JPS5816487A - セラミツク化可能絶縁電線の接続方法 - Google Patents
セラミツク化可能絶縁電線の接続方法Info
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- JPS5816487A JPS5816487A JP11414981A JP11414981A JPS5816487A JP S5816487 A JPS5816487 A JP S5816487A JP 11414981 A JP11414981 A JP 11414981A JP 11414981 A JP11414981 A JP 11414981A JP S5816487 A JPS5816487 A JP S5816487A
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- Japan
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- insulated wire
- laser beam
- connection
- insulated
- conductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は近年発明された新規なセラミック化可能絶縁皮
膜を有する絶縁電線の他金属への接続に関するものであ
り、就中、回転電機等における整流子片への接続に関す
るものである。
膜を有する絶縁電線の他金属への接続に関するものであ
り、就中、回転電機等における整流子片への接続に関す
るものである。
従来電気、電子機器に用いられる絶縁電線は、磁界を発
生させる為に流す電流によシ所謂ジュール熱が発生して
高温となる為容易に絶縁皮膜が変形したり容易に熱劣化
しない耐熱性が要求される。
生させる為に流す電流によシ所謂ジュール熱が発生して
高温となる為容易に絶縁皮膜が変形したり容易に熱劣化
しない耐熱性が要求される。
このため多くの耐熱性高分子材料が絶縁電線の皮膜とし
て使われることによって機器は小型になりしかも短絡事
故は減少して機器の信頼性は一段と向上してきた。こう
したことからもゎがる様に絶縁電線皮膜の耐熱性向上は
従来から非常に重要な技術開発テーマであった。
て使われることによって機器は小型になりしかも短絡事
故は減少して機器の信頼性は一段と向上してきた。こう
したことからもゎがる様に絶縁電線皮膜の耐熱性向上は
従来から非常に重要な技術開発テーマであった。
近年特に自動車電装部品あるいは化学プラントの特殊な
高温雰囲気下で使用されるモーター等の静止コイルある
いは可動コイルにおいては、従来では考えられなかった
様な高温雰囲気という厳しい条件下でも正常な運転が要
求され始めてきた。
高温雰囲気下で使用されるモーター等の静止コイルある
いは可動コイルにおいては、従来では考えられなかった
様な高温雰囲気という厳しい条件下でも正常な運転が要
求され始めてきた。
即ち機械的振動を伴なった高温雰囲気下とか、たとえ異
常な過負荷電流が流れてもコイルを形成する絶縁電線同
士の短絡事故は発生せず、コイルとしての磁界発生機能
は維持されることが要求されてきた。
常な過負荷電流が流れてもコイルを形成する絶縁電線同
士の短絡事故は発生せず、コイルとしての磁界発生機能
は維持されることが要求されてきた。
従来コイルに用いられる絶縁電線の皮膜は多くは有機高
分子からなシ、温度が上ると次第に軟化し更に高温にな
ると分解して絶縁機能は次第に低下した。そのため耐熱
性が特に要求されるコイルには導体に無機材料を塗着あ
るいは被覆したものが使われてきた。この種の無機材料
絶縁電線は皮膜の可撓性が非常に乏しかった。そのため
可撓性のあまり要求されない大型電気機器用モーター例
えば舶用モーター、車両モーターあるいは大型発電機等
にのみ使われ可撓性の要求される小型で高性能機器用コ
イルには使われてほこなかった。
分子からなシ、温度が上ると次第に軟化し更に高温にな
ると分解して絶縁機能は次第に低下した。そのため耐熱
性が特に要求されるコイルには導体に無機材料を塗着あ
るいは被覆したものが使われてきた。この種の無機材料
絶縁電線は皮膜の可撓性が非常に乏しかった。そのため
可撓性のあまり要求されない大型電気機器用モーター例
えば舶用モーター、車両モーターあるいは大型発電機等
にのみ使われ可撓性の要求される小型で高性能機器用コ
イルには使われてほこなかった。
一般に無機絶縁電線としては、例えばアルミニウムを陽
極酸化処理したアルミナ絶縁電線に代表される金属酸化
物皮膜で絶縁された絶縁電線、ガラス繊維、アスベスト
繊維等の無機質繊維を横巻きした絶縁電線、アスベスト
テープ、マイカを含んだテープ等無機質テープを横巻き
した絶縁電線、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等
の金属酸化物あるいはガラスの粉末を有機絶縁物中に混
入した絶縁電線が開発され、一部実用に供されている。
極酸化処理したアルミナ絶縁電線に代表される金属酸化
物皮膜で絶縁された絶縁電線、ガラス繊維、アスベスト
繊維等の無機質繊維を横巻きした絶縁電線、アスベスト
テープ、マイカを含んだテープ等無機質テープを横巻き
した絶縁電線、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等
の金属酸化物あるいはガラスの粉末を有機絶縁物中に混
入した絶縁電線が開発され、一部実用に供されている。
しかし、アルミナ絶縁電線に代表される金属酸化物皮膜
で絶縁された絶縁電線は、金属酸化物皮膜に可撓性が乏
しいため非常に大きな径に巻かないと皮膜に亀裂が入り
満足な絶縁特性が得られない。このため大型のリフティ
ングマグネットの如き特殊な用途には実用化されている
が、いわゆる自動巻線機が導入されている中小型の回転
機用としては全く使用しえないものである。
で絶縁された絶縁電線は、金属酸化物皮膜に可撓性が乏
しいため非常に大きな径に巻かないと皮膜に亀裂が入り
満足な絶縁特性が得られない。このため大型のリフティ
ングマグネットの如き特殊な用途には実用化されている
が、いわゆる自動巻線機が導入されている中小型の回転
機用としては全く使用しえないものである。
次にガラス繊維、アスベスト繊維等の無機質繊維を横巻
きした絶縁電線、アズベストテープ、マイ〃を含んだテ
ープ等無機質テープを横巻きした絶縁電線は、当然の事
ながら使用される繊維の外径、テープの厚み等の制限に
より絶縁皮膜厚は厚くなり絶縁電線の外径が大きくなる
。この為機器に組込んだ場合導体の占積率が悪く機器の
効率低下を招く、又効率を充分に発揮さす為には機器を
大型化せざるを得ないという結果になる。又これらの無
