JPS58155771A - 薄膜太陽電池用基板 - Google Patents
薄膜太陽電池用基板Info
- Publication number
- JPS58155771A JPS58155771A JP57038463A JP3846382A JPS58155771A JP S58155771 A JPS58155771 A JP S58155771A JP 57038463 A JP57038463 A JP 57038463A JP 3846382 A JP3846382 A JP 3846382A JP S58155771 A JPS58155771 A JP S58155771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- solar cells
- film solar
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜太陽電池用の導電性基板に関するものであ
り、種々の電力容量の太陽電池を簡易に製造可能とする
薄膜太陽電池用基板〆提供するものである。
り、種々の電力容量の太陽電池を簡易に製造可能とする
薄膜太陽電池用基板〆提供するものである。
従来、単一基板上に光電変換薄膜を堆積してなる薄膜太
陽電池は非晶質ケイ素（以下ａ−８ｉ と略記する）よ
りなる太陽電池に代表されるように基板上で直列接続さ
れている。第１図ａ、ｂは従来から提案されている直列
接続方式の太陽電池を示すものであり、１は絶縁基板、
２は受光側電極、３はａ−８ｔ薄膜、４は裏面側電極で
ある。第１図ａの場合は基板上に、予め直列接続が可能
なように特殊なパターニングをし、そのパターニングに
よって完成された素子の大きさが限定されている。
陽電池は非晶質ケイ素（以下ａ−８ｉ と略記する）よ
りなる太陽電池に代表されるように基板上で直列接続さ
れている。第１図ａ、ｂは従来から提案されている直列
接続方式の太陽電池を示すものであり、１は絶縁基板、
２は受光側電極、３はａ−８ｔ薄膜、４は裏面側電極で
ある。第１図ａの場合は基板上に、予め直列接続が可能
なように特殊なパターニングをし、そのパターニングに
よって完成された素子の大きさが限定されている。
第１図すの場合も基板には予め島状の導電膜が存在し、
第１図ａと同様、パターニングによって完成された素子
の大きさが限定される。他方半導体集積回路の進歩によ
り消費電力が減少し続けているが、その進歩に応じるた
めには、従来例第１図ａと同様すも、その都度新しいマ
スクを作成しなければならないという大きな欠点があっ
た。
第１図ａと同様、パターニングによって完成された素子
の大きさが限定される。他方半導体集積回路の進歩によ
り消費電力が減少し続けているが、その進歩に応じるた
めには、従来例第１図ａと同様すも、その都度新しいマ
スクを作成しなければならないという大きな欠点があっ
た。
本発明は上記従来技術に鑑み、従来例第１図ａ。
ｂと同様に光導電薄膜を同一基板上に複数個直列接続す
ることが可能であり、かつ種々の電力用の太陽電池をマ
スクを一々変更することなく、製造できる太陽電池用基
板を提供するものである。
ることが可能であり、かつ種々の電力用の太陽電池をマ
スクを一々変更することなく、製造できる太陽電池用基
板を提供するものである。
以下、本発明の詳細について実施例とともに説明する。
第２図ａ ” ｃは本発明の一実施例に係る°薄膜太陽
電池用基板を用いて太陽電池を製造する手順を説明した
図である。ガラス基板１１にほぼ全面に透明電極１２を
蒸着し、帯状に透明電極１２をエツチングして一定間隔
だけ離間して並設する（第２図ａ）。なお、透明電極１
２が並設されるよう帯状に絶縁化しても良い。まだ帯状
に透明電極材料を蒸着してもよいし、印刷してもよい。
電池用基板を用いて太陽電池を製造する手順を説明した
図である。ガラス基板１１にほぼ全面に透明電極１２を
蒸着し、帯状に透明電極１２をエツチングして一定間隔
だけ離間して並設する（第２図ａ）。なお、透明電極１
２が並設されるよう帯状に絶縁化しても良い。まだ帯状
に透明電極材料を蒸着してもよいし、印刷してもよい。
次に、本発明になる上記基板を用い、ａ−８ｉ薄膜１３
を、たとえばｐ型、ｉ型、ｎ型の順に堆積させる（第２
図ｂ）。なお、図を簡単にするために図ではｐ、ｉ、ｎ
の区別をしてい々い。次に第２図Ｃに示したように、透
明電極１２′と接し、かつ隣接するａ−８ｉ薄膜に接す
るように電極層１４を形成する。この電極層１４は素子
間の直列接続と同時に隣の素子の裏面電極ともなってい
る。両端の素子に外部端子１５，１ｅを取り付けてぼ夕
１Ｆ接続素子とする。これによって直列接続された薄膜
太陽電池が形成される。
を、たとえばｐ型、ｉ型、ｎ型の順に堆積させる（第２
図ｂ）。なお、図を簡単にするために図ではｐ、ｉ、ｎ
の区別をしてい々い。次に第２図Ｃに示したように、透
明電極１２′と接し、かつ隣接するａ−８ｉ薄膜に接す
るように電極層１４を形成する。この電極層１４は素子
間の直列接続と同時に隣の素子の裏面電極ともなってい
る。両端の素子に外部端子１５，１ｅを取り付けてぼ夕
１Ｆ接続素子とする。これによって直列接続された薄膜
太陽電池が形成される。
この薄膜太陽電池の特性を使用光源の下で測定、し−電
源として実装する装置の消費電力とみあった幅に薄膜太
陽電池を切断する。第２図Ｃで言えば左右方向に切断す
る。切断後、切り口が短絡しやすいので、電極１４の蒸
着時に切断線にあわせて金属等の線を用いてマスキング
し、電極１４を分離しても良いし、切り口を適当な保護
材でおおっても良い。従来例である第１図すの基板構造
の場合、本発明に示すように絶縁基板の一端がら他端捷
で導電膜は存在せず、しかも本発明のように素子を切断
するだけで消費電力に対応させるという思想はない・。
源として実装する装置の消費電力とみあった幅に薄膜太
陽電池を切断する。第２図Ｃで言えば左右方向に切断す
る。切断後、切り口が短絡しやすいので、電極１４の蒸
着時に切断線にあわせて金属等の線を用いてマスキング
し、電極１４を分離しても良いし、切り口を適当な保護
材でおおっても良い。従来例である第１図すの基板構造
の場合、本発明に示すように絶縁基板の一端がら他端捷
