JPS61198529A - 電子管陰極 - Google Patents
電子管陰極Info
- Publication number
- JPS61198529A JPS61198529A JP60040354A JP4035485A JPS61198529A JP S61198529 A JPS61198529 A JP S61198529A JP 60040354 A JP60040354 A JP 60040354A JP 4035485 A JP4035485 A JP 4035485A JP S61198529 A JPS61198529 A JP S61198529A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- alkaline earth
- nickel
- earth metal
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明はTV用ジブラウン管どに用いられる電子管陰極
に関し、特に電子放射性酸化物層の改良に関する。
に関し、特に電子放射性酸化物層の改良に関する。
従来、ブラウン管などの電子管Cζはバリウム。
ストロンチウムおよびカルシウムの酸化物がニッケルを
主成分とする基体金属に被着された陰極が用いられてき
た。しかしながら、最近、ブラウン管や撮像管の高性能
化にともなって、高電流密度の陰極に対する要求が強く
なってきた。しかしながら特開昭56−180057に
示されているように従来の陰極では0,5〜0.8A/
crn’ の電流密度が限界であり、これ以上の電流
をとり出すと、陰極の寿命が短くなる。
主成分とする基体金属に被着された陰極が用いられてき
た。しかしながら、最近、ブラウン管や撮像管の高性能
化にともなって、高電流密度の陰極に対する要求が強く
なってきた。しかしながら特開昭56−180057に
示されているように従来の陰極では0,5〜0.8A/
crn’ の電流密度が限界であり、これ以上の電流
をとり出すと、陰極の寿命が短くなる。
図は従来、ブラウン管や撮像管に用いられている陰極を
示すものであり、 Si、 Zrs Mg、 AJ、
Wなどの還元性元素を含む姐基体(1)の上に% Ba
s Sr sCaのアルカリ土類金属酸化物からなる
電子放射物質層(2)が被覆され、ヒータ(3)によっ
て加熱される。
示すものであり、 Si、 Zrs Mg、 AJ、
Wなどの還元性元素を含む姐基体(1)の上に% Ba
s Sr sCaのアルカリ土類金属酸化物からなる
電子放射物質層(2)が被覆され、ヒータ(3)によっ
て加熱される。
通常、上記電子放射物質層(2)は% Bat Srs
Caの炭酸塩でN1基体(1)に塗布され、真空中で
加熱して炭酸塩から酸化物にかえる分解過程と、さらに
酸化物の一部を還元して酸素をとり除き、半導体的性質
を有するようにする活性化の過程を経る。これによって
初めて電子放射を得ることが可能となる。
Caの炭酸塩でN1基体(1)に塗布され、真空中で
加熱して炭酸塩から酸化物にかえる分解過程と、さらに
酸化物の一部を還元して酸素をとり除き、半導体的性質
を有するようにする活性化の過程を経る。これによって
初めて電子放射を得ることが可能となる。
上記Ni基体(l)のなかにS r s Mg * A
1などの元素を含有させているのは、上記還元反応を行
なわせるためである。すなわち、Ni基体(1)中の上
記還元性元素は、拡散によりアルカリ土類金属酸化物と
Ni基体(1)の界面に移動し、アルカリ土類金属酸化
物と反応する。例えばBaOは以下のように反応する。
1などの元素を含有させているのは、上記還元反応を行
なわせるためである。すなわち、Ni基体(1)中の上
記還元性元素は、拡散によりアルカリ土類金属酸化物と
Ni基体(1)の界面に移動し、アルカリ土類金属酸化
物と反応する。例えばBaOは以下のように反応する。
2BaO+Si = 2Ba+5iOzこの結果、Ni
基体(1)上に塗布したアルカリ土類金属酸化物の一部
が還元されて酸素欠乏型の半導体となり、陰極温度70
0〜800℃の動作温度で0.5〜0.8A/cm”の