機質繊維は摩耗、ひつかき等の機械的な強度に劣り絶縁
特性を低下させない為には慎重な取扱いが必要であり、
機器の生産性の向上が望めない。この種の絶縁電線は舶
用機器、大型発電機、電車用モーター等大量生産されて
いない機器の一部に使われているにすぎない。
きした絶縁電線、アズベストテープ、マイ〃を含んだテ
ープ等無機質テープを横巻きした絶縁電線は、当然の事
ながら使用される繊維の外径、テープの厚み等の制限に
より絶縁皮膜厚は厚くなり絶縁電線の外径が大きくなる
。この為機器に組込んだ場合導体の占積率が悪く機器の
効率低下を招く、又効率を充分に発揮さす為には機器を
大型化せざるを得ないという結果になる。又これらの無
機質繊維は摩耗、ひつかき等の機械的な強度に劣り絶縁
特性を低下させない為には慎重な取扱いが必要であり、
機器の生産性の向上が望めない。この種の絶縁電線は舶
用機器、大型発電機、電車用モーター等大量生産されて
いない機器の一部に使われているにすぎない。
一方金属酸化物粉、ガラス粉等を有機絶縁物に混入した
絶縁皮膜の場合上述した如き種々の欠点は改良され、好
ましい絶縁電線が得られる。この様な金属酸化物粉、ガ
ラス粉等を有機絶縁物に混入した絶縁電線は古くはハネ
カム用電線として実用されてきた。しかしこの様に金属
酸化物を単に有機材料に、混入したのみでは例えば万一
コイルに過電流が流れ有機物が熱分解を起こした場合に
は当該金属酸化物粉末はそのもの自体では皮膜形成能が
ない為有機物皮膜の欠落に伴なって欠落してしまう。特
に当該機器に振動が加わる様な場合にはその傾向が著し
い。従ってこの様な金属酸化物の粉末を有機材料と混合
して用いることは当該有機材料の耐熱性の改善にはなり
得ないのである。
絶縁皮膜の場合上述した如き種々の欠点は改良され、好
ましい絶縁電線が得られる。この様な金属酸化物粉、ガ
ラス粉等を有機絶縁物に混入した絶縁電線は古くはハネ
カム用電線として実用されてきた。しかしこの様に金属
酸化物を単に有機材料に、混入したのみでは例えば万一
コイルに過電流が流れ有機物が熱分解を起こした場合に
は当該金属酸化物粉末はそのもの自体では皮膜形成能が
ない為有機物皮膜の欠落に伴なって欠落してしまう。特
に当該機器に振動が加わる様な場合にはその傾向が著し
い。従ってこの様な金属酸化物の粉末を有機材料と混合
して用いることは当該有機材料の耐熱性の改善にはなり
得ないのである。
この様な状況において薄膜絶縁が可能で可撓性に優れ自
動コイル巻に耐える絶縁皮膜を形成し且つ当該電気電子
機器に過負荷がかかり必要以上に過電流が付加された場
合でも皮膜が欠落しない絶縁電線が近年開発された。更
に詳しく述べるならば、過電流が付加され有機材料が熱
分解する様な温度に達したならば皮膜を形成、したまま
全体がセラミック化することを特徴としている。即ち無
機質材料とシリコーンを主成分とする絶縁塗料を導体上
に塗布焼付、更に必要ならば当該絶縁皮膜の上に通常′
の有機絶縁塗料を塗布焼付けたものであり通常は従来の
エナメル電線と同様に使用でき、かつ高温異常時にはセ
ラミック絶縁層を形成して高温下での機器の正常運転を
′可能にしたものである。シリコーン樹脂としては例え
ばメチルシリコーン樹脂、フェニルシリコーン樹脂、メ
チルフェ: /l/ シIJ :ff−ン樹脂、メチル
ベンジルシリコーン樹脂等及びこれらの有機変性シリコ
ーン樹脂があり複数種を混合して使用することもできる
。無機質材料としては例えばマイカ、アルミナ、シリカ
、クレー、カオリン、ベントナイト、モンモリロナイト
、ガラス、フリント、シリコンナイトライド、ボロンナ
イトライド、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、
チタン酸鉛、ジルコン、BaZr0i、ステアタイト、
ベリリア、ジルコニア、マグネシア等及びこれらの混合
物がある。シリコーン樹脂100重量部に対し一1無機
質材料を20〜200重量部程度更に必要な場合は希釈
剤を加えて塗料となし導体上に塗布焼付することによっ
てセラミック化可能絶縁電線を造ることができる。
動コイル巻に耐える絶縁皮膜を形成し且つ当該電気電子
機器に過負荷がかかり必要以上に過電流が付加された場
合でも皮膜が欠落しない絶縁電線が近年開発された。更
に詳しく述べるならば、過電流が付加され有機材料が熱
分解する様な温度に達したならば皮膜を形成、したまま
全体がセラミック化することを特徴としている。即ち無
機質材料とシリコーンを主成分とする絶縁塗料を導体上
に塗布焼付、更に必要ならば当該絶縁皮膜の上に通常′
の有機絶縁塗料を塗布焼付けたものであり通常は従来の
エナメル電線と同様に使用でき、かつ高温異常時にはセ
ラミック絶縁層を形成して高温下での機器の正常運転を
′可能にしたものである。シリコーン樹脂としては例え
ばメチルシリコーン樹脂、フェニルシリコーン樹脂、メ
チルフェ: /l/ シIJ :ff−ン樹脂、メチル
ベンジルシリコーン樹脂等及びこれらの有機変性シリコ
ーン樹脂があり複数種を混合して使用することもできる
。無機質材料としては例えばマイカ、アルミナ、シリカ
、クレー、カオリン、ベントナイト、モンモリロナイト
、ガラス、フリント、シリコンナイトライド、ボロンナ
イトライド、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、
チタン酸鉛、ジルコン、BaZr0i、ステアタイト、
ベリリア、ジルコニア、マグネシア等及びこれらの混合
物がある。シリコーン樹脂100重量部に対し一1無機
質材料を20〜200重量部程度更に必要な場合は希釈
剤を加えて塗料となし導体上に塗布焼付することによっ
てセラミック化可能絶縁電線を造ることができる。
この絶縁電線は、高温雰囲気下あるいは導体に過電流が
流れた場合の発熱によりシリコーン樹脂と無機質材料と
が相互に作用し次第にセラミック化していくものであり
、セラミック化後は可撓性がなくなり、固い絶縁体とな
るものである。
流れた場合の発熱によりシリコーン樹脂と無機質材料と
が相互に作用し次第にセラミック化していくものであり
、セラミック化後は可撓性がなくなり、固い絶縁体とな
るものである。
この様な特徴をもつセラミック化可能絶縁電線を回転電
機等に用い、コイル加工したあと整流子片へ接続する場
合従来から用いられてきた電気的ヒユージング法を適用
するとヒユージングの際の加熱により絶縁皮膜がセラミ
ック化した状態で残留し、所謂接触抵抗が高いという接
続不良を来すことがあった。この様な接続不良品を用い
ると機器の運転の繰り返しにより接続部にヒートサイク
ルが加わり、接続金属部に絶縁性あるいは半導電性の酸
化皮膜が成長することとなり結果としてこの接続部の接
触抵抗が例えば当初1m04つたものが100mΩと2
