JPS5815531B2 - カタメンヨウユウキンゾクメツキホウホウ - Google Patents
カタメンヨウユウキンゾクメツキホウホウInfo
- Publication number
- JPS5815531B2 JPS5815531B2 JP50106018A JP10601875A JPS5815531B2 JP S5815531 B2 JPS5815531 B2 JP S5815531B2 JP 50106018 A JP50106018 A JP 50106018A JP 10601875 A JP10601875 A JP 10601875A JP S5815531 B2 JPS5815531 B2 JP S5815531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- gas
- spraying
- oxygen
- plating bath
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
- Coating With Molten Metal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は溶融金属メッキに於いて片面のみにメッキを施
す方法に関するものである。
す方法に関するものである。
近時耐蝕性の点から溶融メッキ鋼板、例えば亜鉛鉄板は
各種の用途に需用が増大して来ているが使用に際して表
裏両面が同一の耐蝕性を必要とせず片面のみで充分な場
合も多い。
各種の用途に需用が増大して来ているが使用に際して表
裏両面が同一の耐蝕性を必要とせず片面のみで充分な場
合も多い。
更に又自動車や電気製品などの部材の加工組立てにおい
ては多くの場合抵抗溶接が用いられているが、この場合
メッキ金属が電極にビルドアップして電極を汚し溶接性
を低下させる欠点がある。
ては多くの場合抵抗溶接が用いられているが、この場合
メッキ金属が電極にビルドアップして電極を汚し溶接性
を低下させる欠点がある。
このよｊな背景から片面溶融メッキ鋼板の工業的製造技
術の確立が要請されている。
術の確立が要請されている。
この為片面溶融メッキ鋼板の製造法として例えば２枚の
板を重ねて端部を溶接してメッキ後、溶接部を切り捨て
る方法、或いは水ガラスコロイド状シリカゾルなど各種
の薬剤を片面に塗布してシールする方法、ロールコーテ
ィングで片面に溶融金属を塗布してメッキする方法など
種々の方式が提案されているが、これらの方法は製造コ
ス）・、生産能率、更には品質などの点で問題点がある
。
板を重ねて端部を溶接してメッキ後、溶接部を切り捨て
る方法、或いは水ガラスコロイド状シリカゾルなど各種
の薬剤を片面に塗布してシールする方法、ロールコーテ
ィングで片面に溶融金属を塗布してメッキする方法など
種々の方式が提案されているが、これらの方法は製造コ
ス）・、生産能率、更には品質などの点で問題点がある
。
更に又片面に酸化被膜を形成させて片面メッキを行う方
法として例えばＵＳｐａｔＮ６，３３８３２５０に記載
する方法があり、この方法は無酸化炉に於いて加熱後片
面より空気又は酸素を吹きつけ反対側より多量の可燃性
ガスを吹きつけて片面のみ酸化させ、次いで低水素の保
護雰囲気中で酸化被膜を保持しつつメッキ浴に導かれる
ものである。
法として例えばＵＳｐａｔＮ６，３３８３２５０に記載
する方法があり、この方法は無酸化炉に於いて加熱後片
面より空気又は酸素を吹きつけ反対側より多量の可燃性
ガスを吹きつけて片面のみ酸化させ、次いで低水素の保
護雰囲気中で酸化被膜を保持しつつメッキ浴に導かれる
ものである。
しかしこの方法は保護雰囲気中を通過中に酸化被膜の還
元が起らずしかもメッキされる面には酸化が起らないよ