で導電膜は存在せず、しかも本発明のように素子を切断
するだけで消費電力に対応させるという思想はない・。
さらに第１図すの場合、長さ方向において基板端部と素
子の間に余白部分を設けているので基板の利用効率が著
しく低下する。
子の間に余白部分を設けているので基板の利用効率が著
しく低下する。
なお本実施例では、ガラス基板上に透明導電膜を蒸着し
、ａ−８ｉ薄膜を堆積させた後、裏面電極を蒸着する素
子について示しているが、絶縁基板−Ｆに帯状に導電膜
が存在すれば良いことは明らかである。捷たａ−８ｉ薄
膜に限ることなく、他の光起電力層であってもよい。さ
らに上記実施例では電極材料を特定しなかったが５ｎ０
２．ＩＴＯ２Ｔｉ ＋Ｎｉ 。
、ａ−８ｉ薄膜を堆積させた後、裏面電極を蒸着する素
子について示しているが、絶縁基板−Ｆに帯状に導電膜
が存在すれば良いことは明らかである。捷たａ−８ｉ薄
膜に限ることなく、他の光起電力層であってもよい。さ
らに上記実施例では電極材料を特定しなかったが５ｎ０
２．ＩＴＯ２Ｔｉ ＋Ｎｉ 。
Ｃｒ、ＮｊＣｒ、ＳＵＳ、Ｗ等の材料で、その上に光起
電力層を形成したときに著しく反応しない性質のもので
あればよい。適当でない材料としてはＳｎ。
電力層を形成したときに著しく反応しない性質のもので
あればよい。適当でない材料としてはＳｎ。
Ａｊ！、Ｉｎ、Ｐｔ＋ＰｄやＡｕがあげら′れる。
以上のように、本発明による基板を用いた薄膜太陽電池
は従来から行なわれている”個々の独立しだ導電膜上に
形成された単一太陽電池を直列接続した特性とほぼ同じ
であり、かつ、基板の余分な面積を大幅に減少させるこ
とができるため、基板の利用効率は大幅に改善される。
は従来から行なわれている”個々の独立しだ導電膜上に
形成された単一太陽電池を直列接続した特性とほぼ同じ
であり、かつ、基板の余分な面積を大幅に減少させるこ
とができるため、基板の利用効率は大幅に改善される。
さらに種々の消費電力に対応した太陽電池をマスクの変
更なしに簡単に製造できる。また、薄膜堆積装置による
基板の大きさの制限と、基板自体の製造装置による基板
の大きさの制限が相乗されて、大きな意味での基板の利
用効率が制限を受けることが考えられるが、本発明によ
る基板のパターンは、上記２つの制限を受は難い。
更なしに簡単に製造できる。また、薄膜堆積装置による
基板の大きさの制限と、基板自体の製造装置による基板
の大きさの制限が相乗されて、大きな意味での基板の利
用効率が制限を受けることが考えられるが、本発明によ
る基板のパターンは、上記２つの制限を受は難い。
第１図ａ、ｂはそれぞれ従来の一実施例の薄膜太陽電池
用基板を用いた薄膜太陽電池の一部切欠斜視図、第２図
ａ、ｂ、ｃは本発明の一実施例の基板を用いた薄膜太陽
電池の製造工程を説明するだめの斜視図である。 １．１１・・・Φ・ｅガラス基板、３，１３・・・・拳
・ａ−８ｉ薄膜、２ 、’１２ 、１２’・・・・拳・
透明電極、４，１４・・・・・・裏面電極、１５，１６
・・・・・・外部端子。 Ｉｓ１図 （ゝｉ ）
用基板を用いた薄膜太陽電池の一部切欠斜視図、第２図
ａ、ｂ、ｃは本発明の一実施例の基板を用いた薄膜太陽
電池の製造工程を説明するだめの斜視図である。 １．１１・・・Φ・ｅガラス基板、３，１３・・・・拳
・ａ−８ｉ薄膜、２ 、’１２ 、１２’・・・・拳・
透明電極、４，１４・・・・・・裏面電極、１５，１６
・・・・・・外部端子。 Ｉｓ１図 （ゝｉ ）
Claims (1)
- その一端から他端に連続した複数本の帯状の導電層を形
成した薄膜太陽電池用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038463A JPS58155771A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 薄膜太陽電池用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038463A JPS58155771A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 薄膜太陽電池用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155771A true JPS58155771A (ja) | 1983-09-16 |
Family
ID=12525944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57038463A Pending JPS58155771A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 薄膜太陽電池用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182757A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型太陽電池 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107276A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force device |
| JPS55108779A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP57038463A patent/JPS58155771A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107276A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force device |
| JPS55108779A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182757A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型太陽電池 |
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