桁も上昇することがあり解決すべき重要技術問題となっ
てきていた。
機等に用い、コイル加工したあと整流子片へ接続する場
合従来から用いられてきた電気的ヒユージング法を適用
するとヒユージングの際の加熱により絶縁皮膜がセラミ
ック化した状態で残留し、所謂接触抵抗が高いという接
続不良を来すことがあった。この様な接続不良品を用い
ると機器の運転の繰り返しにより接続部にヒートサイク
ルが加わり、接続金属部に絶縁性あるいは半導電性の酸
化皮膜が成長することとなり結果としてこの接続部の接
触抵抗が例えば当初1m04つたものが100mΩと2
桁も上昇することがあり解決すべき重要技術問題となっ
てきていた。
我々はこの接続不良を皆無にすべく鋭意研究と開発を行
なった結果本発明を完成した。以下本発明の詳細な説明
する。本発明は、セラミック化可能絶縁電線を他金属に
接続するに際し接続部の絶縁皮膜をレーザー光線照射に
より焼灼し続いて電気導体の接続部を加熱し、絶縁電線
に押圧して前記絶縁電線の導体に溶着接続することを基
本とする。溶着接続する過程においてレーザー光線照射
によシ焼灼した絶縁皮膜が導体上に残る恐れのある場合
はレーザー光線照射と同時にあるいは後にガスを吹きつ
けることにより残留した焼灼絶縁皮膜をより確実に除去
することができる。
なった結果本発明を完成した。以下本発明の詳細な説明
する。本発明は、セラミック化可能絶縁電線を他金属に
接続するに際し接続部の絶縁皮膜をレーザー光線照射に
より焼灼し続いて電気導体の接続部を加熱し、絶縁電線
に押圧して前記絶縁電線の導体に溶着接続することを基
本とする。溶着接続する過程においてレーザー光線照射
によシ焼灼した絶縁皮膜が導体上に残る恐れのある場合
はレーザー光線照射と同時にあるいは後にガスを吹きつ
けることにより残留した焼灼絶縁皮膜をより確実に除去
することができる。
本発明で用いるレーザー光線はセラミック化可能絶縁皮
膜を焼灼しうるものであればどのような種類のレーザー
光線でも良い。ガスレーザーとしてハ、炭酸ガスレーザ
ー、アルゴンレーサー、クリプトンレーザー等を使うこ
とができる。固体レーザーとしては、ルビーレーザー、
ガラスレーザー、YAGレーザー等を使うことができる
。その他生導体レーザーとして、が゛リウムヒ素レーザ
ー、インジウムヒ素レーザー、インジウムアンチモンレ
ーザー等が使える。しかし乍ら既に汎用化され、多くの
実養績が積まれている炭酸ガスレーザー光線で充分であ
る。レーザー光線の出力及び照射時間はセラミック化可
能絶縁電線の絶縁皮膜そのものの特性、線サイズあるい
は皮膜厚により多少異なるが多くの場合出力は10Wか
ら100W、照射時間は0.5秒から5秒程度の極めて
短時間照射で充分であることを実験により確認した。こ
の範囲を越えて出力が小さく照射時間が短かい場合には
絶縁皮膜を焼灼する迄に至らず目的を達成することがで
きないこともある。逆に出力が100Wを越える場合に
は照射時間を著しく短かくする必要があり、わずか照射
時間が長くなっただけでも導体結晶組織に変化を来し、
時には穴のあく場合もある。導体結晶組織に変化を来す
ととエージング時の押圧力あるいは機器運転中に発生す
る応力により断線等のトラブルを生ずるので注意を要す
る。本発明者らは実験により絶縁皮膜の焼灼に用いるレ
ーザー光線の照射条件としては出力10〜100W照射
時間0.5〜5秒が安定してコントロールができる好ま
°しい条件でありかつ導体の結晶組織に変化を来さない
条件・であることを見い出した。
膜を焼灼しうるものであればどのような種類のレーザー
光線でも良い。ガスレーザーとしてハ、炭酸ガスレーザ
ー、アルゴンレーサー、クリプトンレーザー等を使うこ
とができる。固体レーザーとしては、ルビーレーザー、
ガラスレーザー、YAGレーザー等を使うことができる
。その他生導体レーザーとして、が゛リウムヒ素レーザ
ー、インジウムヒ素レーザー、インジウムアンチモンレ
ーザー等が使える。しかし乍ら既に汎用化され、多くの
実養績が積まれている炭酸ガスレーザー光線で充分であ
る。レーザー光線の出力及び照射時間はセラミック化可
能絶縁電線の絶縁皮膜そのものの特性、線サイズあるい
は皮膜厚により多少異なるが多くの場合出力は10Wか
ら100W、照射時間は0.5秒から5秒程度の極めて
短時間照射で充分であることを実験により確認した。こ
の範囲を越えて出力が小さく照射時間が短かい場合には
絶縁皮膜を焼灼する迄に至らず目的を達成することがで
きないこともある。逆に出力が100Wを越える場合に
は照射時間を著しく短かくする必要があり、わずか照射
時間が長くなっただけでも導体結晶組織に変化を来し、
時には穴のあく場合もある。導体結晶組織に変化を来す
ととエージング時の押圧力あるいは機器運転中に発生す
る応力により断線等のトラブルを生ずるので注意を要す
る。本発明者らは実験により絶縁皮膜の焼灼に用いるレ
ーザー光線の照射条件としては出力10〜100W照射
時間0.5〜5秒が安定してコントロールができる好ま
°しい条件でありかつ導体の結晶組織に変化を来さない
条件・であることを見い出した。
一方、本発明においてセラミック化可能絶縁にレーザー
光線を照射すると同時にあるいは後で吹きつけて残留し
た焼灼絶縁皮膜をより確実に除去するためのガスとして
は空気、窒素その他の不活性ガスがあるが、コストの面
も考え空気で充分である。特に接続部の絶縁導体及び被
接続部電気導体の酸化を防止したい場合には窒素ガスを
用いると良い。
光線を照射すると同時にあるいは後で吹きつけて残留し
た焼灼絶縁皮膜をより確実に除去するためのガスとして
は空気、窒素その他の不活性ガスがあるが、コストの面
も考え空気で充分である。特に接続部の絶縁導体及び被
接続部電気導体の酸化を防止したい場合には窒素ガスを
用いると良い。
本発明の電気導体の接続部の加熱には従来からの通電に
よる方法を用いることができる。又レーザー光線照射に
よる方法も用いることができる。
よる方法を用いることができる。又レーザー光線照射に
よる方法も用いることができる。
この時用いるレーザー光線の種類も特に限定はなく、電
気導体の接続部を加熱できるものであればよい。前述通
シ、ガスレーザー、固体レーザー、半導体レーザーとし
て具体的に列挙したものを使うことができる。特にレー
ザー光線を照射して加熱する場合には瞬時に電気導体が
高温となシ接続部における接着強度が通電による方法に
比べて驚くべきことに1.5倍から2.5倍程度も高く
なることがわかった。このことは特に回転電機等遠心力
のか\る部分の接続に関して信頼性が大きく向上するこ
とを意味している。回転中に特に大きな遠心力のかかる
大型モーター等に対して効果がありその工業的価値は大
きいものである。このレーザー光線を照射して加熱する