電子放射が得られる。これ以上の電流をとり出すことが
できない理由として、上記還元反応の結果、Ni基体(
1)とアルカリ土類金属酸化層との界面に、5iOz、
MgOなどの酸化物層(これを中間層と云う)が形成さ
れ、この中間層が高抵抗層となって電流の流れを妨げる
こと、また上記中間層が存在するためにアルカリ土類金
属酸化物と還元性元素との反応が抑制され、十分なりa
が生成されないことなどが考えられる。
基体(1)上に塗布したアルカリ土類金属酸化物の一部
が還元されて酸素欠乏型の半導体となり、陰極温度70
0〜800℃の動作温度で0.5〜0.8A/cm”の
電子放射が得られる。これ以上の電流をとり出すことが
できない理由として、上記還元反応の結果、Ni基体(
1)とアルカリ土類金属酸化層との界面に、5iOz、
MgOなどの酸化物層(これを中間層と云う)が形成さ
れ、この中間層が高抵抗層となって電流の流れを妨げる
こと、また上記中間層が存在するためにアルカリ土類金
属酸化物と還元性元素との反応が抑制され、十分なりa
が生成されないことなどが考えられる。
L発明が解決しようとする問題点〕
最近、ブラウン管や撮像管の高性能化にともなって、高
電流密度の陰極に対する要求が強くなってきた。従来の
陰極では05〜0.8 A / c m2 の電流密
度が限界であり、これ以上の電流をとり出すと、陰極の
寿命が短かくなる。本発明は従来より高電流をとり出す
ことを目的とする。
電流密度の陰極に対する要求が強くなってきた。従来の
陰極では05〜0.8 A / c m2 の電流密
度が限界であり、これ以上の電流をとり出すと、陰極の
寿命が短かくなる。本発明は従来より高電流をとり出す
ことを目的とする。
し問題点を解決するための手段〕
本発明は高電流密度の電流をとり出すために、主成分が
ニッケルからなる基体金属に、バリウムを含むアルカリ
土類金属酸化物層を被着形成した陰極において、上記ア
ルカリ土類金属酸化物に005〜1重量%の炭化ジルコ
ニウムと0.1〜lO重量%のニッケル粉末、あるいは
コバルト粉末あるいはニッケルとコバルトよりなる合金
粉末の一種又は複数種を混合した。
ニッケルからなる基体金属に、バリウムを含むアルカリ
土類金属酸化物層を被着形成した陰極において、上記ア
ルカリ土類金属酸化物に005〜1重量%の炭化ジルコ
ニウムと0.1〜lO重量%のニッケル粉末、あるいは
コバルト粉末あるいはニッケルとコバルトよりなる合金
粉末の一種又は複数種を混合した。
〔問題点を解決するための手段の作用〕本発明の構成に
より、アルカリ土類金属酸化物に添加した炭化ジルコニ
ウムによってアルカリ土類金属酸化物が還元され、活性
化が十分に良く行われ、またニッケル粉末あるいはコバ
ルト粉末によって上記酸化物層の導電性がよくなる。
より、アルカリ土類金属酸化物に添加した炭化ジルコニ
ウムによってアルカリ土類金属酸化物が還元され、活性
化が十分に良く行われ、またニッケル粉末あるいはコバ
ルト粉末によって上記酸化物層の導電性がよくなる。
以下、本発明の具体的実施例を説明する。バリウム、ス
トロンチウム、カルシウムの三元炭酸塩に、0.1i量
%の炭化ジルコニウムと1重量%のニッケル粉末を添加
し、これにニトロセルローズラッカー、酢酸ブチルなど
を加えて混合し、懸濁液を作成した。上記ニッケル粉末
は、上記三元炭酸塩に添加する前に、水素ガス中で18
0℃、10分の加熱処理を施し、また炭化ジルコニウム
は1000℃lO分間の真空中加熱処理を施した。これ
をニッケル基体金属上にスプレィによって約100ミク
ロンの厚みで塗布した後、前述の分解過程と活性化過程
を施した。このようにして作成した陰極をブラウン管に
実装して試験し、またこの陰極を使用して2極真空管を
作成して試験したところ、陰極の温度700〜800℃
で1〜2A/cm”の電子放射が得られ、従来に比較し
て高電流が得られることが確認された。
トロンチウム、カルシウムの三元炭酸塩に、0.1i量
%の炭化ジルコニウムと1重量%のニッケル粉末を添加
し、これにニトロセルローズラッカー、酢酸ブチルなど
を加えて混合し、懸濁液を作成した。上記ニッケル粉末
は、上記三元炭酸塩に添加する前に、水素ガス中で18
