JPS5815535B2 - エツチング方法 - Google Patents

エツチング方法

Info

Publication number
JPS5815535B2
JPS5815535B2 JP7747476A JP7747476A JPS5815535B2 JP S5815535 B2 JPS5815535 B2 JP S5815535B2 JP 7747476 A JP7747476 A JP 7747476A JP 7747476 A JP7747476 A JP 7747476A JP S5815535 B2 JPS5815535 B2 JP S5815535B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
etched
ultrasonic
plate material
etching method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP7747476A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS532361A (en
Inventor
遠藤厚志
島ゆり
矢田俊雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7747476A priority Critical patent/JPS5815535B2/ja
Publication of JPS532361A publication Critical patent/JPS532361A/ja
Publication of JPS5815535B2 publication Critical patent/JPS5815535B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフォトレジスト被覆版材のエツチング方法に係
り、特に精密パターンの形成に適したエツチング方法に
関する。
近年における写真製版技術の進歩には著しいものがあり
、その応用範囲も、従来の印刷工業に力[えてICなど
の半導体工業、金属加工業さらにはビデオディスク原盤
の製作などえと広がってきている。
このような適用範囲の拡大に供ない高密度の信号を記録
する試みも多く行なわれつつあり、これにつれてパター
ン寸法の微小化が必要とされている。
例えば、半導体工業においては、IC,LSI。
超LSIへと進んでいるが、かかる進歩につれて、■チ
ップ中の素子数は毎年約2倍の割合で増加しており、然
して前記超LSIの場合には1μ以下のパターン形成が
必要とも言われている。
また、ビデオディスクの原盤製作に際しても、直径20
〜30確の円盤上に5〜10MHz 程度の信号を記録
する必要上、ビデオディスクの方式によっても異なるが
、一般に0.5〜4μ程度のパターン寸法が必要とされ
ている。
このような微小パターンを形成するには、多(の点につ
いて検討する必要がある。
例えば、露光方法については、波長および波長分布が微
小パターンの形成に適した光、例えばレーザー、電子線
、X線などを用いて露光するのが好ましく、かかる方面
での試みも多くなされている。
また、酸水溶液によるエツチングも、従来の方法、例え
ば攪拌を伴なったエツチング、スプレー・エツチング、
パドル式エツチングなどは必ずしも適切でない。
特に被エツチング材料が金属で、これに独立した形状の
パターンを従来方法によりエツチングする場合には、被
エツチング材料上のフォトレジスト被膜の除去された部
分に気泡やエツチング反応で発生した水素が吸着したり
、微細部におけるエツチング液の流れが悪くなる等が原
因して、パターンの所謂切れが悪くなり、然して部分的
にほとんどエツチングされないことがある。
さらに他の欠点として、パターン寸法が大きい場合は早
(かつ均一にエツチングされるが、微小パターンの場合
には逆にエツチングが不均一となる上に長時間を要する
と℃・つた、パターン寸法の差に基づくエツチング態様
の差も生ずる。
このようなエツチング時における諸現象は、エツチング
液、被エツチング材料およびフォトレジスト各種類によ
り必ずしも一様ではないが、−搬に5μ以下の独立した
パターンにおいて見られる。
前記欠点を改善するため、超音波の連続的または間歇的
照射下においてエツチングすることにより、前記気泡お
よび水素の除去とエツチング液の流れ向上を達成する試
みもなされている。
しかし、この方法によるときは、超音波の定在波により
エツチングむらを生ずることがしばしば起る。
その理由は、超音波の節の部分と腹の部分とでは、エツ
チングに異なった影響を与えるためと考えられる。
本発明の目的は、前記した従来の超音波照射下における
エツチング方法の欠点をなくし、エツチングむらを生ず
ることなくかつ微小パターンについても良好に実施可能
なエツチング方法を提供するにある。
前記目的を達成するため、本発明は、パターン焼付は後
のフォトレジスト被覆版材を超音波の照射下でエツチン
グするにあたり、該超音波を散乱させることを特徴とす
る。
本発明において、超音波を散乱させる方法は、かかる目
的が達成可能な如何なる方法でもよいが特に簡便にして
実用的な好適例として以下の2方法を示すことができる
すなわち、その1つは。
超音波照射方向の途中に気泡発生帯域を介在せしめ、以
って照射された超音波を気泡に衝突、反射させることに
より散乱させる方法であり、他は、前記の気泡発生帯域
に代えて金網を介在せしめ、超音波を該金網の格子に衝
突、反射させることにより散乱させる方法である。