場合には瞬時に電気導なくてもよいという利点が付加さ
れる。
気導体の接続部を加熱できるものであればよい。前述通
シ、ガスレーザー、固体レーザー、半導体レーザーとし
て具体的に列挙したものを使うことができる。特にレー
ザー光線を照射して加熱する場合には瞬時に電気導体が
高温となシ接続部における接着強度が通電による方法に
比べて驚くべきことに1.5倍から2.5倍程度も高く
なることがわかった。このことは特に回転電機等遠心力
のか\る部分の接続に関して信頼性が大きく向上するこ
とを意味している。回転中に特に大きな遠心力のかかる
大型モーター等に対して効果がありその工業的価値は大
きいものである。このレーザー光線を照射して加熱する
場合には瞬時に電気導なくてもよいという利点が付加さ
れる。
次に本発明を図を用いて説明する。第1図は回転機にお
けるセラミック化可能絶縁電線の整流子片への接続を示
すものである。(1)、(2)は通電加熱用の電極、(
3)はモーターの電機子に隣接する整流子片(コミュテ
ータセグメント)であり、(4)’は整流溝でらる。(
5)はモーターのシャフト、(6)は他の電気導体とな
る整流子片(6)の接続爪である。(7)は本発明に係
る絶縁電線であり、電機子巻線である。
けるセラミック化可能絶縁電線の整流子片への接続を示
すものである。(1)、(2)は通電加熱用の電極、(
3)はモーターの電機子に隣接する整流子片(コミュテ
ータセグメント)であり、(4)’は整流溝でらる。(
5)はモーターのシャフト、(6)は他の電気導体とな
る整流子片(6)の接続爪である。(7)は本発明に係
る絶縁電線であり、電機子巻線である。
(8)は整流子片の表面に設けられたZn及びSnメッ
キ等から成る低温度にて溶融する導体層である。
キ等から成る低温度にて溶融する導体層である。
(10)はレーザー光線照射治具であり、場合によりガ
ス噴射機能をも兼ねそなえたノズルである。^)はセラ
ミック化可能絶縁電線(7)と接続爪(6)のヒユージ
ング部分であり、接続爪(6)の下に絶縁電線を引っか
け、レーザー光線照射治具(10)よりレーザー光線を
照射させる。
ス噴射機能をも兼ねそなえたノズルである。^)はセラ
ミック化可能絶縁電線(7)と接続爪(6)のヒユージ
ング部分であり、接続爪(6)の下に絶縁電線を引っか
け、レーザー光線照射治具(10)よりレーザー光線を
照射させる。
但し接続爪の下に絶縁電線をひっかけ、レーザー光線を
照射して皮膜を焼灼するという手順については例えば次
のような2.3の異なる手順によってもよい。
照射して皮膜を焼灼するという手順については例えば次
のような2.3の異なる手順によってもよい。
即ち整流子の個々の接続爪に当該絶縁電線をひっかけて
は逐一レーザー光線を照射して皮膜を焼灼してゆく方法
、回転機1個分−のコイル巻きと整流子の爪へのひっか
けが全て完了してからレーザー光線を各ひっかけ部に順
次あるいは同時に照射して皮膜を焼灼する方法、整流子
の個々の接続爪にひっかける直前に四方からレーザー光
線を照射して皮膜を焼灼し、焼灼された部分が接続爪の
ところにちょうどくる様に順°次巻いてゆく方法等であ
る。
は逐一レーザー光線を照射して皮膜を焼灼してゆく方法
、回転機1個分−のコイル巻きと整流子の爪へのひっか
けが全て完了してからレーザー光線を各ひっかけ部に順
次あるいは同時に照射して皮膜を焼灼する方法、整流子
の個々の接続爪にひっかける直前に四方からレーザー光
線を照射して皮膜を焼灼し、焼灼された部分が接続爪の
ところにちょうどくる様に順°次巻いてゆく方法等であ
る。
レーザー光線を照射すると同時にあるいは照射後にガス
を噴射させることによって残留した焼灼絶縁皮膜をより
確実に除去することができる。その後電極(1)、(2
)の間に電流を流して接続爪(6)を発熱させると同時
に電極(1)にて押圧することにより低融点金属、接続
爪及び絶縁電線の導体が溶着し整流子片が接続するので
ある。
を噴射させることによって残留した焼灼絶縁皮膜をより
確実に除去することができる。その後電極(1)、(2
)の間に電流を流して接続爪(6)を発熱させると同時
に電極(1)にて押圧することにより低融点金属、接続
爪及び絶縁電線の導体が溶着し整流子片が接続するので
ある。
第2図はレーザー光線照射なしの従来通りの方法でヒユ
ージン・グした場合の接続部を示すものでちる。(7a
)はセラミック化可能絶縁の導体(7b)の表面に残存
している絶縁性のセラミック化した被覆層で、接触抵抗
が大きくなる原因となっている。
ージン・グした場合の接続部を示すものでちる。(7a
)はセラミック化可能絶縁の導体(7b)の表面に残存
している絶縁性のセラミック化した被覆層で、接触抵抗
が大きくなる原因となっている。
第3図は本発明になるし、−ザー光線照射後ヒユージン
グした場合の接続部を示すものである。何ら絶縁皮膜の
残留物を矢線する仁となく確実に接続がなされた。
グした場合の接続部を示すものである。何ら絶縁皮膜の
残留物を矢線する仁となく確実に接続がなされた。
以下比較例、参照例、実施例を用いて説明する。
セラミック化可能絶縁電線は共通してサイズ0.7mm
1であり、皮膜厚は27μmである。接続個数は各側’
0.000個である。接続部の接着力の測定は室温に
おいて絶縁電線を接続方向に引張り最大引張シ荷重とし
て求めた。
1であり、皮膜厚は27μmである。接続個数は各側’
0.000個である。接続部の接着力の測定は室温に
おいて絶縁電線を接続方向に引張り最大引張シ荷重とし
て求めた。
比較例はセラミック化可能絶縁電線をレーザー光線を使
うことな〈従来と同じ通電加熱による電気的ヒユージン
グ法によりコミュテータ一部に接続したものでアシ、接
触抵抗が10mΩ 以上の接続不良が0.20 ’It
も発生している。接続部の接着力は3〜5Kpfであっ
た。
うことな〈従来と同じ通電加熱による電気的ヒユージン
グ法によりコミュテータ一部に接続したものでアシ、接
触抵抗が10mΩ 以上の接続不良が0.20 ’It
も発生している。接続部の接着力は3〜5Kpfであっ
た。
参照例1〜4はセラζツク化可能絶縁電線の皮膜を炭酸
ガスレーザー光線を照射して焼灼後従来と同じ通電加熱
による電気的ヒユージング法によりコミュテータ一部に
接続したものである。炭酸ガスレーザー光線の照射条件
が本発明にいう適正範囲からはずれているものである。
ガスレーザー光線を照射して焼灼後従来と同じ通電加熱
による電気的ヒユージング法によりコミュテータ一部に
接続したものである。炭酸ガスレーザー光線の照射条件
が本発明にいう適正範囲からはずれているものである。
接触抵抗が10m0J2を上の接続不良は0.01〜0
.079g発生しているとは言え、比較例と比べた場合