うな条件、即ち酸化還元が起らないように厳密に雰囲気
条件をコンＩ・ロールすることが必要で、又予め焼鈍が
施されたメッキ原板を用いることが必要なことなどから
メッキ方式が限定され（シーラス方式）工業的生産に於
いて普遍性に乏しい方法といえる。
元が起らずしかもメッキされる面には酸化が起らないよ
うな条件、即ち酸化還元が起らないように厳密に雰囲気
条件をコンＩ・ロールすることが必要で、又予め焼鈍が
施されたメッキ原板を用いることが必要なことなどから
メッキ方式が限定され（シーラス方式）工業的生産に於
いて普遍性に乏しい方法といえる。
そこで本発明は低コスト、高生産性でしかも高品質の片
面溶融メッキ鋼板の製造法に関するもので、その要旨と
するところはゼンヂマ一方式、シーラス方式あるいは無
酸化炉方式などいわゆる還元性雰囲気の炉中で活性化処
理を施した後、メッキ浴に浸漬する溶融金属メッキに於
いて酸素を含むガスを非メッキ面（メッキをつげない面
）に吹きつげて、溶融金属に濡れにく（、反応し難い被
膜を形成させた後、溶融メッキ浴に浸漬して酸素ガスを
吹きつけない面のみにメッキを施す片面溶融金属メッキ
方法である。
面溶融メッキ鋼板の製造法に関するもので、その要旨と
するところはゼンヂマ一方式、シーラス方式あるいは無
酸化炉方式などいわゆる還元性雰囲気の炉中で活性化処
理を施した後、メッキ浴に浸漬する溶融金属メッキに於
いて酸素を含むガスを非メッキ面（メッキをつげない面
）に吹きつげて、溶融金属に濡れにく（、反応し難い被
膜を形成させた後、溶融メッキ浴に浸漬して酸素ガスを
吹きつけない面のみにメッキを施す片面溶融金属メッキ
方法である。
ゼンヂマー法等による溶融金属メッキに於いては、還元
雰囲気中に微量の水分又は酸素が存在するとメッキ性が
低下するので、良好なメッキ製品を得るためにはこれら
のガスの混入は避けることが必要である。
雰囲気中に微量の水分又は酸素が存在するとメッキ性が
低下するので、良好なメッキ製品を得るためにはこれら
のガスの混入は避けることが必要である。
本発明はこのような事実を片面メッキに応用したもので
、片面のみに酸素を混入したアンモニア分解ガス（以下
ＡＸガスと称す）窒素ガスなどを吹きつけて酸化被膜を
形成さぜ、この酸化被膜が溶融金属との合金化反応を阻
止してメッキ層の形成を妨げるのである。
、片面のみに酸素を混入したアンモニア分解ガス（以下
ＡＸガスと称す）窒素ガスなどを吹きつけて酸化被膜を
形成さぜ、この酸化被膜が溶融金属との合金化反応を阻
止してメッキ層の形成を妨げるのである。
そして酸化吹付はガスが還元雰囲気中に混入するのを防
ぐシール機構を有しない場合でも、酸化被膜生成に消費
した残りの酸素は高温雰囲気中の水素と反応して水分と
なり、とのため吹き付は面の裏面（メッキ面）への影響
は非常に少くなる。
ぐシール機構を有しない場合でも、酸化被膜生成に消費
した残りの酸素は高温雰囲気中の水素と反応して水分と
なり、とのため吹き付は面の裏面（メッキ面）への影響
は非常に少くなる。
表面酸化のための吹き付は用ガス中の酸素濃度は、ライ
ンスピード、吹き付は時のストリップの温度、吹き付は
ガス量、吹き付は装置などによって異るが、本発明者が
種々研究を行った結果、実際作業に於いて吹きつけガス
中の酸素濃度は最小限ｏ、ｏｏｉ％以上は必要であり、
又上限は酸化吹き付はガスが全量還元雰囲気中に混入す
るような場合は、吹き付は面の反対側（メッキ面）への
まわりこみによる不メッキの発生の防止など作業性の点
から１％であることが好ましい。
ンスピード、吹き付は時のストリップの温度、吹き付は
ガス量、吹き付は装置などによって異るが、本発明者が
種々研究を行った結果、実際作業に於いて吹きつけガス
中の酸素濃度は最小限ｏ、ｏｏｉ％以上は必要であり、
又上限は酸化吹き付はガスが全量還元雰囲気中に混入す
