性体２に所
定の磁界を印加するように、磁石の位置を調整する目的
で挿入したものである。スペーサ７の材料Ｆ′ｉ機械的
強度が十分であれば特に限定されないが、誘電体材料を
用いるのが好適である。スペーサ７として金職材料を用
いるときは、サーキュレータ動作をする中心部円形パタ
ーン（第１図（１）参照）の径よりも小さな寸法とすれ
ば、電気的特性に影響を、与えない。

第４図は、本発明によるマイクロストリップ線路サーキ
ュレータの他の実施例を示す。この実施例では、磁界形
成手段としての磁石５′を磁界調整用スペーサ７′を介
して接地導体４側に４１設けている虚で第一の実施例と
異なっている。

使用周波数帯が置くなって、中心導体３側の磁石５のみ
でに必要とする磁界が得られない場合、このように接地
導体４側にも磁石５′を設けることにより、必要とする
磁界を容易に得ることができる。

第５図は、使用周波数帯とフェリ磁性体が広帯域なサー
キュレータ動作を行なうために必要とする４πＭ＄つ′
まり飽和磁化との関係を示す図である。必要とする磁界
強度は４πＭｍとほぼ比例関係にあるから、特に高い周
波数では大きな磁界強度が必要となることを示している
。

なお、フェライト埋め込み型ではサーキュレータ中心部
のみにフェライトがあるので、オールソエライト型に比
べて比較的親い磁石でも必要とする磁界強度を実現でき
るので経済的である。

本発明によるサーキュレータに次のようにして鯛造する
ことができる。先ず、アルオナなどの誘電体基板を用意
し、サーキュレータの中心部となる個所に円形の穴をあ
ける。その穴に円板状またに円柱状のフェリ磁性体を入
れて接着剤で固定する。次いで、金などを蒸着またはメ
ンキすることによりサーキュレータパターンを形成する
。その後。、直流磁界印加用の磁石をスベーｖｔ介して
配設する。

本発明によるマイクロストリップ線路サーキュレータに
以上のふうに構成されているので、内部導体から放射さ
れる電磁波に磁石によってすることができると共に周辺
の他の回路・＼の悪影響を防止することができる。また
、磁石を慣地導体側にも設けることにニジ高い使用周波
数帯においても容量Ｋ大きな磁界強度を得ることができ
る。なか、サーキュレータの一端に無反射終端器を設け
Ｃマイクロストリップ線路アイソレータとすることも可
能である。

【図面の簡単な説明】

＠１図（１）は従来のマイクロストリップ線路サーキュ
レータの一例の平面閃、第１図（ｂ）　ｒｉ同じく断面
図、第２図に従来の他の例の断面肉、第３図は本発明の
一実施例の断ｆｉＩ図、第４図は本発明の他の実施例の
断面図、および第５図はサーキュレータのフェリ磁性体
の必要とする４πＭ＄と使用周波数との関係を示す図で
ある。 １・・・誘電体基板　　２・・・フェリ磁性体３・・・
内部導体　　　４・・・接地導体５・・・磁石（磁界形
成手段） オー。１図 （Ｃ３＞ 才２図 才３図　　　　　　　　才４図 ５′ 第５図 Ｓ表敬（ＱＨｚ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ７工リ磁性体を埋め込んだ誘電体ゑ板の一方（（の面に
   内部導体を設け、他方の血に接地導体を設けたマイクロ
   ストリップ線路サーキュレータにおいて、少なくとも上
   記内部導体を設けた側の面において上記磁性体に対向し
   て磁界形成手段を設けたことを特徴とするマイクロスト
   リップ線路サーキュレータ。