JPS58157903A - 半導体素子支持電極の製造方法 - Google Patents
半導体素子支持電極の製造方法Info
- Publication number
- JPS58157903A JPS58157903A JP58030936A JP3093683A JPS58157903A JP S58157903 A JPS58157903 A JP S58157903A JP 58030936 A JP58030936 A JP 58030936A JP 3093683 A JP3093683 A JP 3093683A JP S58157903 A JPS58157903 A JP S58157903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molding
- supporting electrode
- thermal expansion
- curved surfaces
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
- C22C33/04—Making ferrous alloys by melting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子支持電極の製造方法に係り、特にモ
リブデン焼結体から成る半導体素子支持電極の製造方法
に関する。
リブデン焼結体から成る半導体素子支持電極の製造方法
に関する。
電力用ダイオード、トランジスター嶋においては１機能
索子である半導体片に遣轟な電極が接合され、またこの
電極には所要のシード鐘が接合されることもある。これ
らの接合＆ｌ ジルコニクム入り銅線等により溶接する
ととにより行われる。
索子である半導体片に遣轟な電極が接合され、またこの
電極には所要のシード鐘が接合されることもある。これ
らの接合＆ｌ ジルコニクム入り銅線等により溶接する
ととにより行われる。
上記の電極のごとき半導体素子支持電極の材料として、
モリブデンが用いられ【いる、モリブデンの熱膨張係数
が半導体のそれに近いためである。ところで、従来の支
持電極はモリブデン・四ツドを切断するととｋより製造
されて来た。しかし、モリブデン・四ツド切断品はろう
材との濡れ性が劣るために半導体片やリード線との接合
強度が不十分であることや％接合強度のばらつきが大き
いなどの欠点があった。この欠点を解決するために、＝
ツケル、鉄、銅、鱗等の金属を含む！９プデン焼結体が
考案され。
モリブデンが用いられ【いる、モリブデンの熱膨張係数
が半導体のそれに近いためである。ところで、従来の支
持電極はモリブデン・四ツドを切断するととｋより製造
されて来た。しかし、モリブデン・四ツド切断品はろう
材との濡れ性が劣るために半導体片やリード線との接合
強度が不十分であることや％接合強度のばらつきが大き
いなどの欠点があった。この欠点を解決するために、＝
ツケル、鉄、銅、鱗等の金属を含む！９プデン焼結体が
考案され。
熱・電気伝導性の教養が図られたが、この場合には熱膨
張係数が半導体（ケイ嵩）のそれから離反してしまい、
モリブデンを選択した効果が減殺されてしまうという不
都合があった。
張係数が半導体（ケイ嵩）のそれから離反してしまい、
モリブデンを選択した効果が減殺されてしまうという不
都合があった。
本発明の目的は、上記のととｔ従来技術の欠点に僑みて
、熱膨張係数、ろう材との濶れ性。
、熱膨張係数、ろう材との濶れ性。
熱・電気伝導性のいずれの点でも嵐好な半導体素子支持
電極の製造方法を提供するととｋある。
電極の製造方法を提供するととｋある。
本発明は、モリブデン焼結体の１置と支持電極としての
緒特性との関係を研究した結果完成されたものである。
緒特性との関係を研究した結果完成されたものである。
すなわち１本発明は、密度９．５５〜９．９１−１のモ
リブデン焼結体から成る半導体素子支持電極の製造方法
である。
リブデン焼結体から成る半導体素子支持電極の製造方法
である。
種々の一度のモリブデン焼結体から成る支持電極を製造
し、菖１図のようＫｚｒ−Ｃ１ｌのリード線をスポット
溶接によって接合した。ｍ中。
し、菖１図のようＫｚｒ−Ｃ１ｌのリード線をスポット
溶接によって接合した。ｍ中。
１は支持電極で寸法は１．５φＸＬＯＩ（■）であり。
２は直径０．７−のり−ド曽である。このようにリード
線を接合した支持電極の接合強度を調べるために、引張
破断強度試験を行ったところ第２図の結果を得た。Ｓａ
