JPS6233310B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6233310B2 JPS6233310B2 JP18084681A JP18084681A JPS6233310B2 JP S6233310 B2 JPS6233310 B2 JP S6233310B2 JP 18084681 A JP18084681 A JP 18084681A JP 18084681 A JP18084681 A JP 18084681A JP S6233310 B2 JPS6233310 B2 JP S6233310B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- solution
- alloy
- iodine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 30
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 6
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N Iodine aqueous Chemical compound [K+].I[I-]I DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002496 iodine Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は−族化合物半導体の電極のエツチ
ングに関する。
ングに関する。
金−ゲルマニウム（Au／Ge）合金は、燐化ガ
リウム（GaP）、砒化ガリウム（GaAs）等の−
族化合物半導体のｎ形に対して良好なオーミツ
ク性を有するため、現在発光ダイオードや半導体
レーザ等のｎ側電極として広く用いられている。
リウム（GaP）、砒化ガリウム（GaAs）等の−
族化合物半導体のｎ形に対して良好なオーミツ
ク性を有するため、現在発光ダイオードや半導体
レーザ等のｎ側電極として広く用いられている。
このAu／Ge合金を選択的にエツチングするた
めには、第１図に示すように通常ホトレジスト膜
１をマスクとし、同マスクの開孔部を通じて同位
置のAu／Ge合金膜２をエツチングで除去するの
に、ヨウ素、ヨウ化カリからなるいわゆるヨード
エツチ液が用いられている。しかしながら、この
ヨードエツチ液で実際にエツチングを行うとエツ
チ時間が長くなりサイドエツチが起りパターンく
ずれ等を引き起し精度のよいエツチングが困難で
あるという問題が生じてくる。これはAu／Ge合
金膜２の付着時に合金組成物中のゲルマニウムが
基板４と反応し膜２との界面に変成層３が形成さ
れ、基板４との界面近くで付着合金膜のエツチン
グ速度が遅くなることに起因している。
めには、第１図に示すように通常ホトレジスト膜
１をマスクとし、同マスクの開孔部を通じて同位
置のAu／Ge合金膜２をエツチングで除去するの
に、ヨウ素、ヨウ化カリからなるいわゆるヨード
エツチ液が用いられている。しかしながら、この
ヨードエツチ液で実際にエツチングを行うとエツ
チ時間が長くなりサイドエツチが起りパターンく
ずれ等を引き起し精度のよいエツチングが困難で
あるという問題が生じてくる。これはAu／Ge合
金膜２の付着時に合金組成物中のゲルマニウムが
基板４と反応し膜２との界面に変成層３が形成さ
れ、基板４との界面近くで付着合金膜のエツチン
グ速度が遅くなることに起因している。
このように、Au／Ge合金の電極形成用膜を通
常のヨードエツチ液で精度よくエツチすることは
極めて難しく、かかるエツチング工程でも、しば
しば、上記変成層３が残る。このためこの部分で
の光の吸収が起り、発光出力が大幅に低下する等
の悪影響を与える。
常のヨードエツチ液で精度よくエツチすることは
極めて難しく、かかるエツチング工程でも、しば
しば、上記変成層３が残る。このためこの部分で
の光の吸収が起り、発光出力が大幅に低下する等
の悪影響を与える。
本発明はこれらの難点を解消することを目的と
してなされたものであり、金−ゲルマニウム合金
を選択的に容易に精度よくエツチングするととも
に、前述の変成層をも除去出来るエツチング法を
提供するものである。
してなされたものであり、金−ゲルマニウム合金
を選択的に容易に精度よくエツチングするととも
に、前述の変成層をも除去出来るエツチング法を
提供するものである。
以下、本発明について実施例を参考にして詳細
に述べる。ここではｎ形基板としてGaAsを用い
た場合について述べるが、本発明は他の−族
化合物半導体、例えば燐化ガリウム（GaP）、砒
化ガリウム・アルミニウム（GaAlAs）等にも適
用出来る。
に述べる。ここではｎ形基板としてGaAsを用い
た場合について述べるが、本発明は他の−族
化合物半導体、例えば燐化ガリウム（GaP）、砒
化ガリウム・アルミニウム（GaAlAs）等にも適
用出来る。
第２図は本発明の実施例のフローチヤートで、
主要構造を断面図で示したものである。第２図ａ
に示すように、ｎ形基板４として1.0〜２×1018
cm-3のキヤリア濃度を有するGaAsを用い、表面
を鏡面研磨した後、硫酸：過酸化水素水：水（容
積比８：１：１）でエツチし、真空蒸着法にて、
重量比Au：Ge＝100：2.5のAu／Ge合金膜２を付
着する。蒸着条件は基板温度250℃、真空度1.5×
10-6Torr、膜厚は1.5μである。この状態でｎ形
基板表面には変成層３が生成されている。
主要構造を断面図で示したものである。第２図ａ
に示すように、ｎ形基板４として1.0〜２×1018
cm-3のキヤリア濃度を有するGaAsを用い、表面
を鏡面研磨した後、硫酸：過酸化水素水：水（容
積比８：１：１）でエツチし、真空蒸着法にて、
