JPS58154367A - サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生器 - Google Patents

サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生器

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JPS58154367A
JPS58154367A JP57034680A JP3468082A JPS58154367A JP S58154367 A JPS58154367 A JP S58154367A JP 57034680 A JP57034680 A JP 57034680A JP 3468082 A JP3468082 A JP 3468082A JP S58154367 A JPS58154367 A JP S58154367A
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JP
Japan
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light emitting
emitting element
thyristor
optical
elements
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JP57034680A
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English (en)
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Yukihiko Hatano
幸彦 秦野
Tadashi Takahashi
忠 高橋
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H02M1/092Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/78Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
    • H03K17/79Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region

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  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、サイリスタを直列あるいは直並列接続し友サ
イリスタ変換器の光r−)信号発生器に関するものであ
る。
(発明の技術的背景〕 近年光伝送技術の進歩によりサイリスタ変換器のr−ト
l111IIlに光信号が使用されている。特に光駆動
半導体の1つである光サイリスタの開発故実が進み、信
頼性が高まって来九ので、光源から出た光信号を光伝送
系(以下ライトガイドと記す、)を用いて伝送し、サイ
リスタを直接点弧制御を行う方式が使用されるようにな
りて来た。このような方式において光p −) 、fル
ス発生器は従来第1図のような構成となっている0図に
おいて、1はサイリスタ変換器01アームを示し、1は
光r−)信号発生回路、1はライトガイドである* 4
tt −4vanは発光ダイオード、レーデダイオード
などの発光素子、jll〜5□は光サイリスタであり、
各光サイリスタは、それと同じ添字の発光素子とライ)
ガイド1で光結合され、点弧制御されるmar1’−)
信号発生回路、1は増幅器、1はトランジスタ、9はダ
イオード、10は抵抗、11は賃イリス!の電流峻度を
下げる丸めOアノードリアクトル、JJ、JJ、JJは
抵抗、プンデンデから成る分圧回路でおる・ 〔背景技術の問題点〕 今、r−)信号預生器6からの信号を増lI器rを通し
、ト2ンゾスタ8を点弧させると各直並列され丸見光素
子4■〜4□に電流が流れ光信号を発生する。そしてそ
の光信号はライトガイド1を介して各サイリスタl11
1〜’ tanに伝送され各サイリスタを点弧させ変換
器の1アームをオフ状態からオン状態へと移行させる。
この時、発光素子4■〜’nmは鳳個ごとのブロックが
一個並列されえ構成となっている丸め、ある発光素子が
オープン故障し先陣、その発光素子の含まれるプロ、り
には電流が流れ得なくなりそのブロックに対応する1個
のサイリスタは、オンできなくなる。その九め1アーム
にかかつてい友全電圧を1ブロツクのすイリスタで負担
することになり1個のサイリスタ全部に劣化、又は破壊
を引き起こす・ そこで、サイリスタ変換器の信頼性を高める丸めに42
図に示す如く現在上は光p  )、譬ルス発生器を複数
個用いて、同一の党サイリスタを点弧制御する多重化方
式で行なわれる。(記号はall−と同一である。)各
党ナイリスタ5■〜5゜Kは光信号は2つ0r−)信漫
発生器の各々の発光素子411〜4□、4■′〜’++
u′にライトガイドで光結合されている丸め、ある発光
素子がオープン故障しても正常に動作し得る・ しかし、この構成では、■制御回路の消費電力が大きく
なる。■一般に発光素子は経時劣化するが発光素子はす
べて常時使用されているので、ライフ特性によりすべて
の発光素子はは埋同じ速度で劣化する。■部品が増加す
ることKより信−性が低下する。などO問題がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は発光素子のオープン故−に対してナイリ
スタt−保鏝する系を有し、上記問題点を改善し、より
信頼性の高いサイリスタ変換器の光r−)信号発生器を
提供するものである・〔発明の概要〕(1 本発明は、この目的を遺戒する丸め、従来用いられてい
る発光素子(以下第10発光素子と配す)に別の発光素
子(以下第10発光素子と・ 記す)と非線形素子との
直列回路を並列接続し、第1の発光素子のオープン故一
時には、第2の発光素子を介して光r−F信号を伝送し
得るようにしたことを特徴とするものである。
〔発明の実施例〕
第3図に本発明の構成図を示す6図中1〜14は第1図
と同様である。15■〜”muは非線形素子、1111
〜161mは、第2の発光素子である。同一添字の発光
素子411〜4□とfgll〜1e は同一サイリスタ
と光結合されている。