中、・は３個の試料についての平均値で、＠はパツツ命
の範■を示す。
線を接合した支持電極の接合強度を調べるために、引張
破断強度試験を行ったところ第２図の結果を得た。Ｓａ
中、・は３個の試料についての平均値で、＠はパツツ命
の範■を示す。
引張破断強度が燃結体の一度によりかな９影響を受け、
１度１１１！！−ＩＩでａＸ引彊破断強度が大きいこと
、すなわち接触板とリード線との接合強度が大きいこと
が１解できる。
１度１１１！！−ＩＩでａＸ引彊破断強度が大きいこと
、すなわち接触板とリード線との接合強度が大きいこと
が１解できる。
第３図は、本発明の一実施例であるモリブデン焼結体製
支持電極（一度１１．７ ＃／ｅａｔ”） （自ｍ ａ
）と、従来のモリブデン・ロッドを切断して得られた
支持電極（曲線ｂ）との熱ｌＩ張特性を調べた結果を表
す、横軸が温度（Ｃ）、縦軸が熱膨張量（ｓ／１ｍ）を
示す０本発明ｋかかる焼結体は。
支持電極（一度１１．７ ＃／ｅａｔ”） （自ｍ ａ
）と、従来のモリブデン・ロッドを切断して得られた
支持電極（曲線ｂ）との熱ｌＩ張特性を調べた結果を表
す、横軸が温度（Ｃ）、縦軸が熱膨張量（ｓ／１ｍ）を
示す０本発明ｋかかる焼結体は。
モリブデン以外の金属元素を全く含んでいないため１両
者の熱膨張特性がかなり近似していることがわかり、半
導体支持電極として好適であることが理解される。
者の熱膨張特性がかなり近似していることがわかり、半
導体支持電極として好適であることが理解される。
以上の＊＠から明らかなように１本発明にかかる支持電
極はモリブデン本来の半導体に近い熱膨張係数を保持し
たまま、熱・電気伝導性も良好で、しかもろう材との■
れ性が嵐い上Ｋ。
極はモリブデン本来の半導体に近い熱膨張係数を保持し
たまま、熱・電気伝導性も良好で、しかもろう材との■
れ性が嵐い上Ｋ。
菅−ド−等との接合強度も大きいとい５５ｆｉ１点を持
っている。
っている。
次に、上記のごとき半導体素子支持電極の製造方法を説
明する。一般に、モリブデン焼結体製の支持電極は、モ
リブデン粉末を圧粉成形して所要の形状寸法を有する成
形体とし１次にこの成形体を鉤紬処履することｋより製
造されて来たが、鉤結魁履の際成形体の中央部が端部よ
りも大きく収縮する傾向があるために、所期の形状の焼
結体が得られないという問題があった。
明する。一般に、モリブデン焼結体製の支持電極は、モ
リブデン粉末を圧粉成形して所要の形状寸法を有する成
形体とし１次にこの成形体を鉤紬処履することｋより製
造されて来たが、鉤結魁履の際成形体の中央部が端部よ
りも大きく収縮する傾向があるために、所期の形状の焼
結体が得られないという問題があった。
すなわち、若干誇張して描いた図面にて説明すると、第
４図の縦断面図のごとく平面４．２２を上下に具える円
柱状の成形体を焼結すると、得ら゛れる焼結体は第５図
（＊断面図）のごとく凹曲面２１’、２２’を具えたも
のであった。半導体片との接触面がこのように凹−面と
なってし・まうと。
４図の縦断面図のごとく平面４．２２を上下に具える円
柱状の成形体を焼結すると、得ら゛れる焼結体は第５図
（＊断面図）のごとく凹曲面２１’、２２’を具えたも
のであった。半導体片との接触面がこのように凹−面と
なってし・まうと。
半導体片と十分に密着した接合が困−になるため半導体
素子の電気的特性の悪化、製品歩留りの低下の原因にな
る。そこで１本発明者らはかかる従来の製造方法の欠点
を解消すべく研究した結果法の製造方法Ｋ１１ＩＩ達し
た。
素子の電気的特性の悪化、製品歩留りの低下の原因にな
る。そこで１本発明者らはかかる従来の製造方法の欠点
を解消すべく研究した結果法の製造方法Ｋ１１ＩＩ達し
た。
すなわち１本発明の半導体素子支持電極の製造方゛法は
、モリブデン粉末を圧粉成形して成形体とし、鎖酸・形
体な゛焼結する半導体素子支持電極の゛製゛造方法にお
いて、該成形体の被抑圧面を滑らかな凸曲面とし、該６
１面の盛り上り高さの成・形体の全高さに対する割合を
２Ｘ１０ 〜５Ｘ１０＝とすることを□特徴としている
。
、モリブデン粉末を圧粉成形して成形体とし、鎖酸・形
体な゛焼結する半導体素子支持電極の゛製゛造方法にお
いて、該成形体の被抑圧面を滑らかな凸曲面とし、該６
１面の盛り上り高さの成・形体の全高さに対する割合を
２Ｘ１０ 〜５Ｘ１０＝とすることを□特徴としている
。
本発明方法において、用いるモリブデン粉末はその平均
粒径が１〜１０Ｉｓ１１１である。成形体の製造に当っ
ては、圧粉成形に先立ち、モリブデン粉末を常法により
