JPS58154129A - 電子管陰極 - Google Patents
電子管陰極Info
- Publication number
- JPS58154129A JPS58154129A JP57037685A JP3768582A JPS58154129A JP S58154129 A JPS58154129 A JP S58154129A JP 57037685 A JP57037685 A JP 57037685A JP 3768582 A JP3768582 A JP 3768582A JP S58154129 A JPS58154129 A JP S58154129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- nickel
- electron
- oxide layer
- grain diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＴＶ用ジブラウン管どに用いられる電子管陰極
に関し、特に電子放射性酸化物層の改良に関する。
に関し、特に電子放射性酸化物層の改良に関する。
従来、ブラウン管などの電子管にはパリクム。
ストロンチウムおよびカルシタムの酸化物がニッケルを
、主成分とする基体金属に被着された陰極が用いられて
きた。しかしながら、最近、ブラウン管や撮像管の高性
能化にともなって、高電流密度の陰極に対する１＃求が
強くなってきた従来の陰極ではＯ，Ｓ〜ｏ、 ｓ ｈ／
、１１の電流密度が限界であり、これ以上の電流をとり
出すと、陰極の寿命が短くなる。
、主成分とする基体金属に被着された陰極が用いられて
きた。しかしながら、最近、ブラウン管や撮像管の高性
能化にともなって、高電流密度の陰極に対する１＃求が
強くなってきた従来の陰極ではＯ，Ｓ〜ｏ、 ｓ ｈ／
、１１の電流密度が限界であり、これ以上の電流をとり
出すと、陰極の寿命が短くなる。
図は従来、ブラウン管や撮像管に用いられている陰極を
示すものであり、Ｓｉ、Ｚｒ、ＭＰ 、ムＺ、Ｗなどの
還元性元素を含むＮ１基体１１１の上に、Ｂａ。
示すものであり、Ｓｉ、Ｚｒ、ＭＰ 、ムＺ、Ｗなどの
還元性元素を含むＮ１基体１１１の上に、Ｂａ。
Ｓｒ、Ｃｕのアルカリ土類金−−酸化物からなる電子放
射物質（２）が被覆され、ヒータ（３）によって加熱さ
れる。通常、上記電子放射物質（りは、Ｂａ、８＜。
射物質（２）が被覆され、ヒータ（３）によって加熱さ
れる。通常、上記電子放射物質（りは、Ｂａ、８＜。
Ｃｕの炭酸塩でＮ１基体１１１ Ｋ塗布され、真空中で
加熱して炭酸塩から酸化物にかえる分解過程と、さらに
酸化物の一部を還元して炭素をとり除き、半導体的性質
を何するようにする活性化の過程を経る。これによって
初めて電子放射を得ることが可能となる。上記Ｎ１基体
ＩｌｌのなかＴｌＣ８１゜Ｍｌ！、ＡＩ などの元素
を含有させているのは、上記鑞元反応を行なわせるため
である。すなわち、Ｎ１基体１１）中の上記還元性元素
は、拡散によりアルカリ土類金属酸化物とＮ１基体（１
）の界面に移納し、アルカリ土類今暁酸化物と反応する
。例えばＢａＯけ以下のように反応する。
加熱して炭酸塩から酸化物にかえる分解過程と、さらに
酸化物の一部を還元して炭素をとり除き、半導体的性質
を何するようにする活性化の過程を経る。これによって
初めて電子放射を得ることが可能となる。上記Ｎ１基体
ＩｌｌのなかＴｌＣ８１゜Ｍｌ！、ＡＩ などの元素
を含有させているのは、上記鑞元反応を行なわせるため
である。すなわち、Ｎ１基体１１）中の上記還元性元素
は、拡散によりアルカリ土類金属酸化物とＮ１基体（１
）の界面に移納し、アルカリ土類今暁酸化物と反応する
。例えばＢａＯけ以下のように反応する。
１１ＢａＯ＋ ８１− ＩＢａ ＋ ８１０゜この結果
、Ｎｉ基体（１）上に塗布したアルカリ土類金Ｘ酸化物
の一部が畢元され酸素欠乏型の半導体となり、陰極温度
７００〜ＳＯＯ℃の動作温度で０．５〜０−８ Ａ／ｃ
ｙｌの電子放射が得られる。これ以−トの電流をとり出
すことができない理由とじ看上記還元反応の結果、Ｎ１
基体＋１１とアルカリ土類今暁酸化物との界面にｓ 日
ｉ ｏｔ ｙ Ｍｊ’ Ｏなどの酸化物−にれを中間層
と−云う）が形成され、この中１１ｔ１層が高抵抗層と
なって電流の流れを妨げること、また上２中間−が存在
するためにアルカリ土類今暁酸化物と１元性元素との反
応が抑制され、十分なりａが生成されないことなどが考
えられる。
、Ｎｉ基体（１）上に塗布したアルカリ土類金Ｘ酸化物