0℃、10分の加熱処理を施し、また炭化ジルコニウム
は1000℃lO分間の真空中加熱処理を施した。これ
をニッケル基体金属上にスプレィによって約100ミク
ロンの厚みで塗布した後、前述の分解過程と活性化過程
を施した。このようにして作成した陰極をブラウン管に
実装して試験し、またこの陰極を使用して2極真空管を
作成して試験したところ、陰極の温度700〜800℃
で1〜2A/cm”の電子放射が得られ、従来に比較し
て高電流が得られることが確認された。
良好な電子放射が得られる理由は、ニッケル粉末がアル
カリ土類金属酸化物粒子のなかに介在して、酸化物層の
導電性がよくなったこと、炭化ジルコニウムによりアル
カリ土類金属酸化物の活性化がよくなったためと考えら
れる。ニッケル基体金属中には、Sit Zrs Mg
s Ags Wなど、の還元性元素が含有されており、
真空排気中における陰極の活性化過程で、これら還元性
元素がニッケル基体の表面に拡散移動し、表面でアルカ
リ土類金属酸化物を還元し、電子放射に有効なりaを生
成する。
カリ土類金属酸化物粒子のなかに介在して、酸化物層の
導電性がよくなったこと、炭化ジルコニウムによりアル
カリ土類金属酸化物の活性化がよくなったためと考えら
れる。ニッケル基体金属中には、Sit Zrs Mg
s Ags Wなど、の還元性元素が含有されており、
真空排気中における陰極の活性化過程で、これら還元性
元素がニッケル基体の表面に拡散移動し、表面でアルカ
リ土類金属酸化物を還元し、電子放射に有効なりaを生
成する。
このとき上記還元性元素は酸化物となり、ニッケルの表
面上にS s Ox s MgOなどの酸化物層、いわ
ゆる中間層を形成することになる。しかしながら。
面上にS s Ox s MgOなどの酸化物層、いわ
ゆる中間層を形成することになる。しかしながら。
上述の実施例においては、ニッケル粉末が混合しである
ために上記5102 s MgOなどの形成による導電
性低下を防止することができるものである。さらに炭化
ジルコニウムがアルカリ土類金属酸化物の間に存在して
いることにより、アルカリ土類金属酸化物が還元され、
電子放射に有効なりa原子を生成し、活性状態がよくな
るものである。
ために上記5102 s MgOなどの形成による導電
性低下を防止することができるものである。さらに炭化
ジルコニウムがアルカリ土類金属酸化物の間に存在して
いることにより、アルカリ土類金属酸化物が還元され、
電子放射に有効なりa原子を生成し、活性状態がよくな
るものである。
アルカリ土類金属酸化物に添加する炭化ジルコニウムの
量について検討したところ、 0.05〜1重量%が良
いことがわかった。この量が0.05のより少ないと上
記還元作用が十分でなく、従ってI3aの生成が不十分
である。また、炭化ジルコニウムの星が1%を越えると
、 Baの生成が多すぎることになり、電子放射に寄与
しないBaが存在し、Baの消耗が早くなり短寿命とな
る。またNi粉末の添加量は0.1%〜10%の範囲が
良い。この量が10%を越えると、相対的にアルカリ土
類金属酸化物とニッケル基体金属との接触面積が減少し
、 Baの生成が少なく、十分な電子放射が得られない
。また01%より少ないと、酸化物層の導電性の増加が
小さい。
量について検討したところ、 0.05〜1重量%が良
いことがわかった。この量が0.05のより少ないと上
記還元作用が十分でなく、従ってI3aの生成が不十分
である。また、炭化ジルコニウムの星が1%を越えると
、 Baの生成が多すぎることになり、電子放射に寄与
しないBaが存在し、Baの消耗が早くなり短寿命とな
る。またNi粉末の添加量は0.1%〜10%の範囲が
良い。この量が10%を越えると、相対的にアルカリ土
類金属酸化物とニッケル基体金属との接触面積が減少し
、 Baの生成が少なく、十分な電子放射が得られない
。また01%より少ないと、酸化物層の導電性の増加が
小さい。
上記実施例において、ニッケル粉末は水素中で180℃
%lO分の加熱処理を施こしたが、この処理は150℃
以上が望ましい。ニッケル粉末の表面は。
%lO分の加熱処理を施こしたが、この処理は150℃
