JPS5816074A - 金または金合金膜のエツチング方法 - Google Patents
金または金合金膜のエツチング方法Info
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- JPS5816074A JPS5816074A JP56113958A JP11395881A JPS5816074A JP S5816074 A JPS5816074 A JP S5816074A JP 56113958 A JP56113958 A JP 56113958A JP 11395881 A JP11395881 A JP 11395881A JP S5816074 A JPS5816074 A JP S5816074A
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- Japan
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- etching
- gold
- acid
- alloy film
- soln
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェーハ等の基板上に形成された金、ま
たは金合金膜のエツチングに関する。
たは金合金膜のエツチングに関する。
金（Ａｕ）、金合金は古くから半導体電極材料として使
用されている。特に最近、ｉ−ｖ族化合物半導体を用い
た発光ダイオード、レーザが実用化されるに伴い、金（
Ａｕ） あるいは金−ゲルマニウム（Ａｕ／Ｇｅ）、
金−シリ：ｒ ｙ （Ａ ｕ／Ｓ ｉ）、金−ベリリウ
ム（Ａｕ／Ｂｅ）、金−亜鉛（Ａｕ／Ｚｎ）等の金合金
はＩ−Ｖ族に対して良好なオーミック接触を示す材料と
して現在広く用いられている。これらＡｕを主材料とし
た膜を選択的にエッチするためには、通常レジスト膜を
マスクとして、ヨウ素、ヨウ化カリ、水からなるヨード
エッチ液が採用されている。このヨードエッチ液はＡｕ
またはＡｕ合金に対してエツチング速度が早いという
特徴があるが、他方ではｌ−Ｖ族、Ｕ−Ｖ族化合物半導
体とも反応する。このためヨードエッチ液による処理を
施した半導体ウェーハには無数のエッチビットが発生ス
る。従って、このヨードエッチ液を使用する場合は、十
分な注意が必要となり、例えば選択エッチ完了後、直ち
にエッチ液から半導体ウエーハを取り出さぬば表面は粗
面となる。このことは一方ではエッチ不足等のトラブル
を発生させ、工程管理上大きな問題となる。そのため、
半導体ウェーハ表面を完全に鏡面に保つ必要がある場合
はヨードエッチ液は使用出来ず、一般にはリフトオフ法
が採用されている。し赤し、リフトオフ法では電極材料
の膜厚が０．５μ以上になると電極材料を選択的にリフ
トオフすることが非常に困難となる。
用されている。特に最近、ｉ−ｖ族化合物半導体を用い
た発光ダイオード、レーザが実用化されるに伴い、金（
Ａｕ） あるいは金−ゲルマニウム（Ａｕ／Ｇｅ）、
金−シリ：ｒ ｙ （Ａ ｕ／Ｓ ｉ）、金−ベリリウ
ム（Ａｕ／Ｂｅ）、金−亜鉛（Ａｕ／Ｚｎ）等の金合金
はＩ−Ｖ族に対して良好なオーミック接触を示す材料と
して現在広く用いられている。これらＡｕを主材料とし
た膜を選択的にエッチするためには、通常レジスト膜を
マスクとして、ヨウ素、ヨウ化カリ、水からなるヨード
エッチ液が採用されている。このヨードエッチ液はＡｕ
またはＡｕ合金に対してエツチング速度が早いという
特徴があるが、他方ではｌ−Ｖ族、Ｕ−Ｖ族化合物半導
体とも反応する。このためヨードエッチ液による処理を
施した半導体ウェーハには無数のエッチビットが発生ス
る。従って、このヨードエッチ液を使用する場合は、十
分な注意が必要となり、例えば選択エッチ完了後、直ち
にエッチ液から半導体ウエーハを取り出さぬば表面は粗
面となる。このことは一方ではエッチ不足等のトラブル
を発生させ、工程管理上大きな問題となる。そのため、
半導体ウェーハ表面を完全に鏡面に保つ必要がある場合
はヨードエッチ液は使用出来ず、一般にはリフトオフ法
が採用されている。し赤し、リフトオフ法では電極材料
の膜厚が０．５μ以上になると電極材料を選択的にリフ
トオフすることが非常に困難となる。
本発明はこれらの問題点を解決するものであり、半導体
ウェーハ等の基板表面に荒れを与えることなく、この上
に形成された任意の厚さのＡｕまたはＡｕ合金膜を選択
的にエツチングする方法を提供するものである。
ウェーハ等の基板表面に荒れを与えることなく、この上
に形成された任意の厚さのＡｕまたはＡｕ合金膜を選択
的にエツチングする方法を提供するものである。
以下、本発明について実施例を参考にして詳細に述べる
。ここでは、半導体ウェーハとしてｎ形砒化ガリウム（
ＧａＡｓ ）ウェーハを、電極材料としてＡ ｕ／Ｇ
ｅ合金を用いた場合について述べるが、本発明のエツチ
ング方法は他の半導体ウェーハ表面上に形成されたＡｕ
またはＡｕ合金膜の場合でも同様に適用することが出来
る。
。ここでは、半導体ウェーハとしてｎ形砒化ガリウム（
ＧａＡｓ ）ウェーハを、電極材料としてＡ ｕ／Ｇ