の一部が畢元され酸素欠乏型の半導体となり、陰極温度
７００〜ＳＯＯ℃の動作温度で０．５〜０−８ Ａ／ｃ
ｙｌの電子放射が得られる。これ以−トの電流をとり出
すことができない理由とじ看上記還元反応の結果、Ｎ１
基体＋１１とアルカリ土類今暁酸化物との界面にｓ 日
ｉ ｏｔ ｙ Ｍｊ’ Ｏなどの酸化物−にれを中間層
と−云う）が形成され、この中１１ｔ１層が高抵抗層と
なって電流の流れを妨げること、また上２中間−が存在
するためにアルカリ土類今暁酸化物と１元性元素との反
応が抑制され、十分なりａが生成されないことなどが考
えられる。
本発明にこ一、Ｒ’＝をけかるにめになされたものであ
り、アルカリ土類金属酸化物に粒径０．８ミクロン以下
のニッケル粉末、あるいはコバルト粉末、あるいはニッ
ケルとコバルトの合１）を特徴とするものである。
り、アルカリ土類金属酸化物に粒径０．８ミクロン以下
のニッケル粉末、あるいはコバルト粉末、あるいはニッ
ケルとコバルトの合１）を特徴とするものである。
以下、本発明の具体的実施例を説明する。
Ｂａ 、 Ｓｒ 、 Ｃｕ の三元炭酸塩に平均粒径が
５０ＯＡの幾粉末を１．０重量％添加し、これにニトロ
セルローズラッカー、酢峻ブチルなどを加えて混合して
＠濁液を作成した。これを８１ 、 ｗなどの１磯元性
元素を含むＮ１基体でスプレィによって約１００μｍ
（Ｄ 厚みで塗布した。このようニ作吠した陰極をブラ
ウン管に実装して試験し、またこの陰極を使用してＩＡ
糧真空費を作製して試験したところ、陰極の温度７００
〜８００℃でトＩＡ、イゼの電子放射が得られ、従来に
比較して高電流が得られることが確認された。
５０ＯＡの幾粉末を１．０重量％添加し、これにニトロ
セルローズラッカー、酢峻ブチルなどを加えて混合して
＠濁液を作成した。これを８１ 、 ｗなどの１磯元性
元素を含むＮ１基体でスプレィによって約１００μｍ
（Ｄ 厚みで塗布した。このようニ作吠した陰極をブラ
ウン管に実装して試験し、またこの陰極を使用してＩＡ
糧真空費を作製して試験したところ、陰極の温度７００
〜８００℃でトＩＡ、イゼの電子放射が得られ、従来に
比較して高電流が得られることが確認された。
体からアルカリ土類”’；■酸化物層表面までの導電性
がよくなったこと、およびＮ１粉末がアルカリ土類金属
酸化物層のなかに含まれているので、このＮ１粉末によ
ってアルカリ土類金属酸化物が還元され、活性化が十分
に良く行表われるためと考えられる。
がよくなったこと、およびＮ１粉末がアルカリ土類金属
酸化物層のなかに含まれているので、このＮ１粉末によ
ってアルカリ土類金属酸化物が還元され、活性化が十分
に良く行表われるためと考えられる。
本発明において、アルカリ土類今暁酸化物に添加するＮ
１ 粉末の粒径について検討したところ、ｏ、ｓミクロ
ン以下の微粉末が模いことがわかった。この粒径が０．
８ミクロンより大きくなると、酸化物層のなかにＮ１粉
末が偏在するように々す％局部的に電流が流れやすい箇
所ができて望ましくない。またＮ１粉末の添加量は０．
１％〜１０％の範囲が良い。この量が１０％を越えると
、慮元作用が強すぎて、過剰の堀が生成さへ陰極の寿命
が短かくなる。また０、 １％より少ないと、酸化物層
の導電性の増加が小さい。
１ 粉末の粒径について検討したところ、ｏ、ｓミクロ
ン以下の微粉末が模いことがわかった。この粒径が０．
８ミクロンより大きくなると、酸化物層のなかにＮ１粉
末が偏在するように々す％局部的に電流が流れやすい箇
所ができて望ましくない。またＮ１粉末の添加量は０．
１％〜１０％の範囲が良い。この量が１０％を越えると
、慮元作用が強すぎて、過剰の堀が生成さへ陰極の寿命
が短かくなる。また０、 １％より少ないと、酸化物層
の導電性の増加が小さい。
上記発明においてｓ Ｎｉ粉末の代りにＣＯ粉末および
Ｎ１とｃｏの合金粉末を使用して、上記と同様の試験を
行なったところ、同様の効果が得られた。
Ｎ１とｃｏの合金粉末を使用して、上記と同様の試験を
行なったところ、同様の効果が得られた。
なお、本発明において、 Ｎｌ扮末、ｃｏ粉末Ｎ１とＣ
Ｏの合金粉末を夫々単独に混合しても良いが両者を同時
に使用しても良いことは勿論である。
Ｏの合金粉末を夫々単独に混合しても良いが両者を同時
に使用しても良いことは勿論である。
以上説明したように、本発明による電子管陰極において
は、主成中がニッケルからなる基体に、アルカリ土類金
属酸化物に粒径０．８ミクロン以下の粗粉末、あるいは
一粉末あるいけＮ１とｃｏの合金粉末を混合させた電子
放射物質を被着させたことにより、酸化物層の導電性が