前者の方法における気泡発生帯域は、例えばエツチング
液槽を浸した水槽(後記気泡発生装置、超音波発振子等
がエツチング液に対して腐食性の場合に適用。
以下間接照射法と称することがある:あるいはエツチン
グ液槽(前記腐食性でない場合に適用。
以下直接照射法と称することがある。)中において、被
エツチング版材と超音波発振子間の下部に、気泡発生用
の細孔を設けた装置を配設し、この装置に気体を送るこ
とにより形成することができる。
かくして発生する気泡の大きさは、一般に0.1〜15
mm径、好ましくは0.5〜107rt11L径がよい
気泡発生のために使用する気体は、一般に空気でよいが
、被エツチング材料及び直接照射法ではエツチング液が
空気の存在により酸化あるいは分解される恐れのある場
合には窒素等の不活性気体を使用することが望ましい。
本発明においてエツチングの対象となるフォトレジスト
被覆版材は、公知の写真製版工程から容易に得られる。
それらは、例えば平面性のよいガラス基板上にCrを蒸
着し、その上にフォトレジスト膜を被覆させ後、所定の
フォトレジスト除去部を作り、例えば1μの独立した微
細なレジストパターンを形成することにより得られる。
なお、該フォトレジストは、耐エツチング性である限り
ポジ型またはネガ型のいずれであってもよい。
また、エツチング液も公知のものが広く適用可能である
ただし、前記Crのエツチング液としては、硝酸セリウ
ムアンモニウム1651、過塩素酸(70%)45cc
に水を加えて11とした液が好ましい。
以下図面に示す態様例により、本発明をさらに詳細に説
明する。
第1図は、間接照射法の例を示すもので、水槽1内に配
設されたエツチング液槽4と超音波発振子3間の下部に
、気泡発生用細孔を設けた気泡発生装置7を配設し、こ
の装置に気体8を送って気泡9を発生させる。
気泡9からなる気泡発生帯域において、超音波発振子か
ら照射された超音波は、気泡群と衝突、反射され、定在
波を発生しない程度まで散乱される。
散乱後の超音波は、エツチング液槽4に達して該槽中の
エツチング液6の流れを促進する結果、被エツチング版
材5ばむらを生ずることなく微小パターンについても短
時間で良好にエツチングされるようになる。
次に、第2図は直接照射法例を示すもので、第1図に示
す水槽1中の水2をエツチング液6に代え、かつエツチ
ング槽4を取り除いた以外は第1図と同様な態様となっ
ている。
この場合にも、超音波は気泡発生帯域中の気泡の群と衝
突、反射されて定在波を発生しない程度まで散乱された
後、被エツチング版材5に達するため、同様な理由の下
に第1図と同様な効果が達成される。
実施例 平面性のよいガラス基板上に、Crを約1000人の厚
みに蒸着した後、フォトレジストとじてAZ −、、−
1350(米国シラプレー社製の商品名)を約0.5μ
の厚みにロール塗布してフォトレジスト被覆版材を得た
次いでこの版材に通常の写真製版方法により約1μのパ
ターンを焼付けた。
得られた焼付は版材C被エツチング版材)を、第1図に
示す間接照射法により以下の条件でエツチング処理した
エッチンク液:硝酸セリウムアンモニウム1651、過
塩素酸(70%)45ccに水を加えて11とした液 超音波発振子:28KHz、300W 被工ツチング版材と超音波発振子間距離:約10気泡径
:0.5〜8mm 水温:室温 エツチング開始後約30秒で、むらがなくかつ均一なエ
ツチングが達成された。
以上、説明したとおり、本発明によれば被エツチング版
材を、むらを生ずることなく微小パターンについても短
時間で良好にエツチングできるという著効が達成できる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明エツチング態様例を説明する断面図、第
2図は本発明エツチング態様他作を説明する断面図であ
る。 各図を通じて同一符号は同一または相当部分を示し、図
中、1は水槽、2は水、3は超音波発振子、4および4
Aは夫々エツチング液槽、5は被エツチング版材、6は
エツチング液、7は気泡発生装置、8は気体、9は気泡
である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 パターン焼付は後のフォトレジスト被覆版材を超音
    波の照射下でエツチングするに当り、該超音波を散乱さ
    せることを特徴とするエツチング方法。 2 前記超音波の散乱を、超音波照射方向途中に介在せ
    しめた気泡発生帯域の働きにより行な5%許請求の範囲
    第1項記載のエツチング方法。 3 前記超音波の散乱を、超音波照射方向途中に介在せ
    しめた金網の働きにより行なう特許請求の範囲第1項記
    載のエツチング方法。
JP7747476A 1976-06-29 1976-06-29 エツチング方法 Expired JPS5815535B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7747476A JPS5815535B2 (ja) 1976-06-29 1976-06-29 エツチング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7747476A JPS5815535B2 (ja) 1976-06-29 1976-06-29 エツチング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS532361A JPS532361A (en) 1978-01-11
JPS5815535B2 true JPS5815535B2 (ja) 1983-03-26