以上が望ましい。ニッケル粉末の表面は。
薄い酸化膜に被覆されており、酸化膜が被覆された状態
では、上記導電性増加作用が得られない。
では、上記導電性増加作用が得られない。
水素ガス中で150℃以上で加熱することにより、酸化
膜が除去される。
膜が除去される。
上記発明において、Ni粉末の代りにCo粉末およびN
iとCoの合金粉末を使用して、上記と同様の試験を行
なつ1こところ、同様の効果が得られた。
iとCoの合金粉末を使用して、上記と同様の試験を行
なつ1こところ、同様の効果が得られた。
なお、上記実施例においてはNi粉末を添加するように
したが、Ni粉末、Co粉末、NiとCoの合金粉末を
夫々単独に混合しても良いが、両者を同時に使用しても
良いことは勿論である。
したが、Ni粉末、Co粉末、NiとCoの合金粉末を
夫々単独に混合しても良いが、両者を同時に使用しても
良いことは勿論である。
以−1−説明したように、本発明による電子管陰極によ
れば、主成分がニッケルからなる基体に、水素ガス中で
150℃以上の加熱処理し1こ粒径0.8ミクロン以上
のNi粉末、あるいはCo粉末あるいはNiとCoの合
金粉末を混合したアルカリ土類金属酸化物を電子放射物
質層として被着させtこるようにしたので%電子放射物
質層の導電性が増加し、活性化が十分に行なわれる効果
が生じ、その結果従来よりも高電流密度の電子陰極を得
ることができる。
れば、主成分がニッケルからなる基体に、水素ガス中で
150℃以上の加熱処理し1こ粒径0.8ミクロン以上
のNi粉末、あるいはCo粉末あるいはNiとCoの合
金粉末を混合したアルカリ土類金属酸化物を電子放射物
質層として被着させtこるようにしたので%電子放射物
質層の導電性が増加し、活性化が十分に行なわれる効果
が生じ、その結果従来よりも高電流密度の電子陰極を得
ることができる。
図は、電子管陰極の一例を示す要部断面図である。
図において、(1)は基体、(2)は電子放射物質層、
(3]はヒータを示す。 17R’
(3]はヒータを示す。 17R’
Claims (1)
- 主成分がニッケルからなる基体金属に、バリウムを含む
アルカリ土類金属酸化物からなる電子放射物質層を被着
形成する陰極において、上記アルカリ土類金属酸化物は
、0.05〜1重量%の炭化ジルコニウムと0.1〜1
0重量%のニッケル粉末、あるいはコバルト粉末あるい
はニッケルとコバルトよりなる合金粉末の一種又は複数
種が混合されていることを特徴とする電子管陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040354A JPS61198529A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子管陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040354A JPS61198529A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子管陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198529A true JPS61198529A (ja) | 1986-09-02 |
Family
ID=12578294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040354A Pending JPS61198529A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子管陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198529A (ja) |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60040354A patent/JPS61198529A/ja active Pending
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