るような場合は、吹き付は面の反対側（メッキ面）への
まわりこみによる不メッキの発生の防止など作業性の点
から１％であることが好ましい。
しかし酸化吹き付はガスが吹き付は後還元雰囲気中に混
入するのを防止するシール機構を有する場合は酸素濃度
に上限はない。
入するのを防止するシール機構を有する場合は酸素濃度
に上限はない。
酸素の吹き付けは酸化被膜が、再び高還元性ガスに接し
て還元されてしまうのを防ぐため、メッキ浴に入る直前
即ちスナウト部で行うのが好ましく、又吹きつげ時の板
温度も同様の理由から６００℃以下が好ましい。
て還元されてしまうのを防ぐため、メッキ浴に入る直前
即ちスナウト部で行うのが好ましく、又吹きつげ時の板
温度も同様の理由から６００℃以下が好ましい。
このようにして酸素を吹きつげられたストリップの表面
は酸素濃度によって殆んど変色の起らない範囲（０，０
１％以下）から酸素濃度の増加に伴って淡黄色から青色
まで着色する。
は酸素濃度によって殆んど変色の起らない範囲（０，０
１％以下）から酸素濃度の増加に伴って淡黄色から青色
まで着色する。
そして酸化された面はメッキ浴中に浸漬されても酸化被
膜が溶融金属との濡れ及び合金化反応を妨げ、メッキ層
の形成を阻止するものである。
膜が溶融金属との濡れ及び合金化反応を妨げ、メッキ層
の形成を阻止するものである。
ストリップがメッキ浴から出たあとは表面に若干メッキ
金属が非メッキ面に機械的に付着することがあるが、こ
れは溶融状態においてアスベストワイパーなどで拭いと
るか、或いはメッキ金属が凝固後、プラシンなどでかき
おとすことによって除去することができる。
金属が非メッキ面に機械的に付着することがあるが、こ
れは溶融状態においてアスベストワイパーなどで拭いと
るか、或いはメッキ金属が凝固後、プラシンなどでかき
おとすことによって除去することができる。
本発明を更に具体的に図によって説明する。
第１図はゼンヂマー法による溶融メッキの例を示したも
ので、ストリップ１は酸化炉２に導入され、ここでガス
燃焼炎により加熱されて表面に付着する圧延油等の表面
汚れは酸化燃焼され、この場合同時に薄い酸化被膜を形
成し、次いで還元炉３に導かれて酸化被膜は還元されて
活性面となり、同時に焼鈍が施され、続いてメッキに適
した温度迄冷却されて溶融金属メッキ浴６に浸漬される
のであるが、浸漬直前にスナウト部４で片面に酸素を含
むガスをガス送入管５より送入して吹きつけて、吹き付
は面のみに酸化被膜を生成させた後、メッキ浴に浸漬し
て酸素吹き付は面の裏面のみにメッキを行うものである
。
ので、ストリップ１は酸化炉２に導入され、ここでガス
燃焼炎により加熱されて表面に付着する圧延油等の表面
汚れは酸化燃焼され、この場合同時に薄い酸化被膜を形
成し、次いで還元炉３に導かれて酸化被膜は還元されて
活性面となり、同時に焼鈍が施され、続いてメッキに適
した温度迄冷却されて溶融金属メッキ浴６に浸漬される
のであるが、浸漬直前にスナウト部４で片面に酸素を含
むガスをガス送入管５より送入して吹きつけて、吹き付
は面のみに酸化被膜を生成させた後、メッキ浴に浸漬し
て酸素吹き付は面の裏面のみにメッキを行うものである
。
ここで酸素吹きつけ面のみ酸化を受けてその裏面が酸化
を受けない理由は次の如くであると考えられる。
を受けない理由は次の如くであると考えられる。
即ち第２図は鉄の平衡酸素分圧を示したもので、非常に
微量の酸素で鉄は酸化を受けることを示しており、高温
のストリップに吹き付けられた酸素を含むガスは活性化
されたストリップ表面と反応して酸化被膜を形成すると
同時に昇温しで余剰の酸素は水素と反応して水分となる
。
微量の酸素で鉄は酸化を受けることを示しており、高温
のストリップに吹き付けられた酸素を含むガスは活性化