通常３Ｏ−１００Ｉｌｓｎｃ造粒し。
粒径が１〜１０Ｉｓ１１１である。成形体の製造に当っ
ては、圧粉成形に先立ち、モリブデン粉末を常法により
通常３Ｏ−１００Ｉｌｓｎｃ造粒し。
これを第６図に示した金蓋中に充填して通常圧力１ ＝
８ ｔｏｎ／ａ／で成形する。
８ ｔｏｎ／ａ／で成形する。
ついで％鉄成形体を真空中又は水嵩雰囲気中で焼結して
本発明Ｋかかる支持電極が製造される。このときの焼結
温・度は通常１７５０〜１８５０Ｃである。
本発明Ｋかかる支持電極が製造される。このときの焼結
温・度は通常１７５０〜１８５０Ｃである。
第６図に″Ｃ説明する。菖６図は金蓋中の成形体の縦断
面図である。ダイス３１内において、上パンチ羽と下パ
ンチおとに挾まれて圧粉成形された成形体調がある。こ
の場合、上パンチ諺と下パンチあの抑圧画は滑らかな凹
−画から成るため、成形体の被抑圧面はそれに対応する
凸−面あ、３６に形成される。菖７図は、このよ５に成
形された成形体のみを描いたものである。
面図である。ダイス３１内において、上パンチ羽と下パ
ンチおとに挾まれて圧粉成形された成形体調がある。こ
の場合、上パンチ諺と下パンチあの抑圧画は滑らかな凹
−画から成るため、成形体の被抑圧面はそれに対応する
凸−面あ、３６に形成される。菖７図は、このよ５に成
形された成形体のみを描いたものである。
このときの、・成形体の凸−ｍ（換言すれば上パンチの
抑圧画）Ｋついて述べると、成形体の全高さをＬとし凸
−１１３６の盛り上り高さを處としたとぎの両者の比、
すなわち、ＶＬが、２Ｘ１０−”より小さい場合には焼
結体の面が凹−線となってしまい、また、ＶＬが５Ｘ１
Ｇ−”より大きくなると逆に凸曲線となり半導体片との
１着接合は困難となる。したがって−九ｗａ ２ Ｘ
１Ｇ 〜５ Ｘ１Ｏ−３でなければならないととにな
る、このようなモリブデン粉末成形体を焼結Ｉ＆理する
と。
抑圧画）Ｋついて述べると、成形体の全高さをＬとし凸
−１１３６の盛り上り高さを處としたとぎの両者の比、
すなわち、ＶＬが、２Ｘ１０−”より小さい場合には焼
結体の面が凹−線となってしまい、また、ＶＬが５Ｘ１
Ｇ−”より大きくなると逆に凸曲線となり半導体片との
１着接合は困難となる。したがって−九ｗａ ２ Ｘ
１Ｇ 〜５ Ｘ１Ｏ−３でなければならないととにな
る、このようなモリブデン粉末成形体を焼結Ｉ＆理する
と。
丁度平面を備えた焼結体を得ることができ、半導体片と
十分に密着した均一な接合が可能になる。
十分に密着した均一な接合が可能になる。
ｗＬ１図は半導体素子支持電極とリード曽の接合状態を
表す図、菖ｓｇはモリブデン鴫結体製支持電極の１度と
り−ド＊＊合強度（引彊砿断強度）との関係間、第３閣
は実施例及び従来品についての温度と熱膨張量との一係
閣、そして第４〜７Ｅは成形体の形状８８図である。 １・・・支持電極、２・・・リード−、！１−・ダイス
。 ！・・・上バンチ、３３・・・下パンチ、３４−成形体
。 第１ＩＩ 第２図 蜜、ｊ （ｇ／ｃＩＴ１ｓ） 第４図 第６図 第５図 第７図
表す図、菖ｓｇはモリブデン鴫結体製支持電極の１度と
り−ド＊＊合強度（引彊砿断強度）との関係間、第３閣
は実施例及び従来品についての温度と熱膨張量との一係
閣、そして第４〜７Ｅは成形体の形状８８図である。 １・・・支持電極、２・・・リード−、！１−・ダイス
。 ！・・・上バンチ、３３・・・下パンチ、３４−成形体
。 第１ＩＩ 第２図 蜜、ｊ （ｇ／ｃＩＴ１ｓ） 第４図 第６図 第５図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 モリブデン粉末を圧粉酸浴して成形体と゛し。 該成形体を焼結する半導体素子支持電極の製造方法にお
い【、該成形体の被押圧面を滑らかな凸−面とし、骸凸
−画の盛り上り高さの成形体の全高さに対する開会を２
×１０〜５ＸＩＯとすることを特徴とする半導体素子支