ｅ合金を用いた場合について述べるが、本発明のエツチ
ング方法は他の半導体ウェーハ表面上に形成されたＡｕ
またはＡｕ合金膜の場合でも同様に適用することが出来
る。
第１因は本発明の実施例のフローチャートである。ｎ形
ＧａＡａ ウェーハ１を鏡面研磨した後、硫酸：過酸化
水素水：水（８：１：１容積比）でエッチし、次いで真
空蒸着法によｌ） Ａ ｕ／Ｇ ｅ合金膜２を付着する
。蒸着条件は基板温度２６０℃、真空度１．６Ｘ１０−
６Ｔｏｒｒ、膜厚は１．６μである。
ＧａＡａ ウェーハ１を鏡面研磨した後、硫酸：過酸化
水素水：水（８：１：１容積比）でエッチし、次いで真
空蒸着法によｌ） Ａ ｕ／Ｇ ｅ合金膜２を付着する
。蒸着条件は基板温度２６０℃、真空度１．６Ｘ１０−
６Ｔｏｒｒ、膜厚は１．６μである。
次に、レジスト膜３を被着し、さらに写真蝕刻法により
所定の部分のレジスト膜を除去したのち露出するＡ ｕ
／Ｇ ｅ合金膜のエツチングを開始する。
所定の部分のレジスト膜を除去したのち露出するＡ ｕ
／Ｇ ｅ合金膜のエツチングを開始する。
エツチング液としては、ヨードエッチ液に水溶性のカル
ボン酸を加えたものを用意する。ここでは、水溶性のカ
ルボン酸として酢酸を用い、ヨウ素。
ボン酸を加えたものを用意する。ここでは、水溶性のカ
ルボン酸として酢酸を用い、ヨウ素。
ヨウ化カリ、水に対して所定の比率で、例えばヨウ素２
６５Ｅ 、 ヨウ化カリ６ｏｙ、水５０ＣＣ，酢酸５０
０ ＣＣを混合する。この容液を用いて室温でエツチン
グを行うと、１０分間で１．６のＡｕ／Ｇ。
６５Ｅ 、 ヨウ化カリ６ｏｙ、水５０ＣＣ，酢酸５０
０ ＣＣを混合する。この容液を用いて室温でエツチン
グを行うと、１０分間で１．６のＡｕ／Ｇ。
合金膜２をウェーハ表面に荒れを与えることなく、選択
的に除去する事が出来た。勿論、このＡｕ／Ｇ。
的に除去する事が出来た。勿論、このＡｕ／Ｇ。
合金膜に対するエツチング速度は第２図に示すように酢
酸の添加量に強く依存する。
酸の添加量に強く依存する。
酢酸の添加量が多くなるとエツチング速度は遅くなり、
５００ＣＣで１５００八／分程度となる。
５００ＣＣで１５００八／分程度となる。
このエツチング速度の減少は、酢酸の添加量の増大によ
ってＡｕ／Ｇｅ合金膜の酸化力が緩和されることによる
ものと考えられる。一方、ＧａＡｓ ウェーハ表面の
荒れも、酢酸の添加によって大幅に改善される。
ってＡｕ／Ｇｅ合金膜の酸化力が緩和されることによる
ものと考えられる。一方、ＧａＡｓ ウェーハ表面の
荒れも、酢酸の添加によって大幅に改善される。
第３図は荒れの程度を表わす図であり、縦軸にはその組
成の液に浸した場合のＧａＡｓ表面にエッチピットが発
生してくるまでの時間１Ｃを記している。酢酸を添加し
ない場合は１分間程度でエッチピットは発生するが、５
００ＣＣの酢酸を添加した場合には２０分間まで発生せ
ず表面の荒れは認められない。このように、酢酸の添加
によってＧａＡｓ との反応がおさえられるため、前
述したように選択エッチ完了後直ちにウェーハを取り出
す必要もない。ウェーハ内のエッチむらの修正、完全に
エツチング除去がなされたか否かの確認等もｔ、Ｔｈ２
０分という充分の時間があるため完全に行うことが出来
るため、工程管理上大きな利点となる。１なお、以上の
説明では水溶性のカルボン酸として、酢酸を用いたが、
酢酸にかえて、シュウ酸。
成の液に浸した場合のＧａＡｓ表面にエッチピットが発
生してくるまでの時間１Ｃを記している。酢酸を添加し
ない場合は１分間程度でエッチピットは発生するが、５
００ＣＣの酢酸を添加した場合には２０分間まで発生せ
ず表面の荒れは認められない。このように、酢酸の添加
によってＧａＡｓ との反応がおさえられるため、前
述したように選択エッチ完了後直ちにウェーハを取り出
す必要もない。ウェーハ内のエッチむらの修正、完全に
エツチング除去がなされたか否かの確認等もｔ、Ｔｈ２
０分という充分の時間があるため完全に行うことが出来
るため、工程管理上大きな利点となる。１なお、以上の
説明では水溶性のカルボン酸として、酢酸を用いたが、
酢酸にかえて、シュウ酸。
クエン酸、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸等でも同様の効果
が得られる、。
が得られる、。
以上のように、本発明のエツチング方法はヨウ素、ヨウ
化カリの水溶液に水溶性のカルボン酸を添加した液を用
いる事により、半導体ウェーハ表面を荒すことな（Ａｕ
またはＡｕ合金膜を選択的にエツチングするものであり
、その効果はすこぶる大である。
化カリの水溶液に水溶性のカルボン酸を添加した液を用
いる事により、半導体ウェーハ表面を荒すことな（Ａｕ
またはＡｕ合金膜を選択的にエツチングするものであり
、その効果はすこぶる大である。
一第１図は本発明のエツチング方法を説明するためのフ
ローチャート、第２図はＡｕ ／Ｇｅ 合金膜に対す
るエツチング速度の酢酸添加量依存性を示す図、第３図
はエッチピットの発生時間と酢酸添加量との関係を示す
図である。 １・・１１＠ｅｅｎ形ＧａＡｓ ウェー−”、２＠１