されたストリップ表面と反応して酸化被膜を形成すると
同時に昇温しで余剰の酸素は水素と反応して水分となる
。
第３図は鉄及び亜鉛の酸化還元に及ぼすＨ２−Ｈ２Ｏの
影響を表わしたもので、吹き付はガス中の酸素量が炉内
に供給する還元性雰囲気（ＡＸガス）ガス量の１％の場
合でみても、ストリップ表面は水分による酸化を受ける
ことはない。
影響を表わしたもので、吹き付はガス中の酸素量が炉内
に供給する還元性雰囲気（ＡＸガス）ガス量の１％の場
合でみても、ストリップ表面は水分による酸化を受ける
ことはない。
従ってストリップに吹きつけられた酸素は酸化被膜を形
成すると同時に、残った酸素はスｌ−ＩＪツブにより昇
温せられ、高温雰囲気中の水素と反応して水となり、こ
のために吹き付は裏面の酸化は起らず活性面を保持した
ままメッキ浴に浸漬される為、片面のみメッキが可能と
なるものである。
成すると同時に、残った酸素はスｌ−ＩＪツブにより昇
温せられ、高温雰囲気中の水素と反応して水となり、こ
のために吹き付は裏面の酸化は起らず活性面を保持した
ままメッキ浴に浸漬される為、片面のみメッキが可能と
なるものである。
しかしメッキ金属は一般に酸化されやすく、例えば亜鉛
の場合でみると第３図に示す如く微量の水が存在しても
酸化が起るので、スナウト内の浴面近傍の雰囲気中には
出来る丈水分が少いことが好ましい。
の場合でみると第３図に示す如く微量の水が存在しても
酸化が起るので、スナウト内の浴面近傍の雰囲気中には
出来る丈水分が少いことが好ましい。
そこで酸化吹き付はガス及びその生成物がメッキ浴に接
触するのを妨げる方法としては、非酸化性ガスの送入口
を浴面近傍に又、酸化用吹き付はガスの送入口をその手
前にそれぞれ設け、更に２つのガスの送入口の中間に適
当なシール機構を設けることによりメッキ浴の酸化を防
止できる。
触するのを妨げる方法としては、非酸化性ガスの送入口
を浴面近傍に又、酸化用吹き付はガスの送入口をその手
前にそれぞれ設け、更に２つのガスの送入口の中間に適
当なシール機構を設けることによりメッキ浴の酸化を防
止できる。
このシール機構としては例えば第４図に例示する如（、
ａは非酸化性ガス送入口８と酸化吹付は用ガス送入ロア
を個々に設け、その中間にスリット９を設けて酸化性ガ
スをシールする方法であり、ｂはガス送入口はａの場合
と同様で１０は酸化吹伺げ用ガス送入口、１１は非酸化
性ガス送入口である。
ａは非酸化性ガス送入口８と酸化吹付は用ガス送入ロア
を個々に設け、その中間にスリット９を設けて酸化性ガ
スをシールする方法であり、ｂはガス送入口はａの場合
と同様で１０は酸化吹伺げ用ガス送入口、１１は非酸化
性ガス送入口である。
その中間のシール機構としてシールロール１２を設げた
例で、Ｃは非酸化性ガスを送入口１５より送入し、酸化
吹き付は用の室１６を設は酸化吹きつげガスを送入管１
３より送入し、吹き付は後のガスは排気管１４より吸引
装置により炉外へ排出し、この吹き付は室１６を炉内圧
より負圧にすることにより酸化性ガスの混入を防止する
方法など種々の方法が考へられる。
例で、Ｃは非酸化性ガスを送入口１５より送入し、酸化
吹き付は用の室１６を設は酸化吹きつげガスを送入管１
３より送入し、吹き付は後のガスは排気管１４より吸引
装置により炉外へ排出し、この吹き付は室１６を炉内圧
より負圧にすることにより酸化性ガスの混入を防止する
方法など種々の方法が考へられる。
特に第４図Ｃの方法は吹き付はガス中の酸素濃度を高め
ることが可能である。
ることが可能である。
本発明の実施にあたってはここに例示した方法のみに限
定されるものではないことは云うまでもない。
定されるものではないことは云うまでもない。
次に本発明の実施例について説明す木。
実施例 ］
ゼンヂマー法による溶融亜鉛メッキに於いてスナウト部