ユ〜工と大幅 20 に減少しておシ、レーザー光線によるセラミック化可能
絶縁皮膜の焼灼の効果がはっきりと認められた。参照例
3.4ではレーザー光線の照射条件が適正範囲から外れ
て非常に強力なためセラミック化可能絶縁電線の銅体の
結晶組織が変化して脆弱となり結果として接続部の接着
力が2〜3Kpfとなり比較例と比べて釣上になってし
まっている。
.079g発生しているとは言え、比較例と比べた場合
ユ〜工と大幅 20 に減少しておシ、レーザー光線によるセラミック化可能
絶縁皮膜の焼灼の効果がはっきりと認められた。参照例
3.4ではレーザー光線の照射条件が適正範囲から外れ
て非常に強力なためセラミック化可能絶縁電線の銅体の
結晶組織が変化して脆弱となり結果として接続部の接着
力が2〜3Kpfとなり比較例と比べて釣上になってし
まっている。
実施例1〜4はセラミック化可能絶縁皮膜を炭酸ガスレ
ーザー光線により焼灼する時の照射条件が本発明にいう
適正範囲に入っているものである。
ーザー光線により焼灼する時の照射条件が本発明にいう
適正範囲に入っているものである。
接触抵抗が10m01以上の接続不良が0.01〜1
0、02 %となり、比較例と比べて一旬一〜…と大幅
に減少した。焼灼の効果が顕著に認められた。
に減少した。焼灼の効果が顕著に認められた。
それに付随して接続部の接着力が4〜14〜fと比較例
と比べて驚くべきことに1.5倍から2.5倍程度も高
くなった。実施例3は特にレーザー光線を照射して接続
爪を加熱すると同時に治具にて押圧し接続したものであ
る。この場合接続部の接着力は11〜141Cffとな
った。通電加熱による電気的ヒユージング法によりコミ
ュテータ部に接続している実施例1.2.4の接着力が
4〜8Kffであるのに比べても明らかに約2倍も高い
値を示しておシ、レーザー光線照射による加熱抑圧接続
の効果がはっきりと認められた。実施例5〜8はセラミ
ック化可能絶縁皮膜を炭酸ガるレーザー光線により焼灼
する時の照射条件が本発明にいう適正範囲に入っておシ
、かつ炭酸ガスレーザー光線の照射と同時に空気を高速
昏こて噴射して焼灼した絶縁皮膜をより確実に飛散させ
たもの+ある。この場合接触抵抗が10mΩ以上の接続
不良は何ら発生しなかった。一方接続部の接着力は4〜
14−fとなり比較例と比べて実に1.5倍〜2.5倍
程度も高くなった。実施例7は特にレーザー光線を照射
して接続爪を加熱すると同時に治具にて押圧し接続した
ものでおる。この場合の接続部の接着力は11〜14−
fとなった。通電加熱による電気的ヒユージング法によ
りコミュテータ一部に接続している実施例5.6.8の
接着力が4〜9KIfであるのに比べても明らかに約≠
倍も高い値を示しておりレーザー光線照射による加熱抑
圧接続の効果がはつきシと認められた。
と比べて驚くべきことに1.5倍から2.5倍程度も高
くなった。実施例3は特にレーザー光線を照射して接続
爪を加熱すると同時に治具にて押圧し接続したものであ
る。この場合接続部の接着力は11〜141Cffとな
った。通電加熱による電気的ヒユージング法によりコミ
ュテータ部に接続している実施例1.2.4の接着力が
4〜8Kffであるのに比べても明らかに約2倍も高い
値を示しておシ、レーザー光線照射による加熱抑圧接続
の効果がはっきりと認められた。実施例5〜8はセラミ
ック化可能絶縁皮膜を炭酸ガるレーザー光線により焼灼
する時の照射条件が本発明にいう適正範囲に入っておシ
、かつ炭酸ガスレーザー光線の照射と同時に空気を高速
昏こて噴射して焼灼した絶縁皮膜をより確実に飛散させ
たもの+ある。この場合接触抵抗が10mΩ以上の接続
不良は何ら発生しなかった。一方接続部の接着力は4〜
14−fとなり比較例と比べて実に1.5倍〜2.5倍
程度も高くなった。実施例7は特にレーザー光線を照射
して接続爪を加熱すると同時に治具にて押圧し接続した
ものでおる。この場合の接続部の接着力は11〜14−
fとなった。通電加熱による電気的ヒユージング法によ
りコミュテータ一部に接続している実施例5.6.8の
接着力が4〜9KIfであるのに比べても明らかに約≠
倍も高い値を示しておりレーザー光線照射による加熱抑
圧接続の効果がはつきシと認められた。
比較例
シリコーン樹脂とマイカ微粉末とから成る絶縁塗料を0
.7 wa Sの銅線に塗布焼付して皮膜厚27μmの
セラミック化可能絶縁電線とした。この線をモーターの
回転子に巻きつけた後電気的なヒユージングによりコミ
ュテータ一部に接続していった。この場合接触抵抗が1
0mΩ以上の接続不良が0.20%発生した。接続部の
接着力は3〜5に9tであった。
.7 wa Sの銅線に塗布焼付して皮膜厚27μmの
セラミック化可能絶縁電線とした。この線をモーターの
回転子に巻きつけた後電気的なヒユージングによりコミ
ュテータ一部に接続していった。この場合接触抵抗が1
0mΩ以上の接続不良が0.20%発生した。接続部の
接着力は3〜5に9tであった。
参照例1゜
シリコーン樹脂とアルミナ微粉末とから成る絶縁塗料を
0.7 m gi銅線に塗布焼付して皮膜厚27μmの
セラミック化可能絶縁電線とした。この線をモーターの
回転子に巻きつけた後接続爪にひっかけた部分に出カフ
Wの炭酸ガスレーザーを5秒照射した。絶縁皮膜がわず
か焼灼されたのみであったが続いて電気的にヒユージン
グをしてコミュテータ一部に接続していった。この場合
接触抵抗が10mΩ以上の接続不良は0.07%発生し
た。接続部の接着力は3〜7〜fであった。
0.7 m gi銅線に塗布焼付して皮膜厚27μmの
セラミック化可能絶縁電線とした。この線をモーターの
回転子に巻きつけた後接続爪にひっかけた部分に出カフ
Wの炭酸ガスレーザーを5秒照射した。絶縁皮膜がわず
か焼灼されたのみであったが続いて電気的にヒユージン
グをしてコミュテータ一部に接続していった。この場合
接触抵抗が10mΩ以上の接続不良は0.07%発生し
た。接続部の接着力は3〜7〜fであった。
参照例2゜
シリコーン樹脂とアルミナ微粉末とから成る絶縁塗料を
0.7 mm lの銅線に塗布焼付して皮膜厚27μm
のセラミック化可能絶縁電線とした。
0.7 mm lの銅線に塗布焼付して皮膜厚27μm
のセラミック化可能絶縁電線とした。
この線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっ
かけた部分に出力50Wの炭酸ガスレーザーを0.2秒
照射し絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージング
をしてコミュテータ一部に接続していった。この場合接
触抵抗が10mΩ以上の接続不良は0.06%発生した
。接続部の接着力は3〜7 Kgfであった。