持電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030936A JPS58157903A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 半導体素子支持電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030936A JPS58157903A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 半導体素子支持電極の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54106036A Division JPS6026297B2 (ja) | 1979-08-22 | 1979-08-22 | 半導体素子支持電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157903A true JPS58157903A (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=12317559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030936A Pending JPS58157903A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 半導体素子支持電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0490626U (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-07 |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58030936A patent/JPS58157903A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0490626U (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7340056B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US2898668A (en) | Manufacture of semiconductor devices | |
| US4709849A (en) | Solder preform and methods employing the same | |
| CN105023679B (zh) | Ntc热敏电阻石墨模具及其使用方法 | |
| JPS58157903A (ja) | 半導体素子支持電極の製造方法 | |
| JPH0254861A (ja) | 蓄電池端子部の気密形成法 | |
| JP7146719B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6026297B2 (ja) | 半導体素子支持電極 | |
| US3720996A (en) | Process for the manufacture of a rigid connection between a synthetic body and a metal body | |
| JPS625329B2 (ja) | ||
| JP2003288867A (ja) | セラミック端子 | |
| JP2004055580A (ja) | 電子部品パッケージ封止用蓋体 | |
| JP2003324166A (ja) | ガラス端子とその製造方法ならびにそれを用いた気密端子 | |
| JP7127673B2 (ja) | ろう材付き基材の製造方法 | |
| TWI906238B (zh) | 預製銲料的製造方法 | |
| JP2020105542A (ja) | 円筒型スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2628657B2 (ja) | 薄形酸化銀電池の正極成形方法 | |
| JP2011029524A (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JPS63299238A (ja) | 半導体装置のダイボンディング用基板 | |
| JPS5967657A (ja) | 電子部品収納容器の製造方法 | |
| JPS6372210A (ja) | 振動子用部品の製造法 | |
| JPS5927052Y2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH01235304A (ja) | ガラス封入形サーミスタの製造法 | |
| JPS58154169A (ja) | リチウム負極体の製造法 | |
| JP2000097782A (ja) | サーミスタ素子とその製造方法及びそれを用いたガラス封入サーミスタ |