11 非線形素子1511〜11E、nの動作インピーダンス
は発光素子411〜4mが異常に大きなインピーダンス
になり先陣、又はオーブン状態になつ先陣に非線形素子
1511〜J J 、llを第2の発光素子1611〜
161.に電流が流れるように構成する。第3図はツェ
ナーダイオードの逆方向の非[41インピーダンスを使
つ先例である。
次に本発明の作用について述べる。
正常時には非線形素子の丸めにIC11〜16、の第2
の発光素子には電流が流れず4411〜4□ の第1の
発光素子Oみ電流が流れ光信号を発生してサイリスタ5
11〜51を点領す為。
今、ある発光素子がオープン故障し喪場舎、例えば4.
1がオープン故障し先例で1!−で示す電流では点曽て
示すように非線形素子1111を通して第2の発光′素
子目■を流れ、仁の発光素子によってずイリスタ1■を
点弧制御すゐことができ、サイリスタ51にの劣化・破
壊を紡ぐことができる。この時勿論他の発光素子41〜
4□は正常であるからすイリスタ51〜5−は41〜4
 mmで正常に駆動1れゐ、又、駆、動−路7、alt
’11つですみ、第2mK比べて消費電力は半分でよい
、ま先発光素子1611〜1#鵬は411〜4rnaが
オープン故障する壕で電流が流れないからほとんど経時
劣化していない、よって素子の信頼性は極めて高くなる
。なおfs112)II光素子411〜4に、In中2
個以上オープン故障しても前記の説明と同様KJ#ll
〜I’m0IIIO発光素子で光サイリスタは躯III
Jiiれ、保−されると共にサイリスタ変換器O這転を
#lAl1で龜る。
第4図(a) (b) K本発明の他の実施例を示す、
第4図(荀及び(b)はそれぞれ非線形素子としてダイ
オード1rll〜1r、Il及びサイリスタ1811〜
11工、を使用し先例である。第4図(&)の各ダイオ
ードJF1.〜”、mと発光ダイオード1611〜”1
1131の和の動作インピーダンスを第1の発光素子4
■〜4□よ)大きくすれば本発明と同様の作用効果が得
られる。を九第4図伽)は抵抗1#■〜19.llを適
当に選定することにより411〜4n1mが異常に高い
インピーダンス又はオーブン状態になり丸時サイリスタ
1a■〜1#。
を点弧し、電流を第2の発光素子161.〜16□にパ
イ・臂スすることができる。第4図(a)、伽)のガの
いずれも非直線素子のインピーダンスは本発明第3図の
非直線素子より低く選定できるので第1の発光素子41
1〜4工が1個又はそれ以上オープンになり走時でも発
光素子の電流でと:′1 は正常時と余り変わることなく一定に保つことができる
第5図(&) 、 (b)にそれでれ発光素子を全直列
、全並列の場合の実施例を示す、いずれも本発明と全く
同様の効果が得られる。
なお、第3図、第4図及び第5図ではサイリスタは光サ
イリスタとして説明し九が、これを電気サイリスタとし
、各サイリスタレベルに光電変換器と増幅器を有するい
わゆる間接光点儀式サイリスタ変換器に本発明を適用で
きる仁とは勿論、すべての光r−)信号発生11に適用
できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように各発光素子に並列に1非線形素子と
発光素子との直列回路を接続するという簡単な構成によ
シ、発光素子のオーブン故障に対してずイリスタの破壊
を防止することができる。を九消費電力も多重化に比べ
ると数分の1で、よく、・さらに装酸の信頼性を格段に
あげることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサイリスク変換器の光、r−ト信号発生
回路の構成図、第2図は2重化しぇ従来のすイリスタ変
換器の光r−)信号発生器の構成図、第3図は本発明の
一実施例を示すサイリスタ変換器の光r−)信号発生器
の構成図、第4図、第5sは本発明のそれぞれ異る他の
実施例を示す構成図である。 1・・・サイリスタ変換器、2・・・光r−ト/奢ルス
発生器、3・・・ライトガイド、411〜4m1m・・
・発光素子、jtl〜jtll、−・・サイリスク、 
g−r−ト/臂ルス発生器、!・・・増幅器、8・・・
トランジスタ、り・・・ダイオード、J#−・・抵抗、
11・・・アノードリアクトル%  11.11.14
−・分圧回路、151亀〜15、・・・非線形素子、1
ist〜16a1・・・発光素子、7711〜11m、
・・・ダイオード、−Ill、〜Ia、、・・・サイリ
スタ%J#11〜J#m。 ・・・抵抗。 出願人代理人 弁理士 鉤 江 武 彦3 第3園 (a)(b) 320− 第5図 (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 豪数個のサイリスタを直列あるいは、直並列接続して構
    成し九サイリスタ変換器を点弧する丸めの光r−1fル
    ス尭生器に於いて、第1の発光素子を直列又は直並列接
    続すると共に、第1の各発光素子と並列に非畿形素子と
    第2の発光素子との直列回路を接続したことを特徴とし
    えサイリスタ変換器の光r−)信号発生器。
JP57034680A 1982-03-05 1982-03-05 サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生器 Pending JPS58154367A (ja)

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EP83102172A EP0088411B1 (en) 1982-03-05 1983-03-05 Optical gate signal generating apparatus and thyristor converter apparatus including the same
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EP0088411A2 (en) 1983-09-14
US4489372A (en) 1984-12-18
EP0088411A3 (en) 1984-02-22
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EP0088411B1 (en) 1986-06-18

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