Family

ID=13634971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7747476A Expired JPS5815535B2 (ja) 1976-06-29 1976-06-29 エツチング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5815535B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59231818A (ja) * 1983-06-14 1984-12-26 Puretetsuku:Kk エツチング処理装置
JPS62226146A (ja) * 1986-03-26 1987-10-05 Nippon Foil Mfg Co Ltd 感光性樹脂組成物
JP5409499B2 (ja) * 2010-04-22 2014-02-05 新日鐵住金株式会社 鋼の凝固組織の検出方法
JP5336416B2 (ja) * 2010-04-22 2013-11-06 新日鐵住金株式会社 鋼の凝固組織検出装置および凝固組織検出方法
JP5743717B2 (ja) * 2011-05-31 2015-07-01 新日鐵住金株式会社 鋼の凝固組織の検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS532361A (en) 1978-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100531526C (zh) 金属光蚀刻制品及该制品的制造方法
JPH0394418A (ja) 金属マスク集積によるプラズマ処理方法
JP2000199968A (ja) 多層レジスト構造およびこれを用いた3次元微細構造の作製方法
JPS5815535B2 (ja) エツチング方法
US3901770A (en) Method for the production of microscopically small metal or metal alloy structures
US4976810A (en) Method of forming pattern and apparatus for implementing the same
JPH0791661B2 (ja) 電子的構成要素を形成するためレ−ザを使用するリソグラフィック方法
US3676213A (en) Process for the selective formation of coatings by electroless deposition
JPH01116920A (ja) 容量性サーボ・パターン生成方法
JPS58152241A (ja) 高精度マスクの製造方法
JPS5973834A (ja) シャドウマスクの製造方法
JPH04274385A (ja) 配線基板の製造方法
CN119511652A (zh) 一种正胶剥离方法及剥离系统
JPH1179709A (ja) オゾン発生装置
JP2004193937A (ja) ミリ波用レーダーアンテナのアンテナ導体パターンの形成方法
JPH03141632A (ja) パターン形成法及び半導体装置の製造方法
JPH03173497A (ja) 多層配線基板およびその製造方法
JPS59147430A (ja) 微細回路の形成方法
JPH04133327A (ja) 半導体の微細加工方法
JPS63316055A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3161416B2 (ja) パターン描画方法
JPS6030100B2 (ja) パタ−ン形成方法
JPS5842237A (ja) 凹凸パタ−ンの形成方法
JPS6290949A (ja) パタ−ン形成方法
JP2003197624A (ja) 半導体導電層の形成法