重量比Au：Ge＝100：2.5のAu／Ge合金膜２を付
着する。蒸着条件は基板温度250℃、真空度1.5×
10-6Torr、膜厚は1.5μである。この状態でｎ形
基板表面には変成層３が生成されている。
次にホトレジスト膜１をマスクとして、140μ
φの円形パターンの選択エツチングを行う。エツ
チング液は第１溶液としてヨウ素、ヨウ化カリ、
水を所定の混合比例えば52ｇ、100ｇ、１で形
成したヨードエツチ液を用い、第２溶液として過
酸化水素水（31％容積比）を用意する。まず、最
初に第１溶液を用いて室温でエツチングする。
Au／Ge膜２は、本来、上記第１溶液でエツチさ
れる筈であるが、膜によつては全くエツチされな
い場合がある。この傾向はAu／Ge合金中のGeの
組成が高くなるほどよくあらわれ、また蒸着時の
形成条件等にも関係しており、イオンマイクロア
ナライザーで解析すると、Au／Ge膜表面にGeの
薄い層が形成されているのが確認された。そこ
で、第２溶液を用いて室温でこのGeをエツチン
グ除去する。この第２溶液ではAu／Ge膜自体を
エツチすることは出来ないので、表面のGe層を
除去後は再び第１溶液に侵す。Au／Ge膜は約
200Å／分の速度でスムーズにエツチングされは
じめるが、基板と膜の界面に近ずくほど、そのエ
ツチング速度が遅くなる。
φの円形パターンの選択エツチングを行う。エツ
チング液は第１溶液としてヨウ素、ヨウ化カリ、
水を所定の混合比例えば52ｇ、100ｇ、１で形
成したヨードエツチ液を用い、第２溶液として過
酸化水素水（31％容積比）を用意する。まず、最
初に第１溶液を用いて室温でエツチングする。
Au／Ge膜２は、本来、上記第１溶液でエツチさ
れる筈であるが、膜によつては全くエツチされな
い場合がある。この傾向はAu／Ge合金中のGeの
組成が高くなるほどよくあらわれ、また蒸着時の
形成条件等にも関係しており、イオンマイクロア
ナライザーで解析すると、Au／Ge膜表面にGeの
薄い層が形成されているのが確認された。そこ
で、第２溶液を用いて室温でこのGeをエツチン
グ除去する。この第２溶液ではAu／Ge膜自体を
エツチすることは出来ないので、表面のGe層を
除去後は再び第１溶液に侵す。Au／Ge膜は約
200Å／分の速度でスムーズにエツチングされは
じめるが、基板と膜の界面に近ずくほど、そのエ
ツチング速度が遅くなる。
解析によると、界面近くの膜中にもGeが高濃
度に存在している。そこで、再び第２溶液に侵し
このGe高濃度層を溶解し、次に再び第１溶液で
エツチングする。
度に存在している。そこで、再び第２溶液に侵し
このGe高濃度層を溶解し、次に再び第１溶液で
エツチングする。
このように、第１、第２溶液を用いて、Au／
Ge膜のエツチングを交互に行うことにより、第
２図ｂのようになる。この状態では、まだ変成層
３が残つているため、第２溶液を用い温度60℃で
除去を開始する。変成層３には、ガリウム
（Ga）、Geが主に含まれており、室温ではエツチ
ング速度が低いため、60℃に加熱エツチングする
方が望ましい。通常、１分以内で第２図ｃのよう
に変成層３は完全に除去され、除去後の基板表面
５も鏡面を保つている。エツチング完了後、本発
明のエツチング法と通常のヨードエツチング法に
よるパターン精度を比較すると、通常のエツチン
グ法では５μ程度のオーバーエツチが観察された
が、本発明では1.0μ以内におさまつていた。
Ge膜のエツチングを交互に行うことにより、第
２図ｂのようになる。この状態では、まだ変成層
３が残つているため、第２溶液を用い温度60℃で
除去を開始する。変成層３には、ガリウム
（Ga）、Geが主に含まれており、室温ではエツチ
ング速度が低いため、60℃に加熱エツチングする
方が望ましい。通常、１分以内で第２図ｃのよう
に変成層３は完全に除去され、除去後の基板表面
５も鏡面を保つている。エツチング完了後、本発
明のエツチング法と通常のヨードエツチング法に
よるパターン精度を比較すると、通常のエツチン
グ法では５μ程度のオーバーエツチが観察された
が、本発明では1.0μ以内におさまつていた。
以上のように、本発明のエツチング法はヨード
エツチ液からなる第１溶液と過酸化水素水からな
る第２溶液を用いて交互にエツチングを行うこと
により、Au／Ge合金膜のエツチを精度よくエツ
チすることを可能ならしめ、かつ上記合金膜形成
時に基板表面に発生する変成層をも確実に除去出
来るものである。
エツチ液からなる第１溶液と過酸化水素水からな
る第２溶液を用いて交互にエツチングを行うこと
により、Au／Ge合金膜のエツチを精度よくエツ
チすることを可能ならしめ、かつ上記合金膜形成
時に基板表面に発生する変成層をも確実に除去出
来るものである。
第１図は通常の金−ゲルマニウム合金のエツチ
ング法を説明するための断面図、第２図ａ〜ｃは
本発明の一実施例にかかる金−ゲルマニウム合金
のエツチング法の工程断面図。 １……ホトレジスト膜、２……Au／Ge合金
膜、３……変成層、４……ｎ形GaAs基板、５…
…変成層除去後の基板表面。
ング法を説明するための断面図、第２図ａ〜ｃは
本発明の一実施例にかかる金−ゲルマニウム合金
のエツチング法の工程断面図。 １……ホトレジスト膜、２……Au／Ge合金
膜、３……変成層、４……ｎ形GaAs基板、５…
…変成層除去後の基板表面。
Claims (1)
- １ ヨウ素、ヨウ化カリ、水を含む第１溶液と過
酸化水素水を含む第２溶液とを用いて、交互にエ
ツチングを行うことを特徴とする金−ゲルマニウ
ム合金膜のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180846A JPS5881973A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180846A JPS5881973A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881973A JPS5881973A (ja) | 1983-05-17 |