を第４図ａの如くスリット状のシール機構と非酸化性ガ
ス送入口及び酸化ガス吹き付はノズルを配し酸化ガス吹
き付はノズルより酸素濃度が０〜１％の範囲添加したＡ
Ｘガスをストリップの片面に吹きつけ浴面には窒素ガス
を流して覆い、酸化を防ぎメッキ浴に浸漬してメッキを
行った。
を第４図ａの如くスリット状のシール機構と非酸化性ガ
ス送入口及び酸化ガス吹き付はノズルを配し酸化ガス吹
き付はノズルより酸素濃度が０〜１％の範囲添加したＡ
Ｘガスをストリップの片面に吹きつけ浴面には窒素ガス
を流して覆い、酸化を防ぎメッキ浴に浸漬してメッキを
行った。
尚メッキ浴出口は酸化ガス吹きつげ面はアスベストワイ
パーでワイピングを行いその裏面はロール絞りで付着量
を制御した。
パーでワイピングを行いその裏面はロール絞りで付着量
を制御した。
得られた結果は次の如くであった。
第１表の結果から酸素ガス吹き付げによる不メツキ発生
に顕著な効果を奏することしかも酸素濃度が０．００１
％以上で有効であり又メッキ面のメッキ密着性は酸素吹
きつげによる低下は全く認められない。
に顕著な効果を奏することしかも酸素濃度が０．００１
％以上で有効であり又メッキ面のメッキ密着性は酸素吹
きつげによる低下は全く認められない。
実施例 ２
無酸化炉法によるＰｂ−８ｎ４５％の合金メッキに於い
てスナウト部に第４図Ｃの如き酸化ガス吹き付は室を設
け、ここで空気を吹きつげた後メッキ浴に浸漬してメッ
キを行った。
てスナウト部に第４図Ｃの如き酸化ガス吹き付は室を設
け、ここで空気を吹きつげた後メッキ浴に浸漬してメッ
キを行った。
メッキ浴出［」は酸化ガス吹き付は面はアスベストワイ
パーでワイピングを行い、その裏面はスリット状のノズ
ルから圧縮空気でワイピングを行い付着量を制御した。
パーでワイピングを行い、その裏面はスリット状のノズ
ルから圧縮空気でワイピングを行い付着量を制御した。
得られたメッキ鋼板は酸化ガス吹き付は面はメッキの付
着はなく、又メッキ面のピンホールは少く良好な耐蝕性
を示した。
着はなく、又メッキ面のピンホールは少く良好な耐蝕性
を示した。
実施例 ３
シーラス法によるプレアニール材の溶融亜鉛メッキに於
いて、スナウト部に第４図ａの如きスリット状のシール
機構と非酸化性ガス送入口及び酸化ガス吹き付はノズル
を配し、酸化ガス吹き付はノズルより０２０．０５％−
Ｈ２２０％−Ｎ２残りの組成のガスを片面のみに吹きつ
げた後、メッキ浴に浸漬してメッキを行った。
いて、スナウト部に第４図ａの如きスリット状のシール
機構と非酸化性ガス送入口及び酸化ガス吹き付はノズル
を配し、酸化ガス吹き付はノズルより０２０．０５％−
Ｈ２２０％−Ｎ２残りの組成のガスを片面のみに吹きつ
げた後、メッキ浴に浸漬してメッキを行った。
尚メッキ浴出口は酸化ガス吹き付は面はアスベストワイ
パーでワイピングを行いその裏面はロール絞りで付着量
を制御した。
パーでワイピングを行いその裏面はロール絞りで付着量
を制御した。
その結果酸化面にはメッキの付着はなくその裏面は不メ
ッキの発生はな（良好なメッキ密着性を示す片面溶融亜
鉛メッキ鋼板が得られた。
ッキの発生はな（良好なメッキ密着性を示す片面溶融亜
鉛メッキ鋼板が得られた。
第１図はゼンヂマー法による連続溶融金属メツキライン
の全体的構成図を示す。 第２図は鉄の酸化に於ける平衡酸素分圧を示す線図で、
第３図は鉄及び亜鉛の酸化還元に及ぼすＨ２−Ｈ２Ｏの
影響を示す線図である。 第４図は酸素を含むガスをス）・リップ表面に吹きつけ
その残余のガスがメッキ浴面に作用するのを妨ぐ装置の
例を示している。 １・・・・・・ストリップ、２・・・・・・酸化炉、３
・・・・・・還元炉、４・・・・・・スナウト部、５・
・・・・・ガス導入管、６・・・・・・溶融金属メッキ
浴、７，１０，１３・・・・・・酸化吹付用ガス送入口