かけた部分に出力50Wの炭酸ガスレーザーを0.2秒
照射し絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージング
をしてコミュテータ一部に接続していった。この場合接
触抵抗が10mΩ以上の接続不良は0.06%発生した
。接続部の接着力は3〜7 Kgfであった。
実施例1゜
シリコーン樹脂とマイカ微粉末、カオリン微粉末とから
成る絶縁塗料を0.7 mm 16の銅線に塗布焼付し
て皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。
成る絶縁塗料を0.7 mm 16の銅線に塗布焼付し
て皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。
この線をモータの回転子に巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力12Wの炭酸ガスレーザーを5秒照射し
絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージングしてコ
ミュテータ一部に接続していった。この場合接触抵抗が
10mΩ以上の接続不良は0,01%発生した。
けた部分に出力12Wの炭酸ガスレーザーを5秒照射し
絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージングしてコ
ミュテータ一部に接続していった。この場合接触抵抗が
10mΩ以上の接続不良は0,01%発生した。
接続部の接着力は4〜13Kgfであった。
実施例2゜
シリコーン樹脂とマイカ微粉末、カオリン微粉末とから
成る絶縁塗料を0.7 mm lの銅線に塗布焼付して
皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。こ
の線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力5゜Wの炭酸ガスレーザーを2秒照射し
絶縁皮膜を焼灼した。次Cζ電気的にヒユージングして
コミュテータ一部に接続していった。この場合接触抵抗
が10mΩ以上の接続不良は0.01%発生した。接続
部の接着力は4〜8Kyfであった。
成る絶縁塗料を0.7 mm lの銅線に塗布焼付して
皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。こ
の線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力5゜Wの炭酸ガスレーザーを2秒照射し
絶縁皮膜を焼灼した。次Cζ電気的にヒユージングして
コミュテータ一部に接続していった。この場合接触抵抗
が10mΩ以上の接続不良は0.01%発生した。接続
部の接着力は4〜8Kyfであった。
実施例3゜
シリコーン樹脂とマイカ微粉末、カオリン微粉末とから
成る絶縁塗料を0.7 mm〆の銅線に塗布焼付して皮
膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。この
線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっかけ
た部分に出力5゜Wの炭酸ガスレーザーを2秒照射し絶
縁皮膜を焼灼した。次に出力120Wの炭酸ガスレーザ
ーを2秒接続爪に照射して加熱すると同時に治具にて押
圧し接続した。この場合接触抵抗が10mΩ以上の接続
不良は0.01%発生した。帆続部の接着力は11〜1
4Kgfであった。
成る絶縁塗料を0.7 mm〆の銅線に塗布焼付して皮
膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。この
線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっかけ
た部分に出力5゜Wの炭酸ガスレーザーを2秒照射し絶
縁皮膜を焼灼した。次に出力120Wの炭酸ガスレーザ
ーを2秒接続爪に照射して加熱すると同時に治具にて押
圧し接続した。この場合接触抵抗が10mΩ以上の接続
不良は0.01%発生した。帆続部の接着力は11〜1
4Kgfであった。
実施例4゜
シリコーン樹脂とマイカ微粉末、カオリン微粉末とから
成る絶縁塗料をQ、 7 mmlの銅線に塗布焼付して
皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。こ
の線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力90Wの炭酸ガスレーザーを0.8秒照
射し絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージングし
てコミューテータ部に接続していった。この場合接触抵
抗が10mΩ以上の接続不良は0.02%発生した。接
続部の接着力は4〜8Kffであった。
成る絶縁塗料をQ、 7 mmlの銅線に塗布焼付して
皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。こ
の線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力90Wの炭酸ガスレーザーを0.8秒照
射し絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージングし
てコミューテータ部に接続していった。この場合接触抵
抗が10mΩ以上の接続不良は0.02%発生した。接
続部の接着力は4〜8Kffであった。
参照例3゜
シリコーン樹脂とマイカ微粉末、カオリン微粉末とから
成る絶縁塗料を0.7 mmflの銅線に塗布焼1付し
て皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。
成る絶縁塗料を0.7 mmflの銅線に塗布焼1付し
て皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。
この線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっ
かけた部分に出力9゜Wの炭酸ガスレーザーを7秒照射
し絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージングして
コミュテータ一部に接続していった。この場合接触抵抗
が10mΩ以上の接続不良は0.01%発生した。接続
部の接着力は2〜3〜fであった。
かけた部分に出力9゜Wの炭酸ガスレーザーを7秒照射
し絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージングして
