JPS5814725B2 - デンシカイロソウチノセイゾウホウホウ

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【発明の詳細な説明】本発明は電子回路装置の製造方法に関する。

とくに電子回路装置の基板に形成された抵抗体の抵抗値
の安定性を向上させる製造方法に関する。

ハイブリッド集積回路などにプラスチック系基板の表面
に低温焼成用抵抗体をプリントなどの方法で形成させた
ものが用いられ、小形化ならびに組みたて工程の省力化
がはかられている。

１例を第１図第２図に示す。

すなわちプリント基板１の上に銅箔の導体電極２，３を
所定通り形成させて、この導体２，３間の基板上にアン
ダーコート４し、この上に抵抗体５を所定通りプリント
して形成させる。

次いで前記導体電極２，３に直接抵抗体の銀電極６，７
をプリントしてそれぞれ導体と抵抗体とを接触させる。

しかしこのようにして形成されるとき、導体の銅電極の
表面には酸化膜が形成されているので、銀電極をプリン
トして接触させる前に除去しなければ、接触抵抗が大と
なって特性不良となるので、研摩やエッチングなどによ
って除去し、その直後銀電極をプリントしている。

除去しても長時間放置するとまた酸化膜が生成されて接
触が不安定になる。

さらに銀電極を形成させた後にも銅電極の表面に膜化膜
が形成されることもあって、長時間にわたって抵抗値を
安定させることはむつかしかった。

本発明はこのような特性不良の原因となる酸化膜の発生
を防ぎ、抵抗体の銀電極と導体との接触をきわめて良く
して抵抗値の安定性を向上させるように導体の電極表面
を半田にて被覆させる電子回路装置の改良された製造方
法を提供するものである。

以下本発明の方法について図を参照して説明する。

第３図に示すように、フェノール樹脂銅張り積層板１１
の銅箔に必要な導体パターン１２を所定の方法によって
形成させる。

このパターン形成後導体の必要部分に半田めっきをほど
こし、半田のうすい膜１３、たとえば３〜５μの厚さの
膜を形成させる。

このとき使用する半田の組成はＡｇ３％、Ｓｎ６．１．
５％、Ｐｂ３５．５％のものや、Ｓｎ６３％、Ｐｂ３７
％のものなどである。

次いで前記導体１２間の積層板上所定の部分に耐熱耐湿
性のあるエポキシ系の半田レジストでアンダーコート１
４する。

この上罠所定通りカーボンを重ねてプリントして抵抗体
１５を形成し、１２０℃で仮乾燥させる。

このように導体と抵抗体とを形成させて後、抵抗体とそ
の両側の導体とを接続させるようにそれぞれ銀電極１６
をプリントして形成させ、抵抗体と銀電極とを同時に１
５０℃で乾燥させる。

このように導体に半田被覆させることによって酸化膜の
生成もなく、抵抗体の銀電極と導体を被覆して形成され
た半田面との接触が安定するので、従来のような接触の
不安定による抵抗値の変化はなくなり、特性不良はおこ
らない。

特に高温に放置されたり、又高温高湿試験のときなどは
特に安定性がよく、導体の取り付け部分に取り付け部品
との半田付け性をよくするためにほどこした半田処理が
効果を十分に発揮するものである。

前記のように半田めっきするばかりでなく、ロール半田
を用いて半田のうすい膜を導体上に形成させるなど種々
の半田処理により半田被覆させて上述したと同じような
安定化への効果を示すことができるものである。

なお抵抗体形成後その上を耐熱耐湿性樹脂で被覆させた
方が抵抗変化を防止するのに一層好ましいことは言うま
でもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は電子回路装置の基板上に形成された抵抗体、導
体などを示す要部平面図、第２図は第１図の縦断面図、
第３図は本発明の電子回路装置に装着された基板の要部
縦断面図である。１１・・・・・・基板、１２・・・・・・導体、１３・
・・・・・半田膜、１５・・・・・・抵抗体、１６・・
・・・・銀電極。

【特許請求の範囲】