増加し、また活性化が十分に行なわれる効果が生じ、そ
の結果従来よりも高電流密度の電子管陰極を得ることが
できる。
は、主成中がニッケルからなる基体に、アルカリ土類金
属酸化物に粒径０．８ミクロン以下の粗粉末、あるいは
一粉末あるいけＮ１とｃｏの合金粉末を混合させた電子
放射物質を被着させたことにより、酸化物層の導電性が
増加し、また活性化が十分に行なわれる効果が生じ、そ
の結果従来よりも高電流密度の電子管陰極を得ることが
できる。
図は、電子管陰極の一例を示す要部断面図である。
図において、（１）は基体、（！１は電子放射物質、１
３１けヒータを示す。 代理人 葛 野 信 −
３１けヒータを示す。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主成分がニッケルからなる基体金属に、パリクムを含む
アルカリ土類金属酸化物層を被着形成した陰極において
、上記アルカリ土類金属酸化物に粒径が０．８ミクロン
以下のニッケル粉末。 あるいけコバルト粉末あるいはニッケルとコバルトより
なる合金粉末の一種又は複数種が混合されてなることを
特徴とする電子管陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037685A JPS58154129A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 電子管陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037685A JPS58154129A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 電子管陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154129A true JPS58154129A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12504433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57037685A Pending JPS58154129A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 電子管陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020063327A (ko) * | 2001-01-27 | 2002-08-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 금속 음극 및 이를 구비한 방열형 음극구조체 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538225A (en) * | 1976-04-26 | 1978-01-25 | Oakes Gilbert | Ski boot provided with recess in sole |
| JPS5521844A (en) * | 1978-08-04 | 1980-02-16 | Hitachi Ltd | Metal oxide cathode |
-
1982
- 1982-03-08 JP JP57037685A patent/JPS58154129A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538225A (en) * | 1976-04-26 | 1978-01-25 | Oakes Gilbert | Ski boot provided with recess in sole |
| JPS5521844A (en) * | 1978-08-04 | 1980-02-16 | Hitachi Ltd | Metal oxide cathode |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020063327A (ko) * | 2001-01-27 | 2002-08-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 금속 음극 및 이를 구비한 방열형 음극구조체 |
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