コミュテータ一部に接続していった。この場合接触抵抗
が10mΩ以上の接続不良は0.01%発生した。接続
部の接着力は2〜3〜fであった。
参照例4゜
シリコーン樹脂とマイカ微粉末、カオリン微粉末とから
成る絶縁塗料を0.7 mm 51の銅線に塗布焼付し
て皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。
成る絶縁塗料を0.7 mm 51の銅線に塗布焼付し
て皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。
この線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっ
かけた部分に出力120Wの炭酸ガスレーザーを1秒照
射し絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージングし
てコミュータ部に接続していった。この場合接触抵抗が
10mΩ以上の接続不良は0.02 %発生した。
かけた部分に出力120Wの炭酸ガスレーザーを1秒照
射し絶縁皮膜を焼灼した。次に電気的にヒユージングし
てコミュータ部に接続していった。この場合接触抵抗が
10mΩ以上の接続不良は0.02 %発生した。
接続部の接着力は2〜3Kqfであった。
実施例5゜
シリコーン樹脂とアルミナ微粉末、マイカ微粉末とから
成る絶縁塗料を0.7 mm lの銅線に塗布焼付して
皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。こ
の線をモーターの回転子ニ巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力12Wの炭酸ガスレーザーを5秒照射す
ると同時に空気を高速にて噴射し絶縁皮膜を焼灼すると
共に飛散させた。次に電気的にヒユージングしてコミュ
テータ部に接続していった。この場合接触抵抗が10m
Ω以上の接続不良は発生しなかった。接続部の接着力は
4〜8紛fであった。
成る絶縁塗料を0.7 mm lの銅線に塗布焼付して
皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。こ
の線をモーターの回転子ニ巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力12Wの炭酸ガスレーザーを5秒照射す
ると同時に空気を高速にて噴射し絶縁皮膜を焼灼すると
共に飛散させた。次に電気的にヒユージングしてコミュ
テータ部に接続していった。この場合接触抵抗が10m
Ω以上の接続不良は発生しなかった。接続部の接着力は
4〜8紛fであった。
実施例6゜
シリコーン樹脂とアルミナ微粉末、マイカ微粉末とから
成る絶縁塗料をo、ymm〆の銅線に塗布焼付して皮膜
厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。この線
をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっかけた
部分に出力5゜Wの炭酸ガスレーザーを2秒照射すると
同時に空気を高速にて噴射し絶縁皮膜を焼灼すると共に
飛散させた。次に電気的にヒユージングしてコミュテー
タ部に接続していった。この場合接触抵抗が10271
0以上の接続不良は発生しなかった。接続部の接着力は
4〜8Kqfでちった。
成る絶縁塗料をo、ymm〆の銅線に塗布焼付して皮膜
厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。この線
をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっかけた
部分に出力5゜Wの炭酸ガスレーザーを2秒照射すると
同時に空気を高速にて噴射し絶縁皮膜を焼灼すると共に
飛散させた。次に電気的にヒユージングしてコミュテー
タ部に接続していった。この場合接触抵抗が10271
0以上の接続不良は発生しなかった。接続部の接着力は
4〜8Kqfでちった。
実施例7゜
シリコーン樹脂とアルミナ微粉末、マイカ微粉末とから
成る絶縁塗料を0.7 mm lの銅線に塗布焼付して
皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。こ
の線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力50Wの炭酸ガスレーザーを2秒照射す
ると同時に空気を高速にて噴射し絶縁皮膜を焼灼すると
共に飛散させた。次に出力120Wの炭酸ガスレーザー
を2秒接続爪に照射して加熱すると同時に治具にて押圧
し接続した。この場合接触抵抗が10mΩ以上の接続不
良は発生しなかった。接続部の接着力は11〜14に9
fであった。
成る絶縁塗料を0.7 mm lの銅線に塗布焼付して
皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。こ
の線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっか
けた部分に出力50Wの炭酸ガスレーザーを2秒照射す
ると同時に空気を高速にて噴射し絶縁皮膜を焼灼すると
共に飛散させた。次に出力120Wの炭酸ガスレーザー
を2秒接続爪に照射して加熱すると同時に治具にて押圧
し接続した。この場合接触抵抗が10mΩ以上の接続不
良は発生しなかった。接続部の接着力は11〜14に9
fであった。
実施例8゜
シリコーン樹脂とアルミナ微粉末、マイカ微粉末とから
成る絶縁塗料を0.7 mm flの銅線に塗布焼付し
て皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。
成る絶縁塗料を0.7 mm flの銅線に塗布焼付し
て皮膜厚27μmのセラミック化可能絶縁電線とした。
この線をモーターの回転子に巻き付けた後接続爪にひっ
かけた部分に出力90Wの炭酸ガスレーザーを0.8秒
照射すると同時に空気を高速にて噴射し絶縁皮膜を焼灼
すると共に飛散させた。次に電気的にヒユージングして
コミュテータ部に接続していった。この場合接触抵抗が
10mΩ以上の接続不良は発生しなかった。接続部の接
着力は4〜8〜fであった。
かけた部分に出力90Wの炭酸ガスレーザーを0.8秒
照射すると同時に空気を高速にて噴射し絶縁皮膜を焼灼
すると共に飛散させた。次に電気的にヒユージングして
コミュテータ部に接続していった。この場合接触抵抗が
10mΩ以上の接続不良は発生しなかった。接続部の接
着力は4〜8〜fであった。
第1図は本発明方法の一実施例となるワイパーモーター