、８，１１．１５・・・・・・非酸化性ガス送入口、９
・・・・・・スリット、１２・・・・・・シールロール
、１４・・・・・・排気管、１６・・・・・・酸化吹付
げ用の室。
の全体的構成図を示す。 第２図は鉄の酸化に於ける平衡酸素分圧を示す線図で、
第３図は鉄及び亜鉛の酸化還元に及ぼすＨ２−Ｈ２Ｏの
影響を示す線図である。 第４図は酸素を含むガスをス）・リップ表面に吹きつけ
その残余のガスがメッキ浴面に作用するのを妨ぐ装置の
例を示している。 １・・・・・・ストリップ、２・・・・・・酸化炉、３
・・・・・・還元炉、４・・・・・・スナウト部、５・
・・・・・ガス導入管、６・・・・・・溶融金属メッキ
浴、７，１０，１３・・・・・・酸化吹付用ガス送入口
、８，１１．１５・・・・・・非酸化性ガス送入口、９
・・・・・・スリット、１２・・・・・・シールロール
、１４・・・・・・排気管、１６・・・・・・酸化吹付
げ用の室。
Claims (1)
- １ 還元性の雰囲気中で加熱しで被メッキ面を活性化処
理後溶融金属メッキ浴に浸漬する連続式溶融金属メッキ
に於いて、被メツキ金属表面を還元活性化処理後、メッ
キ浴浸漬直前に酸素を含むガスを片面のみに吹きつけた
のち溶融金属メッキ浴に浸漬することを特徴とする片面
溶融金属メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50106018A JPS5815531B2 (ja) | 1975-09-03 | 1975-09-03 | カタメンヨウユウキンゾクメツキホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50106018A JPS5815531B2 (ja) | 1975-09-03 | 1975-09-03 | カタメンヨウユウキンゾクメツキホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5238428A JPS5238428A (en) | 1977-03-25 |
| JPS5815531B2 true JPS5815531B2 (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=14422903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50106018A Expired JPS5815531B2 (ja) | 1975-09-03 | 1975-09-03 | カタメンヨウユウキンゾクメツキホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815531B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4595608A (en) * | 1984-11-09 | 1986-06-17 | Harris Corporation | Method for selective deposition of tungsten on silicon |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5536704B2 (ja) * | 1973-02-08 | 1980-09-22 |
-
1975
- 1975-09-03 JP JP50106018A patent/JPS5815531B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5238428A (en) | 1977-03-25 |
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