１１１＠１１１１ Ａｕ／Ｇ。 合金膜、３・・・・・・レジスト膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第Ａ
ｌｌ 第２図 第 ３Ｉｌｌ 酢酸ｆ（ｗ）
ローチャート、第２図はＡｕ ／Ｇｅ 合金膜に対す
るエツチング速度の酢酸添加量依存性を示す図、第３図
はエッチピットの発生時間と酢酸添加量との関係を示す
図である。 １・・１１＠ｅｅｎ形ＧａＡｓ ウェー−”、２＠１
１１１＠１１１１ Ａｕ／Ｇ。 合金膜、３・・・・・・レジスト膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第Ａ
ｌｌ 第２図 第 ３Ｉｌｌ 酢酸ｆ（ｗ）
Claims (3)
- （１）基板表面に形成した金または金合金膜のエツチン
グにおいて、ヨウ素、ヨウ化カリの水溶液に水溶性カル
ボン酸を添加したエツチング液を用いることを特徴とす
る金または金合金膜のエツチング方法。 - （２）エツチング液中の水溶性カルボン酸が、酢酸。 シュウ酸、クエン酸、ギ酸、リンゴ酸またはコハク酸の
いずれかであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の金または金合金膜のエツチング方法。 - （３）基板がＩ−Ｖ族もしくはＩＩ−ＩＶ族化合物半導
体のウェーハであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の金または金合金膜のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113958A JPS5816074A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 金または金合金膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113958A JPS5816074A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 金または金合金膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816074A true JPS5816074A (ja) | 1983-01-29 |
| JPS6214033B2 JPS6214033B2 (ja) | 1987-03-31 |
Family
ID=14625464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113958A Granted JPS5816074A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 金または金合金膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816074A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187299U (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-11 | 安原鉄工株式会社 | 駆動装置内蔵型電動シヤツタ−の停止装置 |
| JP2006199987A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング液及びエッチング方法 |
| WO2008026542A1 (en) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | Etchant and etching process |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113958A patent/JPS5816074A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187299U (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-11 | 安原鉄工株式会社 | 駆動装置内蔵型電動シヤツタ−の停止装置 |
| JP2006199987A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング液及びエッチング方法 |
| WO2008026542A1 (en) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | Etchant and etching process |
| JPWO2008026542A1 (ja) * | 2006-08-28 | 2010-01-21 | 三菱化学株式会社 | エッチング液及びエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6214033B2 (ja) | 1987-03-31 |
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