| JPS6233310B2 true JPS6233310B2 (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=16090375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180846A Granted JPS5881973A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881973A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0866209A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-03-12 | Aucera Technol Corp | ウオッチバンドの構造 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4654116A (en) * | 1984-11-09 | 1987-03-31 | American Electronic Laboratories, Inc. | Method for producing high resolution etched circuit patterns from clad laminates |
| TW200823318A (en) * | 2006-08-28 | 2008-06-01 | Mitsubishi Chem Corp | Etchant and etching method |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP56180846A patent/JPS5881973A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0866209A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-03-12 | Aucera Technol Corp | ウオッチバンドの構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5881973A (ja) | 1983-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4220706A (en) | Etchant solution containing HF-HnO3 -H2 SO4 -H2 O2 | |
| JPS5951700B2 (ja) | ３−５族装置の製造方法 | |
| US3715250A (en) | Aluminum etching solution | |
| US4208257A (en) | Method of forming an interconnection | |
| EP0815585B1 (en) | Preferential etch of semiconductor substrate with respect to epitaxial layers | |
| US3972770A (en) | Method of preparation of electron emissive materials | |
| US4256520A (en) | Etching of gallium stains in liquid phase epitoxy | |
| JPS6233310B2 (ja) | ||
| US3947304A (en) | Etching of group III-V semiconductors | |
| JPH07105382B2 (ja) | 気相エツチングを含む半導体デバイスの製作プロセス | |
| JPH0797573B2 (ja) | ヒ化アルミニウムガリウムの選択エッチング法 | |
| JPS5946113B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子およびその製造方法 | |
| JP2641194B2 (ja) | 半導体デバイスの製造法 | |
| US6058123A (en) | Selective etch for II-VI semiconductors | |
| JP3126262B2 (ja) | 金または金合金膜のエッチング方法 | |
| JPS6214033B2 (ja) | ||
| JPH10242576A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| KR900008408B1 (ko) | Iii-v족 화합물 반도체소자의 전극 형성방법 | |
| JP2570502B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3045912B2 (ja) | ＡｌＧａＡｓ半導体層のエッチング方法 | |
| JP2794180B2 (ja) | ＧａＡｓ半導体装置の製造方法 | |
| JPS6242532A (ja) | 化合物半導体の表面処理方法 | |
| JP2706964B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10312988A (ja) | 化合物半導体膜のエッチング方法 | |
| JP2567066B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 |