の整流子部の接続工程を示す模式的構成図、第2図は従
来の接続方法におけるヒユージング部分の模式的断面図
、第3図は第1図図示工程における本発明に係わるヒユ
ージング部分の模式的断面図を夫々例示している。 (1)、(2)・・・通電加熱用の電極、(6)・・・
モーターの電機子に隣接する整流子片、(4)・・・整
流溝、(5)・・・モーターのシャフト、(6)・・・
他の電気導体となる接続爪、(7)・・・絶縁電線、 (7a)・・・残存セラミック化絶縁層、(7b)・・
・絶縁電線の導体、 (8)・・・整流子片の表面に設けられたZn及びSn
メッキ等から成る低温度にて溶融する導体層、
の整流子部の接続工程を示す模式的構成図、第2図は従
来の接続方法におけるヒユージング部分の模式的断面図
、第3図は第1図図示工程における本発明に係わるヒユ
ージング部分の模式的断面図を夫々例示している。 (1)、(2)・・・通電加熱用の電極、(6)・・・
モーターの電機子に隣接する整流子片、(4)・・・整
流溝、(5)・・・モーターのシャフト、(6)・・・
他の電気導体となる接続爪、(7)・・・絶縁電線、 (7a)・・・残存セラミック化絶縁層、(7b)・・
・絶縁電線の導体、 (8)・・・整流子片の表面に設けられたZn及びSn
メッキ等から成る低温度にて溶融する導体層、
Claims (10)
- (1)セラミック化可能絶縁電線を他の電気導体に接続
する際、該絶縁電線の一接続部分にレーザー光線を照射
して絶縁皮膜を焼灼し、続いて電気導体の接続部を加熱
し、絶縁電線に押圧して前記絶縁電線の導体に溶着接続
することを特徴とするセラミック化可能絶縁電線の接続
方法。 - (2)電気導体の接続部の加熱に際し通電加熱を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項のセラミッ
ク化可能絶縁電線の接続方法。 - (3)電気導体の接続部の加熱に際しレーザー光線の照
射によることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項の
セラミック化可能絶縁電線の接続方法。 - (4) レーザー光線の照射条件が出力10〜100
W。 照射時間0,5〜5秒であることを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項のセラミック化可能絶縁電線の接続方
法。 - (5)セラミック化可能絶縁電線が回転電機の電機子巻
線を構成し、他の電気導体が回転電機の整流子片より成
ることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項のセラミ
ック化可能絶縁電線の接続方法。 - (6)セラミック化可能絶縁電線を他の電気導体に接続
する際、該絶縁電線の接続部分にレーザー光線を照射し
て絶縁皮膜を焼灼すると同時にあるいは後にガスを噴射
して絶縁皮膜を除去し続いて電気導体の接続部を加熱し
絶縁電線に押圧して前記絶縁電線の導体に溶着接続する
ことを特徴とするセラミック化可能絶縁電線の接続方法
。 - (7)電気導体の接続部の加熱に際し通電加熱を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第(61項のセラミッ
ク化可能絶縁電線の接続方法。 - (8)電気導体の接続部の加熱に際しレーザー光線の照
射によることを特徴とする特許請求の範囲第(6)項の
セラミック化可能絶縁電線の接続方法。 - (9) レーザー光線の照射条件が出力10〜100
W。 照射時間0.5〜5秒であることを特徴とする特許請求
の範囲第(6)項のセラミック化可能絶縁電線の接続方
法。 - (10)セラミック化可能絶縁電線が回転電機の電機子
巻線を構成し、他の電気導体が回転電気の整流子片より
成ることを特徴とする特許請求の範囲第(6)項のセラ
ミック化可能絶縁電線の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11414981A JPS5816487A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | セラミツク化可能絶縁電線の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11414981A JPS5816487A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | セラミツク化可能絶縁電線の接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816487A true JPS5816487A (ja) | 1983-01-31 |
| JPS6135668B2 JPS6135668B2 (ja) | 1986-08-14 |
Family
ID=14630369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11414981A Granted JPS5816487A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | セラミツク化可能絶縁電線の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816487A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050881A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | 富士通株式会社 | 被覆電気導線の配線接続方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03107066U (ja) * | 1990-02-19 | 1991-11-05 |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP11414981A patent/JPS5816487A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050881A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | 富士通株式会社 | 被覆電気導線の配線接続方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6135668B2 (ja) | 1986-08-14 |
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